RU2012149561A - Легирование графена дырками - Google Patents

Легирование графена дырками Download PDF

Info

Publication number
RU2012149561A
RU2012149561A RU2012149561/28A RU2012149561A RU2012149561A RU 2012149561 A RU2012149561 A RU 2012149561A RU 2012149561/28 A RU2012149561/28 A RU 2012149561/28A RU 2012149561 A RU2012149561 A RU 2012149561A RU 2012149561 A RU2012149561 A RU 2012149561A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
graphene layer
metal oxide
layer
graphene
oxide film
Prior art date
Application number
RU2012149561/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2565336C2 (ru
Inventor
Вэй Чэнь
Чжэньюй ЧЭНЬ
Суе Шен Эндрю ВИИ
Ланьфэй СЕ
Сяо ВАН
Цзятао СУНЬ
Ариандо
Original Assignee
Нэйшнл Юниверсити оф Сингапур
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Нэйшнл Юниверсити оф Сингапур filed Critical Нэйшнл Юниверсити оф Сингапур
Publication of RU2012149561A publication Critical patent/RU2012149561A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2565336C2 publication Critical patent/RU2565336C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/194—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/1606—Graphene
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
    • H01L29/6609—Diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

1. Изделие включает в себяслой графена, имеющий первую работу выхода, ипленку оксида металла, расположенную на слое графена, причем пленка оксида металла имеет вторую работу выхода, превышающую первую работу выхода, при этомэлектроны переносятся из слоя графена к пленке оксида металла, образуя слой накопления дырок в слое графена.2. Изделие по п.1, в котором слой накопления дырок имеет поверхностную плотность дырок приблизительно до 1,0×10см.3. Изделие по п.1, дополнительно содержащее подложку, при этом слой графена располагается на подложке.4. Изделие по п.3, в котором слой графена является эпитаксиальным слоем графена, образованным на подложке.5. Изделие по п.3, в котором подложка содержит материал n-типа.6. Изделие по п.5, в котором подложка содержит карбид кремния..7. Изделие по п.3, в котором тем, что слой графена включает в себя первый участок и второй участок, примыкающий к первому участку, и при этом пленка оксида металла расположена только на первом участке слоя графена.8. Изделие по п.7, в котором тем, что в нем p-n-переход образован между первым участком и вторым участком.9. Изделие по п.7 дополнительно содержит первый электрод, находящийся в контакте с первым участком слоя графена, и второй электрод, находящийся в контакте со вторым участком слоя графена.10. Изделие по п.3, дополнительно содержит электрод истока, образованный на слое графена, и электрод стока, образованный на слое графена и отделенный от электрода истока, при этом пленка оксида металла располагается между электродом истока и электродом стока.11. Изделие по п.1, в котором пленка оксида металла содержит MoO.12. Изделие по п.1, в котором что пленка оксида металла сост

Claims (35)

