TW200307759A - Copper and/or zinc alloy nanopowders made by laser vaporization and condensation - Google Patents
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- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 120
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 39
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 28
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 title claims description 20
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 title claims description 15
- 238000009833 condensation Methods 0.000 title claims description 14
- 230000005494 condensation Effects 0.000 title claims description 14
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 title description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 112
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 99
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 47
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 63
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000010951 brass Substances 0.000 claims description 32
- 238000002309 gasification Methods 0.000 claims description 24
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 19
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 15
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 11
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 3
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical group N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 claims 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 40
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 30
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 18
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 12
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 6
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 6
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 6
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 5
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 5
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 3
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 3
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 2
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical class O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005653 Brownian motion process Effects 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910001295 No alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052778 Plutonium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005537 brownian motion Methods 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 229930188620 butyrolactone Natural products 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003426 co-catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- LDCRTTXIJACKKU-ARJAWSKDSA-N dimethyl maleate Chemical compound COC(=O)\C=C/C(=O)OC LDCRTTXIJACKKU-ARJAWSKDSA-N 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003920 environmental process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000007327 hydrogenolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000001995 intermetallic alloy Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000002707 nanocrystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N plutonium atom Chemical compound [Pu] OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000005070 ripening Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 yttrium-aluminum-pyrene Chemical compound 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
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- B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
