RU2012110476A - Способ получения содержащих оксид металла слоев - Google Patents
Способ получения содержащих оксид металла слоев Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012110476A RU2012110476A RU2012110476/02A RU2012110476A RU2012110476A RU 2012110476 A RU2012110476 A RU 2012110476A RU 2012110476/02 A RU2012110476/02 A RU 2012110476/02A RU 2012110476 A RU2012110476 A RU 2012110476A RU 2012110476 A RU2012110476 A RU 2012110476A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- oxoalkoxide
- metal
- metal oxide
- och
- solvent
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
- C23C18/1258—Spray pyrolysis
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
1. Способ жидкофазного получения содержащих оксид металла слоев из неводного раствора, отличающийся тем, чтобезводную композицию, содержащуюi) по меньшей мере один оксоалкоксид металла общей формулыMO(OR)[O(R'O)H]X[R”OH], в которойx означает число от 3 до 25,y означает число от 1 до 10,z означает число от 3 до 50,а означает число от 0 до 25,b означает число от 0 до 20,с означает число от 0 до 1,d означает число от 0 до 25,М означает индий, галлий, олово и/или цинк,R, R' и R” соответственно означают органический остаток,Х означает фтор, хлор, бром, йод, иii) по меньшей мере один растворитель, наносят на подложку, при необходимости сушат и превращают в содержащий оксид металла слой.2. Способ по п.1, отличающийся тем, чтов качестве по меньшей мере одного оксоалкоксида металла используют оксоалкоксид формулы MO(OR), в которой x означает число от 3 до 20, у означает число от 1 до 8, z означает число от 1 до 25, OR означает группу алкокси, оксиалкилалкокси, арилокси или оксиарилалкокси с 1-15-атомами углерода;особенно предпочтительно оксоалкоксид общей формулы MO(OR), в которой x означает число от 3 до 15, y означает число от 1 до 5, z означает число от 10 до 20, OR означает -ОСН, -ОСНСН, -OCHCHOCH, -ОСН(СН)или -O(СН).3. Способ по п.2, отличающийся тем, что по меньшей мере одним оксоалкоксидом металла является [In(µ-O)(µ-OPr)(µ-OPr)(OPr)], [SnO(OBu)(BuOH)] и/или [SnO(OR)].4. Способ по п.1, отличающийся тем, что по меньшей мере одним оксоалкоксидом металла является единственный прекурсор оксида металла, используемый согласно способу.5. Способ по п.1, отличающийся тем, что содержание по меньшей мере одного оксоалкоксида металла в пересчете на общую массу безводной композиции составляет от 0,1 до 15 мас.%.6. Способ по п.1, отличающ
Claims (13)
1. Способ жидкофазного получения содержащих оксид металла слоев из неводного раствора, отличающийся тем, что
безводную композицию, содержащую
i) по меньшей мере один оксоалкоксид металла общей формулы
MxOy(OR)z[O(R'O)cH]aXb[R”OH]d, в которой
x означает число от 3 до 25,
y означает число от 1 до 10,
z означает число от 3 до 50,
а означает число от 0 до 25,
b означает число от 0 до 20,
с означает число от 0 до 1,
d означает число от 0 до 25,
М означает индий, галлий, олово и/или цинк,
R, R' и R” соответственно означают органический остаток,
Х означает фтор, хлор, бром, йод, и
ii) по меньшей мере один растворитель, наносят на подложку, при необходимости сушат и превращают в содержащий оксид металла слой.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что
в качестве по меньшей мере одного оксоалкоксида металла используют оксоалкоксид формулы MxOy(OR)z, в которой x означает число от 3 до 20, у означает число от 1 до 8, z означает число от 1 до 25, OR означает группу алкокси, оксиалкилалкокси, арилокси или оксиарилалкокси с 1-15-атомами углерода;
особенно предпочтительно оксоалкоксид общей формулы MxOy(OR)z, в которой x означает число от 3 до 15, y означает число от 1 до 5, z означает число от 10 до 20, OR означает -ОСН3, -ОСН2СН3, -OCH2CH2OCH3, -ОСН(СН3)2 или -O(СН3)3.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что по меньшей мере одним оксоалкоксидом металла является [In5(µ5-O)(µ3-OiPr)4(µ2-OiPr)4(OiPr)5], [Sn3O(OiBu)10(iBuOH)2] и/или [Sn6O4(OR)4].
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что по меньшей мере одним оксоалкоксидом металла является единственный прекурсор оксида металла, используемый согласно способу.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что содержание по меньшей мере одного оксоалкоксида металла в пересчете на общую массу безводной композиции составляет от 0,1 до 15 мас.%.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что по меньшей мере одним растворителем является апротонный или слабо протонный растворитель.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что по меньшей мере один растворитель выбран из группы, включающей метанол, этанол, изопропанол, тетрагидрофурфуриловый спирт, трет-бутанол и толуол.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что вязкость композиции составляет от 1 мПа·с до 10 Па·с.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что подложка состоит из стекла, кремния, диоксида кремния, оксида металла или оксид переходного металла, металла или полимерного материала.
