SE457179B - Foerfarande foer framstaellning av en avsmalnande oeppning i en passiverande glasbelaeggning anordnad oever ytan paa en halvledarstomme - Google Patents
Foerfarande foer framstaellning av en avsmalnande oeppning i en passiverande glasbelaeggning anordnad oever ytan paa en halvledarstommeInfo
- Publication number
- SE457179B SE457179B SE8202597A SE8202597A SE457179B SE 457179 B SE457179 B SE 457179B SE 8202597 A SE8202597 A SE 8202597A SE 8202597 A SE8202597 A SE 8202597A SE 457179 B SE457179 B SE 457179B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- layer
- temperature
- doped
- semiconductor body
- oxide layers
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001392 phosphorus oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus hexaoxide Chemical compound O1P(O2)OP3OP1OP2O3 VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/978—Semiconductor device manufacturing: process forming tapered edges on substrate or adjacent layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
15 20 25 30 35 40 457 179 steg i substratet denna icke önskvärda situation. Fosfosilikat- glas (PSG) med cirka 6-8 viktprocent P har använts för detta än- damâl eftersom sådana glastyper har visat sig uppvisa goda dielek- triska egenskaper och natriumförvärvningsegenskaper och dessutom lätt kan bildas med användning av kemisk ångavsättningsteknik från hydriderna. Emellertid är sådana glastyper ej önskvärda eftersom smältnings- eller flyttemperaturerna är i området cirka 1000-1100°C som har visat sig vara allt för högt för åstadkomman- de av godtagbara strålningshärdade komplementära MOS-integrerade kretsar och andra värmekänsliga storskaliga integrerade kretsar.
Ukning av fosforhalteni PSG under sänkning av flyttemperaturen ökar ändock riskerna för korrosion under drift av anordningen.
I den amerikanska patentskriften 3 481 781 och i artikeln "Chemical Vapor Deposition of Silicate Glasses for Use uith Silicon Devices", W. Kern et al, J. Electrochem. Soc.:ELECTRO- MECHANICAL TECHNOLOGY 117, april 1970 (I Deposition Techniques, pp S62-S68) och (II Film Properties, pp. 568-573) finns de initi- ella diskussionerna av användningen och förfarandet för framställ- ning av borofosfosilikat-ternära-glastypet (BPSG). Dessa BPSG- skikt är speciellt lämpliga inom halvledartekniken eftersom det har visat sig att de är mer kombinerbara med en positiv fotore- sist, eftersom en positiv fotoresist häftar bättre vid BPSG än en negativ fotoresist. I vilket fa1l;som helst är vídhäftníng vid BPSG-skikt betydligt bättre än 6 viktprocent PSG enligt tek- nikens ståndpunkt. Det har också visat sig att med BPSG kan be- ståndsdelarna däri utformas så att det flyter vid cirka 900-9509C och nfiuknar initiellt vid en temperatur av cirka 7§O°C.
Enligt föreliggande uppfinning utnyttjas ett ternärt glas- skikt av bor och fosfor (BPSG) såsom en passiveringsbeläggning på ytan av ett icke dopat kiseloxidskíkt på en halvledarstomme.
Detta ternära glasskikt kännetecknas av att det har en flyttempe- ratur av cirka 900-9S0°C och en mjukningstemperatur av cirka 700-750°C. Efter avsättning och flytning av BPSG-skiktet öppnas ett kontakthál i glasskiktet för exponering av det underliggande kiseloxidskiktet. Strukturen upphettas därefter endast till mjuk- ningstemperaturen för BPSG som är signifikant lägre än flyttem- peraturen för att pa nytt kontnrgiva och avrunda eventuella skar- pa hörn som kan ha skapats vid framställningen av kontaktöpp- ningarna.
Fastän föreliggande utföringsform hänför sig till en bulk- 10 15 20 25 30 35 40 457 179 kiselanordning är uppfinningen ej begränsad därtill. Det är uppen- bart för fackmannen.att kiselstommen kan framställas på ett iso- lerande substrat eller en sådan bärare och uppfinningen kan lika väl tillämpas på anordningar som vanligen betecknas kisel-pá-sa- fir (SOS). Uttrycket kisel-på-safir är också avsett att innefatta användningen av spinell eller monokristallin berylliumoxid.
