NL8401296A - Werkwijze voor het voorkomen van invreet- of wegvreetverschijnselen. - Google Patents
Werkwijze voor het voorkomen van invreet- of wegvreetverschijnselen. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8401296A NL8401296A NL8401296A NL8401296A NL8401296A NL 8401296 A NL8401296 A NL 8401296A NL 8401296 A NL8401296 A NL 8401296A NL 8401296 A NL8401296 A NL 8401296A NL 8401296 A NL8401296 A NL 8401296A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- film
- chamber
- layer
- coating
- gold
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 66
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 51
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 33
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 14
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 12
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 claims description 2
- 238000003304 gavage Methods 0.000 claims 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- -1 for example Chemical class 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 2
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- QDZRBIRIPNZRSG-UHFFFAOYSA-N titanium nitrate Chemical compound [O-][N+](=O)O[Ti](O[N+]([O-])=O)(O[N+]([O-])=O)O[N+]([O-])=O QDZRBIRIPNZRSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000007746 phosphate conversion coating Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical compound FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000003813 thumb Anatomy 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E21—EARTH OR ROCK DRILLING; MINING
- E21B—EARTH OR ROCK DRILLING; OBTAINING OIL, GAS, WATER, SOLUBLE OR MELTABLE MATERIALS OR A SLURRY OF MINERALS FROM WELLS
- E21B17/00—Drilling rods or pipes; Flexible drill strings; Kellies; Drill collars; Sucker rods; Cables; Casings; Tubings
- E21B17/02—Couplings; joints
- E21B17/04—Couplings; joints between rod or the like and bit or between rod and rod or the like
- E21B17/042—Threaded
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49826—Assembling or joining
- Y10T29/49885—Assembling or joining with coating before or during assembling
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mining & Mineral Resources (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
* r t ^ * N.0. 32478 1
Werkwijze voor het voorkomen van invreet- of wegvreetverschijnselen.
De uitvinding heeft betrekking óp werkwijzen waarmee invreet- of wegvreetverschijnselen worden voorkomen en heeft meer in het bijzonder betrekking op werkwijzen om deze verschijnselen tegen te gaan bij van schroefdraad voorziene koppelelementen die gekoppeld en ontkoppeld kun-5 nen worden, welke koppelelementen een hoge affiniteit voor dergelijke verschijnselen vertonen.
Invreten of wegvreten is een vorm van adhesie-slijtage die zeer schadelijk is bij relatief hoge spanningen. Maataf wijkingen van de componenten zijn veelal het resultaat van ernstige wegvreeteffecten en 10 vinden over het algemeen plaats vroeg in de levensduur van de apparatuur. Van schroefdraad voorziene componenten staan in het bijzonder bekend om hun neiging maataf wijkingen te vertonen.
Wanneer twee oppervlakken elkaar belasten dan kunnen de samenwerkende oppervlakken een sterke hechting vertonen als gevolg van de loka-15 le hoge druk en warmte gegenereerd door een opvolgende beweging. Als deze hechting op het scheidingsvlak wordt verbroken dan treedt er weinig beschadiging op en lopen de delen gemakkelijk; als echter de breuk optreedt in een van beide materialen dan resulteert daaruit een ernstige beschadiging. Deze beschadiging staat bekend onder de term wegvreten 20 of invreten.
In het verleden zijn organische en anorganische smeermiddelen toegepast om dergelijke wegvreeteffecten te verwijden. Bekende eerder toegepaste methoden omvatten het aanbrengen door middel van elektrobekle-ding van metalen lagen van tin en/of zink, hetgeen echter ernstige mi-25 lieuproblemen ten aanzien van eventueel afval veroorzaakt. Ook zijn fosfaat-omvormingsbekledingen gebruikt, die echter ook te lijden hebben van milieu afvalproblemen en beperkt zijn tot een type materiaalsub— straat waarop het kan worden toegepast. Basissmeerfilms zoals API gemodificeerd schroefdraadmengsel dat over het algemeen wordt gebruikt bij 30 van schroefdraad voorziene koppelelementen laten slib toe tussen de bewegende delen zolang de bewegende delen niet chemisch, thermisch of fysisch zijn vernietigd of verplaatst. Nadat het smeermiddel is ingetrokken begint echter het koud lassen van de in contact met elkaar staande actieve oppervlakken. Koud lassen resulteert In destructie door wegvre-35 ten van de aan elkaar grenzende oppervlakken.
Er bestaat dus een behoefte aan een werkwijze waarmee dit wegvreetef-fect van samenwerkende metalen oppervlakken wordt voorkomen, ongeacht of het gaat om afdichtende oppervlakken, schouders of schroefdraadele- 8401296 s' 2 menten.
In overeenstemming met de onderhavige uitvinding wordt een werkwijze verschaft voor het in hoofdzaak elimineren van wegvreetproblemen die tot nu toe optreden bij het herhaaldelijk maken en verbreken van 5 verbindingen met van schroefdraad voorziene elementen.
In overeenstemming met de onderhavige uitvinding wordt een werkwijze verschaft voor het voorkomen van wegvreeteffecten bij twee samenwerkende van schroefdraad voorziene elementen. De werkwijze omvat het aanbrengen van een materiaalfilm door middel van een ionen bekledings-10 werkwijze met hoge energieniveau's op de bewerkte oppervlakken van tenminste een van de van schroefdraad voorziene elementen waardoor een dunne mechanische isolerende film op het van schroefdraad voorziene element ontstaat met een lage schuifspanningswaarde.
In overeenstemming met een ander kenmerk van de onderhavige uit-15 vinding wordt een werkwijze verschaft voor het voorkomen van wegvreeteffecten bij twee samenwerkende mannelijke en vrouwelijke van schroefdraad voorziene elementen door een materiaalfilm aan te brengen met behulp van een ionenbekledingsproces bij hoge energieniveau's op de bewerkte oppervlakken van elk element waardoor een dunne film ontstaat op 20 elk van de samenwerkende metalen oppervlakken met een lage schuifspan-ningswaarde teneinde de actieve atomaire roosterstructuren van de samenwerkende metaaloppervlakken van elkaar te scheiden en te isoleren wanneer de elementen worden samengevoegd teneinde daardoor wegvreeteffecten te vermijden.
25 In overeenstemming met nog een ander kenmerk van de onderhavige uitvinding omvat de werkwijze voor het vermijden van wegvreeteffecten bij van schroefdraad voorziene elementen het aanbrengen van een duime film van mechanisch isolerende materialen op de bewerkte oppervlakken, welke film gefaseerd is in het basismateriaal van het van schroefdraad 30 voorziene element met een tussenliggende dunne film die gefaseerd is in het basismateriaal van het van schroefdraad voorziene element als een integraal deel van het atoomrooster van het substraat.
Voor een beter begrip van de onderhavige uitvinding en voor een goed begrip van de verdere voordelen ervan wordt in het volgende verwe-35 zen naar de gedetailleerde beschrijving die wordt gegeven aan de hand van de bijgaande figuren.
Figuur 1 toont een vergroot doorsnede-aanzicht van de schroef-draadverbinding van twee buisvormige elementen.
