RU2011115084A - Емкостный микрообработанный ультразвуковой преобразователь - Google Patents
Емкостный микрообработанный ультразвуковой преобразователь Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011115084A RU2011115084A RU2011115084/28A RU2011115084A RU2011115084A RU 2011115084 A RU2011115084 A RU 2011115084A RU 2011115084/28 A RU2011115084/28 A RU 2011115084/28A RU 2011115084 A RU2011115084 A RU 2011115084A RU 2011115084 A RU2011115084 A RU 2011115084A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- insulating layer
- cavity
- sub
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B60—VEHICLES IN GENERAL
- B60B—VEHICLE WHEELS; CASTORS; AXLES FOR WHEELS OR CASTORS; INCREASING WHEEL ADHESION
- B60B1/00—Spoked wheels; Spokes thereof
- B60B1/02—Wheels with wire or other tension spokes
- B60B1/0261—Wheels with wire or other tension spokes characterised by spoke form
- B60B1/0292—Wheels with wire or other tension spokes characterised by spoke form the spoke being bent at both ends
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
- B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
- B06B1/0292—Electrostatic transducers, e.g. electret-type
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N1/00—Electrostatic generators or motors using a solid moving electrostatic charge carrier
- H02N1/002—Electrostatic motors
- H02N1/006—Electrostatic motors of the gap-closing type
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N1/00—Electrostatic generators or motors using a solid moving electrostatic charge carrier
- H02N1/06—Influence generators
- H02N1/08—Influence generators with conductive charge carrier, i.e. capacitor machines
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49005—Acoustic transducer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Apparatuses For Generation Of Mechanical Vibrations (AREA)
Abstract
1. Емкостный микрообработанный ультразвуковой преобразователь, содержащий: ! кремниевую подложку (209); ! полость (205); ! первый электрод (207), расположенный между кремниевой подложкой (209) и полостью (205), в котором первый электрод (207) расположен под полостью (205); ! второй электрод (203), в котором второй электрод (203) расположен над полостью (205) и напротив первого электрода (207), причем второй электрод (203) расположен в мембране, в котором первый электрод (207) и второй электрод (203) выполнены с возможностью подачи на них напряжения; и ! первый изоляционный слой (204), расположенный между первым электродом (207) и вторым электродом (203), ! отличающийся тем, что ! первый изоляционный слой (204) дополнительно содержит первый суб-слой, содержащий оксид, и второй суб-слой, содержащий нитрид. ! 2. Преобразователь по п.1, в котором изоляционный слой (204) дополнительно содержит третий суб-слой, содержащий оксид. ! 3. Преобразователь по п.1, в котором второй суб-слой расположен между первым суб-слоем и третьим суб-слоем. ! 4. Преобразователь по п.1, в котором первый изоляционный слой (204) содержит оксид толщиной по меньшей мере 5 нм. ! 5. Преобразователь по п.1, содержащий второй изоляционный слой (206), при этом второй изоляционный слой (206) расположен между вторым электродом (203) и полостью (205), первый изоляционный слой (204) расположен между первым электродом (207) и полостью (205), а второй изоляционный слой (206) содержит диэлектрик. ! 6. Преобразователь по п.1, в котором диэлектрик является слоем с высокой диэлектрической постоянной «higher-k layer», таким как слой, содержащий нитрид, оксид алюминия или оксид гафния или слой ONO. ! 7. Преобразователь по п.1, в котором давление в поло
Claims (15)
1. Емкостный микрообработанный ультразвуковой преобразователь, содержащий:
кремниевую подложку (209);
полость (205);
первый электрод (207), расположенный между кремниевой подложкой (209) и полостью (205), в котором первый электрод (207) расположен под полостью (205);
второй электрод (203), в котором второй электрод (203) расположен над полостью (205) и напротив первого электрода (207), причем второй электрод (203) расположен в мембране, в котором первый электрод (207) и второй электрод (203) выполнены с возможностью подачи на них напряжения; и
первый изоляционный слой (204), расположенный между первым электродом (207) и вторым электродом (203),
отличающийся тем, что
первый изоляционный слой (204) дополнительно содержит первый суб-слой, содержащий оксид, и второй суб-слой, содержащий нитрид.
