RU2012110476A - Способ получения содержащих оксид металла слоев - Google Patents

Способ получения содержащих оксид металла слоев Download PDF

Info

Publication number
RU2012110476A
RU2012110476A RU2012110476/02A RU2012110476A RU2012110476A RU 2012110476 A RU2012110476 A RU 2012110476A RU 2012110476/02 A RU2012110476/02 A RU 2012110476/02A RU 2012110476 A RU2012110476 A RU 2012110476A RU 2012110476 A RU2012110476 A RU 2012110476A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
oxoalkoxide
metal
metal oxide
och
solvent
Prior art date
Application number
RU2012110476/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2553151C2 (ru
Inventor
Юрген ШТАЙГЕР
Дуи Ву ПХАМ
Хайко ТИМ
Алексей Андреевич МЕРКУЛОВ
Арне ХОППЕ
Original Assignee
Эвоник Дегусса Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=43088361&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=RU2012110476(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Эвоник Дегусса Гмбх filed Critical Эвоник Дегусса Гмбх
Publication of RU2012110476A publication Critical patent/RU2012110476A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2553151C2 publication Critical patent/RU2553151C2/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1204Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
    • C23C18/1208Oxides, e.g. ceramics
    • C23C18/1216Metal oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/125Process of deposition of the inorganic material
    • C23C18/1258Spray pyrolysis

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

1. Способ жидкофазного получения содержащих оксид металла слоев из неводного раствора, отличающийся тем, чтобезводную композицию, содержащуюi) по меньшей мере один оксоалкоксид металла общей формулыMO(OR)[O(R'O)H]X[R”OH], в которойx означает число от 3 до 25,y означает число от 1 до 10,z означает число от 3 до 50,а означает число от 0 до 25,b означает число от 0 до 20,с означает число от 0 до 1,d означает число от 0 до 25,М означает индий, галлий, олово и/или цинк,R, R' и R” соответственно означают органический остаток,Х означает фтор, хлор, бром, йод, иii) по меньшей мере один растворитель, наносят на подложку, при необходимости сушат и превращают в содержащий оксид металла слой.2. Способ по п.1, отличающийся тем, чтов качестве по меньшей мере одного оксоалкоксида металла используют оксоалкоксид формулы MO(OR), в которой x означает число от 3 до 20, у означает число от 1 до 8, z означает число от 1 до 25, OR означает группу алкокси, оксиалкилалкокси, арилокси или оксиарилалкокси с 1-15-атомами углерода;особенно предпочтительно оксоалкоксид общей формулы MO(OR), в которой x означает число от 3 до 15, y означает число от 1 до 5, z означает число от 10 до 20, OR означает -ОСН, -ОСНСН, -OCHCHOCH, -ОСН(СН)или -O(СН).3. Способ по п.2, отличающийся тем, что по меньшей мере одним оксоалкоксидом металла является [In(µ-O)(µ-OPr)(µ-OPr)(OPr)], [SnO(OBu)(BuOH)] и/или [SnO(OR)].4. Способ по п.1, отличающийся тем, что по меньшей мере одним оксоалкоксидом металла является единственный прекурсор оксида металла, используемый согласно способу.5. Способ по п.1, отличающийся тем, что содержание по меньшей мере одного оксоалкоксида металла в пересчете на общую массу безводной композиции составляет от 0,1 до 15 мас.%.6. Способ по п.1, отличающ

Claims (13)

