RU2012130174A - Способ получения слоев, содержащих оксид индия, полученные этим способом слои, содержащие оксид индия, и их применение - Google Patents
Способ получения слоев, содержащих оксид индия, полученные этим способом слои, содержащие оксид индия, и их применение Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012130174A RU2012130174A RU2012130174/02A RU2012130174A RU2012130174A RU 2012130174 A RU2012130174 A RU 2012130174A RU 2012130174/02 A RU2012130174/02 A RU 2012130174/02A RU 2012130174 A RU2012130174 A RU 2012130174A RU 2012130174 A RU2012130174 A RU 2012130174A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- incl
- halogen
- indium
- dispersion medium
- solvent
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- -1 indium halogen alkoxide Chemical class 0.000 claims abstract 14
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 12
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 claims abstract 10
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical group [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract 10
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims abstract 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical group OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims abstract 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 claims abstract 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract 2
- 125000004213 tert-butoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(O*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims abstract 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000001089 [(2R)-oxolan-2-yl]methanol Substances 0.000 claims 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofurfuryl alcohol Chemical compound OCC1CCCO1 BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/06—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
- C23C18/143—Radiation by light, e.g. photolysis or pyrolysis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
1. Жидкофазный способ получения слоев, содержащих оксид индия, из безводного раствора,отличающийся тем, чтобезводная композиция, содержащая по меньшей мере один индий-галоген-алкоксид общей формулы InX(OR), где R - алкильный и/или алкоксиалкильный остаток и X - F, Cl, Br или I, и по меньшей мере один растворитель или дисперсионную среду в последовательности пунктов от a) до d) в безводной атмосфереa) наносится на подложку,b) нанесенная на подложку композиция облучается электромагнитным излучением с длиной волны ≤360 нм иc) при необходимости сушится и затемd) термически преобразуется в слой, содержащий оксид индия.2. Способ по п.1,отличающийся тем, чтоалкильные или алкоксиалкильные остатки по меньшей мере одного индий-галоген-алкоксида являются C1-C15-алкокси- или алкоксиалкильными группами.3. Способ по п.2,отличающийся тем, чтоиндий-галоген-алкоксид представляет собой InCl(OMe), InCl(OCHCHOCH), InCl(OEt), InCl(OiPr)или InCl(OtBu).4. Способ по п.1,отличающийся тем, чтобезводная композиция наряду с индий-галоген-алкоксидом имеет еще другие прекурсоры, предпочтительно алкоксиды и галоген-алкоксиды других элементов, особенно предпочтительно алкоксиды и галоген-алкоксиды B, Al, Ga, Ge Sn, Pb, P, Zn и Sb, растворенные или диспергированные.5. Способ по п.1,отличающийся тем, чтоиндий-галоген-алкоксид InX(OR)применяется с содержанием от 0,1 до 10% в пересчете на общую массу композиции.6. Способ по п.1,отличающийся тем, чторастворитель или дисперсионная среда является апротонным или слабопротонным растворителем или дисперсионной средой.7. Способ по п.6,отличающийся тем, чтопо меньшей мере один растворитель или дисперсионная среда является метанолом, этанолом, изопропанолом, тетрагидр�
Claims (16)
1. Жидкофазный способ получения слоев, содержащих оксид индия, из безводного раствора,
отличающийся тем, что
безводная композиция, содержащая по меньшей мере один индий-галоген-алкоксид общей формулы InX(OR)2, где R - алкильный и/или алкоксиалкильный остаток и X - F, Cl, Br или I, и по меньшей мере один растворитель или дисперсионную среду в последовательности пунктов от a) до d) в безводной атмосфере
a) наносится на подложку,
b) нанесенная на подложку композиция облучается электромагнитным излучением с длиной волны ≤360 нм и
c) при необходимости сушится и затем
d) термически преобразуется в слой, содержащий оксид индия.
2. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
алкильные или алкоксиалкильные остатки по меньшей мере одного индий-галоген-алкоксида являются C1-C15-алкокси- или алкоксиалкильными группами.
3. Способ по п.2,
отличающийся тем, что
индий-галоген-алкоксид представляет собой InCl(OMe)2, InCl(OCH2CH2OCH3)2, InCl(OEt)2, InCl(OiPr)2 или InCl(OtBu)2.
4. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
безводная композиция наряду с индий-галоген-алкоксидом имеет еще другие прекурсоры, предпочтительно алкоксиды и галоген-алкоксиды других элементов, особенно предпочтительно алкоксиды и галоген-алкоксиды B, Al, Ga, Ge Sn, Pb, P, Zn и Sb, растворенные или диспергированные.
5. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
индий-галоген-алкоксид InX(OR)2 применяется с содержанием от 0,1 до 10% в пересчете на общую массу композиции.
6. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
растворитель или дисперсионная среда является апротонным или слабопротонным растворителем или дисперсионной средой.
7. Способ по п.6,
отличающийся тем, что
по меньшей мере один растворитель или дисперсионная среда является метанолом, этанолом, изопропанолом, тетрагидрофурфуриловым спиртом, трет-бутанолом, бутилацетатом, метоксиэтанолом или толуолом.
8. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
по меньшей мере один растворитель или дисперсионная среда представлен/а с содержанием от 90 до 99,9% в пересчете на общую массу композиции.
9. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
композиция имеет вязкость от 1 мПа·с до 10 Па·с.
10. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
подложка состоит из стекла, кремния, диоксида кремния, оксида металла или переходного металла, металла или полимерного материала.
11. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
нанесение безводной композиции на подложку осуществляется способом печати, способом распыления, способом центрифугирования, способом погружения или способом, выбранным из группы, состоящей из нанесения покрытия путем создания мениска, щелевого покрытия, нанесения покрытия с помощью щелевой экструзионной головки и наливного покрытия.
12. Способ по п.11,
отличающийся тем, что
нанесение осуществляется способом струйной печати, выбранным из непрерывной, термической и пьезоструной печати.
13. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
облучение безводной композиции происходит электромагнитным излучением с длиной волны 150-300 нм.
14. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
превращение осуществляется термически посредством температур выше 150°C.
15. Способ по одному из пп.1-14,
отличающийся тем, что
перед, в течение или после термической обработки происходит облучение УФ-, ИК- или видимым излучением.
16. Применение по меньшей мере одного слоя, содержащего оксид индия, получаемого способом по пп.1-15 для получения проводниковых или полупроводниковых слоев для электронных структурных элементов, в частности для получения проводниковых или полупроводниковых слоев для транзисторов, диодов, сенсоров или солнечных элементов.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102009054997A DE102009054997B3 (de) | 2009-12-18 | 2009-12-18 | Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung |
| DE102009054997.8 | 2009-12-18 | ||
| PCT/EP2010/068185 WO2011073005A2 (de) | 2009-12-18 | 2010-11-25 | Verfahren zur herstellung von indiumoxid-haltigen schichten, nach dem verfahren hergestellte indiumoxid-haltige schichten und ihre verwendung |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012130174A true RU2012130174A (ru) | 2014-01-27 |
| RU2567142C2 RU2567142C2 (ru) | 2015-11-10 |
| RU2567142C9 RU2567142C9 (ru) | 2016-10-27 |
Family
ID=43927323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012130174/02A RU2567142C9 (ru) | 2009-12-18 | 2010-11-25 | Способ получения слоев, содержащих оксид индия, полученные этим способом слои, содержащие оксид индия, и их применение |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8841164B2 (ru) |
| EP (1) | EP2513355B1 (ru) |
| JP (1) | JP5864434B2 (ru) |
| KR (1) | KR101719853B1 (ru) |
| CN (1) | CN102652187B (ru) |
| DE (1) | DE102009054997B3 (ru) |
| RU (1) | RU2567142C9 (ru) |
| TW (1) | TWI509102B (ru) |
| WO (1) | WO2011073005A2 (ru) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007018431A1 (de) * | 2007-04-19 | 2008-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor |
| DE102008058040A1 (de) * | 2008-11-18 | 2010-05-27 | Evonik Degussa Gmbh | Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten |
| DE102009028802B3 (de) | 2009-08-21 | 2011-03-24 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung Metalloxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Metalloxid-haltige Schicht und deren Verwendung |
| DE102009028801B3 (de) | 2009-08-21 | 2011-04-14 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Indiumoxid-haltige Schicht und deren Verwendung |
| DE102010031592A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102010031895A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102010043668B4 (de) * | 2010-11-10 | 2012-06-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung |
| JP5871263B2 (ja) * | 2011-06-14 | 2016-03-01 | 富士フイルム株式会社 | 非晶質酸化物薄膜の製造方法 |
| DE102011084145A1 (de) | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von hochperformanten und elektrisch stabilen, halbleitenden Metalloxidschichten, nach dem Verfahren hergestellte Schichten und deren Verwendung |
| US8853070B2 (en) | 2012-04-13 | 2014-10-07 | Oti Lumionics Inc. | Functionalization of a substrate |
| US9698386B2 (en) | 2012-04-13 | 2017-07-04 | Oti Lumionics Inc. | Functionalization of a substrate |
| EP2840590A4 (en) * | 2012-04-16 | 2015-09-02 | Korea Electronics Technology | PROCESS FOR PRODUCING LOW TEMPERATURE PROCESSING OXIDE FILM, OXIDE FILM, AND ELECTRONIC DEVICE |
| DE102012209918A1 (de) * | 2012-06-13 | 2013-12-19 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102013212018A1 (de) | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Metalloxid-Prekursoren, sie enthaltende Beschichtungszusammensetzungen, und ihre Verwendung |
| DE102013212019A1 (de) | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Formulierungen zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| DE102013212017A1 (de) | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung von Indiumalkoxid-Verbindungen, die nach dem Verfahren herstellbaren Indiumalkoxid-Verbindungen und ihre Verwendung |
| DE102014202718A1 (de) | 2014-02-14 | 2015-08-20 | Evonik Degussa Gmbh | Beschichtungszusammensetzung, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| EP3009402A1 (de) * | 2014-10-15 | 2016-04-20 | Justus-Liebig-Universität Gießen | Verfahren zur Herstellung von gemischten Metallhalogenid-Alkoxiden und Metalloxid-Nanopartikeln |
| WO2017046023A1 (en) | 2015-09-14 | 2017-03-23 | University College Cork | Semi-metal rectifying junction |
| JP6828293B2 (ja) | 2015-09-15 | 2021-02-10 | 株式会社リコー | ｎ型酸化物半導体膜形成用塗布液、ｎ型酸化物半導体膜の製造方法、及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
| CN105836792B (zh) * | 2016-05-27 | 2017-08-25 | 洛阳瑞德材料技术服务有限公司 | 一种纳米氧化铟的生产方法 |
| JP2019057698A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-11 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59198607A (ja) | 1983-04-27 | 1984-11-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 保護膜を備えた透明導電膜 |
| JPS59198606A (ja) | 1983-04-27 | 1984-11-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 透明導電膜形成用組成物 |
| US4681959A (en) | 1985-04-22 | 1987-07-21 | Stauffer Chemical Company | Preparation of insoluble metal alkoxides |
| JPH01115010A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-08 | Central Glass Co Ltd | 透明導電性膜用組成物およびその膜の形成方法 |
| JPH02113033A (ja) | 1988-10-21 | 1990-04-25 | Central Glass Co Ltd | 静電防止処理を施された非金属材料およびこれらの処理方法 |
| JPH02145459A (ja) | 1988-11-28 | 1990-06-04 | Central Glass Co Ltd | 複写機用ガラスおよびその製造法 |
| FR2659649B1 (fr) | 1990-03-16 | 1992-06-12 | Kodak Pathe | Preparation d'alkoxydes d'indium solubles dans les solvants organiques. |
| RU2118402C1 (ru) * | 1994-05-17 | 1998-08-27 | Виктор Васильевич Дроботенко | Способ получения металлооксидных покрытий (его варианты) |
| JPH09157855A (ja) * | 1995-12-06 | 1997-06-17 | Kansai Shin Gijutsu Kenkyusho:Kk | 金属酸化物薄膜の形成方法 |
| JPH11106935A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 金属酸化物薄膜の製造方法及び金属酸化物薄膜 |
| JP2000016812A (ja) | 1998-07-02 | 2000-01-18 | Kansai Shingijutsu Kenkyusho:Kk | 金属酸化物膜の製造方法 |
| JP4264145B2 (ja) * | 1998-07-08 | 2009-05-13 | 株式会社Ｋｒｉ | Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体塗布液の製造方法 |
| JP4030243B2 (ja) * | 1999-12-20 | 2008-01-09 | 日本電気株式会社 | 強誘電体薄膜形成用溶液及び強誘電体薄膜形成方法 |
| JP4073146B2 (ja) | 2000-03-17 | 2008-04-09 | 株式会社高純度化学研究所 | ガリウムアルコキシドの精製方法 |
| JP2005272189A (ja) | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Japan Science & Technology Agency | 紫外光照射による酸化物半導体薄膜の作製法 |
| JP2008500151A (ja) | 2004-05-28 | 2008-01-10 | 独立行政法人科学技術振興機構 | パターン膜形成方法、装置と材料および製品 |
| JP4767616B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2011-09-07 | 富士フイルム株式会社 | 半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス |
| WO2008083310A1 (en) | 2006-12-29 | 2008-07-10 | 3M Innovative Properties Company | Method of curing metal alkoxide-containing films |