1. Изделие включает в себя
слой графена, имеющий первую работу выхода, и
пленку оксида металла, расположенную на слое графена, причем пленка оксида металла имеет вторую работу выхода, превышающую первую работу выхода, при этом
электроны переносятся из слоя графена к пленке оксида металла, образуя слой накопления дырок в слое графена.
2. Изделие по п.1, в котором слой накопления дырок имеет поверхностную плотность дырок приблизительно до 1,0×1013 см-2.
3. Изделие по п.1, дополнительно содержащее подложку, при этом слой графена располагается на подложке.
4. Изделие по п.3, в котором слой графена является эпитаксиальным слоем графена, образованным на подложке.
5. Изделие по п.3, в котором подложка содержит материал n-типа.
6. Изделие по п.5, в котором подложка содержит карбид кремния..
7. Изделие по п.3, в котором тем, что слой графена включает в себя первый участок и второй участок, примыкающий к первому участку, и при этом пленка оксида металла расположена только на первом участке слоя графена.
8. Изделие по п.7, в котором тем, что в нем p-n-переход образован между первым участком и вторым участком.
9. Изделие по п.7 дополнительно содержит первый электрод, находящийся в контакте с первым участком слоя графена, и второй электрод, находящийся в контакте со вторым участком слоя графена.
10. Изделие по п.3, дополнительно содержит электрод истока, образованный на слое графена, и электрод стока, образованный на слое графена и отделенный от электрода истока, при этом пленка оксида металла располагается между электродом истока и электродом стока.
11. Изделие по п.1, в котором пленка оксида металла содержит MoO3.
12. Изделие по п.1, в котором что пленка оксида металла состоит из WO3.
13. Изделие по п.1, в котором пленка оксида металла имеет толщину, по меньшей мере, приблизительно 0,2 нм.
14. Изделие по п.1, в котором слой графена является ферромагнетиком.
15. Изделие по п.14, в котором степень магнитного гистерезиса, проявляемого слоем графена, зависит от толщины пленки оксида металла.
16. Изделие по п.14, в котором пленка оксида металла имеет толщину менее приблизительно 15 нм.
17. Изделие по п.16, в котором пленка оксида металла имеет толщину около 5 нм.
18. Способ легирования графена, включающий в себя
создание слоя графена, имеющего первую работу выхода, и
образование пленки оксида металла на слое графена, причем пленка оксида металла имеет вторую работу выхода, превышающую первую работу выхода, при этом
электроны в слое графена переносятся к пленке оксида металла, образуя слой накопления дырок в слое графена.
19. Способ по п.18, дополнительно включает в себя определение толщины пленки оксида металла на основании заданной концентрации дырок в слое накопления дырок.
20. Способ по п.18, в котором создание слоя графена включает в себя образование слоя графена на подложке.
21. Способ по п.20, в котором образование слоя графена на подложке включает в себя образование пленки эпитаксиального графена на подложке.
22. Способ по п.20, в котором образование слоя графена на подложке включает в себя рост слоя графена с помощью химического осаждения из газовой фазы.
23. Способ по п.18, в котором создание слоя графена включает в себя образование слоя графена с помощью микромеханического скалывания.
24. Способ по п.18, в котором создание слоя графена включает в себя образование слоя графена с помощью восстановления оксида графена.
25. Способ по п.18, в котором образование пленки оксида металла включает в себя формирование пленки оксида металла методом термического вакуумного осаждения.
26. Способ по п.18, в котором образование пленки оксида металла включает в себя образование пленки оксида металла методом послойного роста.
27. Фотодетектор, содержащий
подложку;
слой графена, расположенный на поверхности подложки, имеющий первую работу выхода;
электрод истока, сформированный на слое графена,
электрод истока, образованный на слое графена,
электрод стока, образованный на слое графена и отделенный от электрода истока; и
пленку оксида металла, расположенную на слое графена между электродом истока и электродом стока, причем пленка оксида металла имеет вторую работу выхода, превышающую первую работу выхода, при этом
электроны переносятся из слоя графена к пленке оксида металла, создавая собственное электрическое поле вблизи границы раздела между слоем графена и пленкой оксида металла.
28. Фотодетектор по п.27, в котором фототок генерируется в слое графена при поглощении им попадающих на него фотонов.
29. Фотодетектор по п.28, в котором графен сконфигурирован таким образом, чтобы поглощать фотоны с длиной волны в диапазоне от ближней инфракрасной области спектра до ультрафиолетовой области спектра.
30. Устройство, содержащее
подложку,
слой графена, расположенный на поверхности подложки, при этом слой графена имеет первую работу выхода, причем слой графена имеет первый участок и второй участок, примыкающий к первому участку, и
пленку оксида металла, расположенную на первом участке слоя графена, при этом пленка оксида металла имеет вторую работу выхода, превышающую первую работу выхода, при этом
между первым участком и вторым участком образуется p-n-переход.
31. Устройство по п.30 дополнительно содержит первый электрод, находящийся в контакте с первым участком слоя графена, и второй электрод, находящийся в контакте со вторым участком слоя графена.
32. Устройство по п.30, в котором подложка состоит из карбида кремния n-типа.
33. Устройство по п.30, в котором электроны переносятся из первого участка слоя графена к пленке оксида металла так, что первый участок является участком n-типа.
34. Устройство по п.30, в котором второй участок слоя графена является участком n-типа.
35. Устройство по п.34, в котором второй участок слоя графена является участком n-типа благодаря тому переносу зарядов между подложкой и вторым участком слоя графена.
RU2012149561/28A 2010-05-05 2011-05-05 Легирование графена дырками RU2565336C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US34388610P 2010-05-05 2010-05-05
US61/343,886 2010-05-05
US40497510P 2010-10-12 2010-10-12
US61/404,975 2010-10-12
PCT/SG2011/000177 WO2011139236A1 (en) 2010-05-05 2011-05-05 Hole doping of graphene

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012149561A true RU2012149561A (ru) 2014-06-10
RU2565336C2 RU2565336C2 (ru) 2015-10-20

Family

ID=44903910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012149561/28A RU2565336C2 (ru) 2010-05-05 2011-05-05 Легирование графена дырками

Country Status (9)

