RU2627938C1 - Подложка матрицы и панель дисплея - Google Patents

Подложка матрицы и панель дисплея Download PDF

Info

Publication number
RU2627938C1
RU2627938C1 RU2016105305A RU2016105305A RU2627938C1 RU 2627938 C1 RU2627938 C1 RU 2627938C1 RU 2016105305 A RU2016105305 A RU 2016105305A RU 2016105305 A RU2016105305 A RU 2016105305A RU 2627938 C1 RU2627938 C1 RU 2627938C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
thin film
metal layer
hole
layer
ito
Prior art date
Application number
RU2016105305A
Other languages
English (en)
Inventor
Цзяли Цзян
Мин-Хун ШИХ
Пэн Ду
Original Assignee
Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд. filed Critical Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.
Application granted granted Critical
Publication of RU2627938C1 publication Critical patent/RU2627938C1/ru

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Abstract

Использование: для создания жидкокристаллических панелей. Сущность изобретения заключается в том, что подложка матрицы включает по меньшей мере одну линию данных, по меньшей мере одну линию сканирования и пиксель, определяемый этими линией данных и линией сканирования, пиксель включает тонкую пленку ITO и по меньшей мере один металлический слой ниже тонкой пленки ITO, тонкая пленка ITO электрически соединяется с металлическим слоем через сквозное отверстие, тонкая пленка ITO включает прорезь, расположенную между тонкой пленкой ITO и сквозным отверстием и расположенную так, чтобы избежать возникновения линий дисклинации для улучшения эксплуатационных характеристик дисплея, причем длина и ширина прорези больше чем 2,5 мкм, причем пиксель включает тонкопленочный транзистор. Технический результат: обеспечение возможности улучшения эксплуатационных характеристик. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