Vid genomförande av den grundläggande formen av uppfinningen bör man företrädesvis ha fullbordat framställningen av den speci- ella önskvärda anordningen åtminstone till den punkten varvid man förbereder avsättning av metallförbindelser eller dynanslutningar.
I detta fall är anordningen då försedd med ett lämpligt passivef rande skikt som kan utgöras av BPSG framställt enligt förfarandet i den amerikanska patentskriften 3 481 781. Enligt uppfinningen av* Sättes BPSG-passiveringsskikt uppvisande cirka Å-3,5 viktprocent P och cirka 2-2,5 viktprocent B (betecknas hädanefter typ A) till en tjocklek av cirka 6000-8000 A. Det är uppenbart att denna spe- ciella BPSG-beredning endast anges såsom ett exempel eftersom olika andra kombinationer av bor och fosfor kan användas för åstadkommande av ett passiverande skikt uppvisande lämpliga karak- teristika. Exempelvis har ett annat BPSG-passíveringsskikt visat sig arbeta godtagbart som innehåller 4-5 viktprocent P och 3-4 viktprocent B (betecknas hädanefter typ B). Det har visat sig att om BPSG av typ A upphettas till cirka 900°C i ånga under en period av cirka 30 minuter flyter denna beläggning över eventuella steg och tillhandahåller en mjukt vågig yta likartad dem som tidigare åstadkommits med den höggradigt dopade fosforoxiden enligt den amerikanska patentskriften 3 833 919. Till skillnad från det do- pade skiktet som beskrives i den amerikanska patentskriften 3 833 919 som fordrar upphettning till en temperatur över 1000°C flyter det passiverande skiktet av BPSG av typ A när det upphettas i exempelvis N2, H2, Ar, eller He under en period av 30 minuter vid en temperatur av cirka 9S0°C. BPSG av typ B flyter först vid en temperatur av cirka 800°C när det upphettas i en vattenånga och vid cirka 850°C i kväve, helium, argon eller någon annan lik- artad inert atmosfär.
Efter det att det passiverande skiktet har bringats att fly- ta för åstadkommande av den avsmalnande eller svagt vägiga ytan anbringas ett fotoresist-skikt, exponeras och härdas därefter för àstadkommande av ett mönster därpå som definierar kontaktöppning- arna som skall etsas efteråt. Nästa steg innefattar etsning av 10 15 20 25 30 35 40 457 179 BPSG för bildning av kontaktöppníngar. Etsningen kan åstadkommas antingen genom plasmaetsning eller genom våt kemisk etsning och ger upphov till en väsentligen brant vägg i det passiverande skik- tet. Detta passiverande skikt kan etsas med användning av bn buff- rad HF-lösning som endast etsar dopad BPSG och ej har någon effekt på den'underliggandelkiselstommen. Därefter avslutas etsningen genom avlägsnande ur etslösningen och genom försiktig tvättning.
Det är vid denna tidpunkt som åtminstone en fördel med användning av den beskrivna BPSG blir uppenbar, eftersom förbättrad adhesion av fotoresistmaterialet till BPSG ger mindre ballongbildning el- ler upphöjning av fotoresisten och följaktligen genomföres nog- grannare etsning.
Skiktet av fotoresist avlägsnas och strukturen upphettas till mjukningspunkten för BPSG för ny konturgivning av de skarpa kanterna till kontaktöppningarna; För fallen BPSG av typ A har det visat sig att BPSG-skiktet mjuknar signifikant när det upphet- tas till en temperatur av cirka 7500 under en period av 20-30 mi- nuter i vattenånga; eller upphettas till cirka 800° under en pe- riod av 20-30 minuter i inert atmosfär, såsom N2, Hz eller Ar.
BTSG.av typ B vet man mjuknar vid en temperatur av cirka 7000 i ånga och cirka 7S0° i inert atmosfär. I bägge fallen skulle det endast vara nödvändigt att upphetta under en period av cirka 20- 30 minuter.