Country Link
US (1) US9269773B2 (ru)
EP (1) EP2567403A4 (ru)
JP (1) JP5814348B2 (ru)
KR (1) KR20130098884A (ru)
CN (1) CN103026490B (ru)
BR (1) BR112012028292A2 (ru)
RU (1) RU2565336C2 (ru)
SG (2) SG184904A1 (ru)
WO (1) WO2011139236A1 (ru)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5545735B2 (ja) * 2010-07-20 2014-07-09 日本電信電話株式会社 磁気電気効果素子
KR20120134220A (ko) * 2011-06-01 2012-12-12 삼성전자주식회사 강자성 그래핀 및 그를 구비한 스핀밸브 소자
JP5737405B2 (ja) * 2011-07-29 2015-06-17 富士通株式会社 グラフェンナノメッシュの製造方法及び半導体装置の製造方法
US9202945B2 (en) * 2011-12-23 2015-12-01 Nokia Technologies Oy Graphene-based MIM diode and associated methods
JP5689828B2 (ja) * 2012-02-01 2015-03-25 日本電信電話株式会社 グラフェンｐｎ接合の製造方法
KR101264357B1 (ko) 2012-03-30 2013-05-14 한국전기연구원 산화그래핀에 의해 전도성이 향상된 그래핀 투명 전도성 필름
KR101349357B1 (ko) * 2012-04-03 2014-01-16 한국전기연구원 금속산화물에 의해 전도성이 향상된 그래핀 투명 전도성 필름
US9174413B2 (en) 2012-06-14 2015-11-03 International Business Machines Corporation Graphene based structures and methods for shielding electromagnetic radiation
US9413075B2 (en) * 2012-06-14 2016-08-09 Globalfoundries Inc. Graphene based structures and methods for broadband electromagnetic radiation absorption at the microwave and terahertz frequencies
ES2395949B1 (es) * 2012-09-18 2013-12-26 Fundació Institut De Ciències Fotòniques Plataforma electrónica que comprende un cristal de tipo abo3 y grafeno, método para su fabricación y chip que comprende la misma
US20140084253A1 (en) * 2012-09-25 2014-03-27 International Business Machines Corporation Transparent conductive electrode stack containing carbon-containing material
US8906787B2 (en) * 2012-10-05 2014-12-09 Cornell University Thin film compositions and methods
GB201302556D0 (en) * 2013-02-14 2013-03-27 Univ Manchester Thermoelectric materials and devices
KR101541529B1 (ko) * 2013-02-26 2015-08-05 서울대학교산학협력단 그래핀 소자 및 그의 제조방법
WO2014146017A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 University Of Utah Research Foundation Graphene-based superconductors
IL225976A (en) 2013-04-25 2015-02-26 Rafi Kalish A diamond surface ending in hydrogen and coated with molybdenum trioxide and its uses
CN103280398B (zh) * 2013-05-30 2016-02-03 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种制备横向石墨烯pn结的方法
CN103515535A (zh) * 2013-10-10 2014-01-15 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 相变存储器接触电极的制备方法及相变存储器接触电极
US20160284811A1 (en) * 2013-11-04 2016-09-29 Massachusetts Institute Of Technology Electronics including graphene-based hybrid structures
WO2015126139A1 (en) * 2014-02-19 2015-08-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Wiring structure and electronic device employing the same
JP6178267B2 (ja) * 2014-03-13 2017-08-09 株式会社東芝 配線
KR102255301B1 (ko) 2014-05-19 2021-05-24 삼성전자주식회사 강유전성 물질을 포함하는 광전자소자
JP6388953B2 (ja) * 2014-09-16 2018-09-12 国立研究開発法人産業技術総合研究所 有機発光素子とその陽極材料
KR102374118B1 (ko) 2014-10-31 2022-03-14 삼성전자주식회사 그래핀층 및 그 형성방법과 그래핀층을 포함하는 소자 및 그 제조방법
KR102412965B1 (ko) * 2014-12-30 2022-06-24 삼성전자주식회사 2차원 물질층을 포함하는 전자소자 및 잉크젯 프린팅을 이용한 전자소자의 제조방법
WO2016121408A1 (ja) * 2015-01-28 2016-08-04 三菱電機株式会社 電磁波検出器および電磁波検出器アレイ
CN106549077B (zh) * 2015-09-18 2018-03-02 中国科学院物理研究所 一种光电二极管装置以及一种产生整流效应的方法
CN105355651B (zh) * 2015-10-12 2018-02-16 河南师范大学 一种基于硼氮原子链的负微分电阻原子尺度纳米器件
JP6113372B1 (ja) 2016-02-24 2017-04-12 三菱電機株式会社 電磁波検出器
JP6297233B1 (ja) * 2016-07-12 2018-03-20 三菱電機株式会社 電磁波検出器及び電磁波検出器アレイ
JP6799247B2 (ja) * 2016-08-09 2020-12-16 富士通株式会社 半導体装置
EP3605038B1 (en) * 2017-03-22 2023-04-05 Mitsubishi Electric Corporation Electromagnetic wave detector, electromagnetic wave detector array, and electromagnetic wave detection method
CN107316804B (zh) * 2017-07-07 2019-07-23 西安交通大学 一种金属原子掺杂的大面积规则外延石墨烯的制备方法
JP6957310B2 (ja) * 2017-10-24 2021-11-02 東京エレクトロン株式会社 半導体装置およびｃｍｏｓトランジスタ
GB2568110B (en) 2017-11-07 2019-12-04 Emberion Oy Photosensitive field-effect transistor
JP6985596B2 (ja) * 2017-11-30 2021-12-22 富士通株式会社 電子デバイス、電子デバイスの製造方法及び電子機器
CN108198746B (zh) * 2017-12-29 2020-06-19 重庆墨希科技有限公司 Cvd石墨烯复合型掺杂结构及其制备方法
US20200108584A1 (en) * 2018-10-04 2020-04-09 Hanwha Aerospace Co.,Ltd Graphene-based laminate, method of preparing the same, and transparent electrode and electronic device each including the graphene-based laminate
CN109573995A (zh) * 2018-11-15 2019-04-05 南京邮电大学 一种碱性氧化物修饰石墨烯的方法
CN109613030A (zh) * 2018-12-21 2019-04-12 四川聚创石墨烯科技有限公司 一种判定碳材料是否为掺杂氧化石墨烯的方法
CN109801990A (zh) * 2018-12-29 2019-05-24 山东大学 一种利用SiC热解石墨烯制作光电探测器的方法
CN110426429A (zh) * 2019-08-01 2019-11-08 电子科技大学 一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列
WO2023237561A1 (en) 2022-06-08 2023-12-14 Paragraf Limited A thermally stable graphene-containing laminate