2. Преобразователь по п.1, в котором изоляционный слой (204) дополнительно содержит третий суб-слой, содержащий оксид.
3. Преобразователь по п.1, в котором второй суб-слой расположен между первым суб-слоем и третьим суб-слоем.
4. Преобразователь по п.1, в котором первый изоляционный слой (204) содержит оксид толщиной по меньшей мере 5 нм.
5. Преобразователь по п.1, содержащий второй изоляционный слой (206), при этом второй изоляционный слой (206) расположен между вторым электродом (203) и полостью (205), первый изоляционный слой (204) расположен между первым электродом (207) и полостью (205), а второй изоляционный слой (206) содержит диэлектрик.
6. Преобразователь по п.1, в котором диэлектрик является слоем с высокой диэлектрической постоянной «higher-k layer», таким как слой, содержащий нитрид, оксид алюминия или оксид гафния или слой ONO.
7. Преобразователь по п.1, в котором давление в полости (205) меньше 1 атм.
8. Преобразователь по п.1, в котором полость (205) является вакуумированной полостью.
9. Преобразователь по п.1, в котором оксидом первого изолирующего слоя является SiO2 и/или нитридом первого изоляционного слоя является Si3N4.
10. Преобразователь по п.1, в котором второй электрод (203) внедрен в мембрану.
11. Преобразователь по п.1, в котором преобразователь относится по меньшей мере к одному типу, выбранному из группы, состоящей из: сжатого преобразователя, предварительно сжатого преобразователя, гибкого преобразователя и комбинации этих типов.
12. Система для генерирования или обнаружения ультразвуковых волн, содержащая преобразователь по любому из предшествующих пунктов.
13. Система по п.12, содержащая линейную матрицу или двухмерную матрицу преобразователей по любому из пп.1-11.
14. Способ изготовления преобразователя по любому из пп.1-5 или 7-11, содержащий этапы, на которых
изготавливают преобразователь на кремниевой подложке,
снабжают преобразователь первым и вторым электродами, расположенными по обе стороны от полости,
отличающийся тем, что дополнительно содержит этапы, на которых
поддерживают температуру процесса, используемого для изготовления преобразователя, ниже 400°С,
помещают по меньшей мере один изоляционный слой, содержащий по меньшей мере суб-слой оксида и суб-слой нитрида, между первым и вторым электродами.
15. Способ изготовления преобразователя по любому из пп.1-5 или 7-11, содержащий этап, на котором
изготавливают преобразователь пост-процессом в процессе КМОП.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP08305553.3 | 2008-09-16 | ||
EP08305553 | 2008-09-16 | ||
PCT/IB2009/053914 WO2010032156A2 (en) | 2008-09-16 | 2009-09-08 | Capacitive micromachined ultrasound transducer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2011115084A true RU2011115084A (ru) | 2012-10-27 |
RU2511671C2 RU2511671C2 (ru) | 2014-04-10 |
Family
ID=42039961
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011115084/28A RU2511671C2 (ru) | 2008-09-16 | 2009-09-08 | Емкостной микрообработанный ультразвуковой преобразователь |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9132693B2 (ru) |
EP (1) | EP2326432A2 (ru) |
JP (1) | JP5628178B2 (ru) |
CN (1) | CN102159334A (ru) |
RU (1) | RU2511671C2 (ru) |
WO (1) | WO2010032156A2 (ru) |
Families Citing this family (100)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10499937B2 (en) | 2006-05-19 | 2019-12-10 | Recor Medical, Inc. | Ablation device with optimized input power profile and method of using the same |