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200307759 玖、發明說明 (發明說明應敘明··發明所屬之技術領域、先前技術、內容、實施方式及圖式簡單說明) (一) 發明所屬之技術領域: 本發明係關於經由雷射蒸發及凝結而製造銅及/或鋅合 金奈米粉末的方法。 (二) 先前技術= 在下面之本發明的背景敘述中’提到某些結構和方法, 然而,不一定將此等參考資料解釋爲一種承認:在可應用 之法令條款下此等結構和方法合格作爲先前技藝。專利申 請人保留權利來顯示:關於本發明’任何所提到之內容不 構成先前技藝。 各種金屬、金屬間化合物、半導體、金屬碳酸鹽和金屬 氧化物的奈米粒子揭示於各種公告案中。舉例而言,參閱 ••各美國專利案第 5,580,655; 5,695,617; 5,770,022; 5,879,715; 5,891,548 和 5,962,132。另外,此等奈米粒子 對於環境和工業程序具有重要性。舉例而言,甲醇合成、 水煤氣轉化反應及氣相氫解(反應)是觸媒硏究的主題其包 括硏究銅、鋅及/或鋁的作用。舉例而言,參閱q. Sun等 ”製備C u / Ζ η Ο和C u / Ζ η Ο / A 1 2 0 3超細觸媒之新穎方法:自 C Ο 2 + Η 2合成甲醇之結構、表面性質和活性”,觸輝期刊第 [6丄產,p . 9 2 ( 1 9 9 7 ) ; M S · S p e n c e r)π用於甲醇合成和水煤 氣轉化反應之Cu/ZnO觸媒中氧化鋅的作用",Tnpics in 第 8 卷,p.g 5 9 ( 1 9 9 9 )」J · Η . S c h 1 a n d e r 等, ”在銅/鋅氧化物觸媒上氣相氫解馬來酸二甲酯成爲丨,4 _ 丁 200307759 二醇和 丁內酯 ’’,I n d. Eng. Chem. Res.第 38 卷,d.1264 (1 9 9 9); L. Huang等,”在經由球磨所製備之Cu/ZnO觸媒 上合成甲醇 ’’,Catalysis Letters,第 48 卷,p . 5 5 ( 1 9 9 7 ); 及J· Υ· Ying和A· Tsch0pe,”非化學計量之奈米結晶觸媒 的氣相合成n,Advanced Catalysts中及奈米結構之材料, W· R. Moser,編輯,紐約:Academic Press,p.231(1996)。 用於製備奈米結構之材料的技術亦在L · L · S h a w,J 〇 Μ ,第52卷,ρ·41(2000)之論文中討論。先前,奈米粒子係 由下列各種方法予以製造包括:化學合成、氣相合成、凝 相合成,經由離子化團射束之高速沈積、高速硏磨、沈積 和溶膠-凝膠等方法。此等方法具有許多缺點:包括黏聚、 寬粒子大小分佈,或低容積產量。 用以合成金屬間奈米粒子之文獻中所報導之最普通方法 是機械球磨。舉例而言,參閱:E . J a r t y c h等,J. Phvs. Condens· Matter,第 10 卷,ό.4 9 2 9 ( 1 9 9 8 ) ; Jartych Ε·等, 奈米結構夕材料,第12卷,13.927(1999); X. Amilis等, 奈米結構之材料,第__1 2卷,p · 8 0 1 Π 9 9 9 );及R· J. Perez 等,宇米結耩之材料,第7卷,13.565(1996) 〇儘管球磨的 簡單性和有效率,仍有某些問題和限制。舉例而言,硏磨 產物的微結構對於硏磨條件極爲敏感且可能受來自硏磨介 質及來自大氣之討厭污染無法預測的影響。另外’可能需 要過長之硏磨時間才獲得小於2 0奈米之粒子。 製造奈米結構之金屬、金屬碳化物和金屬合金的其他方 法揭示於美國專利第5,9 8 4,9 9 6號和6,0 3 3,6 2 4號中。美國 200307759 , t 專利第5,9 8 4,9 9 7號中揭示用於製造奈米規模粉末之方法 包括:將包括所需要之粉末組合物的所有元素之乳液與一 -種可燃之燃料混合並燃燒該乳液而產生粉末。美國專利第 · 6,136,061號中揭示:自奈米大小金屬粒子(其顯示較佳之 顆粒定向)所形成之奈米結構之金屬密實物。 奈米粒子亦可自蒸氣予以合成。舉例而言,美國專利 第4,533, 383號中揭示:用以製造兩或多種金屬合金粉末 之方法係經由在其本身之氣化室中將每種金屬氣化,將蒸 氣與一種惰性載體氣體混合及凝結混合之蒸氣成爲粒子。 美國專利第5,498,446號中揭示:使鈉蒸氣在火焰中與氣 態氯化物產生反應而製造奈米規模粒子之方法和裝置。美 國專利第5,514,349號和5,874,684號中揭示:用於合成奈 米結晶之材料的方法與系統係經由使用在可消耗之陽極與 一個陰極間所形成之電弧將可消耗之陽極氣化而合成奈米 結晶之材料。美國專利第5 5 7 2 8,1 9 5號中揭示:用於製造 多成分和多相奈米相材料之方法,包括在受控制之大氣中 · 將許多元素氣化,混合各種蒸氣並凝結。美國專利第 5,7 8 8,7 3 8號中和5,8 5 1,5 0 7號中揭示經由驟冷蒸氣而製造 奈米規模粉末之方法。 包括雷射氣化之用於形成奈米粒子之技術亦係熟知。舉 例而言,參閱下列各美國專利第5,1 2 8,0 8 1 ; 5,3 0 0 5 2 0 3 ; 5,320,800; 5,580,655; 5,695,617 及 6,136,156 等號。 仍然存在著需要製造金屬合金,例如銅-鋅合金之奈米粒 子的改良方法,此方法容許改良控制粒子大小及組成。 200307759 (三)發明內容: 本發明的第一具體實施例中,提供製造銅及/或鋅合金的 奈米粒子之方法。該方法包括安裝一或數個標靶在一個室 中,經由使一或數個標靶之每一個歷經雷射能量的光束而 形成蒸氣將來自每一個的一或數標靶之材料氣化,並凝結 蒸氣而形成奈米粒子。一或數個標靶可能是包括Cu及/或 Zn合金之單標祀,經包袠在鋅中之Cu/Zn合金,或包括銅 和鋅粉末或黃銅和鋅粉末之密實物。 或者,一或數個標靶可包括:包含銅之第一標靶及包含 鋅之第二標靶而該方法可另外包括下列步驟:形成雷射能 量的射束;***該雷射能量射束成爲雷射能量的第一和第 二射束;使第一標靶歷經雷射能量之第一射束而形成第一 種蒸氣;使第二標靶歷經雷射能量之第二射束而形成第二 種蒸氣;容許第一與第二蒸氣混合;並凝結混合之蒸氣而 形成Cu及/或Zn合金奈米粒子。 在氣化期間將室中之壓力維持高於大氣壓並建立溫度梯 度在底板與頂板間。將惰性氣體、反應性氣體或其混合物 引入反應室中並容許受控制產生反應性材料例如氧化物、 氮化物和碳化物及Cu、Zn、Cii-Zn或其他金屬間合金的氧 化物、氮化物和碳化物。 經由控制雷射功率、溫度梯度及反應室中之壓力,可控 制奈米粒子的大小。如此形成之Cu及/或Zn合金奈米粒子 具有小於2 0奈米之平均粒子大小,如使用TEM所量測。 200307759
(四)實施方式: J 本發明係關於製造銅及/或鋅合金(c u - ζ η )的奈米|立子之 方法’其包括使原料歷經雷射能量以便形成蒸氣,並凝結 該蒸氣以便形成Cu、Ζη或Cu-Zn奈米粒子。
原料可能是一個Cu-Zn合金標靶。或者,該標祀可能是 經包裹在鋅中之Cu-Zn合金,或該標靶可能由自銅和鋅等 粉末之混合物形成一種密實物所造成,或黃銅和鋅等粉末 之密實物。亦可使用分開之銅標靶和鋅標靶。 I 根據本發明,將原料暴露於雷射能量下而產生原料之氣 化。氣化標靶材料所需要之能量的數量可基於各種變數而 變更例如標靶材料的熱和光學性質以及原料之型式及室中 之狀況。 雷射光束且直接氣化標靶材料不須使材料歷經液相變換 。可採用來產生本發明應用中所使用之雷射能量之雷射型 式包括數種商業上可供應之雷射。在較佳具體實施例中, 雷射ft里可經由在5 3 2奈米之波長下脈衝式釔鋁榴石-欽 鲁 (YAG-Nd)雷射的二次諧波之輸出予以提供。該雷射可在 20HZ時操作並可以10奈米秒的脈衝持續時間輸送20-40mJ/ 脈衝的功率在樣品上。 «胃& € # ϋ子時,可將根據本發明所產生之蒸氣冷卻 或經由致使蒸氣與一種惰性氣體碰撞予以凝結。 才艮Β月方法的一較佳具體實施例採用在擴散霧室中 將至少一個金屬檩靶、脈衝式雷射氣化成爲所選擇之氣體 混合物。適當之擴散霧室的細節可在J · L · K a t ζ,化學物理 -10- 200307759 期刊,第52卷13.4733-4748(1970)上見到,將其倂入本文 以供參考。雷射氣化在容許直接沉積之定向噴射中於極短 - 時間內,典型係在1 (Γ 8秒內產生高密度蒸氣。 例示之室的截面圖顯示於第1圖中。如所示,該室1 〇 係由形成一個擴散霧室1 6之圓形玻璃管3 0所分隔之兩片 水平圓形不銹鋼板2 6與2 8所組成。在雷射氣化期間,典 型將底板2 6維持在較頂板2 8較高之溫度下。