Genom upphettning av.anordningen till en temperatur av cirka 750° (BPSG av typ A) har det exponerade kiselområdet bibehållits vid en temperatur och omgivning som väl understiger punkten_vid, vilken någon signifikant oxid bildas därpå; eftersom sådana låga temperaturer ej bidrar till bildningen av en oxid. Skulle någon oxid bildas därpå är den i vilket fall som helst så tunn att en efterföljande avsättning.av en metallförbindelse därpå snabbt tränger igenom och ger god kontakt med ytan av kisel. Genom upp- rätthållande av sådana låga temperaturer under sådana korta tids- perioder uppkommer dessutom nästan ingen dopning av det.underlíg- gande icke dopade oxidskiktet. Följaktligen behövs ej något mel- lankommande nitrídskikt varigenom stegen innefattande maskering och nitridavsättning elimineras.
Genom utnyttjande av det speciella BPSG (typ A eller typ B) och genom användning av ovan skisserade förfaranden, varvid låga temperaturer användes för mjukning och ny konturgivning av de _ skarpa kanterna i en kontaktöppning, har följaktligen ett förbätt- 1D 457 179 rat förfarande *àstadkømmits för. fzjamštällningi av halv-leflëxanord- ningar som ger högre utbyige och bättre kdnrtakter. _----__-------
Claims (8)
1. l. Förfarande för framställning av en avsmalnande öpp- ning i en passiverande glasbeläggning anordnad över ytan pá en halvledarstomme innefattande stegen: bildning av ett skikt av icke-dopad kiseloxid pà halvle- darstommen; , bildning av ett skikt av ternär dopad kiseloxid över det icke dopade skiktet, varvid det dopade skiktet uppvisar en given flvttemperatur; och bildning av en kontaktöppning i bägge kiseloxidskikten så att ett parti av halvledarstommen exponeras; k ä n n e t e c k n a t därav, att bägge oxidskikten upphet- tas till en temperatur, som är lägre än den givna flyttempera- turen för det dopade skiktet under en tidsperiod som är till- räcklig för att det dopade skiktet endast skall mjukna och flyta på nytt partiellt i kanterna av kontaktöppningen men vilken temperatur likväl är otillräcklig för bildning av signifikant oxidtillväxt pà det exponerade partiet av halvle- darstommen.
2. Förfarande enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t därav, att det ternära skiktet av dopad kiseloxid är fram- ställt av ett borofosfosilikatglas uppvisande en flyttempera- tur i ånga lägre än cirka 800-950°C och en mjukningstemperatur i ånga lägre än cirka 700-650°C.
3. Förfarande enligt krav 2, k ä n n e t e c k n a t därav, att det dopade kiseloxídskiktet är bildat av ett horo- fosfosilikatglas uppvisande cirka 3-3,5 viktprocent P och cirka 2-2,5 viktprocent B.
4. Förfarande enligt krav 3, k ä n n e t e c k n a t därav, att skiktet av icke dopad kiseloxid bildas genom term- isk oxidation av halvledarstommen.
5. Förfarande enligt krav 4, k ä n n e t e c k n a t 7 därav, att steget innefattande upphettning av bägge oxidskik- ten inbegriper: - att bagge oxidskikten bibehàlles vid en temperatur av cirka 700°C under en period av cirka 20-30 minuter i ånga. 7 457 179
6. Fbrfarande enligt krav 2, k ä n n e t e c k n a t därav, att den dopade kiseloxiden utgöres av ett borofosíosi- likatglas uppvisande cirka 4-5 viktprocent P och 3-4 viktpro- cent H.
7. Förfarande enligt krav 6, k ä n n e t e c k n a t därav, att skiktet av icke dopad kíseloxid bildas genom ter- misk oxidation av halvledarstommen.