Figuur 2 toont een vergroot doorsnede-aanzicht van de schroefdraad 40 van een van de buisvormige elementen getoonde in figuur 1, voorzien van 8401296 t 3 * u een bekleding volgens een kenmerk van de onderhavige uitvinding.
Figuur 3 toont een vergrote deeldoorsnede van de schroefdraad van een buisvormig element getoond in figuur 1 voorzien van een bekleding in overeenstemming met een ander kenmerk van de onderhavige uitvin-5 ding.
Figuur 4 illustreert grafisch hoe de samenstelling van de bekledingen van de onderhavige uitvinding wijzigt bij een meerlaags bekleding.
Figuur 3 is een schematisch diagram ter illustratie van het ge-10 bruik van een ionenbekledingswerkwijze die uitgevoerd wordt binnen het kader van de uitvinding.
Figuur 6 is een schematisch diagram ter illustratie van het gebruik van een sputterwerkwijze die wordt toegepast binnen het kader van de uitvinding.
15 Figuur 7 is een schematisch diagram ter illustratie van een stel sel dat binnen het kader van de uitvinding wordt gebruikt voor het aanbrengen van bekledingen op de van schroefdraad voorziene delen van een langgerekt buisvormig element.
Alhoewel de onderhavige uitvinding gebruikt kan worden voor het 20 voorkomen van wegvreeteffecten bij van schroefdraad voorziene verbindingselementen in allerlei verschillende toepassingen treedt het weg-vreetprobleem bij van schroefdraad voorziene verbindingselementen in het bijzonder algemeen op in de olie- en gasindustrie bij het koppelen en ontkoppelen van prouctiepijpleidingsegmenten. Het wegvreten vormt in 25 het bijzonder een belangrijk probleem bij in de olie-industrie gebruikte buisvormige producten vervaardigd uit hoog gelegeerde roestvaste staalsoorten en op nikkel gebaseerde legeringen, die nodig zijn om de corrosieve omstandigheden in een boorput te weerstaan.
In figuur 1 is een mannelijk pijpelement zoals een pijp 10 ge-30 toond, voorzien van schroefdraad 12 die samenwerkt met de schroefdraad 14 op het samenwerkende vrouwlijke buiselement zoals de pijp 16. De schroefdraadverbinding tussen de pijpen 10 en 16 omvat de planaire gebieden 20 en 22 en de afdichtgebieden 24 en 26. Alhoewel een bijzondere van schroefdraad voorziene configuratie is getoond in figuur 1 is de 35 onderhavige uitvinding gericht op elk type schroefdraadverbinding. Alhoewel het wegvreeteffect kan optreden tussen ieder willekeurig deel van de schroefdraadverbinding hebben de afdichtgebieden 24 en 26 over het algemeen het meest te lijden van wegvreeteffecten.
Volgens een kenmerk van de onderhavige uitvinding wordt een me-40 taalfilm neergeslagen die overgaat in het oppervlak van de metalen 8401296 F * 4 schroefdraden 12 en 14 naast de planaire gebieden 20 en 22 en de af-dichtgebieden 24 en 26. De metaalfilm wordt neergeslagen als integraal deel van het atoomrooster van het substraat met een uniforme bedekking en dikte door middel van een neerslag van atomaire deeltjes van de ge-5 wenste functionele materialen met hoge energie. De materiaalfilm kan bijvoorbeeld bestaan uit willekeurige zachtere metalen, zoals bijvoorbeeld goud, zilver, lood, tin, indium, palladium of koper met lage wrijvingscoëfficiënten, goede adhesie en lage schuifsterkte, welke door een met hoge energieniveau's werkend ionenbekledingsproces kunnen wor-10 den neergeslagen in een dunne film die direct hecht aan het geheel bewerkte schroefdraadprofiel. In het bijzonder omvat de voorgestelde werkwijze het verschaffen van een door middel van een dunne film behandeld bewerkt profiel met een of meer oppervlakte-films neergeslagen op zijn buitenoppervlakken door middel van een ionenbekledingsproces met 15 hoog deeltjesenergieniveau. Andere typen zachte films kunnen worden gebruikt zoals bijvoorbeeld anorganische verbindingen met een gelaagde roosterstructuur zoals molybdeendisulfide.
Indien bovendien een corrosiebestendige legering wordt gebruikt in de pijpen 10 en 16 dan kan het wenselijk zijn om een of meer tussen-20 laagfilms te verschaffen van een hard materiaal zoals chroom, titanium of diverse geharde vuurvaste materialen zoals metaalcarbiden, metaalni-triden, keramische materialen of zogenaamde cermats. In die gevallen vormt het buitenoppervlak van de hardere materialen de overgang naar een laag van de zachtere mechanisch isolerende films, zodat het smerend 25 vermogen wordt overgebracht op de hardere aanvankelijk aangebrachte be-kledingslaag.
In figuur 2 is een vergroot deelaanzicht getoond van de schroefdraad 14 waarbij de gefaseerde legeringsopbouw zichtbaar is van een dunne beschermende film en een buitenfilm, beiden aangebracht met be-30 hulp van een sputter- of ionenbekledingsproces met hoog deeltjesenergieniveau. Bij het begin van het neerslagproces komen de ionen aan onder invloed van een elektrische ladingsversnelling en begraven zich in de roosterstructuur 30 van het substraat. Terwijl de opbouw voortgang vindt, waarbij bijvoorbeeld een hard metaal zoals bijvoorbeeld chroom 35 wordt gebruikt, wordt de dunne laag 32 neergeslagen die sterkte en duurzaamheid verleent aan het oppervlak van de schroefdraad 14. Tijdens verdere voortgang van de opbouw begint het faseren van materialen waarbij het percentage van het harde materiaal uit de onderliggende dunne laag 32 geleidelijk aan afneemt vergezeld van een procentuele toename 40 in de samenstelling van een materiaal van de buitenste laag 34, zoals 8401296 5 è 'i bijvoorbeeld goud. De totale dikte van de gecombineerde lagen 32 en 34 kan liggen in de orde van 10000 tot 12000 angstrom. De dikte van de ma-teriaallaag 34 kan bijvoorbeeld ongeveer gelijk zijn aan 2000 angström. Indien gewenst kunnen ook meervoudige lagen worden gebruikt, zoals bij-5 voorbeeld een binnenste laag van titanium, een tweede laag van titani-umcarbide en een buitenlaag van titaniumnitraat.
In figuur 3 is de bekleding van de schroefdraad 14 geïllustreerd als een enkelvoudige filmbekleding. De enkelvoudige filmbekleding kan worden gebruikt in toepassingen waarin het wegvreeteffect minder ern-10 stig is en het niet nodig is om de meervoudige bekledingslaag, geïllustreerd in figuur 2, toe te passen. Een film van een enkel segment van een willekeurig geschikt laagmateriaal 36 kan worden gebruikt door het aanbrengen van het materiaal 36 op de schroefdraad 14 door middel van een ionenbekledingsproces met hoog deeltjesenergieniveau. Het is geble-15 keu dat enkelvoudige bekledingen van koper, indium of goud het mogelijk maken dat verbindingen in gereedschappen tien keer kunnen worden gemaakt en verbroken in vergelijking met anderhalf keer voor niet beklede gereedschapsverbindingen.