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000516708A (ja) 1996-08-08 2000-12-12 ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ ナノチューブ組立体から作製された巨視的操作可能なナノ規模の装置
RU2228900C1 (ru) * 2003-02-11 2004-05-20 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Способ получения углеродных наноструктур
US8044472B2 (en) 2003-03-25 2011-10-25 Kulite Semiconductor Products, Inc. Nanotube and graphene semiconductor structures with varying electrical properties
US7105390B2 (en) * 2003-12-30 2006-09-12 Intel Corporation Nonplanar transistors with metal gate electrodes
BRPI0402338B1 (pt) 2004-06-16 2015-01-06 Universidad De La República Processo de preparação de materiais grafíticos magnéticos e materiais assim preparados
WO2008108383A1 (ja) * 2007-03-02 2008-09-12 Nec Corporation グラフェンを用いる半導体装置及びその製造方法
WO2008130465A2 (en) 2007-03-02 2008-10-30 Brookhaven Science Associates Nanodevices for spintronics methods of using same
US7732859B2 (en) 2007-07-16 2010-06-08 International Business Machines Corporation Graphene-based transistor
KR101344493B1 (ko) 2007-12-17 2013-12-24 삼성전자주식회사 단결정 그라펜 시트 및 그의 제조방법
WO2009143604A1 (en) * 2008-05-30 2009-12-03 University Of Alberta Molecular signature for fibrosis and atrophy
WO2009158552A1 (en) 2008-06-26 2009-12-30 Carben Semicon Limited Patterned integrated circuit and method of production thereof
US7952088B2 (en) 2008-07-11 2011-05-31 International Business Machines Corporation Semiconducting device having graphene channel
WO2010008399A1 (en) * 2008-07-15 2010-01-21 Curtin Lawrence F Dye doped graphite graphene solar cell on aluminum
US8257867B2 (en) * 2008-07-28 2012-09-04 Battelle Memorial Institute Nanocomposite of graphene and metal oxide materials
US8698226B2 (en) * 2008-07-31 2014-04-15 University Of Connecticut Semiconductor devices, methods of manufacture thereof and articles comprising the same
US9346680B2 (en) 2008-09-09 2016-05-24 Battelle Memorial Institute Mesoporous metal oxide graphene nanocomposite materials
JP5453045B2 (ja) * 2008-11-26 2014-03-26 株式会社日立製作所 グラフェン層が成長された基板およびそれを用いた電子・光集積回路装置
US8440496B2 (en) * 2009-07-08 2013-05-14 Solarmer Energy, Inc. Solar cell with conductive material embedded substrate
US8053782B2 (en) * 2009-08-24 2011-11-08 International Business Machines Corporation Single and few-layer graphene based photodetecting devices
US20110070495A1 (en) * 2009-09-23 2011-03-24 Alliance For Sustainable Energy, Llc Method of fabricating electrodes including high-capacity, binder-free anodes for lithium-ion batteries
US9640334B2 (en) * 2010-01-25 2017-05-02 Nanotek Instruments, Inc. Flexible asymmetric electrochemical cells using nano graphene platelet as an electrode material
US8278643B2 (en) * 2010-02-02 2012-10-02 Searete Llc Doped graphene electronic materials
US8344358B2 (en) * 2010-09-07 2013-01-01 International Business Machines Corporation Graphene transistor with a self-aligned gate
WO2012051597A2 (en) * 2010-10-15 2012-04-19 The Regents Of The University Of California Organometallic chemistry of extended periodic ii-electron systems
US8878120B2 (en) * 2010-12-13 2014-11-04 The Trustees Of The Stevens Institute Of Technology Active bandgap tuning of graphene for tunable photodetection applications
US8758947B2 (en) * 2011-01-11 2014-06-24 Battelle Memorial Institute Graphene-based battery electrodes having continuous flow paths
US20130332120A1 (en) * 2012-06-06 2013-12-12 University Of Southern California System and method for aggregating reservoir connectivities