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанесение безводной композиции на подложку осуществляют методами печати, пульверизации, центрифугирования, погружения или методом, выбранным из группы, состоящей из менискового нанесения покрытия, щелевого нанесения покрытия, щелевой экструзии и налива.
11. Способ по одному из пп.1-10, отличающийся тем, что превращение осуществляют термически при температурах выше 150°С.
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что до, во время или после термической обработки осуществляют облучение ультрафиолетом, инфракрасными лучами или видимым светом.
13. Применение по меньшей мере одного содержащего оксид металла слоя, который может быть получен способом по одному из пп.1-12, для получения электронных деталей, особенно транзисторов, диодов, датчиков или солнечных элементов.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009028802.3 | 2009-08-21 | ||
DE102009028802A DE102009028802B3 (de) | 2009-08-21 | 2009-08-21 | Verfahren zur Herstellung Metalloxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Metalloxid-haltige Schicht und deren Verwendung |
PCT/EP2010/061836 WO2011020792A1 (de) | 2009-08-21 | 2010-08-13 | Verfahren zur herstellung metalloxid-haltiger schichten |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2012110476A true RU2012110476A (ru) | 2013-09-27 |
RU2553151C2 RU2553151C2 (ru) | 2015-06-10 |
Family
ID=43088361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2012110476/02A RU2553151C2 (ru) | 2009-08-21 | 2010-08-13 | Способ получения содержащих оксид металла слоев |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9309595B2 (ru) |
EP (1) | EP2467513B1 (ru) |
JP (1) | JP5766191B2 (ru) |
KR (1) | KR101725573B1 (ru) |
CN (1) | CN102575350B (ru) |
DE (1) | DE102009028802B3 (ru) |
RU (1) | RU2553151C2 (ru) |
TW (1) | TWI485284B (ru) |
WO (1) | WO2011020792A1 (ru) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007018431A1 (de) * | 2007-04-19 | 2008-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor |
DE102008058040A1 (de) * | 2008-11-18 | 2010-05-27 | Evonik Degussa Gmbh | Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten |
DE102009009337A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-19 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-Schichten und deren Verwendung |
DE102010031592A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
DE102010031895A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
DE102010043668B4 (de) | 2010-11-10 | 2012-06-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung |
DE102011084145A1 (de) | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von hochperformanten und elektrisch stabilen, halbleitenden Metalloxidschichten, nach dem Verfahren hergestellte Schichten und deren Verwendung |
DE102012209918A1 (de) * | 2012-06-13 | 2013-12-19 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
RU2657411C2 (ru) | 2013-02-06 | 2018-06-13 | Конинклейке Филипс Н.В. | Обрабатывающая пластина для устройства обработки одежды |
DE102013212018A1 (de) * | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Metalloxid-Prekursoren, sie enthaltende Beschichtungszusammensetzungen, und ihre Verwendung |
EP2874187B1 (en) | 2013-11-15 | 2020-01-01 | Evonik Operations GmbH | Low contact resistance thin film transistor |
DE102014202718A1 (de) | 2014-02-14 | 2015-08-20 | Evonik Degussa Gmbh | Beschichtungszusammensetzung, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
EP3360933A1 (de) * | 2017-02-08 | 2018-08-15 | Evonik Degussa GmbH | Direkt-strukturierbare formulierungen auf der basis von metalloxid-prekursoren zur herstellung oxidischer schichten |
EP3409813A1 (en) * | 2017-06-01 | 2018-12-05 | Evonik Degussa GmbH | Device containing metal oxide-containing layers |
CN111254423B (zh) * | 2020-03-26 | 2021-12-07 | 上海大学 | 一种芳香族聚酰胺纤维电镀银的方法及应用 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2659649B1 (fr) * | 1990-03-16 | 1992-06-12 | Kodak Pathe | Preparation d'alkoxydes d'indium solubles dans les solvants organiques. |
RU2118402C1 (ru) | 1994-05-17 | 1998-08-27 | Виктор Васильевич Дроботенко | Способ получения металлооксидных покрытий (его варианты) |
JP2003267733A (ja) * | 2002-03-13 | 2003-09-25 | Japan Carlit Co Ltd:The | 金属酸化物前駆体溶液とその調整方法及び金属酸化物薄膜とその形成方法 |
US6958300B2 (en) * | 2002-08-28 | 2005-10-25 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming metal oxides using metal organo-amines and metal organo-oxides |
JP2004231495A (ja) | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Nippon Shokubai Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
JP4767616B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2011-09-07 | 富士フイルム株式会社 | 半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス |
EA009422B1 (ru) | 2005-12-01 | 2007-12-28 | Виктор Васильевич Дроботенко | Пленкообразующий раствор для получения металлооксидных покрытий и способ получения покрытий на его основе |