Teneinde de adhesie van de laag 36 aan de schroefdraad 14 verder 20 te verbeteren en problemen, samenhangend met de zwakke affiniteit van de materiaallaag 36 aan de schroefdraad 14 te overwinnen verdient het de voorkeur om een dunne laag 38 van ongeveer 2000 angström aan te brengen bestaande uit een wederzijds actief materiaal zoals bijvoorbeeld nikkel. De uniforme drie-dimensionale bekledingseigenschappen van 25 een ionenbekledingsproces maken mogelijk om een laag te laten groeien op het oppervlak 40 zelfs als het oppervlak 40 verborgen is voor de be-kledingsstroom die gericht is in overeenstemming met de pijl 42.
Figuur 4 illustreert in een diagram de procentuele legeringssamen-stelling uitgezet tegen de laagdikte voor een materiaal A, lijn 44, en 30 voor een materiaal B, lijn 46. Materiaal A bestaat bijvoorbeeld uit een chroomlaag 32 (figuur 2) en materiaal B kan bijvoorbeeld bestaan uit een goudlaag zoals de laag 34 (figuur 2). Over de eerste 4000 Mngström van de laagdikte is de laag 32 aanzienlijk harder. Terwijl het neer-slagproces voortgang vindt neemt het percentage van het zachtere mate-35 riaal B van de laag 34 toe terwijl de hoeveelheid van het materiaal A in de laag 32 afneemt. In de buitenste 2000 'angström is de film in hoofdzaak opgebouwd uit het zachte materiaal zoals een goudlaag 34.
De dunne lagen aangebracht op de pijpen 10 en 16 kunnen worden aangebracht met diverse verschillende processen zoals bijvoorbeeld een 40 chemisch dampneerslagproces, verdamping in vacuüm ofwel fysische damp- 84 p 1 2 9 6 * & 6 neerslag, sputteren met inbegrip van hoogfrequent sputteren, gelijkstroom sputteren en diverse magnetron sputtermethoden en ionenbekle-dingsprocessen zoals beschreven in het Amerikaanse octrooischrift Reissue 30.401.
5 Een belangrijk kenmerk van de voorgestelde werkwijze is het ver schaffen van een verbeterd ionenbekledingsproces gebruikmakend van hoge deeltjes energieniveau's voor het bekleden van substraten zoals schroefdraadsecties van pijpen met een ruime keuze aan materiaal met een hoge neerslagsnelheid. Het proces volgens de onderhavige uitvinding 10 realiseert een hoge energieflux naar het substraatoppervlak waardoor een sterke door de hoge oppervlaktetemperatuur bevorderde diffusie wordt verschaft alsmede chemische reacties zonder dat het nodig is om een grote hoeveelheid materiaal te verhitten, de oppervlakte of tussen-laagstructuur te wijzigen of de film fysisch te vermengen tijdens het 15 neerslaan van de film. Ionenbekleding biedt hoge neerslagsnelheden waarbij het vervaardigen van dunne films kan worden gedaan met een snelheid van millimeters in plaats van angströms. Het verhoogde ver-snellingsvermogen dat aan de ionen ter beschikking staat maakt het met voordeel mogelijk om grote onregelmatig gevormde voorwerpen, inwendige 20 openingen of convoluties te bekleden met een uniform neergeslagen film waarvan de dikte loopt tussen extreem dun en een dikke film in het mil-lemetergebied.
Het verbeterde ionenbekledingsproces volgens de onderhavige uitvinding is geïllustreerd in figuur 5, welke figuur een vacuüm bekle-25 dingsstelsel toont met een verdampingsbron waarin de verdampende atomen worden geïoniseerd door botsingen met elektronen wanneer ze door een magnetisch veld verlopen naar het substraat teneinde het materiaal dat op het substraat moet worden aangebracht in de plasmatoestand te brengen in de nabijheid van het substraat. Een ionenbekledingsstelsel voor 30 toepassing binnen het kader van de uitvinding is in zijn algemeenheid aangegeven met 50. Het stelsel 50 omvat een kamervormige behuizing 52 die geschikt is om een vacuüm in op te wekken. De behuizing 52 kan bestaan uit een vertikale of horizontale behuizing en kan opgebouwd zijn uit een willekeurig geschikt materiaal waarin de vacuümdruk kan worden 35 gehandhaafd. De kamerbehuizing 52 omvat een uitgang 54, bestuurd door een klep 56 die voert naar een (niet getoonde) pomp voor het tot vacuüm evacueren van de kamer 52. Het stelsel 50 kan teruggebracht worden naar de atmosferische druk door gebruik te maken van de klep 57.
Een steun 58 is in de kamer 52 aangebracht voor het vasthouden van 40 een of meer substraatartikelen 60, die bekleed moeten worden. Zoals ge- 8401296 7
Illustreerd is ia figuur 5 is het substraat 60 voorzien van de interne schroefdraden van een pijpkoppeling. Een gelijkspanningsvermogensbron 61 en een hoogfrequente vermogensbron 62 zijn aanwezig en gekoppeld met de steun 58 teneinde positieve ionen aan te trekken in de richting van 5 het substraat vanaf een materiaalverdampingsbron. De verdampingsbron kan iedere willekeurige geschikte bron zijn waarmee het bekledingsmate-riaal kan worden verdampt, zoals bijvoorbeeld een vuurvaste bout, een elektronenbundelkanon, een door middel van inductie verhitte smeltkroes, een elektrische boogontlading, of zoals in figuur 5 gelllu-10 streerd is, een of meer elektrische gloeidraden 64 en 66 die op hun beurt gekoppeld zijn met de vermogensbronnen 68 respectievelijk 70.
Twee van dergelijke verdampingsbronnen 64 en 66 kunnen worden gebruikt voor het neerslaan van verschillende materialen en voor neerslag in diverse tijdsperioden.
15 Een gastoevoerleiding 72, bestuurd door een meetklep 74, is gekop peld met de kamervormige behuizing 52 en door deze leiding kan gas worden geïnjecteerd in de kamer 52. Het gas kan een inert gas zijn of een ander gas dat geleidend is om bepaalde functies uit te voeren zoals bijvoorbeeld het reinigen van het substraat 60 door middel van een bom-20 bardement met inerte gasionen voorafgaand aan het bekledingsproces of het door middel van botsingen verstrooien van de verdampte atomen teneinde de uniformiteit bij het bekleden van drie dimensionale voorwerpen te verbeteren. De hoogfrequente generator 62 is voor dit laatste doel aangebracht omdat hoogfrequent sputteren over het algemeen een beter 25 reinigend resultaat geeft dan de reiniging met behulp van een gelijk-spanningsbron. Bovendien kan het toegevoerde gas een metaalhoudend gasplasma vormen voor het produceren van een hoge doordringing van het metaal.