8. Förfarande enligt krav 7, k ä n n e t e c k n a t därav, att steget avseende upphettning av bägge oxidskikten innefattar: att bägge oxidskikten bibehàlles vid en temperatur av cirka 850°C under en period av cirka 20-30 minuter i ånga.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/258,431 US4349584A (en) | 1981-04-28 | 1981-04-28 | Process for tapering openings in ternary glass coatings |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SE8202597L SE8202597L (sv) | 1982-10-29 |
| SE457179B true SE457179B (sv) | 1988-12-05 |
Family
ID=22980524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SE8202597A SE457179B (sv) | 1981-04-28 | 1982-04-26 | Foerfarande foer framstaellning av en avsmalnande oeppning i en passiverande glasbelaeggning anordnad oever ytan paa en halvledarstomme |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4349584A (sv) |
| JP (1) | JPS57186343A (sv) |
| CA (1) | CA1189426A (sv) |
| DE (1) | DE3215101C2 (sv) |
| GB (1) | GB2097582B (sv) |
| IN (1) | IN155987B (sv) |
| IT (1) | IT1218317B (sv) |
| SE (1) | SE457179B (sv) |
| YU (1) | YU44340B (sv) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4455325A (en) * | 1981-03-16 | 1984-06-19 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Method of inducing flow or densification of phosphosilicate glass for integrated circuits |
| US4433008A (en) * | 1982-05-11 | 1984-02-21 | Rca Corporation | Doped-oxide diffusion of phosphorus using borophosphosilicate glass |
| US4420503A (en) * | 1982-05-17 | 1983-12-13 | Rca Corporation | Low temperature elevated pressure glass flow/re-flow process |
| US4476621A (en) * | 1983-02-01 | 1984-10-16 | Gte Communications Products Corporation | Process for making transistors with doped oxide densification |
| US4575921A (en) * | 1983-11-04 | 1986-03-18 | General Motors Corporation | Silicon nitride formation and use in self-aligned semiconductor device manufacturing method |
| US4528211A (en) * | 1983-11-04 | 1985-07-09 | General Motors Corporation | Silicon nitride formation and use in self-aligned semiconductor device manufacturing method |
| US4582745A (en) * | 1984-01-17 | 1986-04-15 | Rca Corporation | Dielectric layers in multilayer refractory metallization structure |
| DE3425531A1 (de) * | 1984-07-11 | 1986-01-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum verfliessenlassen von dotierten sio(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)-schichten bei der herstellung von integrierten mos-halbleiterschaltungen |
| US4546016A (en) * | 1984-08-06 | 1985-10-08 | Rca Corporation | Deposition of borophosphosilicate glass |
| GB2168340B (en) * | 1984-12-13 | 1988-11-02 | Stc Plc | Contacting an integrated circuit with a metallisation pattern |
| US4743564A (en) * | 1984-12-28 | 1988-05-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a complementary MOS type semiconductor device |
| EP0204182B1 (de) * | 1985-05-22 | 1991-06-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen von mit Bor und Phosphor dotierten Siliziumoxid-Schichten für integrierte Halbleiterschaltungen |
| GB8523373D0 (en) * | 1985-09-21 | 1985-10-23 | Stc Plc | Via profiling in integrated circuits |
| US4755479A (en) * | 1986-02-17 | 1988-07-05 | Fujitsu Limited | Manufacturing method of insulated gate field effect transistor using reflowable sidewall spacers |
| JPS6381948A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Toshiba Corp | 多層配線半導体装置 |
| EP0369336A3 (en) * | 1988-11-14 | 1990-08-22 | National Semiconductor Corporation | Process for fabricating bipolar and cmos transistors on a common substrate |
| JPH0793354B2 (ja) * | 1988-11-28 | 1995-10-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US5747389A (en) * | 1991-04-30 | 1998-05-05 | Intel Corporation | Crack resistant passivation layer |
| US5424570A (en) * | 1992-01-31 | 1995-06-13 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Contact structure for improving photoresist adhesion on a dielectric layer |
| EP0562625B1 (en) * | 1992-03-27 | 1997-06-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A semiconductor device and process |
| US6239017B1 (en) | 1998-09-18 | 2001-05-29 | Industrial Technology Research Institute | Dual damascene CMP process with BPSG reflowed contact hole |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3481781A (en) * | 1967-03-17 | 1969-12-02 | Rca Corp | Silicate glass coating of semiconductor devices |