EP2376011B1 (en) | 2009-01-09 | 2019-07-03 | ReCor Medical, Inc. | Apparatus for treatment of mitral valve insufficiency |
FR2962926B1 (fr) * | 2010-07-23 | 2015-01-02 | Univ Tours Francois Rabelais | Procede et dispositif de generation d'ultrasons mettant en oeuvre des cmuts, et procede et systeme d'imagerie medicale. |
WO2012014010A1 (en) * | 2010-07-26 | 2012-02-02 | Selim Olcum | System and method for operating capacitive micromachined ultrasonic transducers |
JP5875244B2 (ja) | 2011-04-06 | 2016-03-02 | キヤノン株式会社 | 電気機械変換装置及びその作製方法 |
EP2696994B1 (en) | 2011-04-13 | 2021-08-18 | Koninklijke Philips N.V. | Temperature compensation in a cmut device |
AT509922B1 (de) | 2011-06-24 | 2013-10-15 | Avl List Gmbh | Kapazitiver ultraschallwandler |
US8794075B2 (en) | 2011-08-11 | 2014-08-05 | Nxp, B.V. | Multilayered NONON membrane in a MEMS sensor |
RU2603518C2 (ru) * | 2011-10-28 | 2016-11-27 | Конинклейке Филипс Н.В. | Предварительно сжатая ячейка емкостного микрообработанного преобразователя с напряженным слоем |
RU2595800C2 (ru) * | 2011-10-28 | 2016-08-27 | Конинклейке Филипс Н.В. | Ячейка емкостного микрообработанного преобразователя предварительно прижатого типа с заглушкой |
RU2609917C2 (ru) | 2011-11-17 | 2017-02-07 | Конинклейке Филипс Н.В. | Предварительно прижатая ячейка емкостного преобразователя, получаемого путем микрообработки, с прижатой областью кольцевой формы |
EP2750806B1 (en) * | 2011-12-20 | 2019-05-08 | Koninklijke Philips N.V. | Ultrasound transducer device and method of manufacturing the same |
CN104066521B (zh) * | 2012-01-27 | 2017-07-11 | 皇家飞利浦有限公司 | 电容式微机械换能器及制造所述电容式微机械换能器的方法 |
MX2014008852A (es) | 2012-01-27 | 2014-10-06 | Koninkl Philips Nv | Transductor capacitivo micromaquinado y metodo de manufactura del mismo. |
RU2627282C2 (ru) | 2012-05-31 | 2017-08-04 | Конинклейке Филипс Н.В. | Полупроводниковая пластина и способ ее изготовления |
WO2014013394A1 (en) * | 2012-07-18 | 2014-01-23 | Koninklijke Philips N.V. | Driver device and driving method for driving a load, in particular an ultrasound transducer |
US9364862B2 (en) | 2012-11-02 | 2016-06-14 | University Of Windsor | Ultrasonic sensor microarray and method of manufacturing same |
US9035532B2 (en) * | 2012-11-02 | 2015-05-19 | University Of Windsor | Ultrasonic sensor microarray and method of manufacturing same |
EP2922707B1 (en) | 2012-11-20 | 2022-04-27 | Koninklijke Philips N.V. | Capacitive micro-machined transducer and method of manufacturing the same |
KR101358286B1 (ko) * | 2012-11-26 | 2014-02-12 | 서울대학교산학협력단 | 액체와의 접촉면 변화를 이용한 에너지 전환 장치 |
CN103368458B (zh) * | 2012-11-30 | 2016-01-20 | 北京纳米能源与***研究所 | 脉冲发电机和发电机组 |
US9351081B2 (en) * | 2013-02-27 | 2016-05-24 | Texas Instruments Incorporated | Capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) with through-substrate via (TSV) substrate plug |
US9470710B2 (en) | 2013-02-27 | 2016-10-18 | Texas Instruments Incorporated | Capacitive MEMS sensor devices |
US9857457B2 (en) | 2013-03-14 | 2018-01-02 | University Of Windsor | Ultrasonic sensor microarray and its method of manufacture |
WO2015009635A1 (en) * | 2013-07-16 | 2015-01-22 | The Regents Of The University Of California | Mut fingerprint id system |