De steun 58 is voorzien van een arm of magneet 76 die bijvoorbeeld 30 permanente magneten of elektromagneten kan omvatten en magneten 78 voor het opbouwen van een magnetisch veld 80 aangrenzend aan het substraat 60, zodat de verdampte atomen, die verlopen door de elektronen die in het magnetische veld 80 spiraliseren, geïoniseerd worden door botsingen met de elektronen en direct worden aangetrokken door de hoge negatieve 35 potentiaal gegenereerd door de negatieve lading van de vermogensbron 61. Alle aansluitingen met het inwendige van de kamer 62 verlopen via isolatoren 82.
Tijdens het uitvoeren van de werkwijze volgens de onderhavige uitvinding wordt het stelsel 50 voor het met hoge energleniveau's uitvoe-40 ren van een ionenbekledingsproces, zoals geïllustreerd is in figuur 5, 84 01 2 9 6 « w 8 geëvacueerd via de afvoer 54 tot een geschikt vacuüm zoals bijvoorbeeld ongeveer 1 x 10“^ millimeter kwik. Indien het wenselijk is een rei-nigingsprocedure van het substraat 60 uit te voeren voor chemische of fysische redenen, dan kan gas worden geïntroduceerd in de behuizingska-5 mer 52 via de.leiding 72, bijvoorbeeld tot een druk van 10 tot 20 micron, en een in het gas gevormd hoogfrequent plasma zal het oppervlak van het substraat bombarderen waardoor een reiniging wordt uitgevoerd. Na het reinigen zal het gas uit de behuizingskamer 52 worden geëvacueerd voorafgaand aan het initiëren van het bekledingsproces.
10 Een hoge negatieve voorspanning van bijvoorbeeld 3 tot 5 kilovolt kan door de vermogensbron 61 worden aangeboden aan de steun 58 die dienst doet als kathode teneinde de positieve ionen aan te trekken in de richting van het substraat 60 door aantrekking door middel van een hoge spanningsdaling. Het bekleden begint wanneer een of beide elektrl-15 sche uit het geschikte materiaal opgebouwde gloeidraden 64 of 66 worden verwarmd tot een temperatuur die hoog genoeg is om het bekledingsmate-riaal te verdampen. Wanneer de bronnen 64 en 66 weerstandsverhittings-bronnen zijn, dan worden voedingsbronnen 68 en 70 gebruikt met een lage spanning en een hoge wisselstroom.
20 De magneten 76 en 78 leveren een magnetisch veld 80 voor de ther misch vrijgemaakte elektronen uit het te verdampen materiaal waardoor deze elektronen paan rondcirkelen en derhalve een gebied met dichte ionisatie vormen voor de atomen van het verdampende materiaal die deze elektronenwolk moeten passeren op hun weg naar het substraat 60. De 25 ionisatie is dus maximaal in het gebied van het substraat 60 waar de behoefte het grootst is. Een of beide elektrische weerstandsverhit-tingsdraden 64 of 66 kunnen worden gebruikt door het variëren van het, vanaf de vermogensbronnen 68 en 70 aan de gloeidraden 64 en 66 toegevoerde vermogens teneinde een of meer materiaalfilms of lagen aan te 30 brengen op het substraat 60.
Alhoewel de inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze volgens de onderhavige uitvinding is beschreven in samenhang met een conventioneel ionenbekledingsstelsel 50 kan daarnaast ook een sputtertechniek worden gebruikt. Figuur 6 illustreert een sputterstelsel dat in zijn 35 algemeenheid geïdentificeerd is door het referentiecijfer 90 en voorzien is van overeenstemmende en soortgelijke componenten als in het in figuur 5 geïllustreerde ionenbekledingsstelsel 50. Het sputterbekle-dingsstelsel 90 omvat een kathode 92 van bekledingsmateriaal. Het substraat 60 is geplaatst in een inerte plasma 94 dat gehandhaafd wordt 40 door middel van de vermogensbron 96. De vermogensbron kan een hoogfre- 8401296 9 quente broa of eea geiljkspanningsbron zijn. Het substraat 60 kan op aardpotentiaal of op een negatieve potentiaal worden gehandhaafd door middel van de spanningsbron 98. Positieve ionen 100 van een inert gasplasma 94 bombarderen het negatieve oppervlak van de kathode 92 en 5 slaan door botsingen atomen los uit het kathodemateriaal 92, waarvan er sommigen oversteken naar het te bekleden substraat 60.
Alhoewel de inrichtingen, geïllustreerd in de figuren 5 en 6 voor het uitvoeren van de werkwijze volgens de onderhavige uitvinding door middel van een ionenbekledingsproces (figuur 5) en een sputterbekle-10 dingsproces (figuur 6) bruikbaar zijn voor het bekleden van van schroefdraad voorziene producten met korte lengte, zoals koppelingen, zijn dergelijke apparaten niet praktisch als het gaat om een kamervormige behuizing 52 met een vacuümstelsel dat de gehele gebruikelijke lengte van een in de olie-industrie gebruikte pijp moet bevatten, welke 15 pijpen over het algemeen een lengte hebben van 9 tot 12 meter. Een verder kenmerk van de voorgestelde werkwijze is nu het verschaffen van een ionenbekledingsstelsel voor het neerslaan van een materiaalfilm of -laag op de bewerkte profielen van een lang buisvormig element zodanig dat het niet nodig is om een vacuümstelsel op te bouwen dat lang genoeg 20 is om het gehele buisvormige element te omsluiten. Het bekledingsproces wordt zodanig uitgevoerd dat alleen het betreffende bewerkte profiel van de pijp in een vacuüm moet worden geplaatst. Verder kunnen een of meer van schroefdraad voorziene delen van de pijp simultaan worden bekleed en kan de pijp worden geroteerd om de uniformiteit van de film te 25 verbeteren.
In figuur 7 is een stelsel 120 voor het bekleden van pijpschroef-draden geïllustreerd waarin de bewerkte profielen 124 en 126 van een pijp 122 simultaan kunnen worden bekleed. Alhoewel een enkele pijp 122 is geïllustreerd zal het duidelijk zijn dat het in figuur 7 getoonde 30 stelsel ook kan worden gebruikt voor het simultaan bekleden van meerdere pijpen 122. Soortgelijke referentiecijfers zullen worden gebruikt in figuur 7 voor delen die corresponderen of gelijksoortig zijn aan delen die aangegeven zijn in de figuren 5 en 6.
Het bewerkte profiel 124 van de pijp 122 is ingestoken in de ka-35 mervormige behuizing 52. De kamervormige behuizing 52 is voorzien van een uitlaat 54 met een klep 56 daarin, die gekoppeld is met een (niet getoonde) vacuüm pomp voor het evacueren van de inwendige kamer van de behuizing 52. De behuizing 52 omvat verder een gastoevoerleiding 72 die wordt bestuurd door een meetklep 74. Een geschikt materiaal verdampend 40 stelsel is verder aangebracht In de vorm van een elektrische verhit- % 8401296 r 10 v tingsdraad 64. Het zal duidelijk zijn dat een verdere verhittingsdraad 66 met bijbehorende vermogensbron 70 (figuur 5) eveneens in het stelsel 120 kan worden toegepast. De verhittingsdraad 64 is bij voorkeur gepositioneerd dicht bij de buitenzijde van het schroefdraadelement 124. De 5 verhittingsdraad 64 is gekoppeld met een vermogensbron 68. De pijp 122 wordt geroteerd gebruikmakend van aangedreven rollen 130 voor het roteren van de pijp 122 in de richting van de pijl 130a.