Description

ПРЕДПОСЫЛКИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
1. ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ
[0001] Настоящее раскрытие относится к технологии изготовления жидкокристаллических дисплеев и, более конкретно, к подложке матрицы и панели дисплея.
2. ОПИСАНИЕ УРОВНЯ ТЕХНИКИ
[0002] Жидкокристаллические панели дисплея включают подложку матрицы, подложку фильтрации цвета напротив подложки матрицы и слой жидкого кристалла между ними. Подложка фильтрации цвета включает тонкую пленку из оксида индия и олова (ITO). Подложка матрицы включает пиксели для отображения изображений. Пиксель включает слой пленки ITO для электрического соединения с соответствующим металлическим слоем через сквозное отверстие.
[0003] Вышеупомянутые слои из пленки ITO при взаимодействии создают электрическое поле. Сквозное отверстие может приводить к возникновению бокового электрического поля по краям сквозного отверстия. Боковое электрическое поле возбуждает жидкий кристалл на боковых сторонах, чтобы перекрываться с жидким кристаллом в центральном положении для формирования линий дисклинации.
[0004] Линии дисклинации могут снижать скорость передачи панели дисплея, этим повышая стоимость. При очень большом размере линий дисклинации может иметь место эффект, обусловленный законом Мура.
РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
[0005] Цель изобретения заключается в том, чтобы предложить подложку матрицы и панель дисплея для того, чтобы избежать линии дисклинации для улучшения эксплуатационных характеристик дисплея.
[0006] В одном аспекте подложка матрицы включает: по меньшей мере одну линию данных, по меньшей мере одну линию сканирования и пиксель, определяемый этими линией данных и линией сканирования, при этом пиксель включает тонкую пленку ITO и по меньшей мере один металлический слой ниже тонкой пленки ITO, при этом тонкая пленка ITO электрически соединяется с металлическим слоем через сквозное отверстие и тонкая пленка ITO включает прорезь, расположенную между тонкой пленкой ITO и сквозным отверстием, и прорезь расположена так, чтобы избежать линий дисклинации; длина и ширина прорези больше чем 2,5 мкм; и пиксель включает тонкопленочный транзистор, расположенный в стыке линии данных и линии сканирования, и пассивирующий слой, расположенный между тонкой пленкой ITO и металлическим слоем, металлический слой включает металлический слой истока и металлический слой стока тонкопленочного транзистора, сквозное отверстие проходит через пассивирующий слой, чтобы обнажить металлический слой истока или стока, и тонкая пленка ITO расположена выше металлического слоя истока или стока тонкопленочного транзистора через сквозное отверстие.
[0007] При этом прорезь расположена соответственно краю металлического слоя истока или стока, и прорезь проходит в направлении дальше от сквозного отверстия.
[0008] В еще одном аспекте подложка матрицы включает: по меньшей мере одну линию данных, по меньшей мере одну линию сканирования и пиксель, определяемый этими линией данных и линией сканирования, пиксель включает тонкую пленку ITO и по меньшей мере один металлический слой ниже тонкой пленки ITO, тонкая пленка ITO электрически соединяется с металлическим слоем через сквозное отверстие и тонкая пленка ITO включает прорезь, расположенную между тонкой пленкой ITO и сквозным отверстием, и прорезь расположена так, чтобы избежать линий дисклинации.
[0009] При этом длина и ширина прорези больше чем 2,5 мкм.
[0010] При этом пиксель включает тонкопленочный транзистор, расположенный в стыке линии данных и линии сканирования, и пассивирующий слой, расположенный между тонкой пленкой ITO и металлическим слоем, металлический слой включает металлический слой истока и металлический слой стока тонкопленочного транзистора, сквозное отверстие проходит через пассивирующий слой, чтобы обнажить металлический слой истока или стока, и тонкая пленка ITO расположена выше металлического слоя истока или стока тонкопленочного транзистора через сквозное отверстие.
[0011] При этом прорезь расположена соответственно краю металлического слоя истока или стока, и прорезь проходит в направлении дальше от сквозного отверстия.
[0012] При этом пиксель, кроме того, включает пассивирующий слой и изолирующий слой между тонкой пленкой ITO и металлическим слоем, металлический слой включает металлический слой общего электрода, сквозное отверстие проходит через изолирующий слой и пассивирующий слой, чтобы обнажить металлический слой общего электрода, и тонкая пленка ITO расположена выше металлического слоя общего электрода через сквозное отверстие.
[0013] При этом прорезь расположена соответственно краю металлического слоя общего электрода, и прорезь проходит в направлении дальше от сквозного отверстия.
[0014] В еще одном аспекте панель дисплея включает: подложку фильтрации цвета и подложку матрицы напротив подложки фильтрации цвета, подложка матрицы включает по меньшей мере одну линию данных, по меньшей мере одну линию сканирования и пиксель, определяемый этими линией данных и линией сканирования, пиксель включает тонкую пленку ITO и по меньшей мере один металлический слой ниже тонкой пленки ITO, тонкая пленка ITO электрически соединяется с металлическим слоем через сквозное отверстие, тонкая пленка ITO включает прорезь, расположенную между тонкой пленкой ITO и сквозным отверстием, и прорезь расположена так, чтобы избежать линий дисклинации.