CA2856917A1 (en) | 2013-07-19 | 2015-01-19 | University Of Windsor | Ultrasonic sensor microarray and method of manufacturing same |
CN105592940B (zh) * | 2013-09-24 | 2018-09-25 | 皇家飞利浦有限公司 | Cmut装置制造方法、cmut装置和设备 |
US20150082890A1 (en) * | 2013-09-26 | 2015-03-26 | Intel Corporation | Biometric sensors for personal devices |
EP3071338B1 (en) * | 2013-11-18 | 2022-05-11 | Koninklijke Philips N.V. | Ultrasound transducer assembly |
US9834434B2 (en) * | 2013-11-19 | 2017-12-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Capacitive transducer and method of manufacturing the same |
WO2015086413A1 (en) * | 2013-12-12 | 2015-06-18 | Koninklijke Philips N.V. | Monolithically integrated three electrode cmut device |
EP3103191B1 (en) * | 2014-02-07 | 2018-07-11 | The Regents of the University of California | Frequency tuning and/or frequency tracking of a mechanical system with low sensitivity to electrical feedthrough |
EP3191233B1 (en) | 2014-09-11 | 2022-11-23 | Koninklijke Philips N.V. | Wide band through-body ultrasonic communication system |
US9613246B1 (en) * | 2014-09-16 | 2017-04-04 | Apple Inc. | Multiple scan element array ultrasonic biometric scanner |
US9952095B1 (en) | 2014-09-29 | 2018-04-24 | Apple Inc. | Methods and systems for modulation and demodulation of optical signals |
US9824254B1 (en) | 2014-09-30 | 2017-11-21 | Apple Inc. | Biometric sensing device with discrete ultrasonic transducers |
US9904836B2 (en) | 2014-09-30 | 2018-02-27 | Apple Inc. | Reducing edge effects within segmented acoustic imaging systems |
US9984271B1 (en) | 2014-09-30 | 2018-05-29 | Apple Inc. | Ultrasonic fingerprint sensor in display bezel |
US9979955B1 (en) | 2014-09-30 | 2018-05-22 | Apple Inc. | Calibration methods for near-field acoustic imaging systems |
US9747488B2 (en) | 2014-09-30 | 2017-08-29 | Apple Inc. | Active sensing element for acoustic imaging systems |
US10133904B2 (en) | 2014-09-30 | 2018-11-20 | Apple Inc. | Fully-addressable sensor array for acoustic imaging systems |
US9607203B1 (en) | 2014-09-30 | 2017-03-28 | Apple Inc. | Biometric sensing device with discrete ultrasonic transducers |
EP3223709B1 (en) | 2014-11-25 | 2019-02-20 | Koninklijke Philips N.V. | Ultrasound system and method |
RU2691926C2 (ru) | 2014-12-11 | 2019-06-18 | Конинклейке Филипс Н.В. | Катетер-преобразователь с расположенными в шахматном порядке рядами микромашинных ультразвуковых преобразователей |
WO2017001636A1 (en) | 2015-06-30 | 2017-01-05 | Koninklijke Philips N.V. | Ultrasound system and ultrasonic pulse transmission method |
CN107735032B (zh) | 2015-07-02 | 2021-09-21 | 皇家飞利浦有限公司 | 多模式电容式微加工超声换能器以及相关联的设备、***和方法 |
US9997425B2 (en) | 2015-07-14 | 2018-06-12 | University Of Windsor | Layered benzocyclobutene interconnected circuit and method of manufacturing same |
EP3334539B1 (en) | 2015-08-11 | 2023-06-14 | Koninklijke Philips N.V. | Capacitive micromachined ultrasonic transducers with increased patient safety |
CN107921480B (zh) | 2015-08-11 | 2020-08-11 | 皇家飞利浦有限公司 | 具有增加的寿命的电容式微机械超声换能器 |
EP3334540B8 (en) | 2015-08-11 | 2020-04-01 | Koninklijke Philips N.V. | Capacitive micromachined ultrasonic transducers with overcurrent protection |
US11048902B2 (en) | 2015-08-20 | 2021-06-29 | Appple Inc. | Acoustic imaging system architecture |
WO2017042304A1 (en) | 2015-09-10 | 2017-03-16 | Koninklijke Philips N.V. | An ultrasound system with wide depth and detailed viewing |