Een vermogensbron 61 is aangebracht voor het aanbieden van een negatieve spanning aan de pijp 122 teneinde het vanaf de verhittingsdraad 10 64 verdampte materiaal aan te trekken naar het bewerkte profiel 124.
Bovendien is de magneet 76 aangebracht op het inwendige van de pijp 122 aangrenzend aan het profiel 124 om een magnetisch veld 80 op te wekken.
Omdat het moeilijk is om de uiteinden van de pijp 122 in te steken 15 in de kamervormige behuizing 52 en eenvacuüm te handhaven in de behuizing 52 voor het neerslaan van een materiaalfilm op de profielen 124 en 126 terwijl de pijp 122 wordt rond gedraaid kan de behuizing 52 voorzien zijn van een via een flens gemonteerde appendage 132. De appendage 132 kan verdeeld zijn door middel van de scheidingswanden 134, 136, 138 20 in een aantal afgeschotte kamers 140, 142 en 144. De scheidingswanden . 134, 136 en 138 zijn voorzien van afdichtringen 146 die in licht con-4 tact staan met het oppervlak van de pijp 122 en die de gaslekkage tus sen de afgeschotte kamers 140, 142 en 144 naar het inwendige van de geëvacueerde kamer 52 zullen minimaliseren.
25 De afgeschotte kamer 144, die het verst verwijderd is van de be huizing 52, wordt enigszins onder druk gebracht met een inert gas zoals bijvoorbeeld argon via de leiding 148 en de klep 150. Eventuele lekkage van argon vanaf de kamer 144 via de scheidingswand 138 zorgt ervoor dat gas terecht komt in de buitenlucht en een eventuele lekkage via de 30 scheidingswand 136 laat gas toe in de kamer 142. De kamer 142 is via een leiding 152 en een klep 154 gekoppeld met een (niet getoonde) pomp waarvan de pompcapacaiteit groter is dan de lekkage vanaf de kamer 144 zodat de werkdruk in de kamer 142 ongeveer 1 psia benadert. Deze configuratie beperkt het drukverschil dat de lekkage tussen de kamers 144 en 35 142 mogelijk maakt. Bovendien is een (niet getoonde) verdere pomp ge koppeld met een leiding 156 en een klep 158 aan de kamer 140 teneinde de werkdruk te handhaven op een druk minder dan 1000 micron. Verdere afgeschotte kamers kunnen nodig zijn, waarbij het aantal zal variëren afhankelijk van de ruwheid van de pijp 122 en de mate van afdichting 40 die wordt gerealiseerd door de ringen 146. Met het gebruik van de afge- 8401296 11 schotte kamers 140, 142 en 144 is echter de mate van argon lekkage vanaf de kamer 144 naar de geëvacueerde kamer in de behuizing 52 zeer klein en argon dat eventueel lekt tot in de kamer 52 kan via de leiding 54 worden weggepompt.
5 Ervan uitgaande dat het inwendige van de pijp 122 is afgedicht is de wijze van bekleden van het profiel 124 soortgelijk aan de wijze van bekleden in de stelsels 50 en 90 die eerder werden besproken aan de hand van de figuren 5 en 6. Vanwege de naar verhouding grote onzekerheid veroorzaakt door de ruwheid van het oppervlak van de pijp 122 en 10 de mogelijke variatie in de leksnelheid tussen de pijpen onderling kan de werkelijke waarde van de argondruk in de kamer van de behuizing 152 tijdens een bepaald proces variëren. Daarom kan het nodig zijn om de onderhavige werkwijze toe te passen met een onafhankelijk ionisatieme-chanisme voor het magnetische veld 80 zodanig dat het magnetische veld 15 80 wordt opgewekt in het gebied rond het profiel 124 waar de bekleding moet worden uitgevoerd door toevoegen van de magneet 76. De verdampte atomen verlopen derhalve door de in het magnetische veld 80 rond cirkelende elektronen, worden geïoniseerd door botsingen met deze elektronen en onmiddellijk aangetrokken door de hoge negatieve potentiaal op 20 de pijp 122, opgewekt door de vermogensbron 61.
Er wordt opgemerkt dat de voorgaande beschrijving van de werkwijze geen gas vereist was voor het opwekken van de ionisatie. Er zijn echter omstandigheden waarin de behoefte aan een uniforme film over zeer onregelmatige oppervlakken het wenselijk maakt om een kleine hoeveelheid 25 inert gas toe te voegen om het materiaal te laten spreiden en daarmee de uniformiteit van de film te bevorderen. Er wordt opgemerkt dat dit gebruik van een inert gas zoals bijvoorbeeld argon plaats vindt bij een druk die over het algemeen ligt onder de kenmerkende druk van 10-20 micron die nodig is voor de ionisatie zodat de filmeigenschappen niet ne-30 gatief worden beïnvloed door gasinsluitsels in de neergeslagen film.
Zoals reeds werd opgemerkt wordt het profiel 124 bekleed in een vacuüm. Alhoewel in het inwendige van de pijp 122 een stop kan worden aangebracht teneinde het profiel 124 in een vacuüm te handhaven verdient het de voorkeur om beide profielen 124 en 126 te bekleden in het-35 zélfde vacuüm teneinde zowel de kosten als dë tijdsduur nodig voor het twee maal genereren van het vacuüm rond de pijp 122 te vermijden. Daarom wordt een eindkapsamenstelling gebruikt, in zijn algemeenheid aangeduid met het referentiecijfer 170, waarmee het mogelijk is een materi-aalfilm neer te slaan op het profiel 126 simultaan met de neerslag van 40 materiaal op het profiel 124 waardoor de vacuüm pompcapaciteit binnen 8401296
„ V
12 de behuizingskamer 52 volledig, wordt benut.
De eindkapsamenstelling 170 is voorzien van een kapelement 172 met een aantal afdichtingen 174, 176 en 178, waarvan er een zoals bijvoorbeeld de afdichting 178, rust tegen het uiteinde van de pijp 122. Der-5 halve wordt een vacuüm gepompt in het gehele inwendige van de pijp 122, de afdichting 178 wordt door middel van de atmosferische buitendruk stevig aangetrokken en de. kap 172 zal tezamen met de pijp 122 roteren.
Een lichaamselement 180 is roteerbaar gemonteerd in de eindkap 170 en kan bestaan uit een geschikte kunststof die goed isoleert, een lage 10 wrijvingscoëfficiënt bezit en warmtebestendig is zoals bijvoorbeeld wordt verkocht onder de handelsnaam TEFLON. Het lichaamselement 180 wordt aangegrepen door de klem 181 die rotatie ervan belet. Een geschikte oppervlakte-afdichting 182 en een afdichtende 0-ring 184 voorkomen lekkage. Een geschikt verdampingselement zoals een verhittings-15 draad 190 is aangebracht en aangesloten op een vermogensbron 192 via de elektrische leidingen 194 die door het lichaamselement 180 verlopen.