以此種方式 ,可將對流流動創造在擴散霧室1 6內部。將標靶1 4安裝 | 在板2 6與板2 8之間,宜較接近下板2 6。然後將擴散霧室 1 6使用一種純惰性載體氣體例如氦或氬塡充。或者,可將 擴散霧室1 6供應一種反應性氣體混合物例如氧和氦之混 合物。使用氧容許形成氧化物在奈米粒子中。在氣化期間 ,典型將擴散霧室中之壓力維持在大約8 0 0 - 1 0 0 0托之總壓 力下,唯實驗可在範圍自1(Γ3托至1500托之壓力下進行。 將玻璃管3 0大體上定位成爲擴散霧室1 6之外玻璃壁並 在雷射氣化期間宜予以加熱。舉例而言,可將鎳鉻耐熱合 · 金加熱器金屬絲(圖中未示)包裹環繞著擴散霧室1 6來提供 充分熱以防止凝結在玻璃管3 0上及維持恒定溫度梯度在 下板與冷板間。在操作期間,奈米粒子典型將凝結在上板 28上。 標靶1 4可包括自合金型或純銅和鋅所造成之一或數種 標靶材料,例如該標靶可能是銅-鋅合金例如黃銅或用鋅包 裹之黃銅標靶或在其他情況使用鋅覆蓋。然而,標靶1 4 亦可包括銅和鋅粉末的壓密混合物。 -11- 200307759 宜將標靶1 4和下板2 6維持在較上板2 8的溫度較高之溫 度下。舉例而言,可將上板2 8經由循環一種冷卻劑例如液 -氮通過冷卻劑管線1 8予以冷卻至低於1 2 0 K。冷卻劑管線 · 1 8供應冷卻劑至上板2 8的內部中之內部通道(圖中未示) — 。以此種方式,可將上板2 8維持在所需要之溫度。經如此 創造在下板2 6與上板2 8間之溫度梯度提供對流。該對流 可在相當高之壓力下,例如8 0 0至1 0 0 0托添加氦、氬或其 他惰性氣體至真空室中予以增強。 鲁 標靶材料的蒸氣可經由自雷射3 2之輸出予以產生。在較 佳具體實施例中,自雷射之輸出是釔鋁榴石-鈸(YAG-Nd) 雷射的二次諧波( = 5 3 2奈米)。宜將雷射脈衝化。例示之脈 衝持續時間是大約1 〇奈米秒。在較佳具體實施例中,雷射 係在20Hz時操作並輸出2 0 -4 0mJ/脈衝的功率在標靶上。 如第1圖中所示,使用兩個鏡子1 2經由自雷射之反射導 引射束至標靶上。然而,亦可使用一或數個鏡子的其他布 置。另外,來自雷射之輸出可直接衝擊在樣品上不須自鏡 φ 子予以反射。 第2圖舉例說明:根據本發明之裝置的另外具體實施例 ,其中使用一個另外之鏡子來***來自雷射3 2之射束至兩 個分開標靶2 2、2 4上。如所示,射束***可使用半透明鏡 2 〇予以實現,鏡2 0反射一部份的射束至第二標靶2 2上同 時容許其他部份的射束通經第一標靶2 4。在本發明的較佳 具體實施例中,使用銅標靶和鋅標靶。 在雷射氣化期間,每一脈衝自標靶上可放釋多於1 〇 1 4原 -12- 200307759 子的材料。在氣化期間自(各)標靶所射出之原子可在室的 反應區中相互作用而形成簇在氣相中。然後金屬或金屬間 材料的此等簇可凝結而形成奈米粒子。經創造在擴散霧室 1 6中之對流協助輸送凝結之粒子出反應區藉以限制其生 長。經由控制雷射功率,並控制溫度梯度及室中之壓力, 可控制奈米粒子的大小。 宜將雷射氣化和凝結步驟實施歷數小時的期間。在較佳 具體實施例中,將該步驟進行歷大約2小時之期間,在將 粒子已形成後,可將擴散霧室16升至室溫(2 0 - 2 5 °C )並可 收集其中所形成之粒子及儲存在大氣狀況下。在上述之排 列中,擴散霧室1 6中所形成之粒子聚集在上板2 8上。 或者,凝結可在反應區外發生並自擴散霧室1 6移出,例 如移入收集室中(可將它周期性分離、更換或自擴散霧室 1 6及/或室1 0中移出)並收集凝結之粒子同時仍容許繼續 製造經氣化之標靶合金材料的凝結粒子。 根據本發明之雷射氣化和凝結技術具有許多優點。舉例 而言,,雷射氣化不需要經蒸發物質的容器並可將具有重 要性之物質自標靶材料的表面直接融磨。成對比,習用之 氣體凝結技術採用烘箱來產生經包含在坩堝中金屬的蒸氣 且氣化度受坩堝材料的氣化溫度所限制。另外,雷射氣化 和凝結容許受控制產生各種物質其包括標靶材料的氧化物 、氮化物和碳化物。 初沉積之Cu及/或Zn合金奈米粒子是黑色。掃描電子顯 微照片(SEM)顯示:將凝結之奈米粒子聚集成網狀結構。 200307759 該奈米粒子合成反應宜在擴散霧室16中在高於大氣壓 " 之壓力下連同氦或氬的惰性環境予以實施,此方式消除在 、 奈米粒子合成期間大氣污染的可能性。然而,該反應亦可_ 在低於大熟壓之壓力下進行。舉例而言,該反應可在低至 1 〇·3托之壓力下發生。 在製造操作期間,可移動雷射光束朝向標粑的新表面。 此方式保證接著每次雷射脈衝後,所需要蒸氣的改良再現 性。 钃 合成反應的一個增加之優點是經由精確引入已知濃度的 氧入真空室中來製備標靶材料的所選擇之氧化物奈米粒子 的能力,包括金屬間奈米粒子。 亦可使用合成反應來製造標耙材料的碳化物奈米粒子, 包括金屬間奈米粒子。當需要此等碳化物時,反應混合物 含有一種惰性載體氣體及一種含碳之氣體例如烴,例如異 丁烯。 該合成反應宜使用脈衝式雷射氣化連同在所界定之室中 · 溫度和壓力條件下,控制自氣相之凝結程序。在氣體成粒 子轉化期間經歷布朗運動之基本粒子間的碰撞可導致形成 奈米粒子聚集體。聚集體的構造包括大體上敞口網狀結構 至基本奈米粒子的密緻組合體。因爲雷射氣化和凝結程序 產生大多數的原子和小部份的離子之混合物,所以預期: 在各程序期間形成中性和帶電(經由離子或自由電子)之兩 種奈米粒子。 經由在形成奈米粒子期間’施加電場可能影響聚集體的 -14- 200307759 生長歷程和結 實施以便形成 米管、奈米長 電場存在下所 聚集體基於所 而言,可將電 能是該至的整 成之纖維。在 雷射氣化所 Zn奈米粒子。 應/成核區中ΰ 許氣化單標靶 組成,可調節 比率而形成C 舉例而言, 銅但是需要製 放置一個另外 標靶並予以同 利於形成富含 在一種例示 和Zn粉末之3 < 1 4 9 μ m )],然 比的C u : Z n厚 相互作用或相 構。例如’可將雷射氣化在有電場之存在下 Cu及/或Zn合金奈米粒子的奈米金屬絲、奈 、 絲、或長絲狀或樹狀聚集體。在一方面,有 — 形成之奈米粒子具有方位限額> 1。鏈和樹狀 施加之電場強度顯示伸展和收縮性質。舉例 場在30至3 0 0 V/cm時施加,舉例而言,可 體特徵。第3圖顯示:在電場的影響下所形 第3圖之像中,將-3 0 0 V施加至頂板。 _ 控制之凝結可形成具有各種組成之Cu及/或 因此,最終產物(奈米粒子)的組成將基於反 ί供利用之Cu : Zn原子的比率。此實驗技術容 或多標靶的靈活性。基於單標靶或多標靶的 蒸氣中Cu和Zn原子的數量至任何所需要之 u及/或Zn奈米粒子。 如果一個標靶在氣化時僅產生(C u、Ζ η)或黃 造金屬間-Cu5Zn8或-黃銅的奈米粒子’則可 鲁 之標靶例如純Zn連同原來(Cu、Zn)或-黃銅 時氣化來增強蒸氣中Zn的數量而因此,有 Zn 之相- Cu5Zn8。 之方法中,製備含有不同組成的微米大小Cu 泣片卜1 0 0 + 3 2 5篩眼號數(44μπι<粒子大小 後予以氣化。於氣化此等粒片時’可將一定 子形成在蒸氣中。然後如此所形成之原子將 §:反應而再凝結並形成相當之奈米粒子。 •15- 200307759 第4圖是整體粉末混合物與金屬間奈米粒子之X射線繞 射(XRD)圖型的比較。第4(a)圖顯示··經由壓縮5 0 / 5 0重量 %的Cu和Zn粉末所形成之粒片的XRD圖型。如在XRD ^ 中所見,所有尖峰屬於Cu或Zn,在此情況中’沒有跡象 :任何合金形成。第4 ( b )圖代表:經由氣化粒片(其X R D 顯示於第4(a)圖中)所形成之奈米粒子的XRD圖型。當與 第4 (a)圖相比較,所形成之奈米粒子不僅是分開Cu粉末 和Zn粉末的混合物而是金屬間Cu-Zri奈米粒子。可將XRD | 尖峰歸因於來自-Cu5Zn8或·黃銅晶格的各自(330)、(422) 、(600)和(721)等平面之繞射。 第5圖是相當於第4(b)圖中XRD之奈米粒子的TEM像 。該T E Μ像顯示:平均粒子大小是大約2 0奈米。 C u、Ζ η和C u / Ζ η合金奈米粒子係使用根據本發明之雷射 氣化所控制之凝結技術予以製備。經由將壓縮數種不同組 成(重量%)的Cu和Zn粉末所造成之粒片(CuxZni^x)氣化 所製成之奈米粒子的XRD圖型示於第6(a)至(f)圖中。第 6 · 圖顯示下列(a )至(f)各奈米粒子之X射線繞射數據:(a )自 純銅所製備之奈米粒子;(b)包括8 5重量°/〇銅和1 5重量% 鋅之Cu/Zn合金的奈米粒子;(c)包括70重量%銅和30重 量%鋅之C u / Ζ η合金的奈米粒子;(d )包括4 0重量%銅和6 0 重量%鋅之C u / Ζ η合金的奈米粒子;(e )包括1 5重量%銅和 85重量%鋅之Cu/Zn合金的奈米粒子;及⑴純Zn的奈米 粒子。XRD圖型係使用一具菲利浦X’Pert材料硏究繞射儀,