US10198610B1 (en) | 2015-09-29 | 2019-02-05 | Apple Inc. | Acoustic pulse coding for imaging of input surfaces |
JP6309034B2 (ja) * | 2016-01-18 | 2018-04-11 | キヤノン株式会社 | 電気機械変換装置及びその作製方法 |
WO2017182416A1 (en) | 2016-04-19 | 2017-10-26 | Koninklijke Philips N.V. | Ultrasound transducer positioning |
WO2017182344A1 (en) | 2016-04-19 | 2017-10-26 | Koninklijke Philips N.V. | Ultrasound transducer positioning |
CN109069107B (zh) | 2016-04-26 | 2022-06-21 | 皇家飞利浦有限公司 | 超声设备接触 |
US11529120B2 (en) | 2016-04-26 | 2022-12-20 | Koninklijke Philips N.V. | Ultrasound device contacting |
US10670716B2 (en) | 2016-05-04 | 2020-06-02 | Invensense, Inc. | Operating a two-dimensional array of ultrasonic transducers |
US10445547B2 (en) | 2016-05-04 | 2019-10-15 | Invensense, Inc. | Device mountable packaging of ultrasonic transducers |
US10315222B2 (en) | 2016-05-04 | 2019-06-11 | Invensense, Inc. | Two-dimensional array of CMOS control elements |
US10706835B2 (en) | 2016-05-10 | 2020-07-07 | Invensense, Inc. | Transmit beamforming of a two-dimensional array of ultrasonic transducers |
US10539539B2 (en) | 2016-05-10 | 2020-01-21 | Invensense, Inc. | Operation of an ultrasonic sensor |
US10452887B2 (en) | 2016-05-10 | 2019-10-22 | Invensense, Inc. | Operating a fingerprint sensor comprised of ultrasonic transducers |
US10562070B2 (en) | 2016-05-10 | 2020-02-18 | Invensense, Inc. | Receive operation of an ultrasonic sensor |
US10441975B2 (en) | 2016-05-10 | 2019-10-15 | Invensense, Inc. | Supplemental sensor modes and systems for ultrasonic transducers |
US11673165B2 (en) | 2016-05-10 | 2023-06-13 | Invensense, Inc. | Ultrasonic transducer operable in a surface acoustic wave (SAW) mode |
US10955536B2 (en) | 2016-10-27 | 2021-03-23 | Koninklijke Philips N.V. | Ultrasound system with a tissue type analyzer |
EP3559972A1 (en) | 2016-12-22 | 2019-10-30 | Koninklijke Philips N.V. | Systems and methods of operation of capacitive radio frequency micro-electromechanical switches |
TW201834025A (zh) | 2017-02-27 | 2018-09-16 | 美商蝴蝶網路公司 | 電容式微加工超音波換能器及相關設備和方法 |
EP3366221A1 (en) | 2017-02-28 | 2018-08-29 | Koninklijke Philips N.V. | An intelligent ultrasound system |
US10474862B2 (en) | 2017-06-01 | 2019-11-12 | Invensense, Inc. | Image generation in an electronic device using ultrasonic transducers |
JP6904814B2 (ja) * | 2017-06-30 | 2021-07-21 | キヤノン株式会社 | 中空構造体の製造方法、及び中空構造体 |
US10997388B2 (en) | 2017-12-01 | 2021-05-04 | Invensense, Inc. | Darkfield contamination detection |
US10984209B2 (en) | 2017-12-01 | 2021-04-20 | Invensense, Inc. | Darkfield modeling |
WO2019109010A1 (en) | 2017-12-01 | 2019-06-06 | Invensense, Inc. | Darkfield tracking |
US11151355B2 (en) | 2018-01-24 | 2021-10-19 | Invensense, Inc. | Generation of an estimated fingerprint |
US10802651B2 (en) | 2018-01-30 | 2020-10-13 | Apple Inc. | Ultrasonic touch detection through display |
US10755067B2 (en) | 2018-03-22 | 2020-08-25 | Invensense, Inc. | Operating a fingerprint sensor comprised of ultrasonic transducers |
US10966683B2 (en) | 2018-03-22 | 2021-04-06 | Exo Imaging Inc. | Integrated ultrasonic transducers |
US11986349B2 (en) | 2018-05-03 | 2024-05-21 | Bfly Operations, Inc. | Ultrasound devices |
WO2020100112A1 (en) | 2018-11-16 | 2020-05-22 | Vermon S.A. | Capacitive micromachined ultrasonic transducer and method of manufacturing the same |