Een magneet 196 is bij voorkeur in de pijp 122 geplaatst aangrenzend aan het profiel 126 in het gebied waar de bekleding wordt gewenst teneinde een dichte elektronenwolk te realiseren voor botingsionisatie. De 20 magnetische krachtlijnen 198 van de magneten 196 vangen de elektronen die de verhitte draad 190 als gevolg van thermische emissie verlaten.
De atomen van het verdampte materiaal worden derhalve positief geïoniseerd in de elektronenwolk en versneld in de richting van de pijp 122 als gevolg van de hoge negatieve polariteit aangeboden door de vermo-25 gensbron 62.
Het zal derhalve duidelijk zijn dat de onderhavige uitvinding een werkwijze verschaft die het wegvreeteffect bij schroefdraadelementen tegengaat door het neerslaan van een materiaalfilm door middel van een ionenbekledingsproces met hoog energieniveau op het bewerkte oppervlak 30 van tenminste een schroefdraadelement voor het verschaffen van een dunne film op de samenwerkende metalen oppervlakken van een pijp.
Alhoewel de uitvinding is beschreven aan de hand van specifieke uitvoeringsvormen ervan zal het voor de deskundige duidelijk zijn dat diverse wijzigingen en modificaties kunnen worden gemaakt zonder buiten 35 het kader van de uitvinding te treden.
8401296
Claims (29)
1, Werkwijze voor het voorkomen van wegvreeteffecten bij samenwerkende van schroefdraad voorziene elementen, gekenmerkt door het neerslaan van een materiaalfilm in een met hoog energieniveau uitgevoerd 5 ionenbekledingsproces op het bewerkte profiel van tenminste een element teneinde een dunne mechanisch isolerende film te verschaffen op de samenwerkende metalen oppervlakken welke film een lage schuifspanningswaarde heeft teneinde daardoor de samenwerkende metalen oppervlakken van elkaar te scheiden en zodoende wegvreeteffecten te voorkomen,
2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat tenminste een van de van schroefdraad voorziene elementen wordt geroteerd tijdens het neerslaan van de film teneinde een uniforme film te verschaffen.
3. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de film wordt neergeslagen op het bewerkte profiel in een aantal lagen, waarbij 15 de binnenste laag harder is dan de buitenste laag,
4. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de film bestaat uit een materiaal gekozen uit de groep goud, zilver, lood, tin, indium en koper.
5. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de film be- 20 staat uit een harde film van vuurvast materiaal.
6. Werkwijze volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat de genoemde film van gehard vuurvast materiaal bestaat uit een metaalcarbidefilm.
7. Werkwijze volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat de genoemde film van gehard vuurvast materiaal bestaat uit een metaaloxidefilm.
8. Werkwijze volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat de film van gehard vuurvast materiaal bestaat uit een metaalnitridefilm.
9. Werkwijze volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat de film is neergeslagen met een dikte variërend tussen ongeveer 1000 ëngström en ongeveer 1 millimeter.
10. Werkwijze volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat de totale dikte van de gecombineerde lagen variëert tussen 500 angström en ongeveer 6 millimeter.
11. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de film bestaat uit een anorganische samenstelling met een gelaagd rooster.
12. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de film een palladiumfllm is.
13. Werkwijze volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat de binnenste filmlaag bestaat uit chroom en de buitenste filmlaag bestaat uit goud.
14. Werkwijze volgens conclusie 13, met het kenmerk, dat de dikte 84 0 1 29 6 van de chroomfilm ongeveer 2000 angstrom tot ongeveer 4000 angstrom bedraagt en de buitenste goudlaag ongeveer 2000 angstrom dik Is.
15. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de film bestaat uit een nikkel onderlaag bedekt door een buitenlaag.
16. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de film bestaat uit een legering die goud en koper bevat.
17. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de film bestaat uit een legering die palladium en koper bevat.
18. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de film 10 bestaat uit een legering die palladium en goud bevat.
19. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de film bestaat uit een legering die palladium en zilver bevat.
20. Werkwijze voor het door middel van een ionenbekledingswerkwij-ze bekleden van beide uiteinden van een langgerekt buisvormig element, 15 gekenmerkt door de volgende stappen: insluiten van de uiteinden in een kamer; evacuëren van een van de kamers waardoor via het buisvormige element in beide kamers een vacuüm ontstaat; verdampen van bekledingsmateriaal in elk van de geëvacuëerde kamers in 20 de nabijheid van de genoemde uiteinden; aanbieden van een negatieve voorspanning aan het element teneinde de positieve ionen van verdampt bekledingsmateriaal aan te trekken.
21. Werkwijze volgens conclusie 20, gekenmerkt door het roteren van het buisvormige element.
22. Werkwijze volgens conclusie 20, met het kenmerk, dat een mag netisch veld wordt aangelegd aangrenzend aan beide uiteinden.
23. Werkwijze volgens conclusie 20, gekenmerkt door het omsluiten van delen van het roterende element in afgeschotte kamers aangrenzend aan een van de geëvacueerde kamers.
24. Werkwijze volgens conclusie 23, met het kenmerk, dat de afge schotte kamer aangrenzend aan de geëvacueerde kamer leeggepompt wordt en de afgeschotte kamer die daarop volgt wordt voorzien van een inert gas.
25. Werkwijze voor het door midel van ionenbekleding aanbrengen 35 van een laag op de beide uiteinden van een langgerekt buisvormig element, gekenmerkt door de volgende stappen insluiten van het eerste uiteinde in een kamer waarbij het tweede uiteinde buiten de genoemde kamer blijft gepositioneerd; sluiten van het tweede uiteinde van het element met een roteerbare af-40 sluiting; 84 0 1 2 9 6 ' r - ^ evacuëren van de kamer waardoor het gebied rond de beide uiteinden wordt geëvacueerd; verdampen van bekledingsmateriaal in de geëvacueerde gebieden aangrenzend aan de beide uiteinden; en 5 aanbieden van een negatieve gelijkspanning aan het element teneinde de positieve ionen van verdampt bekledingsmateriaal aan te trekken.
26. Werkwijze volgens conclusie 25, gekenmerkt door het roteren van het buisvormige element*
27. Werkwijze volgens conclusie 25, gekenmerkt door het opwekken 10 van een magnetisch veld in de nabijheid van de uiteinden van het element .
28. Werkwijze volgens conclusie 25, met het kenmerk, dat het ver-dampingsmateriaal zich bevindt binnen het tweede uiteinde en buiten het eerste uiteinde.