| US3833919A (en) * | 1972-10-12 | 1974-09-03 | Ncr | Multilevel conductor structure and method |
| US3925572A (en) * | 1972-10-12 | 1975-12-09 | Ncr Co | Multilevel conductor structure and method |
| JPS5922378B2 (ja) * | 1975-08-13 | 1984-05-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US4091407A (en) * | 1976-11-01 | 1978-05-23 | Rca Corporation | Combination glass/low temperature deposited Siw Nx Hy O.sub.z |
| US4097889A (en) * | 1976-11-01 | 1978-06-27 | Rca Corporation | Combination glass/low temperature deposited Siw Nx Hy O.sub.z |
| US4273805A (en) * | 1978-06-19 | 1981-06-16 | Rca Corporation | Passivating composite for a semiconductor device comprising a silicon nitride (Si1 3N4) layer and phosphosilicate glass (PSG) layer |
| GB2031225B (en) * | 1978-09-15 | 1983-07-20 | Westinghouse Electric Corp | Glass-sealed thyristor junctions |
| CA1174285A (en) * | 1980-04-28 | 1984-09-11 | Michelangelo Delfino | Laser induced flow of integrated circuit structure materials |
-
1981
- 1981-04-28 US US06/258,431 patent/US4349584A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-07-20 IN IN816/CAL/81A patent/IN155987B/en unknown
-
1982
- 1982-03-16 CA CA000398421A patent/CA1189426A/en not_active Expired
- 1982-03-29 IT IT20463/82A patent/IT1218317B/it active
- 1982-04-19 GB GB8211266A patent/GB2097582B/en not_active Expired
- 1982-04-23 DE DE3215101A patent/DE3215101C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1982-04-26 SE SE8202597A patent/SE457179B/sv not_active IP Right Cessation
- 1982-04-27 JP JP57071123A patent/JPS57186343A/ja active Pending
- 1982-04-27 YU YU913/82A patent/YU44340B/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4349584A (en) | 1982-09-14 |
| SE8202597L (sv) | 1982-10-29 |
| DE3215101A1 (de) | 1982-11-11 |
| DE3215101C2 (de) | 1995-06-22 |
| IN155987B (sv) | 1985-04-20 |
| JPS57186343A (en) | 1982-11-16 |
| GB2097582B (en) | 1985-10-30 |
| IT1218317B (it) | 1990-04-12 |
| IT8220463A0 (it) | 1982-03-29 |
| CA1189426A (en) | 1985-06-25 |
| YU91382A (en) | 1985-04-30 |
| GB2097582A (en) | 1982-11-03 |
| YU44340B (en) | 1990-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SE457179B (sv) | Foerfarande foer framstaellning av en avsmalnande oeppning i en passiverande glasbelaeggning anordnad oever ytan paa en halvledarstomme | |
| US5976947A (en) | Method for forming dielectric within a recess | |
| US4971925A (en) | Improved method of manufacturing a semiconductor device of the "semiconductor on insulator" type | |
| US8221642B2 (en) | Methods for removing dielectric materials | |
| EP0098687B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device including burying an insulating film | |
| US3935083A (en) | Method of forming insulating film on interconnection layer | |
| JP2002083797A (ja) | 改善された酸化物エッチング | |
| EP0134232A1 (en) | METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELLS. | |
| JPH09219444A (ja) | 浅い溝アイソレーション構造内に結晶質窒化珪素被膜の薄膜を形成する方法及びサブミクロンの集積回路デバイス用の浅い溝アイソレーション構造 | |
| US3969168A (en) | Method for filling grooves and moats used on semiconductor devices | |
| KR20000011599A (ko) | 수소실세스퀴옥산수지로부터저유전성코팅을제조하기위한방법 | |
| US3537921A (en) | Selective hydrofluoric acid etching and subsequent processing | |
| US4420503A (en) | Low temperature elevated pressure glass flow/re-flow process | |
| US3698947A (en) | Process for forming monocrystalline and poly | |
| US3434896A (en) | Process for etching silicon monoxide and etchant solutions therefor | |
| US3432405A (en) | Selective masking method of silicon during anodization | |
| US5413678A (en) | Heated SC1 solution for selective etching | |
| JPS59182537A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58164238A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07507903A (ja) | 集積回路および自立マイクロ構造を含むモノリシック・チップの製造方法 | |
| JPH079930B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR950002175B1 (ko) | 박막 센서용 Si 박막 형성방법 | |
| JPH01302823A (ja) | 半導体基板の平坦化方法 | |
| JPS5478668A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR100335802B1 (ko) | 반도체소자의소자분리막형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| NAL | Patent in force |
Ref document number: 8202597-4 Format of ref document f/p: F |
|
| NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 8202597-4 Format of ref document f/p: F |