以C u K !輻射而獲得。個別粒子的大小和形狀使用在2 0 0 k V -16- 200307759 時所操作之JeolJEM-200FXE透射電子顯微鏡(TEM)予以 硏究,此ΤΕΜ亦配置用於組成分析之Tracor Northern 5 5 0 0 E D X分析系統。高淸晰度T E Μ像使用在4 0 0 k V時所 操作之Jeol-4000EX而獲得。 如自第6(a)圖可見,純銅奈米粒子的XRD圖型在43.31 、5 0.4 6和7 4 · 0 9等繞射角(2 )時顯示顯著尖峰,其歸因於 自銅晶格的各自(111)、(2 〇〇)和(2 2 0 )平面之繞射。 如自第6(f)圖可見,純Zn奈米粒子的XRD圖型(第f圖) 在4 3.24、5 4.3 2、7 0.0 8和8 2.0 9等繞射角(2)時顯示顯著 尖峰,其歸因於自鋅晶格的各自(1 0 1 )、( 1 0 2 )、( 1 〇 3 )和(1 1 2 ) 平面之繞射。 如自第6(b)圖可見,包括85重量% Cu和15重量%,!!之 Cu/Zn合金奈米粒子的XRD圖型在43.34、50.52、74.17等 繞射角(2)時顯示顯著尖峰,其歸因於C u晶格中之各平面。 如自第6(c)圖可見,包括70重量%Cu和30重量%Zn之 Cu/Zn合金奈米粒子的XRD圖型在43.29、50.37和74.11 等繞射角(2)時顯示顯著尖峰,其歸因於C u晶格中之各平 面。第6(c)圖中,三尖峰每一者左方之「肩部」係指示形 成Cu和Zn的固體溶液或黃銅。 如自第6(d)圖可見’包括40重量%Cu和60重量。/〇Zn之 Cu/Zn合金奈米粒子的XRD圖型在43.25、56.59、62.81和 7 9 · 9 2等繞射角(2 )時顯示顯著尖峰。4 3 · 2 5、6 2 · 8 1和7 9 . 9 2 的2尖峰歸因於自Cu5Zn8晶格中(330)、(600)和(721)等平 200307759 如自第6(e)圖可見,包括15重墓G/°Ci^p 85重量。/。以之 Cu/Zri合金奈米粒子的XRD圖型在42·07、4 3.2 9、5 7.6 7、 ' 62.83、68.09、77·79和83.27等繞射角(2)時顯示顯著尖峰 ,係歸因於自C u 5 Ζ η 8晶格中各平面之繞射。4 2 · 0 7、5 7.6 7 、6 8.0 9、7 7 · 7 9和8 3 · 2 7的2尖峰係歸因於c u Ζ η 5晶格中 各平面之繞射° 根據本發明,Cu及/或Ζη合金奈米粒子可具有低於2〇 奈米之平均粒子大小,如使用ΤΕΜ所量測。經由將利用壓 _ 製15/85重量°/❶的Cu和211粉末所造成之粒片氣化所造成 之粒子的TEM像在第7圖中可見。此等奈米大小粒子的平 均大小是大約2 0奈米。 如上文中所特舉出’在較佳具體貫施例中’將穩態對流 創造在擴散霧室中。該穩態對流可經由維持頂板在顯著低 於底板之溫度下予以獲得。其結果是,將頂板稱爲凝結或 沉積板。該對流,舉例而言’可經由冷卻頂板並保持底板 在室溫下或經由加熱底板並保持頂板在室溫下予以造成。 鲁 可將鎳鉻耐熱合金加熱金屬絲包袠環繞玻璃管來加熱該玻 璃管爲的是將沉積在玻璃上減至最少並亦保證較爲均勻之 溫度梯度在兩板之閭。各板的溫度可使用附著至每一板上 之熱電偶予以監測。可將熱電偶連接至溫度讀出。 在氣化期間,宜使自(各)整體標祀的表面所射出之原子 與擴散霧室中之大氣相互作用。由於對流’當頂板接近時 ,該大氣的溫度降低而導致最大過飽和發展在擴散霧室的 上半中。過飽和的程度愈大,凝結所需要之核的大小則愈 -18- 200307759 小。蒸氣的過飽和程度可經由變更溫度梯度予以 粒子的大小生長太大前,對流在移動粒子出成核 亦具有重要性。擴散霧室內之對流可經由增加溫 經由使用較重之載體氣體(當與氦比較時之氬)予 因此,經由控制雷射功率,可控制溫、度梯度和室 或大氣、凝結粒子的大小及/或形狀。 可導致形成不同相之程序變數包括;擴散霧室 之惰性氣體的型式和壓力,頂板和底板之溫度及 。另外,當將雷射***時,每一個***之雷射光 強度可影響雷射氣化和凝結期間所形成之各個相 可將Cu-Z η合金奈米粉末使用於各種應用中。 ,可將粉末分散入一種適當載體中並使用作爲噴 用之油墨。亦可使用Cu-Zn奈米粉末用以產生金 金屬之導電圖型在基板上。亦可使用本發明之奈 用以製造冶金組件之粉末冶金應用上,用以製造 或製造層狀結構例如官能上梯度材料。可使用奈 化學反應中作爲觸媒,舉例而言,在轉化C Ο成】 作爲觸媒。 在另外方面,微米大小之黃銅粉末和Zn粉末5 始原料代替元素之Cu和Zn粉末。 第8(a)圖顯示:商業上可供應之微米大小的黃自 粉末(C u / Ζ η ·· 7 0 / 3 0重量°/〇)的X R D圖型。尖峰在 4 9.5 2和7 4 6 4的繞射角(2 )數値時見到。此等三 與-黃銅(Cu、Zn)之資料庫XRD卡中所列之尖峰3 增強。在 區外方面 度梯度或 以增強。 中壓力及/ 中所使用 雷射功率 束的相對 〇 舉例而言 墨印刷應 屬之像或 米粉末在 金屬薄膜 米粒子在 焉C Ο 2時 丁能是起 洞(Cu/Zn) 42.52 > 固主尖峰 乞分比較 200307759 。在4 2.5 2之尖峰已被編入自黃銅的(1 1 0 )平面之繞射的索 引中。在8 8 · 0 2之一個另外尖峰(圖中未示)已被編入黃銅 的(009)平面之繞射的索引中。第8(b)圖顯不:接著雷射氣 化微米大小之黃銅粒子後所產生之黑色奈米粒子的XRD 圖型。於比較此等兩圖型時,顯然可見:奈米粒子樣品含 有-黃銅。另外,亦有另外組的尖峰在43.26、5〇·4、74.06 和8 9.9 0的2數値時存在(圖中未示),可將其編入自銅的 (111)、(200)、(220)和(311)等平面之繞射的索引中。上述 觀察顯示:微米大小之黃銅粉末的雷射氣化主要產生Cu 與-黃銅奈米粒子的混合物。 爲了形成富含Zn之金屬間相,當與經由氣化具有Cii/Zn: 7 0/3 0重量%比之整體黃銅粉末所獲得之蒸氣比較,可將反 應室中之Zn蒸氣加濃。爲了便利此作業,將黃銅粉末與 純元素Zn粉末的混合物壓製成粒片以致使該粒片的總原 子組成是Cu/Zn:2 5 /7 5重量%。第8(c)圖舉例說明:接著雷 射氣化該粒片後所形成之奈米粒子的XRD圖型。當與第 8(a)圖和第8(b)圖比較時,XRD圖型之改變顯示:未形成 Cu相也未形成-黃銅相。在43.28、50.37、62.85和79.38 的2數値時所見到之尖峰可歸因於金屬間-黃銅相(其具有 Cu5Zn8組成)的(3 3 0 )、(422)、(600)和(721)等平面之繞射。 在更另外方面,可使用固體黃銅和Zn標靶作爲原料且 調節蒸氣中C U . Zn原子的比之主要來源是通過雷射源。
第9 (a)圖顯示:接著雷射氣化商業上可供應之黃銅 (Cu/Zn :6 3 / 3 7重量%)標靶後所獲得之黑色奈米粒子的XRD 200307759 圖型。顯著之尖峰在43.33、50.47和74.11的角(2)時見到 。可將此等編入自C u的(1 1 1 )、( 2 〇 〇 )和(2 2 0 )等平面之繞射 的索引中。另外,由於一個接鄰尖峰的存在(由*所指示) ,每一個此等尖峰含有一個”肩部”。此等接鄰尖峰相互重 疊,不能解析成爲分開之尖峰如XRD尖峰,變寬係由於粒 子的奈米結晶大小。發現此等”肩部’’不存在於經由氣化純 銅(9 9.9 9 9 %)標靶所製成之cu奈米粒子的XRD圖型中如第 6 (a)圖中可見。”肩部”尖峰可能歸因於黃銅(Cn、Zn)或-黃 銅奈米粒子的存在於樣品中。 該雷射氣化凝結技術容許該氣化技術同時氣化兩個標靶 。將Cu/Zn樣品(Cu/Zn:6 3 /3 7重量°/〇截留入經鑽在99 + %Zn 標靶中之一個孔中。然後將氣化雷射光點***成雨個標靶 以致使它是大槪50 %在黃銅標靶上及50%在Zn標靶上。接 著雷射氣化後,可將Cu和Zn原子自黃銅樣品產生,另外 ,Zn原子亦可自Zn標靶而產生,因此造成過量的Zn原子 在蒸氣中。所形成之奈米粒子的XRD圖型顯示於第9(b) 圖中。如圖中所指示,可將所觀察到的所有尖峰編入自金 屬間-Cu5Zn8相之繞射的索引中。第9(c)中顯示:在移動雷 射光點後所形成之奈米粒子的XRD光譜以致使它是大槪 三分之一在黃銅標靶上及三分之二在zn標靶上。此現象 更進一步增強蒸氣中Zn原子的濃度及觀察到(經由指示) 如所預測之尖峰(相當於更富含Ζϋ之金屬間相b)。