[0015] При этом длина и ширина прорези больше чем 2,5 мкм.
[0016] При этом пиксель включает тонкопленочный транзистор, расположенный в стыке линии данных и линии сканирования, и пассивирующий слой, расположенный между тонкой пленкой ITO и металлическим слоем, металлический слой включает металлический слой истока и металлический слой стока тонкопленочного транзистора, сквозное отверстие проходит через пассивирующий слой, чтобы обнажить металлический слой истока или стока, и тонкая пленка ITO расположена выше металлического слоя истока или стока тонкопленочного транзистора через сквозное отверстие.
[0017] При этом прорезь расположена соответственно краю металлического слоя истока или стока и проходит в направлении дальше от сквозного отверстия.
[0018] При этом пиксель, кроме того, включает пассивирующий слой и изолирующий слой между тонкой пленкой ITO и металлическим слоем, металлический слой включает металлический слой общего электрода, сквозное отверстие проходит через изолирующий слой и пассивирующий слой, чтобы обнажить металлический слой общего электрода, и тонкая пленка ITO расположена выше металлического слоя общего электрода через сквозное отверстие.
[0019] При этом прорезь расположена соответственно краю металлического слоя общего электрода и проходит в направлении дальше от сквозного отверстия.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
[0020] Фиг. 1 - схематический вид подложки матрицы в соответствии с первым вариантом осуществления.
[0021] Фиг. 2 - вид в поперечном разрезе подложки матрицы с Фиг. 1 по линии А-А'.
[0022] Фиг. 3 - схематический вид подложки матрицы в соответствии с вторым вариантом осуществления.
[0023] Фиг. 4 - вид в поперечном разрезе подложки матрицы с Фиг. 3 по линии В-В'.
[0024] Фиг. 5 - схематический вид панели дисплея в соответствии с одним вариантом осуществления.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
[0025] Варианты осуществления изобретения теперь будут описаны более подробно со ссылками на прилагаемые чертежи, на которых показаны эти варианты осуществления изобретения.
[0026] На Фиг. 1 показан схематический вид подложки матрицы в соответствии с первым вариантом осуществления. На Фиг. 2 показан вид в поперечном разрезе подложки матрицы с Фиг. 1 по линии А-А'. Со ссылкой на Фиг. 1 и 2, подложка матрицы 10 включает по меньшей мере одну линию данных 11, по меньшей мере одну линию сканирования 12 и пиксель 13, определяемый линией данных 11 и линией сканирования 12. Пиксель 13 включает тонкую пленку ITO 14 и по меньшей мере один металлический слой (М) ниже тонкой пленки ITO 14. Тонкая пленка ITO 14 электрически соединяется с металлическим слоем (М) через сквозное отверстие 151. Тонкая пленка ITO 14 включает прорезь 16, расположенную между тонкой пленкой ITO 14 и сквозным отверстием 151. Прорезь 16 расположена так, чтобы избежать возникновения линий дисклинации.
[0027] В одном варианте осуществления пиксель 13 включает транзистор (Т) и общий электрод 111 в стыке линии данных 11 и линии сканирования 12. Транзистор (Т) включает затвор (G), исток (S) и сток (D). Затвор (G) электрически соединяется с линией сканирования 12, исток (S) электрически соединяется с линией данных 11, и сток (D) электрически соединяется с тонкой пленкой ITO 14 через сквозное отверстие 151. Общий электрод 111 параллелен линии сканирования 12 и электрически соединяется с тонкой пленкой ITO 14 через сквозное отверстие 151.
[0028] В одном варианте осуществления металлический слой (М) включает металлический слой затвора (М11), металлический слой истока (М21) и металлический слой стока (М22). Затвор (G) сформирован металлическим слоем затвора (М11), расположенным на стеклянной подложке 17 подложки матрицы 10. Изолирующий слой затвора 18 выполнен на затворе (G) для изоляции затвора (G), истока (S) и стока (D). Полупроводниковый слой 19 и легированный полупроводниковый слой 20 выполнены на изолирующем слое затвора 18. Паз 21 расположен на полупроводниковом слое 19 и легированном полупроводниковом слое 20. Паз 21 проходит через легированный полупроводниковый слой 20 и часть полупроводникового слоя 19. Исток (S) сформирован металлическим слоем истока (М21). Сток (D) сформирован металлическим слоем стока (М22). Металлический слой истока (М21) и металлический слой стока (М22) расположены соответственно на двух боковых сторонах паза 21. Помимо этого металлический слой истока (М21) и металлический слой стока (М22) расположены выше легированного полупроводникового слоя 20. Полупроводниковый слой 19 и легированный полупроводниковый слой 20 предназначены для функционирования в качестве транзисторов. Более конкретно, когда на затвор (G) поступают сигналы включения с линии сканирования 12 для включения транзистора (Т), исток (S) и сток (D) соединяются полупроводниковым слоем 19 и легированным полупроводниковым слоем 20, так что сигналы с линии данных 11 передаются с истока (S) на сток (D). Перед приемом сигналов с линии сканирования 12 или после получения сигналов отключения с линии сканирования 12 для отключения транзистора (Т) полупроводниковый слой 19 и легированный полупроводниковый слой 20 разъединяют исток (S) и сток (D). Пассивирующий слой 22 закрывает металлический слой истока (М21) и металлический слой стока (М22). Сквозное отверстие 151 расположено на пассивирующем слое 22 соответственно местам металлического слоя стока (М22). Помимо этого сквозное отверстие 151 проходит через пассивирующий слой 22, так что металлический слой стока (М22) транзистора (Т) обнажен. Тонкая пленка ITO 14 расположена выше пассивирующего слоя 22 и электрически соединяется с металлическим слоем стока (М22) через сквозное отверстие 151.