JP5121196B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2013-01-16 | 株式会社Adeka | 金属アルコキシド化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 |
US8227040B2 (en) * | 2006-12-29 | 2012-07-24 | 3M Innovative Properties Company | Method of curing metal alkoxide-containing films |
DE102007013181B4 (de) * | 2007-03-20 | 2017-11-09 | Evonik Degussa Gmbh | Transparente, elektrisch leitfähige Schicht |
DE102007018431A1 (de) | 2007-04-19 | 2008-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor |
CN101445513B (zh) * | 2007-10-31 | 2014-01-08 | 通用电气公司 | 金属氧化物涂层 |
DE102008058040A1 (de) | 2008-11-18 | 2010-05-27 | Evonik Degussa Gmbh | Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten |
DE102009009337A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-19 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-Schichten und deren Verwendung |
DE102009009338A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
DE102009050703B3 (de) | 2009-10-26 | 2011-04-21 | Evonik Goldschmidt Gmbh | Verfahren zur Selbstassemblierung elektrischer, elektronischer oder mikromechanischer Bauelemente auf einem Substrat und damit hergestelltes Erzeugnis |
DE102009054998A1 (de) | 2009-12-18 | 2011-06-22 | Evonik Degussa GmbH, 45128 | Verfahren zur Herstellung von Indiumchlordialkoxiden |
DE102009054997B3 (de) | 2009-12-18 | 2011-06-01 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung |
DE102010031592A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
DE102010031895A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
-
2009
- 2009-08-21 DE DE102009028802A patent/DE102009028802B3/de not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-08-13 WO PCT/EP2010/061836 patent/WO2011020792A1/de active Application Filing
- 2010-08-13 EP EP10744568.6A patent/EP2467513B1/de not_active Not-in-force
- 2010-08-13 JP JP2012525150A patent/JP5766191B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-13 US US13/390,840 patent/US9309595B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-13 RU RU2012110476/02A patent/RU2553151C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-08-13 CN CN201080037333.1A patent/CN102575350B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-13 KR KR1020127007207A patent/KR101725573B1/ko active IP Right Review Request
- 2010-08-18 TW TW099127572A patent/TWI485284B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102009028802B3 (de) | 2011-03-24 |
EP2467513B1 (de) | 2017-11-15 |
CN102575350B (zh) | 2014-12-17 |
CN102575350A (zh) | 2012-07-11 |
JP5766191B2 (ja) | 2015-08-19 |
US20120181488A1 (en) | 2012-07-19 |
WO2011020792A1 (de) | 2011-02-24 |
JP2013502364A (ja) | 2013-01-24 |
EP2467513A1 (de) | 2012-06-27 |
US9309595B2 (en) | 2016-04-12 |
RU2553151C2 (ru) | 2015-06-10 |
TW201120242A (en) | 2011-06-16 |
KR101725573B1 (ko) | 2017-04-10 |
KR20120043770A (ko) | 2012-05-04 |
TWI485284B (zh) | 2015-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2012110476A (ru) | Способ получения содержащих оксид металла слоев | |
JP2012518088A5 (ru) | ||
RU2015100052A (ru) | Способ получения содержащих оксид индия слоев | |
RU2012130174A (ru) | Способ получения слоев, содержащих оксид индия, полученные этим способом слои, содержащие оксид индия, и их применение | |
US20120313055A1 (en) | Method of manufacturing transparent conductive film, the transparent conductive film, element and transparent conductive substrate using the film, as well as device using the substrate | |
RU2572784C2 (ru) | Оксоалкоксиды индия для получения содержащих оксид индия слоев | |
SG159433A1 (en) | Organic anti-reflective layer composition containing ring-opened phthalic anhydride and method for preparation thereof | |
WO2016027218A1 (en) | Process for preparing crystalline organic semiconductor material | |
RU2012112941A (ru) | Способ получения кремнистой пленки и используемая в нем жидкость для обработки полисилазанового покрытия | |
CN101308878A (zh) | 均匀大面积光线增透镀膜太阳能电池封装玻璃及制作方法 | |
Kang et al. | Pulsed electrodeposition of oxygen-free tin monosulfide thin films using lactic acid/sodium lactate buffered electrolytes | |
CN103943721A (zh) | 一种铜锌锡硫薄膜及其制备方法和用途 | |
JP2010118505A (ja) | 太陽電池用ガラス基板 | |
JP6254345B2 (ja) | 太陽電池用ガラス基板 | |
CN103492332A (zh) | 薄膜太阳能电池用玻璃板 | |
Jørgensen et al. | Thermo-cleavable solvents for printing conjugated polymers: application in polymer solar cells | |
CN106374047A (zh) | 一种环保型无机非铅卤化物钙钛矿薄膜的化学合成方法 | |
JP6988483B2 (ja) | 電荷輸送性ワニス | |
Chen et al. | Transparent conducting oxide glass grown with TiO2-nanotube array for dye-sensitized solar cell | |
JP2019038714A (ja) | ハロゲン化スズペロブスカイト化合物の製造方法 | |
JP2015229614A (ja) | 車両用窓ガラス | |
JP2016113340A (ja) | 太陽電池用ガラス板 | |
CN105418674A (zh) | 一种高折射率树脂及其应用 | |
JP2011170979A (ja) | 酸化亜鉛薄膜製造方法、およびこの方法で製造した帯電防止薄膜、紫外線カット薄膜、透明電極薄膜 | |
Merouani et al. | Spectroscopic FT-IR study of TiO2 films prepared by sol-gel method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200814 |