29. Werkwijze volgens conclusie 27, met het kenmerk, dat het mag netische veld wordt opgewekt door magneten gepositioneerd binnen elk uiteinde van het element. ********** 840 129 6
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US48774983 | 1983-04-22 | ||
US06/487,749 US4468309A (en) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | Method for resisting galling |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL8401296A true NL8401296A (nl) | 1984-11-16 |
Family
ID=23936968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL8401296A NL8401296A (nl) | 1983-04-22 | 1984-04-19 | Werkwijze voor het voorkomen van invreet- of wegvreetverschijnselen. |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4468309A (nl) |
JP (1) | JPH0625566B2 (nl) |
DE (1) | DE3413164A1 (nl) |
FR (1) | FR2544747B1 (nl) |
GB (2) | GB2142657B (nl) |
NL (1) | NL8401296A (nl) |
NO (1) | NO841578L (nl) |
Families Citing this family (110)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5096558A (en) * | 1984-04-12 | 1992-03-17 | Plasco Dr. Ehrich Plasma - Coating Gmbh | Method and apparatus for evaporating material in vacuum |
JPS6137960A (ja) * | 1984-07-28 | 1986-02-22 | Tadanobu Okubo | 金属表面加工方法 |
DE3428951A1 (de) * | 1984-08-06 | 1986-02-13 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Mit einer deckschicht aus gold oder einem goldhaltigen material ueberzogener dekorativer gebrauchsgegenstand und verfahren zu seiner herstellung |
JPS61111981A (ja) * | 1984-11-05 | 1986-05-30 | 株式会社豊田中央研究所 | セラミツク部品と金属部品との結合方法 |
DE3531801A1 (de) * | 1985-09-06 | 1987-03-19 | Kolbenschmidt Ag | Leichtmetallkolben |
WO1987006673A1 (en) * | 1986-05-02 | 1987-11-05 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Joint for oil well pipes and method of manufacturing same |
DE3623360A1 (de) * | 1986-07-11 | 1988-01-14 | Cameron Iron Works Gmbh | Einrichtung mit einander benachbarten oberflaechen, zwischen denen hohe druecke und/oder hohe reibungsbeanspruchungen auftreten |
SE460301B (sv) * | 1986-10-15 | 1989-09-25 | Sandvik Ab | Skarvstaang foer slaaende bergborrmaskin |
FR2607830B1 (fr) * | 1986-12-08 | 1993-04-09 | Univ Limoges | Procede et dispositif pour le depot par vaporisation a l'interieur d'un tube |
US4764394A (en) * | 1987-01-20 | 1988-08-16 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Method and apparatus for plasma source ion implantation |
JPS63293384A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | 住友金属工業株式会社 | ねじ継手付frp管 |
EP0298157B1 (en) * | 1987-06-29 | 1992-09-02 | Hauzer Holding B.V. | Method and device for coating cavities of objects |
US4826365A (en) * | 1988-01-20 | 1989-05-02 | White Engineering Corporation | Material-working tools and method for lubricating |
JPH01199088A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-10 | Nippon Steel Corp | 耐隙間腐食性に優れた高合金油井管用継手 |
US4988534A (en) * | 1989-03-31 | 1991-01-29 | General Electric Company | Titanium carbide coating of bearing components |
US5105879A (en) * | 1991-03-20 | 1992-04-21 | Baker Hughes Incorporated | Method and apparatus for sealing at a sliding interface |
FR2681472B1 (fr) | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
US5252365A (en) * | 1992-01-28 | 1993-10-12 | White Engineering Corporation | Method for stabilization and lubrication of elastomers |
IT1264630B1 (it) * | 1993-06-30 | 1996-10-04 | Agip Spa | Protezione antigrippaggio perfezionata per giunti particolarmente adatta nel campo petrolifero |
SE509821C2 (sv) * | 1995-04-27 | 1999-03-08 | Dart Engineering Ag | Anordning vid snabbkopplingsdel |
US5713610A (en) * | 1995-10-13 | 1998-02-03 | Santa Barbara Research Center | Semi-permanent vacuum closure with multiple retubulation capability |
US5685345A (en) * | 1995-12-21 | 1997-11-11 | Donaldson Company, Inc. | Reinforcing structure for conduit; and method |
KR970062277A (ko) * | 1996-02-29 | 1997-09-12 | 도오다 고오이찌로 | 내연 기관용 피스톤 |
FR2748851B1 (fr) * | 1996-05-15 | 1998-08-07 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une couche mince de materiau semiconducteur |
US6098655A (en) * | 1996-12-03 | 2000-08-08 | Carolina Power & Light Company | Alleviating sticking of normally closed valves in nuclear reactor plants |
US6291313B1 (en) | 1997-05-12 | 2001-09-18 | Silicon Genesis Corporation | Method and device for controlled cleaving process |
US6033974A (en) | 1997-05-12 | 2000-03-07 | Silicon Genesis Corporation | Method for controlled cleaving process |
US6245161B1 (en) | 1997-05-12 | 2001-06-12 | Silicon Genesis Corporation | Economical silicon-on-silicon hybrid wafer assembly |
US20070122997A1 (en) | 1998-02-19 | 2007-05-31 | Silicon Genesis Corporation | Controlled process and resulting device |
US6027988A (en) * | 1997-05-28 | 2000-02-22 | The Regents Of The University Of California | Method of separating films from bulk substrates by plasma immersion ion implantation |
US6548382B1 (en) | 1997-07-18 | 2003-04-15 | Silicon Genesis Corporation | Gettering technique for wafers made using a controlled cleaving process |
FR2773261B1 (fr) | 1997-12-30 | 2000-01-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions |
US6291326B1 (en) | 1998-06-23 | 2001-09-18 | Silicon Genesis Corporation | Pre-semiconductor process implant and post-process film separation |
WO2001098623A1 (en) * | 1998-11-16 | 2001-12-27 | Shell Oil Company | Radial expansion of tubular members |
US6823937B1 (en) * | 1998-12-07 | 2004-11-30 | Shell Oil Company | Wellhead |
GB2344606B (en) * | 1998-12-07 | 2003-08-13 | Shell Int Research | Forming a wellbore casing by expansion of a tubular member |
US7195064B2 (en) * | 1998-12-07 | 2007-03-27 | Enventure Global Technology | Mono-diameter wellbore casing |
DE19916168B4 (de) * | 1999-04-12 | 2004-08-12 | Alma-Mechanik Metallteile Gmbh | Befestigungsanordnung |
US6500732B1 (en) | 1999-08-10 | 2002-12-31 | Silicon Genesis Corporation | Cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses |
US6221740B1 (en) | 1999-08-10 | 2001-04-24 | Silicon Genesis Corporation | Substrate cleaving tool and method |
JP2003506883A (ja) | 1999-08-10 | 2003-02-18 | シリコン ジェネシス コーポレイション | 低打ち込みドーズ量を用いて多層基板を製造するための劈開プロセス |
US6263941B1 (en) | 1999-08-10 | 2001-07-24 | Silicon Genesis Corporation | Nozzle for cleaving substrates |
US7250196B1 (en) | 1999-10-26 | 2007-07-31 | Basic Resources, Inc. | System and method for plasma plating |