Also Published As

Publication number Publication date
EP2567403A4 (en) 2014-11-19
WO2011139236A1 (en) 2011-11-10
SG10201503073QA (en) 2015-06-29
SG184904A1 (en) 2012-11-29
US9269773B2 (en) 2016-02-23
EP2567403A1 (en) 2013-03-13
CN103026490A (zh) 2013-04-03
CN103026490B (zh) 2016-06-22
US20130048952A1 (en) 2013-02-28
JP5814348B2 (ja) 2015-11-17
KR20130098884A (ko) 2013-09-05
BR112012028292A2 (pt) 2016-11-01
RU2565336C2 (ru) 2015-10-20
JP2013537700A (ja) 2013-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012149561A (ru) Легирование графена дырками
Xiang et al. Surface Transfer Doping‐Induced, High‐Performance Graphene/Silicon Schottky Junction‐Based, Self‐Powered Photodetector
Yoon et al. Enhanced conversion efficiencies for pillar array solar cells fabricated from crystalline silicon with short minority carrier diffusion lengths
Cicek et al. AlxGa1-xN-based back-illuminated solar-blind photodetectors with external quantum efficiency of 89%
Huang et al. Back-illuminated separate absorption and multiplication AlGaN solar-blind avalanche photodiodes
Li et al. Electrical and photoresponse properties of an intramolecular pn homojunction in single phosphorus-doped ZnO nanowires
Cheng et al. Self-powered and broadband photodetectors based on graphene/ZnO/silicon triple junctions
Kang et al. n-ZnO: N/p-Si nanowire photodiode prepared by atomic layer deposition
Long et al. Electron and hole drift mobility measurements on thin film CdTe solar cells
CN102214705A (zh) AlGaN极化紫外光电探测器及其制作方法
Aydın et al. P3HT–graphene bilayer electrode for Schottky junction photodetectors
Watanabe et al. 4H-SiC pn photodiodes with temperature-independent photoresponse up to 300° C
Hazra et al. A p-silicon nanowire/n-ZnO thin film heterojunction diode prepared by thermal evaporation
Zhu et al. Comparison of photoresponse of Si-based BIB THz detectors
Tran et al. Photoresponsive properties of ultrathin silicon nanowires
US11309449B2 (en) Voltage tunable solar blindness in TFS grown EG/SiC Schottky contact bipolar phototransistors
Yang et al. 4H-SiC pin ultraviolet avalanche photodiodes obtained by Al implantation
Yang et al. High-performance 4H-SiC pin ultraviolet photodiode with p layer formed by al implantation
JP2019036706A (ja) 二次元電子デバイスおよび関連する製造方法
Jiang et al. Three-dimensional metal–semiconductor–metal bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN pin epilayer
US10950737B2 (en) Semiconductor structures and manufacturing the same
Kumar et al. Demonstration of a large-area AlGaN/GaN Schottky barrier photodetector on Si with high detection limit
Kim et al. Extremely high-performing heterojunction device by surficial length enhanced effect
Liu et al. Direct-bandgap electroluminescence from a horizontal Ge pin ridge waveguide on Si (001) substrate
Kathalingam et al. Effect of indium on photovoltaic property of n-ZnO/p-Si heterojunction device prepared using solution-synthesized ZnO nanowire film

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160506