US10936843B2 (en) | 2018-12-28 | 2021-03-02 | Invensense, Inc. | Segmented image acquisition |
DE102019203829B4 (de) * | 2019-03-20 | 2020-12-31 | Vitesco Technologies GmbH | Verfahren zum Herstellen einer Fluidsensorvorrichtung und Fluidsensorvorrichtung |
AU2020245521B2 (en) | 2019-03-25 | 2022-02-17 | Exo Imaging, Inc. | Handheld ultrasound imager |
FR3096857B1 (fr) * | 2019-05-29 | 2021-06-25 | Aer | Transducteur electroacoustique capacitif ultrasonore miniaturise fonctionnant a haute tension |
US11188735B2 (en) | 2019-06-24 | 2021-11-30 | Invensense, Inc. | Fake finger detection using ridge features |
WO2020264046A1 (en) | 2019-06-25 | 2020-12-30 | Invensense, Inc. | Fake finger detection based on transient features |
US11216632B2 (en) | 2019-07-17 | 2022-01-04 | Invensense, Inc. | Ultrasonic fingerprint sensor with a contact layer of non-uniform thickness |
US11176345B2 (en) | 2019-07-17 | 2021-11-16 | Invensense, Inc. | Ultrasonic fingerprint sensor with a contact layer of non-uniform thickness |
EP4003611A1 (en) | 2019-07-26 | 2022-06-01 | Vermon S.A. | Cmut transducer and method for manufacturing |
US11232549B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-01-25 | Invensense, Inc. | Adapting a quality threshold for a fingerprint image |
US11392789B2 (en) | 2019-10-21 | 2022-07-19 | Invensense, Inc. | Fingerprint authentication using a synthetic enrollment image |
US11738369B2 (en) * | 2020-02-17 | 2023-08-29 | GE Precision Healthcare LLC | Capactive micromachined transducer having a high contact resistance part |
US11460957B2 (en) | 2020-03-09 | 2022-10-04 | Invensense, Inc. | Ultrasonic fingerprint sensor with a contact layer of non-uniform thickness |
US11243300B2 (en) | 2020-03-10 | 2022-02-08 | Invensense, Inc. | Operating a fingerprint sensor comprised of ultrasonic transducers and a presence sensor |
US11950512B2 (en) | 2020-03-23 | 2024-04-02 | Apple Inc. | Thin-film acoustic imaging system for imaging through an exterior surface of an electronic device housing |
US11328165B2 (en) | 2020-04-24 | 2022-05-10 | Invensense, Inc. | Pressure-based activation of fingerprint spoof detection |
US11995909B2 (en) | 2020-07-17 | 2024-05-28 | Tdk Corporation | Multipath reflection correction |
US12000967B2 (en) | 2021-03-31 | 2024-06-04 | Apple Inc. | Regional gain control for segmented thin-film acoustic imaging systems |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0832107B2 (ja) * | 1986-01-31 | 1996-03-27 | 富士通株式会社 | 圧電振動子 |
US6271620B1 (en) * | 1999-05-20 | 2001-08-07 | Sen Corporation | Acoustic transducer and method of making the same |
JP4045090B2 (ja) * | 2001-11-06 | 2008-02-13 | オムロン株式会社 | 静電アクチュエータの調整方法 |
JP2004095918A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Fasl Japan Ltd | 半導体記憶装置及び半導体装置の製造方法 |
KR100505679B1 (ko) * | 2003-03-19 | 2005-08-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법 |
JP2007528153A (ja) * | 2004-02-06 | 2007-10-04 | ジョージア テック リサーチ コーポレイション | Cmutデバイス及び製造方法 |
US7274623B2 (en) * | 2004-04-06 | 2007-09-25 | Board Of Trustees Of The Deland Stanford Junior University | Method and system for operating capacitive membrane ultrasonic transducers |
WO2006123300A2 (en) * | 2005-05-18 | 2006-11-23 | Kolo Technologies, Inc. | Micro-electro-mechanical transducers |
