JP2002287900A5

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Publication number: JP2002287900A5
Application number: JP2001376967A
Authority: JP
Filing date: 2001-12-11
Publication date: 2005-07-07

Claims

マトリクス状に配置された複数の画素と、入力ペンとを有し、
前記複数の画素それぞれは、ＥＬ素子と光電変換素子とを有し、
前記ＥＬ素子が発した光を、前記入力ペンのペン先によって反射し、
反射された光を、前記複数の画素のうち一部の画素の前記光電変換素子に入力し、
当該一部の画素の座標を検出することを特徴とする情報装置。A plurality of pixels arranged in a matrix and an input pen ;
Each of the plurality of pixels has an EL element and a photoelectric conversion element,
The light emitted from the EL element is reflected by the pen tip of the input pen ,
The reflected light is input to the photoelectric conversion element of some of the plurality of pixels ,
Information and wherein the benzalkonium detect the coordinates of some pixels.

マトリクス状に配置された複数の画素と、入力ペンとを有し、
前記複数の画素それぞれは、ＥＬ素子と光電変換素子とを有し、
前記ＥＬ素子が発した光を、前記入力ペンのペン先によって反射し、
反射された光を、前記複数の画素のうち一部の画素の前記光電変換素子に入力し、
当該光電変換素子に入力された光の強度を検出することを特徴とする情報装置。A plurality of pixels arranged in a matrix and an input pen ;
Each of the plurality of pixels has an EL element and a photoelectric conversion element,
The light emitted from the EL element is reflected by the pen tip of the input pen ,
The reflected light is input to the photoelectric conversion element of some of the plurality of pixels ,
Information and wherein the benzalkonium detecting the intensity of the input light to the photoelectric conversion element.

マトリクス状に配置された複数の画素と、入力ペンとを有し、A plurality of pixels arranged in a matrix and an input pen;
前記複数の画素それぞれは、ＥＬ素子と、光電変換素子と、第１のＴＦＴと、Each of the plurality of pixels includes an EL element, a photoelectric conversion element, a first TFT,
第２のＴＦＴとを有し、A second TFT,
前記第１のＴＦＴをオンすることで、前記ＥＬ素子を発光させ、By turning on the first TFT, the EL element emits light,
前記ＥＬ素子が発した光を、前記入力ペンのペン先によって反射し、The light emitted from the EL element is reflected by the pen tip of the input pen,
反射された光を、前記複数の画素のうち一部の画素の前記光電変換素子に入力し、The reflected light is input to the photoelectric conversion element of some of the plurality of pixels,
前記第２のＴＦＴをオンすることで、当該光電変換素子に入力された光の強度を検出し、By turning on the second TFT, the intensity of light input to the photoelectric conversion element is detected,
前記光の強度を用いて、当該一部の画素の座標を検出することを特徴とする情報装置。An information device, wherein the coordinates of the partial pixels are detected using the light intensity.

請求項３において、In claim 3,
前記第１のＴＦＴの活性層と前記第２のＴＦＴの活性層とは、同じ絶縁表面上に形成されていることを特徴とする情報装置。The information device according to claim 1, wherein the active layer of the first TFT and the active layer of the second TFT are formed on the same insulating surface.

マトリクス状に配置された複数の画素と、入力ペンと、複数のセンサ用出力配線と、複数のセンサ用ゲート信号線と、複数のリセット用ゲート信号線と、複数のセンサ用電源線とを有し、A plurality of pixels arranged in a matrix, an input pen, a plurality of sensor output wires, a plurality of sensor gate signal lines, a plurality of reset gate signal lines, and a plurality of sensor power supply lines are provided. And
前記複数の画素それぞれは、ＥＬ素子と、光電変換素子と、選択用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴとを有し、Each of the plurality of pixels includes an EL element, a photoelectric conversion element, a selection TFT, a buffer TFT, and a reset TFT.
前記選択用ＴＦＴのゲート電極は、前記複数のセンサ用ゲート信号線のうちの１本に接続され、A gate electrode of the selection TFT is connected to one of the plurality of sensor gate signal lines;
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域の一方は、前記複数のセンサ用出力配線のうちの１つに接続され、他方は、前記バッファ用ＴＦＴのソース領域に接続され、One of the source region and drain region of the selection TFT is connected to one of the plurality of sensor output wirings, and the other is connected to the source region of the buffer TFT,
前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は、前記複数のセンサ用電源線のうちの１つに接続され、The drain region of the buffer TFT is connected to one of the plurality of sensor power supply lines,
前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極は、前記光電変換素子及び前記リセット用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域の一方に接続され、A gate electrode of the buffer TFT is connected to one of a source region and a drain region of the photoelectric conversion element and the reset TFT,
前記リセット用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域の他方は、前記複数のセンサ用電源線のうちの１つに接続され、The other of the source region and the drain region of the reset TFT is connected to one of the plurality of sensor power supply lines,
前記リセット用ＴＦＴのゲート電極は、前記複数のリセット用ゲート信号線のうちの１つに接続され、A gate electrode of the reset TFT is connected to one of the plurality of reset gate signal lines;
前記ＥＬ素子が発した光を、前記入力ペンのペン先によって反射し、The light emitted from the EL element is reflected by the pen tip of the input pen,
反射された光を、前記複数の画素のうち一部の画素の前記光電変換素子に入力し、The reflected light is input to the photoelectric conversion element of some of the plurality of pixels,
当該光電変換素子に入力された光の強度を検出し、Detecting the intensity of light input to the photoelectric conversion element,
前記光の強度を用いて、当該一部の画素の座標を検出することを特徴とする情報装置。An information device, wherein the coordinates of the partial pixels are detected using the light intensity.