CnZn5 是所形成之優先選擇相。在兩種樣品中,見到有微量的ZnO 存在。 -2 1 - 200307759 可使用經由本發明的方法所形成之奈米粒子在工業和環 境程序上。舉例而言,可使用Cu及/或Zn及/或CuZn〇2 的奈米粒子作爲烴類之觸媒。亦可使用此等奈米粒子作爲 \ CO觸媒或可使用作爲將甲醇氧化時之觸媒。可將Cu及/ 或Zn及/或Cu/Zn〇2奈米粒子單獨使用或連同其他適 類觸媒而使用。舉例而言,受載觸媒之結構(即·具有觸媒 物質沉積在其上之一種觸媒結構)可具有CU及/或Zn奈米 粒子之形式。此等Cu及/或Zn奈米粒子可經由雷射氣化連 馨 同受控制之凝結(LVCC)予以形成並經由適當方法沉積在 觸媒結構上。在一方面,可將Cii及/或Zn的奈米粒子分散 入一種適當載體中並經由噴墨技術均勻印刷在基材上,或 印刷成圖型在基材上。在另一方面,可將Cu及/或Zn的奈 米粒子使用於粉末冶金應用中用以製備冶金組件,用以製 造金屬薄膜,或製造層狀結構例如官能上之梯度物質。 雖然本發明已參照上述之具體實施例予以敘述,但通常 精於此項技藝之人士,某些修正和變更將顯然可見。因此 鲁 ,本發明僅受所附隨之申請專利範圍的範圍和要旨所限制。 (五)圖式簡單說明: 本發明的其他細節和優點自與附隨圖式有關之較佳具體 實施例的下列詳述將變得顯然可見,各圖式中相同數字代 表相同元件,圖式中: 第1圖顯示:依照本發明的第一具體實施例’用於實施 雷射氣化和受控制凝結(LV C C )技術之裝置,其包括一個室 和單標靶。 -22- 200307759 第2圖顯示:依照本發明的第二具體實施例,用於實施 雷射氣化和受控制凝結(LV C C )技術之裝置,其包括一個室 „ 和兩個標靶。 , 第3圖顯示:在電場的影響下所形成之奈米粒子的纖維。 ^ 第4(a)圖是Cu和Zn(以重量計5 0:5 0 )整體粉末的混合物 ~ 之X射線繞射圖型的比較而第4(b)圖是接著氣化第4(a)圖 中之混合物所形成之相當奈米粒子的X射線繞射圖型的比 較。 φ 第5圖是相當於第4(b)圖中X射線繞射圖型,奈米粒子 的TEM像。 第6 (a)圖顯示:自純銅所製備之奈米粒子之X射線繞射 圖型;第6 ( b )圖顯示:包含8 5重量°/〇銅和1 5重量%鋅之 Cu/Zn合金奈米粒子之X射線繞射圖型;第6(c)圖顯示: 包含7〇重量%銅和30重量%鋅之Cu/Zn合金奈米粒子之X 射線繞射圖型;第6 ( d)圖顯示:包含4 0重量%銅和6 0重 量%鋅之Cu/Zn合金奈米粒子之X射線繞射圖型;第6(e) φ 圖顯示:包含1 5重量%銅和85重量%鋅之Cu/Zn合金奈米 粒子之X射線繞射圖型;及第6(f)圖顯示:純Zn的奈米 粒子之X射線繞射圖型。 第7圖是經由壓縮1 5/85重量%Cu/Zn粉末所形成之氣化 粒片所造成之粒子的TEM像。 第8 ( a )圖顯示:具有7 0重量% C u和3 0重量% Ζ η的C u / Ζ η 組合物之商業上可供應的微米大小黃銅粉末之X射線繞射 圖型;第8(b)圖顯示:接著將第8(a)圖中之粉末雷射氣化 -23- 200307759 後所形成之黑色奈米粒子之X射線繞射圖型;第8 ( c)圖顯 示:經壓製成粒片之黃銅粉末與純元素Zn粉末的混合物 (並具有2 5重量% C u和7 5重量% Ζ η的總原子組成)之X射 線繞射圖型。 第9 (a)圖顯示:接著雷射氣化具有63重量%Cu和37重 量% Zn之C U/Zn合金所獲得之黑色奈米粒子的X射線繞射 圖型;第9(b)圖顯示:雷射氣化在兩個標靶-Cu/Z η 63/37 重量%黃銅樣品及9 9 + % Ζ η標靶期間自斑點大小的5 0 : 5 0分 裂所形成之奈米粒子的X射線繞射圖型;第9 ( c)圖顯示: 在雷射氣化兩個標靶-Cu/Zn 6 3 / 3 7重量%黃銅樣品和 9 9 + %Zn標靶期間自斑點大小的***所形成之奈米粒子的 X射線繞射圖型。 主要部分之代表符號說明z 10 室 12 14,22,24 16 18 20 26,28 3 0 3 2 鏡子
標靶 擴散霧室 冷卻劑管線 半透明鏡 不銹鋼板 圓形玻璃管 雷射 -24-
Claims (1)
- 200307759 拾、申請專利範圍 1 . 一種製造銅/鋅(Cii/Zn)合金的奈米粒子之方法,包括: 安裝一或數個標靶在一室中; - 經由使一或數個標靶的每一個歷經雷射能量的射束 * 而形成蒸氣,以將一或數個標靶的每一個之材料氣化;及 ’ 凝結該蒸氣而形成Cu/Z η合金奈米粒子。 2 .如申請專利範圍第1項之方法,其中一或數個標靶包括 含Cu/Zn合金的單標靶。 _ 3 .如申請專利範圍第2項之方法,其中該單標靶包括經包 裹在鋅中之Cu/Zn合金。 4 .如申請專利範圍第2項之方法,其中該單標靶是包含銅 和鋅粉末之密實物或包含黃銅和鋅粉末之密實物。 5 .如申請專利範圍第1項之方法,其中Cu/Zn合金奈米粒 子具有小於約20nm的平均粒子大小。 6 .如申請專利範圍第1項之方法,其中該雷射係YAG-Nd 雷射,及其中自該雷射之發射包括在5 3 2 nm波長下之 鲁 二次諧波。 7 .如申請專利範圍第1項之方法,其中將雷射能量脈衝化。 8 .如申請專利範圍第7項之方法,其中雷射能量的脈衝具 有約1 〇奈秒的持續時間。 9 .如申請專利範圍第7項之方法,其中雷射能量的每一脈 衝輸出2 0 - 4 0 m J之能量至標靶上。 1 0 .如申請專利範圍第1項之方法,其中奈米粒子係在電場 之存在下予以形成及其中該奈米粒子包括長絲、奈米金 -25- 200307759 屬絲或奈米管。 1 1 .如申請專利範圍第1 0項之方法,其中奈米粒子具有大 於1之縱橫比。 _ 1 2 .如申請專利範圍第1 0項之方法,其中施加3 0至3 0 0 V / cm之電場。 1 3 .如申請專利範圍第1項之方法,其中氣化和凝結係在擴 散霧室中進行。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之方法,其中該擴散霧室包括 f 一個上部份和一個下部份及其中將上部份維持在較下 部份較低溫度下以致使奈米粒子在上部份中凝結。 1 5 .如申請專利範圍第1項之方法,其中將惰性載體氣體或 包含惰性載體氣體和反應性氣體之反應混合物加至室 中 〇 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之方法,其中該惰性載體氣體 係氨或Μ。 1 7 .如申請專利範圍第1 5項之方法,其中該反應混合物包 φ 括惰性氣體和異丁烯。 1 8 .如申請專利範圍第1 5項之方法,其中該反應性混合物 包括氧和惰性氣體,及其中奈米粒子包括一或多種之銅 及/或鋅的氧化物。 1 9 .如申請專利範圍第1 8項之方法,其中包含一或多種之 銅及/或鋅的氧化物之奈米粒子係CuO、ΖηΟ或Cu20。 2 0 .如申請專利範圍第1項之方法,其中奈米粒子包括銅和 鋅的金屬間化合物。 -26- 200307759 2 1 .如申請專利範圍第2 0項之方法,其中金屬間化合物包 括 Cu5Zn8 及 / 或 CuZn5° 2 2 .如申請專利範圍第1項之方法,其中一或數個標靶包括 · 含有銅之第一標靶及含有鋅之第二標靶,該方法更包括 下列步驟: ***雷射能量的射束成爲雷射能量的第一射束和第 二射束; 使第一標靶歷經雷射能量的第一射束而形成第一種 · 蒸氣; 使第二標靶歷經雷射能量的第二射束而形成第二種 蒸氣; 混合該第一種蒸氣和第二種蒸氣;及 凝結混合之蒸氣而形成Cu/Zn合金奈米粒子。 2 3 .如申請專利範圍第1項之方法,其中使雷射能量的射束 相對於一或數個標靶而移動。 2 4 .如申請專利範圍第1項之方法,其中在氣化步驟期間將 鲁 室中之壓力維持在l(T3至1〇4托的範圍內。 2 5 .如申請專利範圍第1項之方法,其更包括在氣化步期間 ,維持室中的溫度梯度。 2 6 .如申請專利範圍第1項之方法,其中在氣化期間將室中 之壓力維持高於大氣壓。 2 7 . —種製造銅(C u )的奈米粒子之之方法,包括: 安裝一或數個標靶在一個室中,至少一個標靶包括含 有銅之第一標靶; -27- 200307759 經由使該至少一個標靶歷經雷射能量的射束形成第 一種蒸氣以將來自至少一個的一或數標靶之材料氣化 ;及 - 凝結該第一種蒸氣而形成C u奈米粒子。 2 8 .如申請專利範圍第1項之方法,其更包括下列步驟: 視需要,混合第一種蒸氣和第二種蒸氣, 其中第二種蒸氣是一種惰性載體氣體或包括一種惰 性載體氣體和一種反應性氣體之反應性混合物,而C u fl 奈米粒子包括一種或數種銅的氧化物。 