1. Способ жидкофазного получения содержащих оксид металла слоев из неводного раствора, отличающийся тем, что
безводную композицию, содержащую
i) по меньшей мере один оксоалкоксид металла общей формулы
MxOy(OR)z[O(R'O)cH]aXb[R”OH]d, в которой
x означает число от 3 до 25,
y означает число от 1 до 10,
z означает число от 3 до 50,
а означает число от 0 до 25,
b означает число от 0 до 20,
с означает число от 0 до 1,
d означает число от 0 до 25,
М означает индий, галлий, олово и/или цинк,
R, R' и R” соответственно означают органический остаток,
Х означает фтор, хлор, бром, йод, и
ii) по меньшей мере один растворитель, наносят на подложку, при необходимости сушат и превращают в содержащий оксид металла слой.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что
в качестве по меньшей мере одного оксоалкоксида металла используют оксоалкоксид формулы MxOy(OR)z, в которой x означает число от 3 до 20, у означает число от 1 до 8, z означает число от 1 до 25, OR означает группу алкокси, оксиалкилалкокси, арилокси или оксиарилалкокси с 1-15-атомами углерода;
особенно предпочтительно оксоалкоксид общей формулы MxOy(OR)z, в которой x означает число от 3 до 15, y означает число от 1 до 5, z означает число от 10 до 20, OR означает -ОСН3, -ОСН2СН3, -OCH2CH2OCH3, -ОСН(СН3)2 или -O(СН3)3.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что по меньшей мере одним оксоалкоксидом металла является [In55-O)(µ3-OiPr)42-OiPr)4(OiPr)5], [Sn3O(OiBu)10(iBuOH)2] и/или [Sn6O4(OR)4].
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что по меньшей мере одним оксоалкоксидом металла является единственный прекурсор оксида металла, используемый согласно способу.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что содержание по меньшей мере одного оксоалкоксида металла в пересчете на общую массу безводной композиции составляет от 0,1 до 15 мас.%.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что по меньшей мере одним растворителем является апротонный или слабо протонный растворитель.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что по меньшей мере один растворитель выбран из группы, включающей метанол, этанол, изопропанол, тетрагидрофурфуриловый спирт, трет-бутанол и толуол.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что вязкость композиции составляет от 1 мПа·с до 10 Па·с.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что подложка состоит из стекла, кремния, диоксида кремния, оксида металла или оксид переходного металла, металла или полимерного материала.
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанесение безводной композиции на подложку осуществляют методами печати, пульверизации, центрифугирования, погружения или методом, выбранным из группы, состоящей из менискового нанесения покрытия, щелевого нанесения покрытия, щелевой экструзии и налива.
11. Способ по одному из пп.1-10, отличающийся тем, что превращение осуществляют термически при температурах выше 150°С.
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что до, во время или после термической обработки осуществляют облучение ультрафиолетом, инфракрасными лучами или видимым светом.
13. Применение по меньшей мере одного содержащего оксид металла слоя, который может быть получен способом по одному из пп.1-12, для получения электронных деталей, особенно транзисторов, диодов, датчиков или солнечных элементов.
RU2012110476/02A 2009-08-21 2010-08-13 Способ получения содержащих оксид металла слоев RU2553151C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009028802.3 2009-08-21
DE102009028802A DE102009028802B3 (de) 2009-08-21 2009-08-21 Verfahren zur Herstellung Metalloxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Metalloxid-haltige Schicht und deren Verwendung
PCT/EP2010/061836 WO2011020792A1 (de) 2009-08-21 2010-08-13 Verfahren zur herstellung metalloxid-haltiger schichten

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012110476A true RU2012110476A (ru) 2013-09-27
RU2553151C2 RU2553151C2 (ru) 2015-06-10

Family

ID=43088361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012110476/02A RU2553151C2 (ru) 2009-08-21 2010-08-13 Способ получения содержащих оксид металла слоев

Country Status (9)