マトリクス状に配置された複数の画素と、入力ペンと、複数のＥＬ表示用ソース信号線と、複数のＥＬ表示用ゲート信号線と、複数の電源供給線とを有し、A plurality of pixels arranged in a matrix, an input pen, a plurality of EL display source signal lines, a plurality of EL display gate signal lines, and a plurality of power supply lines;
前記複数の画素それぞれは、ＥＬ素子と、光電変換素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴとを有し、Each of the plurality of pixels includes an EL element, a photoelectric conversion element, a switching TFT, and an EL driving TFT.
前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は、前記複数のＥＬ表示用ゲート信号線のうちの１本に接続され、A gate electrode of the switching TFT is connected to one of the plurality of EL display gate signal lines;
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域の一方は、前記複数のＥＬ表示用ソース信号線のうちの１つに接続され、他方は、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続され、One of a source region and a drain region of the switching TFT is connected to one of the plurality of EL display source signal lines, and the other is connected to a gate electrode of the EL driving TFT.
前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域の一方は、前記複数の電源供給線のうちの１つに接続され、他方は、前記ＥＬ素子に接続され、One of a source region and a drain region of the EL driving TFT is connected to one of the plurality of power supply lines, and the other is connected to the EL element.
前記ＥＬ素子が発した光を、前記入力ペンのペン先によって反射し、The light emitted from the EL element is reflected by the pen tip of the input pen,
反射された光を、前記複数の画素のうち一部の画素の前記光電変換素子に入力し、The reflected light is input to the photoelectric conversion element of some of the plurality of pixels,
当該光電変換素子に入力された光の強度を検出し、Detecting the intensity of light input to the photoelectric conversion element,
前記光の強度を用いて、当該一部の画素の座標を検出することを特徴とする情報装置。An information device, wherein the coordinates of the partial pixels are detected using the light intensity.

マトリクス状に配置された複数の画素と、入力ペンと、複数のセンサ用出力配線と、複数のセンサ用ゲート信号線と、複数のリセット用ゲート信号線と、複数のセンサ用電源線と、複数のＥＬ表示用ソース信号線と、複数のＥＬ表示用ゲート信号線と、複数の電源供給線とを有し、A plurality of pixels arranged in a matrix, an input pen, a plurality of sensor output wires, a plurality of sensor gate signal lines, a plurality of reset gate signal lines, a plurality of sensor power supply lines, and a plurality of sensors An EL display source signal line, a plurality of EL display gate signal lines, and a plurality of power supply lines,
前記複数の画素それぞれは、ＥＬ素子と、光電変換素子と、選択用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴと、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴとを有し、Each of the plurality of pixels includes an EL element, a photoelectric conversion element, a selection TFT, a buffer TFT, a reset TFT, a switching TFT, and an EL driving TFT.
前記選択用ＴＦＴのゲート電極は、前記複数のセンサ用ゲート信号線のうちの１本に接続され、A gate electrode of the selection TFT is connected to one of the plurality of sensor gate signal lines;
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域の一方は、前記複数のセンサ用出力配線のうちの１つに接続され、他方は、前記バッファ用ＴＦＴのソース領域に接続され、One of the source region and drain region of the selection TFT is connected to one of the plurality of sensor output wirings, and the other is connected to the source region of the buffer TFT,
前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は、前記複数のセンサ用電源線のうちの１つに接続され、The drain region of the buffer TFT is connected to one of the plurality of sensor power supply lines,
前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極は、前記光電変換素子及び前記リセット用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域の一方に接続され、A gate electrode of the buffer TFT is connected to one of a source region and a drain region of the photoelectric conversion element and the reset TFT,
前記リセット用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域の他方は、前記複数のセンサ用電源線のうちの１つに接続され、The other of the source region and the drain region of the reset TFT is connected to one of the plurality of sensor power supply lines,
前記リセット用ＴＦＴのゲート電極は、前記複数のリセット用ゲート信号線のうちの１つに接続され、A gate electrode of the reset TFT is connected to one of the plurality of reset gate signal lines;
前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は、前記複数のＥＬ表示用ゲート信号線のうちの１本に接続され、A gate electrode of the switching TFT is connected to one of the plurality of EL display gate signal lines;
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域の一方は、前記複数のＥＬ表示用ソース信号線のうちの１つに接続され、他方は、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続され、One of a source region and a drain region of the switching TFT is connected to one of the plurality of EL display source signal lines, and the other is connected to a gate electrode of the EL driving TFT.
前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域の一方は、前記複数の電源供給線のうちの１つに接続され、他方は、前記ＥＬ素子に接続され、One of a source region and a drain region of the EL driving TFT is connected to one of the plurality of power supply lines, and the other is connected to the EL element.
前記ＥＬ素子が発した光を、前記入力ペンのペン先によって反射し、The light emitted from the EL element is reflected by the pen tip of the input pen,
反射された光を、前記複数の画素のうち一部の画素の前記光電変換素子に入力し、The reflected light is input to the photoelectric conversion element of some of the plurality of pixels,
当該光電変換素子に入力された光の強度を検出し、Detecting the intensity of light input to the photoelectric conversion element,
前記光の強度を用いて、当該一部の画素の座標を検出することを特徴とする情報装置。An information device, wherein the coordinates of the partial pixels are detected using the light intensity.