[0029] В этом варианте осуществления прорезь 16 расположена соответственно краю металлического слоя стока (М22) транзистора (Т). Предпочтительно длина и ширина прорези 16 больше чем 2,5 микрон (мкм). Прорезь 16 проходит в направлении дальше от сквозного отверстия 151. Например, прорезь 16 расположена в месте, обозначенном "Р1" и "Р2" на Фиг. 1. В других вариантах осуществления прорезь 16 может иметь форму кольца, окружающего сквозное отверстие 151. Место и форма прорези 16 не ограничены вышеуказанными. Следует сказать, что, даже если прорезь 16 расположена между тонкой пленкой ITO 14 и сквозным отверстием 151, тонкая пленка ITO 14 и сквозное отверстие 151 остаются соединенными.
[0030] В этом варианте осуществления металлический слой истока (М21) и металлический слой стока (М22) выполнены из одинаковых металлических материалов.
[0031] В других вариантах осуществления сквозное отверстие 151 расположено на пассивирующем слое 22 соответственно местам металлического слоя истока (М21). То есть, тонкая пленка ITO 14 электрически соединяется с металлическим слоем истока (М21) через сквозное отверстие 151. В этот момент прорезь 16 расположена соответственно краю металлического слоя истока (М21) и проходит в направлении дальше от сквозного отверстия 151.
[0032] Путем расположения прорези 16 между тонкой пленкой ITO 14 и сквозным отверстием 151 на двух боковых сторонах прорези 16 создаются соответствующие электрические поля. Таким образом, боковое электрическое поле через сквозное отверстие 151 ослаблено, чтобы уменьшить возможность возникновения линий дисклинации.
[0033] На Фиг. 3 показан схематический вид подложки матрицы в соответствии с вторым вариантом осуществления. Как показано на Фиг. 3, прорезь 36 расположена между тонкой пленкой ITO 34 и сквозным отверстием 352. На Фиг. 4 показан вид в поперечном разрезе подложки матрицы с Фиг. 3 по линии В-В'. В этом варианте осуществления металлический слой включает металлический слой общего электрода (M12). Общий электрод 311 сформирован металлическим слоем общего электрода (M12). Металлический слой общего электрода (M12) и металлический слой затвора (М11) выполнены из одинакового металлического материала. Помимо этого металлический слой общего электрода (M12) и металлический слой затвора (М11) расположены на одном слое. Изолирующий слой 38 и пассивирующий слой 42 расположены над металлическим слоем общего электрода (M12) по очереди. Сквозное отверстие 352 проходит через изолирующий слой 38 и пассивирующий слой 42, и металлический слой общего электрода (M12) обнажается. Тонкая пленка ITO 34 электрически соединяется с металлическим слоем общего электрода (M12) через сквозное отверстие 352. Прорезь 36 расположена соответственно краю металлического слоя общего электрода (М12). Помимо этого прорезь 36 проходит в направлении дальше от сквозного отверстия 352. В других вариантах осуществления прорезь 36 может быть расположена в месте, обозначенном "W1" и "W2". Прорезь 36 может иметь форму кольца, окружающего сквозное отверстие 352. Место и форма прорези 36 не ограничены вышеуказанными. Следует сказать, что, даже если прорезь 36 расположена между тонкой пленкой ITO 14 и сквозным отверстием 352, тонкая пленка ITO 14 и сквозное отверстие 352 остаются соединенными.
[0034] Также при расположении прорези 36 между тонкой пленкой ITO 14 и сквозным отверстием 352 на двух боковых сторонах прорези 36 создаются соответствующие электрические поля. Таким образом, боковое электрическое поле через сквозное отверстие 352 ослаблено, чтобы уменьшить возможность возникновения линий дисклинации.
[0035] На Фиг. 5 показан схематический вид панели дисплея в соответствии с одним вариантом осуществления. Панель дисплея 50 включает подложку фильтрации цвета 51, описанную выше подложку матрицы 52 напротив подложки фильтрации цвета 51 и слой жидкого кристалла 53.
[0036] В связи с изложенным, тонкая пленка ITO на пикселе электрически соединяется с металлическим слоем через сквозное отверстие. Путем расположения прорези между тонкой пленкой ITO и сквозным отверстием на двух боковых сторонах прорези создаются соответствующие электрические поля. Таким образом, боковое электрическое поле через сквозное отверстие ослаблено, чтобы уменьшить возможность возникновения линий дисклинации.
[0037] Мы полагаем, что описанные выше варианты осуществления и их преимущества будут поняты из описания и что будет очевидно, что в них могут быть внесены разные изменения, но без нарушения сущности и объема изобретения или без ущерба для его материальных преимуществ, при этом приведенные выше примеры являются просто предпочтительными примерами вариантов осуществления изобретения.