| DE102007013181B4 (de) | 2007-03-20 | 2017-11-09 | Evonik Degussa Gmbh | Transparente, elektrisch leitfähige Schicht |
| DE102007018431A1 (de) | 2007-04-19 | 2008-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor |
| GB2454019B (en) | 2007-10-27 | 2011-11-09 | Multivalent Ltd | Improvements in or relating to synthesis of gallium and indium alkoxides |
| DE102008058040A1 (de) | 2008-11-18 | 2010-05-27 | Evonik Degussa Gmbh | Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten |
| DE102009009337A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-19 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-Schichten und deren Verwendung |
| DE102009009338A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| DE102009050703B3 (de) | 2009-10-26 | 2011-04-21 | Evonik Goldschmidt Gmbh | Verfahren zur Selbstassemblierung elektrischer, elektronischer oder mikromechanischer Bauelemente auf einem Substrat und damit hergestelltes Erzeugnis |
-
2009
- 2009-12-18 DE DE102009054997A patent/DE102009054997B3/de not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-11-25 EP EP10785038.0A patent/EP2513355B1/de not_active Not-in-force
- 2010-11-25 RU RU2012130174/02A patent/RU2567142C9/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-11-25 WO PCT/EP2010/068185 patent/WO2011073005A2/de active Application Filing
- 2010-11-25 US US13/516,900 patent/US8841164B2/en active Active
- 2010-11-25 JP JP2012543576A patent/JP5864434B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-25 CN CN201080057750.2A patent/CN102652187B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-25 KR KR1020127015506A patent/KR101719853B1/ko active IP Right Grant
- 2010-12-15 TW TW099143972A patent/TWI509102B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201137170A (en) | 2011-11-01 |
| JP2013514246A (ja) | 2013-04-25 |
| EP2513355B1 (de) | 2017-08-23 |
| WO2011073005A2 (de) | 2011-06-23 |
| US20130122647A1 (en) | 2013-05-16 |
| EP2513355A2 (de) | 2012-10-24 |
| DE102009054997B3 (de) | 2011-06-01 |
| TWI509102B (zh) | 2015-11-21 |
| KR101719853B1 (ko) | 2017-04-04 |
| RU2567142C9 (ru) | 2016-10-27 |
| CN102652187B (zh) | 2016-03-30 |
| WO2011073005A3 (de) | 2011-09-01 |
| CN102652187A (zh) | 2012-08-29 |
| KR20120095422A (ko) | 2012-08-28 |
| RU2567142C2 (ru) | 2015-11-10 |
| US8841164B2 (en) | 2014-09-23 |
| JP5864434B2 (ja) | 2016-02-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2012130174A (ru) | Способ получения слоев, содержащих оксид индия, полученные этим способом слои, содержащие оксид индия, и их применение | |
| JP2013514246A5 (ru) | ||
| JP2012518088A5 (ru) | ||
| JP6056854B2 (ja) | ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法及び電子デバイス | |
| JP5888329B2 (ja) | ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法、および電子デバイス | |
| JP2013543931A5 (ru) | ||
| RU2012110476A (ru) | Способ получения содержащих оксид металла слоев | |
| WO2014119750A1 (ja) | ガスバリア性フィルム | |
| KR101605650B1 (ko) | 구리막 형성용 조성물 및 상기 조성물을 이용한 구리막의 제조방법 | |
| JP5178199B2 (ja) | 金属ストリップのコーティングにポリシラザンを使用する方法。 | |
| KR101884956B1 (ko) | 산화인듐을 함유하는 코팅물을 제조하기 위한 인듐 옥소 알콕시드 | |
| US20140349025A1 (en) | Conductive compositions and methods relating thereto | |
| RU2015100052A (ru) | Способ получения содержащих оксид индия слоев | |
| WO2011158119A3 (ja) | シリコンオキシナイトライド膜の形成方法およびそれにより製造されたシリコンオキシナイトライド膜付き基板 | |
| EP3289394B1 (en) | Optical functional film and method for producing the same | |
| JP5640310B2 (ja) | 組成物、反射防止膜基板、並びに、太陽電池システム | |
| JP2016022595A (ja) | ガスバリア性フィルムおよびその製造方法ならびに当該ガスバリア性フィルムを有する電子デバイス | |
| JP6523780B2 (ja) | 膜形成性組成物、及びそれを用いた硬化被膜の製造方法 | |
| JP5768652B2 (ja) | バリアーフィルムの製造方法 | |
| CN102714232A (zh) | 用于制造光电池的带金属膜衬底 | |
| TWI437004B (zh) | 金屬氧化物塗料 | |
| JP6077659B2 (ja) | コーティング組成物 | |
| JP6107268B2 (ja) | 強誘電体薄膜形成用ゾルゲル液 | |
| TWI583739B (zh) | A composition for a transparent film, a method for forming a transparent film, and a transparent film | |
| WO2014192668A1 (ja) | 乾燥装置及び乾燥方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TH4A | Reissue of patent specification | ||
| TK4A | Correction to the publication in the bulletin (patent) |
Free format text: AMENDMENT TO CHAPTER -FG4A- IN JOURNAL: 31-2015 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20201126 |