RU2006143531A - THERMAL INFRARED SENSOR WITH READING SCHEME - Google Patents

Abstract

1. Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания, включающий матрицы однопиксельных микроболометров, где каждый из микроболометров содержит, по крайней мере, один диод, инфракрасный поглощающий слой, по крайней мере одно из опорных плеч для поддержания не менее чем одного подвешенного диода, где, по крайней мере, одно из опорных плеч служит для передачи электрических сигналов на минимум один диод, используя межсоединительный слой, отличающийся тем, что в датчик включают схему считывания с выходом по току, встраиваемую в каждую линейку, что не требует использования общего усилителя и коммутатора малых выходных столбцов, а в схему коммутатора строк включен для полной компенсации сопротивлений замкнутый ключ.2. Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания по п.1, в котором все элементы схемы считывания располагаются на одном кристалле с инфракрасным датчиком.3. Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания по п.2, в котором идентичные размеры, расположение и ориентация элементов схемы считывания обеспечивают их полную одинаковость при изготовлении методами интегральной технологии.4. Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания по п.1, в котором в схеме считывания суммарная длина коммутируемых линий для токов и их сопротивления обеспечиваются одинаковыми для любого выбранного пикселя.5. Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания по п.1, в котором в схеме считывания при выборе столбца и строки обеспечивается одинаковое полное сопротивление ключей и сопротивление линий коммутатора.1. Thermal infrared sensor with a readout circuit, including a matrix of single-pixel microbolometers, where each of the microbolometers contains at least one diode, an infrared absorbing layer, at least one of the supporting arms for supporting at least one suspended diode, where, according to at least one of the support arms serves to transmit electrical signals to at least one diode using an interconnect layer, characterized in that the sensor includes a current-sensing readout circuit built into each line, which does not require the use of a common amplifier and commutator of small output columns, and a closed key is included in the circuit of the row commutator for complete compensation of resistances. 2. A thermal infrared sensor with a readout circuit according to claim 1, wherein all the elements of the readout circuit are located on the same chip as the infrared sensor. The thermal infrared sensor with a readout circuit according to claim 2, in which the identical sizes, arrangement, and orientation of the readout circuit elements ensure their complete uniformity in the manufacture by integral technology methods. A thermal infrared sensor with a readout circuit according to claim 1, wherein, in the readout circuit, the total length of the switched lines for currents and their resistance are the same for any selected pixel. The thermal infrared sensor with a readout circuit according to claim 1, wherein in the readout circuit, when a column and a row are selected, the same key impedance and switch line resistance are provided.

Claims (5)

1. Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания, включающий матрицы однопиксельных микроболометров, где каждый из микроболометров содержит, по крайней мере, один диод, инфракрасный поглощающий слой, по крайней мере одно из опорных плеч для поддержания не менее чем одного подвешенного диода, где, по крайней мере, одно из опорных плеч служит для передачи электрических сигналов на минимум один диод, используя межсоединительный слой, отличающийся тем, что в датчик включают схему считывания с выходом по току, встраиваемую в каждую линейку, что не требует использования общего усилителя и коммутатора малых выходных столбцов, а в схему коммутатора строк включен для полной компенсации сопротивлений замкнутый ключ.1. Thermal infrared sensor with a readout circuit, including a matrix of single-pixel microbolometers, where each of the microbolometers contains at least one diode, an infrared absorbing layer, at least one of the supporting arms for supporting at least one suspended diode, where, according to at least one of the support arms serves to transmit electrical signals to at least one diode using an interconnect layer, characterized in that the sensor includes a current-sensing readout circuit built into each line, which does not require the use of a common amplifier and commutator of small output columns, and a closed key is included in the circuit of the row commutator for complete compensation of resistances. 2. Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания по п.1, в котором все элементы схемы считывания располагаются на одном кристалле с инфракрасным датчиком.2. Thermal infrared sensor with a readout circuit according to claim 1, in which all the elements of the readout circuit are located on the same chip with an infrared sensor. 3. Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания по п.2, в котором идентичные размеры, расположение и ориентация элементов схемы считывания обеспечивают их полную одинаковость при изготовлении методами интегральной технологии.3. The thermal infrared sensor with a readout circuit according to claim 2, in which the identical sizes, arrangement and orientation of the readout circuit elements ensure their complete uniformity in the manufacture by integral technology methods. 4. Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания по п.1, в котором в схеме считывания суммарная длина коммутируемых линий для токов и их сопротивления обеспечиваются одинаковыми для любого выбранного пикселя.4. The thermal infrared sensor with a readout circuit according to claim 1, in which, in the readout circuit, the total length of the switched lines for currents and their resistance are the same for any selected pixel. 5. Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания по п.1, в котором в схеме считывания при выборе столбца и строки обеспечивается одинаковое полное сопротивление ключей и сопротивление линий коммутатора.5. The thermal infrared sensor with a readout circuit according to claim 1, wherein in the readout circuit, when selecting a column and a row, the same total impedance of the keys and the resistance of the switch lines are provided.