Claims (5)

1. Подложка матрицы, включающая:
по меньшей мере одну линию данных, по меньшей мере одну линию сканирования и пиксель, определяемый этими линией данных и линией сканирования, пиксель включает тонкую пленку ITO и по меньшей мере один металлический слой ниже тонкой пленки ITO, тонкая пленка ITO электрически соединяется с металлическим слоем через сквозное отверстие, тонкая пленка ITO включает прорезь, расположенную между тонкой пленкой ITO и сквозным отверстием и расположенную так, чтобы избежать возникновения линий дисклинации;
причем длина и ширина прорези больше чем 2,5 мкм; и
причем пиксель включает тонкопленочный транзистор, расположенный в стыке линии данных и линии сканирования, и пассивирующий слой, расположенный между тонкой пленкой ITO и металлическим слоем, металлический слой включает металлический слой истока и металлический слой стока тонкопленочного транзистора, сквозное отверстие проходит через пассивирующий слой, чтобы обнажить металлический слой истока или стока, и тонкая пленка ITO расположена выше металлического слоя истока или стока тонкопленочного транзистора через сквозное отверстие.
2. Подложка матрицы по п. 1, отличающаяся тем, что прорезь расположена соответственно краю металлического слоя истока или стока и проходит в направлении дальше от сквозного отверстия.
RU2016105305A 2013-07-19 2013-07-24 Подложка матрицы и панель дисплея RU2627938C1 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310306886.8A CN103364987B (zh) 2013-07-19 2013-07-19 一种阵列基板及显示面板
CN201310306886.8 2013-07-19
PCT/CN2013/080019 WO2015006993A1 (zh) 2013-07-19 2013-07-24 一种阵列基板及显示面板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2627938C1 true RU2627938C1 (ru) 2017-08-14

Family

ID=49366695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016105305A RU2627938C1 (ru) 2013-07-19 2013-07-24 Подложка матрицы и панель дисплея