29 . —種製造鋅(Ζη)的奈米粒子之方法,包括: 安裝一或數個標靶在一個室中,至少一個標靶包括含 有鋅之第一標靶; 經由使該至少一個標靶歷經雷射能量的射束形成第 一種蒸氣,以將來自至少一個的一或數標靶之材料氣化 ;及 凝結該第一種蒸氣而形成Ζη奈米粒子。 · 3 0 .如申請專利範圍第2 9項之方法,其更包括下列步驟: 視需要,混合第一種蒸氣和第二種蒸氣, 其中第二種蒸氣是一種惰性載體氣體或包括一種惰 性載體氣體和一種反應性氣體之反應性混合物,而Ζη 奈米粒子包括一種或數種Ζη之氧化物。 3 1 . —種C u / Ζ η之奈米化粒子,其具有2 0 n m的平均粒子大 小,其中該奈米化粒子係由雷射氣化之材料所凝結出。 3 2 .如申請專利範圍第3 1項之奈米化粒子,其中平均粒子 -28- 200307759 大小係小於約2 0 n m。 3 3 .如申請專利範圍第3 1項之奈米化粒子,其中該奈米化 粒子包括銅和鋅的一或數種金屬間化合物。 _ 3 4 .如申請專利範圍第3 3項之奈米化粒子,其中該金屬間 - 化合物包括c u 5 ζ η 8及/或C u Ζ η 5。 3 5 . —種奈米化粒子,係由凝結來自雷射氣化第一及/或第 二標靶之材料所產生,其中第一標靶包括銅而第二標靶 包括鋅。 φ 3 6 .如申請專利範圍第3 5項之奈米化粒子,其中該奈米化 粒子包含銅和鋅的一或數種金屬間化合物。 3 7 .如申請專利範圍第3 6項之奈米化粒子,其中該金屬間 化合物包括Cu5Zn8及/或CuZn5。 3 8 . —種受載觸媒之結構,包括: 催化結構;及 觸媒, 其中該觸媒包括經由雷射氣化連同受控制凝結的程 φ 序所形成之Cu、Zn或Cu/Zn的多奈米粒子。 -29-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/066,365 US20030145681A1 (en) | 2002-02-05 | 2002-02-05 | Copper and/or zinc alloy nanopowders made by laser vaporization and condensation |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200307759A true TW200307759A (en) | 2003-12-16 |
Family
ID=27658669
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW092102255A TW200307759A (en) | 2002-02-05 | 2003-01-30 | Copper and/or zinc alloy nanopowders made by laser vaporization and condensation |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20030145681A1 (zh) |
AU (1) | AU2003265220A1 (zh) |
TW (1) | TW200307759A (zh) |
WO (1) | WO2003104509A2 (zh) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7442227B2 (en) * | 2001-10-09 | 2008-10-28 | Washington Unniversity | Tightly agglomerated non-oxide particles and method for producing the same |
US20050126338A1 (en) * | 2003-02-24 | 2005-06-16 | Nanoproducts Corporation | Zinc comprising nanoparticles and related nanotechnology |
US20050166935A1 (en) * | 2003-10-27 | 2005-08-04 | Philip Morris Usa Inc. | Reduction of carbon monoxide in smoking articles using transition metal oxide clusters |
US7712471B2 (en) * | 2003-10-27 | 2010-05-11 | Philip Morris Usa Inc. | Methods for forming transition metal oxide clusters and smoking articles comprising transition metal oxide clusters |
US7478637B2 (en) * | 2004-11-09 | 2009-01-20 | Philip Morris Usa Inc. | Continuous process for surface modification of cigarette filter materials |
JP5091686B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2012-12-05 | ピコデオン エルティーディー オイ | パルスレーザ蒸着方法 |
US7274458B2 (en) | 2005-03-07 | 2007-09-25 | 3M Innovative Properties Company | Thermoplastic film having metallic nanoparticle coating |
GB2430202A (en) * | 2005-09-20 | 2007-03-21 | Mantis Deposition Ltd | Antibacterial surface coatings |
CN100384573C (zh) * | 2006-01-23 | 2008-04-30 | 内蒙古蒙西高新技术集团有限公司 | 一种新型铜锌合金粉的制备方法 |
FI20060178L (fi) * | 2006-02-23 | 2007-08-24 | Picodeon Ltd Oy | Pinnoitusmenetelmä |
US20090176034A1 (en) * | 2006-02-23 | 2009-07-09 | Picodeon Ltd. Oy | Surface Treatment Technique and Surface Treatment Apparatus Associated With Ablation Technology |
FI20060177L (fi) * | 2006-02-23 | 2007-08-24 | Picodeon Ltd Oy | Menetelmä tuottaa hyvälaatuisia pintoja ja hyvälaatuisen pinnan omaava tuote |
CA2642867A1 (en) * | 2006-02-23 | 2007-08-30 | Picodeon Ltd Oy | Coating on a fiber substrate and a coated fiber product |
FI20060181L (fi) * | 2006-02-23 | 2007-08-24 | Picodeon Ltd Oy | Menetelmä tuottaa pintoja ja materiaalia laserablaation avulla |
KR101399235B1 (ko) * | 2006-02-23 | 2014-05-30 | 피코데온 리미티드 오와이 | 탄소 질화물 코팅 및 탄소 질화물 코팅된 제품 |
US8859931B2 (en) * | 2006-03-08 | 2014-10-14 | Tekna Plasma Systems Inc. | Plasma synthesis of nanopowders |
UA82448C2 (uk) * | 2007-02-26 | 2008-04-10 | Институт электросварки им. Е.О. Патона национальной академии наук Украины | Спосіб одержання інкапсульованих нанопорошків і установка для його здійснення |
