RU2006143531A - Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания - Google Patents

Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания Download PDF

Info

Publication number
RU2006143531A
RU2006143531A RU2006143531/28A RU2006143531A RU2006143531A RU 2006143531 A RU2006143531 A RU 2006143531A RU 2006143531/28 A RU2006143531/28 A RU 2006143531/28A RU 2006143531 A RU2006143531 A RU 2006143531A RU 2006143531 A RU2006143531 A RU 2006143531A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
readout circuit
infrared sensor
thermal infrared
diode
circuit according
Prior art date
Application number
RU2006143531/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2339011C2 (ru
Inventor
Владимир Михайлович Малышев (RU)
Владимир Михайлович Малышев
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью ООО "Юник Ай Сиз" (RU)
Общество с ограниченной ответственностью ООО "Юник Ай Сиз"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью ООО "Юник Ай Сиз" (RU), Общество с ограниченной ответственностью ООО "Юник Ай Сиз" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью ООО "Юник Ай Сиз" (RU)
Priority to RU2006143531/28A priority Critical patent/RU2339011C2/ru
Publication of RU2006143531A publication Critical patent/RU2006143531A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2339011C2 publication Critical patent/RU2339011C2/ru

Links

Landscapes

  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

1. Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания, включающий матрицы однопиксельных микроболометров, где каждый из микроболометров содержит, по крайней мере, один диод, инфракрасный поглощающий слой, по крайней мере одно из опорных плеч для поддержания не менее чем одного подвешенного диода, где, по крайней мере, одно из опорных плеч служит для передачи электрических сигналов на минимум один диод, используя межсоединительный слой, отличающийся тем, что в датчик включают схему считывания с выходом по току, встраиваемую в каждую линейку, что не требует использования общего усилителя и коммутатора малых выходных столбцов, а в схему коммутатора строк включен для полной компенсации сопротивлений замкнутый ключ.2. Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания по п.1, в котором все элементы схемы считывания располагаются на одном кристалле с инфракрасным датчиком.3. Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания по п.2, в котором идентичные размеры, расположение и ориентация элементов схемы считывания обеспечивают их полную одинаковость при изготовлении методами интегральной технологии.4. Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания по п.1, в котором в схеме считывания суммарная длина коммутируемых линий для токов и их сопротивления обеспечиваются одинаковыми для любого выбранного пикселя.5. Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания по п.1, в котором в схеме считывания при выборе столбца и строки обеспечивается одинаковое полное сопротивление ключей и сопротивление линий коммутатора.

Claims (5)

1. Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания, включающий матрицы однопиксельных микроболометров, где каждый из микроболометров содержит, по крайней мере, один диод, инфракрасный поглощающий слой, по крайней мере одно из опорных плеч для поддержания не менее чем одного подвешенного диода, где, по крайней мере, одно из опорных плеч служит для передачи электрических сигналов на минимум один диод, используя межсоединительный слой, отличающийся тем, что в датчик включают схему считывания с выходом по току, встраиваемую в каждую линейку, что не требует использования общего усилителя и коммутатора малых выходных столбцов, а в схему коммутатора строк включен для полной компенсации сопротивлений замкнутый ключ.
2. Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания по п.1, в котором все элементы схемы считывания располагаются на одном кристалле с инфракрасным датчиком.
3. Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания по п.2, в котором идентичные размеры, расположение и ориентация элементов схемы считывания обеспечивают их полную одинаковость при изготовлении методами интегральной технологии.
4. Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания по п.1, в котором в схеме считывания суммарная длина коммутируемых линий для токов и их сопротивления обеспечиваются одинаковыми для любого выбранного пикселя.
5. Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания по п.1, в котором в схеме считывания при выборе столбца и строки обеспечивается одинаковое полное сопротивление ключей и сопротивление линий коммутатора.
RU2006143531/28A 2006-12-08 2006-12-08 Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания RU2339011C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006143531/28A RU2339011C2 (ru) 2006-12-08 2006-12-08 Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006143531/28A RU2339011C2 (ru) 2006-12-08 2006-12-08 Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2006143531A true RU2006143531A (ru) 2008-06-20
RU2339011C2 RU2339011C2 (ru) 2008-11-20

Family

ID=40241525

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006143531/28A RU2339011C2 (ru) 2006-12-08 2006-12-08 Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2339011C2 (ru)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
UA95584C2 (ru) * 2010-09-17 2011-08-10 Харьковский Национальный Университет Имени В.Н. Каразина Способ выявления источников инфракрасного излучения
RU2671295C1 (ru) * 2017-08-17 2018-10-30 Общество с ограниченной ответственностью "ГрафИмпресс" Ячейка термопарного приемника ик изображения

Also Published As

Publication number Publication date
RU2339011C2 (ru) 2008-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006073733A5 (ru)
FI20075109A0 (fi) Bolometrielementti, bolometrikenno, bolometrikamera ja menetelmä
CN104251739B (zh) 一种单电容相关双采样非制冷红外读出电路
WO2007005036A3 (en) Switching circuitry for reconfigurable arrays of sensor elements
TW200742054A (en) Fused multi-array color image sensor
TWI266516B (en) Solid-state image pickup device
TW200643953A (en) Memory arrays using nanotube articles with reprogrammable resistance
TW200705647A (en) New dual port cell structure
JP2006073732A5 (ru)
WO2007044337A3 (en) High speed cmos image sensor circuits with block memory readout
JP2003163844A (ja) 能動画素センサ(aps)の撮像システム
ATE529987T1 (de) Verbindungsarchitekturen und techniken integrierter koppelschaltungen
JP2009518671A5 (ru)
JP2007166600A5 (ru)
ATE317586T1 (de) Cmos speicher (vom mehrtoregistertyp) mit leistungsreduziertem spaltenmultiplexierungsschema
JP2010178117A5 (ru)
JP2011174919A5 (ru)
TW200513122A (en) Color solid state image pickup device
CN201497578U (zh) 高灵敏度读出电路
TW200728824A (en) Display panel
RU2006143531A (ru) Тепловой инфракрасный датчик со схемой считывания
TWI379597B (en) Output routing structure for cmos image sensors
JP2012117847A5 (ru)
TW200725639A (en) Digital sensing circuit
US7238925B2 (en) Column current source

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20091209