JP4724501B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2011-07-13 | 株式会社日立製作所 | 超音波トランスデューサおよびその製造方法 |
US20070056925A1 (en) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Lam Research Corporation | Selective etch of films with high dielectric constant with H2 addition |
US20070180916A1 (en) | 2006-02-09 | 2007-08-09 | General Electric Company | Capacitive micromachined ultrasound transducer and methods of making the same |
JP2008099036A (ja) | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Olympus Medical Systems Corp | 超音波トランスデューサ、超音波探触子及び超音波診断装置 |
-
2009
- 2009-09-08 EP EP20090787129 patent/EP2326432A2/en not_active Withdrawn
- 2009-09-08 CN CN2009801358887A patent/CN102159334A/zh active Pending
- 2009-09-08 WO PCT/IB2009/053914 patent/WO2010032156A2/en active Application Filing
- 2009-09-08 JP JP2011526605A patent/JP5628178B2/ja active Active
- 2009-09-08 RU RU2011115084/28A patent/RU2511671C2/ru active
- 2009-09-08 US US13/062,744 patent/US9132693B2/en active Active
-
2015
- 2015-02-17 US US14/623,595 patent/US9539854B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5628178B2 (ja) | 2014-11-19 |
WO2010032156A3 (en) | 2010-12-29 |
US9132693B2 (en) | 2015-09-15 |
US9539854B2 (en) | 2017-01-10 |
WO2010032156A2 (en) | 2010-03-25 |
US20110163630A1 (en) | 2011-07-07 |
JP2012503355A (ja) | 2012-02-02 |
US20150162851A1 (en) | 2015-06-11 |
RU2511671C2 (ru) | 2014-04-10 |
EP2326432A2 (en) | 2011-06-01 |
CN102159334A (zh) | 2011-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2011115084A (ru) | Емкостный микрообработанный ультразвуковой преобразователь | |
JP5369182B2 (ja) | 電気機械変換器及びその製造方法 | |
US20170333945A1 (en) | Electromechanical transducer and method of producing the same | |
Kachroudi et al. | Micro-structured PDMS piezoelectric enhancement through charging conditions | |
EP1180793A3 (en) | Electrostatic chuck and manufacturing method thereof | |
US20100072860A1 (en) | Piezoelectric microspeaker and method of fabricating the same | |
CN105895797A (zh) | 机电换能器及其制造方法 | |
CN1517296A (zh) | 柔性微机电***换能器及其制造方法和无线扩音器 | |
CN1795699A (zh) | 声音检测机构 | |
CN107812691A (zh) | 压电超声换能器及其制备方法 | |
TW200707538A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
EP1854760A3 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
CN103379392B (zh) | 电容式超声传感器芯片及其制作方法 | |
ATE532222T1 (de) | Akustischer stapel für ultraschallwandler und herstellungsverfahren dafür | |
DK1273051T3 (da) | Piezokeramisk böjningstransducer, såvel som en anvendelse af den piezokeramiske böjningstransducer | |
EP2182348A3 (en) | Surface acoustic wave element, surface acoustic wave device and methods for manufacturing the same | |
CN107920324A (zh) | 微音器及其制造方法 | |
Hu et al. | Increased effective piezoelectric response of structurally modulated P (VDF-TrFE) film devices for effective energy harvesters | |
Kumaresan et al. | AlN ultra-thin chips based flexible piezoelectric tactile sensors | |
WO2009132808A3 (de) | Led-element mit dünnschicht-halbleiterbauelement auf galliumnitrid-basis | |
CN106315506A (zh) | 制造复合微机械电容式超声换能器的微加工工艺 | |
EP2756951B1 (en) | Continuous production process for polytetrafluoroethylene functional film for electro-mechanical energy conversion | |
ATE303658T1 (de) | Piezoelektrischer biegewandler | |
CN106142841B (zh) | 压电促动器和记录头 | |
EP1788372A3 (en) | Capacitive pressure sensor |