EP2242735A2 (en) * | 2008-01-07 | 2010-10-27 | Danmarks Tekniske Universitet - DTU | A catalyst, a process for selective hydrogenation of acetylene to ethylene and a method for the manufacture of the catalyst |
US7601324B1 (en) | 2008-07-11 | 2009-10-13 | King Fahd University Of Petroleum And Minerals | Method for synthesizing metal oxide |
US8460538B2 (en) | 2010-06-14 | 2013-06-11 | King Fahd University Of Petroleum And Minerals | Method for detection of cyanide in water |
TWI575062B (zh) | 2011-12-16 | 2017-03-21 | 拜歐菲樂Ip有限責任公司 | 低溫注射組成物,用於低溫調節導管中流量之系統及方法 |
US9242298B2 (en) * | 2012-06-26 | 2016-01-26 | Empire Technology Development Llc | Method and system for preparing shaped particles |
RU2643288C2 (ru) * | 2016-04-20 | 2018-01-31 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН) | Способ получения нанопорошка неметалла |
US10978718B2 (en) * | 2017-08-29 | 2021-04-13 | Uchicago Argonne, Llc | Carbon dioxide reduction electro catalysts prepared for metal organic frameworks |
US11033888B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-06-15 | Uchicago Argonne, Llc | Nanofiber electrocatalyst |
CN110480025B (zh) * | 2019-09-06 | 2020-12-08 | 陕西师范大学 | 一种高密度纳米材料气相制备方法 |
US20230016029A1 (en) * | 2019-12-24 | 2023-01-19 | Battelle Energy Alliance, Llc | Laser ablation methods and systems for producing feedstock powder suitable for laser-based additive manufacturing |
CN111171447B (zh) * | 2020-01-20 | 2021-09-14 | 深圳市捷安纳米复合材料有限公司 | 杀菌塑料母粒及其制备方法和应用 |
US11633722B2 (en) | 2020-09-30 | 2023-04-25 | Uchicago Argonne, Llc | Catalyst for water splitting |
CN117206544B (zh) * | 2023-11-09 | 2024-02-20 | 四川工程职业技术学院 | 一种Zn-Cu-Mn-Mg合金多孔结构激光选区熔化成形方法 |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3476547A (en) * | 1966-10-20 | 1969-11-04 | Gen Motors Corp | Method of making metal powder |
US4067752A (en) * | 1973-11-19 | 1978-01-10 | Raychem Corporation | Austenitic aging of metallic compositions |
US4131453A (en) * | 1977-08-18 | 1978-12-26 | Kennecott Copper Corporation | Pyrometallurgical brass production |
AU535073B2 (en) * | 1979-12-17 | 1984-03-01 | Unisearch Limited | Methanol synthesis catalyst and use thereof |
US4363752A (en) * | 1981-06-08 | 1982-12-14 | Nalco Chemical Company | Catalyst of activated copper-zinc alloy and its use in hydrating acrylonitrile |
US4675306A (en) * | 1983-04-11 | 1987-06-23 | The Standard Oil Company | Preparation of catalyst for producing alcohols |
JPS59208006A (ja) * | 1983-05-10 | 1984-11-26 | Toyota Motor Corp | 合金微粉末の製造方法 |
US4504597A (en) * | 1983-11-04 | 1985-03-12 | Scm Corporation | Cupreous catalyst and process making same |
ZA848604B (en) * | 1983-11-04 | 1985-06-26 | Veg Gasinstituut Nv | Process for the production of hydrogen |
US5168097A (en) * | 1986-10-27 | 1992-12-01 | Hitachi, Ltd. | Laser deposition process for forming an ultrafine-particle film |
US5320800A (en) * | 1989-12-05 | 1994-06-14 | Arch Development Corporation | Nanocrystalline ceramic materials |
US5128081A (en) * | 1989-12-05 | 1992-07-07 | Arch Development Corporation | Method of making nanocrystalline alpha alumina |
GB2243160B (en) * | 1990-02-13 | 1994-08-10 | Honda Motor Co Ltd | A method of producing a moulded article |
JP2985292B2 (ja) * | 1990-11-30 | 1999-11-29 | 大豊工業株式会社 | 銅系軸受合金 |
US5300203A (en) * | 1991-11-27 | 1994-04-05 | William Marsh Rice University | Process for making fullerenes by the laser evaporation of carbon |
DE4142432A1 (de) * | 1991-12-20 | 1993-06-24 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur herstellung von kupferpulver |