請求項７において、In claim 7,
前記選択用ＴＦＴの活性層と、前記バッファ用ＴＦＴの活性層と、前記リセット用ＴＦＴの活性層と、前記スイッチング用ＴＦＴの活性層と、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴの活性層とAn active layer of the selection TFT, an active layer of the buffer TFT, an active layer of the reset TFT, an active layer of the switching TFT, and an active layer of the EL driving TFT は、同じ絶縁表面上に形成されていることを特徴とする情報装置。Is an information device formed on the same insulating surface.

請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記光電変換素子は、フォトダイオードであることを特徴とする情報装置。In any one of Claims 1 thru | or 8 ,
The information device, wherein the photoelectric conversion element is a photodiode.

請求項９において、
前記フォトダイオードは、アノード電極と、カソード電極と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に挟まれた光電変換層とを有することを特徴とする情報装置。In claim 9 ,
The photodiode includes an anode electrode, a cathode electrode, and a photoelectric conversion layer sandwiched between the anode electrode and the cathode electrode.

請求項１０において、
前記光電変換層は、有機材料によって構成されていることを特徴とする情報装置。In claim 10 ,
The photoelectric conversion layer is made of an organic material, and is an information device.

請求項９において、
前記フォトダイオードは、ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層と、前記ｐ型半導体層と前記ｎ型半導体層との間に挟まれた光電変換層とを有することを特徴とする情報装置。In claim 9 ,
The photodiode includes an p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and a photoelectric conversion layer sandwiched between the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer.

請求項１０または請求項１２において、
前記光電変換層は、非晶質半導体によって構成されていることを特徴とする情報装置。In claim 10 or claim 12 ,
The information device, wherein the photoelectric conversion layer is made of an amorphous semiconductor.

請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記ＥＬ素子が発した光を、被写体の表面に照射し、
前記被写体の表面によって反射された光を前記光電変換素子に入力することを特徴とする情報装置。In any one of Claims 1 to 13 ,
Irradiate the surface of the subject with light emitted from the EL element,
Information and wherein the benzalkonium enter the light reflected before Symbol photoelectric conversion element by a surface of the object.

請求項１４において、
前記被写体の表面の情報は、生体情報であることを特徴とする情報装置。In claim 14 ,
The information device characterized in that the information on the surface of the subject is biological information.

請求項１５において、
前記生体情報は、掌紋であることを特徴とする情報装置。In claim 15 ,
The information apparatus, wherein the biological information is a palm print.

請求項１５において、
前記生体情報は、指紋であることを特徴とする情報装置。In claim 15 ,
The information apparatus, wherein the biological information is a fingerprint.

請求項１乃至請求項１７のいずれか一項において、In any one of Claims 1 thru | or 17,
前記情報装置は、ＰＤＡ、携帯電話、携帯型ゲーム機、電子書籍、または携帯情報端末である。The information device is a PDA, a mobile phone, a portable game machine, an electronic book, or a portable information terminal.