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP6273357B2 (ru)
KR (1) KR101894161B1 (ru)
CN (1) CN103364987B (ru)
GB (1) GB2529980B (ru)
RU (1) RU2627938C1 (ru)
WO (1) WO2015006993A1 (ru)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106094379A (zh) * 2016-08-17 2016-11-09 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示面板及其阵列基板
WO2022088102A1 (zh) 2020-10-30 2022-05-05 京东方科技集团股份有限公司 电极结构、显示面板及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100002179A1 (en) * 2008-07-02 2010-01-07 Epson Imaging Devices Corporation Liquid crystal display panel
CN102629038A (zh) * 2011-12-15 2012-08-08 京东方科技集团股份有限公司 Tft阵列基板及其制作方法和显示装置
CN102759825A (zh) * 2012-07-16 2012-10-31 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3795562B2 (ja) * 1995-12-06 2006-07-12 シチズン時計株式会社 液晶表示装置
JP2890037B2 (ja) * 1997-04-04 1999-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置とその作製方法
KR20060085981A (ko) * 2005-01-25 2006-07-31 삼성전자주식회사 액정 표시 패널
JP4363339B2 (ja) * 2005-03-03 2009-11-11 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶装置および電子機器
KR101270705B1 (ko) 2006-09-26 2013-06-03 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판과 이의 제조 방법 및 이를 구비한액정표시패널
KR20080051366A (ko) * 2006-12-05 2008-06-11 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101389219B1 (ko) 2006-12-29 2014-04-24 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드형 액정표시패널 및 그 제조 방법
JP4329828B2 (ja) * 2007-02-26 2009-09-09 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶表示装置
CN101847641B (zh) * 2009-03-27 2011-12-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法和宽视角液晶显示器
CN201383064Y (zh) * 2009-04-22 2010-01-13 上海广电光电子有限公司 Va型液晶显示装置
WO2011007596A1 (ja) * 2009-07-15 2011-01-20 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR101820713B1 (ko) * 2010-04-07 2018-01-23 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US8461630B2 (en) * 2010-12-01 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN202033562U (zh) * 2011-04-29 2011-11-09 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示器阵列基板

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100002179A1 (en) * 2008-07-02 2010-01-07 Epson Imaging Devices Corporation Liquid crystal display panel
CN102629038A (zh) * 2011-12-15 2012-08-08 京东方科技集团股份有限公司 Tft阵列基板及其制作方法和显示装置
CN102759825A (zh) * 2012-07-16 2012-10-31 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
GB201522577D0 (en) 2016-02-03
JP2016528540A (ja) 2016-09-15
GB2529980B (en) 2020-07-29
CN103364987A (zh) 2013-10-23
CN103364987B (zh) 2015-11-25
GB2529980A (en) 2016-03-09
KR20160033212A (ko) 2016-03-25
JP6273357B2 (ja) 2018-01-31
KR101894161B1 (ko) 2018-10-04
WO2015006993A1 (zh) 2015-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20220187641A1 (en) Liquid crystal display device
CN103018991B (zh) 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
US20160342048A1 (en) Thin film transistor array substrate, liquid crystal panel and liquid crystal display device
CN103713427B (zh) 液晶显示装置
US20140028961A1 (en) Liquid crystal display device
EP2889681A1 (en) Curved liquid crystal display
US20150370105A1 (en) Liquid crystal display including light blocking member overlapping spacer
US9502439B2 (en) Array substrate and a display device
US10217773B2 (en) Array substrate and fabrication method thereof, display panel and fabrication method thereof
US8975631B2 (en) Array substrate, manufacturing method, and display device thereof
EP2728403A1 (en) Array substrate and display device
KR20120032438A (ko) 액정 표시 장치
JP2015114375A (ja) 液晶表示装置
TWI628498B (zh) 顯示裝置及其顯示面板
CN104752444A (zh) 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置
US10495930B2 (en) Array substrate, display device and manufacturing method of the array substrate
JP5078176B2 (ja) 液晶表示装置
RU2627938C1 (ru) Подложка матрицы и панель дисплея
US9041889B2 (en) Array substrate and liquid crystal display panel
US9703152B2 (en) Liquid crystal display device
US9651833B2 (en) Liquid crystal display device
JP5939755B2 (ja) 液晶表示装置
US20180197896A1 (en) Tft array substrate and manufacturing method thereof, display device
TW201142453A (en) Electro-phoretic display and pixel thereof
US9184182B2 (en) Array substrate and display panel