US5460701A (en) * | 1993-07-27 | 1995-10-24 | Nanophase Technologies Corporation | Method of making nanostructured materials |
DE4339426C2 (de) * | 1993-11-18 | 1999-07-01 | Diehl Stiftung & Co | Kupfer-Zink-Legierung |
DE4408113A1 (de) * | 1994-03-10 | 1995-09-14 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Methylchlorsilanen |
US5498446A (en) * | 1994-05-25 | 1996-03-12 | Washington University | Method and apparatus for producing high purity and unagglomerated submicron particles |
DE4438485C2 (de) * | 1994-10-28 | 1998-05-20 | Wieland Werke Ag | Verwendung einer Kupfer-Zink-Legierung für Trinkwasserinstallationen |
US6033624A (en) * | 1995-02-15 | 2000-03-07 | The University Of Conneticut | Methods for the manufacturing of nanostructured metals, metal carbides, and metal alloys |
US5984996A (en) * | 1995-02-15 | 1999-11-16 | The University Of Connecticut | Nanostructured metals, metal carbides, and metal alloys |
US5580655A (en) * | 1995-03-03 | 1996-12-03 | Dow Corning Corporation | Silica nanoparticles |
US5728195A (en) * | 1995-03-10 | 1998-03-17 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Method for producing nanocrystalline multicomponent and multiphase materials |
US5695617A (en) * | 1995-11-22 | 1997-12-09 | Dow Corning Corporation | Silicon nanoparticles |
US6136061A (en) * | 1995-12-01 | 2000-10-24 | Gibson; Charles P. | Nanostructured metal compacts, and method of making same |
EP0858833B1 (de) * | 1995-12-01 | 2003-03-12 | GE Bayer Silicones GmbH & Co. KG | Katalysatoren auf Kupferbasis, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie ihre Verwendung und ein Verfahren zur Herstellung von alkylhalogensilanen |
EP0792688A1 (en) * | 1996-03-01 | 1997-09-03 | Dow Corning Corporation | Nanoparticles of silicon oxide alloys |
DE19611132A1 (de) * | 1996-03-21 | 1997-09-25 | Joachim Dr Pohl | Heterogener Katalysator, seine Herstellung und seine Verwendung |
JP2000514870A (ja) * | 1996-07-11 | 2000-11-07 | ザ ユニバーシティー オブ シンシナティ | 正確に調節された特性を有するフィルム及び粒子の電気的に補助された合成 |
US5851507A (en) * | 1996-09-03 | 1998-12-22 | Nanomaterials Research Corporation | Integrated thermal process for the continuous synthesis of nanoscale powders |
US5788738A (en) * | 1996-09-03 | 1998-08-04 | Nanomaterials Research Corporation | Method of producing nanoscale powders by quenching of vapors |
US5984997A (en) * | 1997-08-29 | 1999-11-16 | Nanomaterials Research Corporation | Combustion of emulsions: A method and process for producing fine powders |
US6716525B1 (en) * | 1998-11-06 | 2004-04-06 | Tapesh Yadav | Nano-dispersed catalysts particles |
US6391163B1 (en) * | 1999-09-27 | 2002-05-21 | Applied Materials, Inc. | Method of enhancing hardness of sputter deposited copper films |
US6632300B2 (en) * | 2000-06-26 | 2003-10-14 | Olin Corporation | Copper alloy having improved stress relaxation resistance |
US6881703B2 (en) * | 2001-08-08 | 2005-04-19 | Corning Incorporated | Thermally conductive honeycombs for chemical reactors |
-
2002
- 2002-02-05 US US10/066,365 patent/US20030145681A1/en not_active Abandoned
-
2003
- 2003-01-30 TW TW092102255A patent/TW200307759A/zh unknown
- 2003-02-04 AU AU2003265220A patent/AU2003265220A1/en not_active Abandoned
- 2003-02-04 WO PCT/US2003/003417 patent/WO2003104509A2/en not_active Application Discontinuation
-
2004
- 2004-08-11 US US10/915,693 patent/US7413725B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030145681A1 (en) | 2003-08-07 |
AU2003265220A1 (en) | 2003-12-22 |
US20050061108A1 (en) | 2005-03-24 |
US7413725B2 (en) | 2008-08-19 |
WO2003104509A2 (en) | 2003-12-18 |
AU2003265220A8 (en) | 2003-12-22 |
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