Country Link
US (1) US9309595B2 (ru)
EP (1) EP2467513B1 (ru)
JP (1) JP5766191B2 (ru)
KR (1) KR101725573B1 (ru)
CN (1) CN102575350B (ru)
DE (1) DE102009028802B3 (ru)
RU (1) RU2553151C2 (ru)
TW (1) TWI485284B (ru)
WO (1) WO2011020792A1 (ru)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007018431A1 (de) * 2007-04-19 2008-10-30 Evonik Degussa Gmbh Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor
DE102008058040A1 (de) * 2008-11-18 2010-05-27 Evonik Degussa Gmbh Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten
DE102009009337A1 (de) 2009-02-17 2010-08-19 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-Schichten und deren Verwendung
DE102010031592A1 (de) 2010-07-21 2012-01-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten
DE102010031895A1 (de) 2010-07-21 2012-01-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten
DE102010043668B4 (de) 2010-11-10 2012-06-21 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung
DE102011084145A1 (de) 2011-10-07 2013-04-11 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von hochperformanten und elektrisch stabilen, halbleitenden Metalloxidschichten, nach dem Verfahren hergestellte Schichten und deren Verwendung
DE102012209918A1 (de) * 2012-06-13 2013-12-19 Evonik Industries Ag Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten
RU2657411C2 (ru) 2013-02-06 2018-06-13 Конинклейке Филипс Н.В. Обрабатывающая пластина для устройства обработки одежды
DE102013212018A1 (de) * 2013-06-25 2015-01-08 Evonik Industries Ag Metalloxid-Prekursoren, sie enthaltende Beschichtungszusammensetzungen, und ihre Verwendung
EP2874187B1 (en) 2013-11-15 2020-01-01 Evonik Operations GmbH Low contact resistance thin film transistor
DE102014202718A1 (de) 2014-02-14 2015-08-20 Evonik Degussa Gmbh Beschichtungszusammensetzung, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
EP3360933A1 (de) * 2017-02-08 2018-08-15 Evonik Degussa GmbH Direkt-strukturierbare formulierungen auf der basis von metalloxid-prekursoren zur herstellung oxidischer schichten
EP3409813A1 (en) * 2017-06-01 2018-12-05 Evonik Degussa GmbH Device containing metal oxide-containing layers
CN111254423B (zh) * 2020-03-26 2021-12-07 上海大学 一种芳香族聚酰胺纤维电镀银的方法及应用

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2659649B1 (fr) * 1990-03-16 1992-06-12 Kodak Pathe Preparation d'alkoxydes d'indium solubles dans les solvants organiques.
RU2118402C1 (ru) 1994-05-17 1998-08-27 Виктор Васильевич Дроботенко Способ получения металлооксидных покрытий (его варианты)
JP2003267733A (ja) * 2002-03-13 2003-09-25 Japan Carlit Co Ltd:The 金属酸化物前駆体溶液とその調整方法及び金属酸化物薄膜とその形成方法
US6958300B2 (en) * 2002-08-28 2005-10-25 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming metal oxides using metal organo-amines and metal organo-oxides
JP2004231495A (ja) 2003-01-31 2004-08-19 Nippon Shokubai Co Ltd 金属酸化物膜の製造方法
JP4767616B2 (ja) * 2005-07-29 2011-09-07 富士フイルム株式会社 半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス
EA009422B1 (ru) 2005-12-01 2007-12-28 Виктор Васильевич Дроботенко Пленкообразующий раствор для получения металлооксидных покрытий и способ получения покрытий на его основе
JP5121196B2 (ja) * 2006-09-15 2013-01-16 株式会社Adeka 金属アルコキシド化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
US8227040B2 (en) * 2006-12-29 2012-07-24 3M Innovative Properties Company Method of curing metal alkoxide-containing films
DE102007013181B4 (de) * 2007-03-20 2017-11-09 Evonik Degussa Gmbh Transparente, elektrisch leitfähige Schicht
DE102007018431A1 (de) 2007-04-19 2008-10-30 Evonik Degussa Gmbh Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor
CN101445513B (zh) * 2007-10-31 2014-01-08 通用电气公司 金属氧化物涂层
DE102008058040A1 (de) 2008-11-18 2010-05-27 Evonik Degussa Gmbh Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten
DE102009009337A1 (de) 2009-02-17 2010-08-19 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-Schichten und deren Verwendung
DE102009009338A1 (de) 2009-02-17 2010-08-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
DE102009050703B3 (de) 2009-10-26 2011-04-21 Evonik Goldschmidt Gmbh Verfahren zur Selbstassemblierung elektrischer, elektronischer oder mikromechanischer Bauelemente auf einem Substrat und damit hergestelltes Erzeugnis
DE102009054998A1 (de) 2009-12-18 2011-06-22 Evonik Degussa GmbH, 45128 Verfahren zur Herstellung von Indiumchlordialkoxiden
DE102009054997B3 (de) 2009-12-18 2011-06-01 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung
DE102010031592A1 (de) 2010-07-21 2012-01-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten
DE102010031895A1 (de) 2010-07-21 2012-01-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten

Also Published As

Publication number Publication date
DE102009028802B3 (de) 2011-03-24
EP2467513B1 (de) 2017-11-15
CN102575350B (zh) 2014-12-17
CN102575350A (zh) 2012-07-11
JP5766191B2 (ja) 2015-08-19
US20120181488A1 (en) 2012-07-19
WO2011020792A1 (de) 2011-02-24
JP2013502364A (ja) 2013-01-24
EP2467513A1 (de) 2012-06-27
US9309595B2 (en) 2016-04-12
RU2553151C2 (ru) 2015-06-10
TW201120242A (en) 2011-06-16
KR101725573B1 (ko) 2017-04-10
KR20120043770A (ko) 2012-05-04
TWI485284B (zh) 2015-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012110476A (ru) Способ получения содержащих оксид металла слоев
JP2012518088A5 (ru)
RU2015100052A (ru) Способ получения содержащих оксид индия слоев
RU2012130174A (ru) Способ получения слоев, содержащих оксид индия, полученные этим способом слои, содержащие оксид индия, и их применение
US20120313055A1 (en) Method of manufacturing transparent conductive film, the transparent conductive film, element and transparent conductive substrate using the film, as well as device using the substrate
RU2572784C2 (ru) Оксоалкоксиды индия для получения содержащих оксид индия слоев
SG159433A1 (en) Organic anti-reflective layer composition containing ring-opened phthalic anhydride and method for preparation thereof
WO2016027218A1 (en) Process for preparing crystalline organic semiconductor material
RU2012112941A (ru) Способ получения кремнистой пленки и используемая в нем жидкость для обработки полисилазанового покрытия
CN101308878A (zh) 均匀大面积光线增透镀膜太阳能电池封装玻璃及制作方法
Kang et al. Pulsed electrodeposition of oxygen-free tin monosulfide thin films using lactic acid/sodium lactate buffered electrolytes
CN103943721A (zh) 一种铜锌锡硫薄膜及其制备方法和用途
JP2010118505A (ja) 太陽電池用ガラス基板
JP6254345B2 (ja) 太陽電池用ガラス基板
CN103492332A (zh) 薄膜太阳能电池用玻璃板
Jørgensen et al. Thermo-cleavable solvents for printing conjugated polymers: application in polymer solar cells
CN106374047A (zh) 一种环保型无机非铅卤化物钙钛矿薄膜的化学合成方法
JP6988483B2 (ja) 電荷輸送性ワニス
Chen et al. Transparent conducting oxide glass grown with TiO2-nanotube array for dye-sensitized solar cell
JP2019038714A (ja) ハロゲン化スズペロブスカイト化合物の製造方法
JP2015229614A (ja) 車両用窓ガラス
JP2016113340A (ja) 太陽電池用ガラス板
CN105418674A (zh) 一种高折射率树脂及其应用
JP2011170979A (ja) 酸化亜鉛薄膜製造方法、およびこの方法で製造した帯電防止薄膜、紫外線カット薄膜、透明電極薄膜
Merouani et al. Spectroscopic FT-IR study of TiO2 films prepared by sol-gel method

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20200814