US6521104B1 (en) | 2000-05-22 | 2003-02-18 | Basic Resources, Inc. | Configurable vacuum system and method |
US6503379B1 (en) | 2000-05-22 | 2003-01-07 | Basic Research, Inc. | Mobile plating system and method |
US7100685B2 (en) * | 2000-10-02 | 2006-09-05 | Enventure Global Technology | Mono-diameter wellbore casing |
JP3931564B2 (ja) * | 2001-01-25 | 2007-06-20 | 住友金属工業株式会社 | 耐焼付き性及び防錆性に優れた鋼管用ねじ継手 |
JP4399121B2 (ja) * | 2001-02-13 | 2010-01-13 | 富士フイルム株式会社 | 撮像システム |
RU2258859C2 (ru) * | 2001-04-11 | 2005-08-20 | Сумитомо Метал Индастриз, Лтд. | Резьбовое соединение для стальных труб (варианты) |
FR2823599B1 (fr) | 2001-04-13 | 2004-12-17 | Commissariat Energie Atomique | Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation |
DE10124933A1 (de) * | 2001-05-21 | 2002-11-28 | Endress & Hauser Gmbh & Co Kg | Anordnung aus einem metallischen Deckel und einem metallischem Gehäuse eines Meßgerätes und Verfahren zu deren Herstellung |
JP3870732B2 (ja) * | 2001-07-25 | 2007-01-24 | 住友金属工業株式会社 | 耐焼付き性に優れた鋼管用ねじ継手 |
GB2396639B (en) | 2001-08-20 | 2006-03-08 | Enventure Global Technology | An apparatus for forming a wellbore casing by use of an adjustable tubular expansion cone |
KR100378586B1 (ko) * | 2001-08-29 | 2003-04-03 | 테커스 (주) | 엑티브엑스 기반의 키보드 해킹 방지 방법 및 장치 |
US7775290B2 (en) | 2003-04-17 | 2010-08-17 | Enventure Global Technology, Llc | Apparatus for radially expanding and plastically deforming a tubular member |
WO2004081346A2 (en) | 2003-03-11 | 2004-09-23 | Enventure Global Technology | Apparatus for radially expanding and plastically deforming a tubular member |
GB0130967D0 (en) * | 2001-12-24 | 2002-02-13 | Hunting Oilfield Services Ltd | Anti galling threaded joint |
US7918284B2 (en) | 2002-04-15 | 2011-04-05 | Enventure Global Technology, L.L.C. | Protective sleeve for threaded connections for expandable liner hanger |
US20030180450A1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-09-25 | Kidd Jerry D. | System and method for preventing breaker failure |
EP1985798A2 (en) | 2002-04-12 | 2008-10-29 | Enventure Global Technology | Protective sleeve for threated connections for expandable liner hanger |
ES2334658T3 (es) * | 2002-05-31 | 2010-03-15 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Union de rosca para conducto de acero. |
WO2004027392A1 (en) | 2002-09-20 | 2004-04-01 | Enventure Global Technology | Pipe formability evaluation for expandable tubulars |
US8187377B2 (en) | 2002-10-04 | 2012-05-29 | Silicon Genesis Corporation | Non-contact etch annealing of strained layers |
FR2848336B1 (fr) | 2002-12-09 | 2005-10-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une structure contrainte destinee a etre dissociee |
US8205680B2 (en) | 2003-01-09 | 2012-06-26 | Enventure Global Technology, Llc | Expandable connection |
US7886831B2 (en) | 2003-01-22 | 2011-02-15 | Enventure Global Technology, L.L.C. | Apparatus for radially expanding and plastically deforming a tubular member |
US20040174017A1 (en) * | 2003-03-06 | 2004-09-09 | Lone Star Steel Company | Tubular goods with expandable threaded connections |
US7169239B2 (en) * | 2003-05-16 | 2007-01-30 | Lone Star Steel Company, L.P. | Solid expandable tubular members formed from very low carbon steel and method |
FR2856844B1 (fr) | 2003-06-24 | 2006-02-17 | Commissariat Energie Atomique | Circuit integre sur puce de hautes performances |
FR2857953B1 (fr) | 2003-07-21 | 2006-01-13 | Commissariat Energie Atomique | Structure empilee, et procede pour la fabriquer |
US7712522B2 (en) | 2003-09-05 | 2010-05-11 | Enventure Global Technology, Llc | Expansion cone and system |
US20050126497A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-06-16 | Kidd Jerry D. | Platform assembly and method |
FR2861497B1 (fr) | 2003-10-28 | 2006-02-10 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de transfert catastrophique d'une couche fine apres co-implantation |
US20050181177A1 (en) * | 2004-02-18 | 2005-08-18 | Jamie Knapp | Isotropic glass-like conformal coatings and methods for applying same to non-planar substrate surfaces at microscopic levels |
JP4599874B2 (ja) * | 2004-04-06 | 2010-12-15 | 住友金属工業株式会社 | 油井管用ねじ継手、及びその製造方法 |
GB2432866A (en) | 2004-08-13 | 2007-06-06 | Enventure Global Technology | Expandable tubular |
CA2481609A1 (en) * | 2004-09-28 | 2006-03-28 | Argus Machine Co. Ltd. | Threaded connection for drill pipes |
AT7941U1 (de) * | 2004-12-02 | 2005-11-15 | Ceratizit Austria Gmbh | Werkzeug zur spanabhebenden bearbeitung |
US7883118B2 (en) * | 2005-03-29 | 2011-02-08 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Threaded joint for steel pipes |
FR2889887B1 (fr) | 2005-08-16 | 2007-11-09 | Commissariat Energie Atomique | Procede de report d'une couche mince sur un support |
AR057940A1 (es) * | 2005-11-30 | 2007-12-26 | Tenaris Connections Ag | Conexiones roscadas con recubrimientos de alta y baja friccion |
US7562911B2 (en) * | 2006-01-24 | 2009-07-21 | Hydril Usa Manufacturing Llc | Wedge thread with sealing metal |
US8993410B2 (en) | 2006-09-08 | 2015-03-31 | Silicon Genesis Corporation | Substrate cleaving under controlled stress conditions |
US7811900B2 (en) | 2006-09-08 | 2010-10-12 | Silicon Genesis Corporation | Method and structure for fabricating solar cells using a thick layer transfer process |
US8293619B2 (en) | 2008-08-28 | 2012-10-23 | Silicon Genesis Corporation | Layer transfer of films utilizing controlled propagation |
US9362439B2 (en) | 2008-05-07 | 2016-06-07 | Silicon Genesis Corporation | Layer transfer of films utilizing controlled shear region |
JP5028923B2 (ja) * | 2006-09-14 | 2012-09-19 | 住友金属工業株式会社 | 鋼管用ねじ継手 |
FR2910179B1 (fr) | 2006-12-19 | 2009-03-13 | Commissariat Energie Atomique | PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GaN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DEPART |
FR2925221B1 (fr) | 2007-12-17 | 2010-02-19 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince |
DE502008001944D1 (de) * | 2008-06-17 | 2011-01-13 | Ti Automotive Heidelberg Gmbh | Schraubelement und Rohranschlusseinrichtung für den Anschluss von Rohrleitungen |
US8330126B2 (en) | 2008-08-25 | 2012-12-11 | Silicon Genesis Corporation | Race track configuration and method for wafering silicon solar substrates |
US8329557B2 (en) | 2009-05-13 | 2012-12-11 | Silicon Genesis Corporation | Techniques for forming thin films by implantation with reduced channeling |
FR2947098A1 (fr) | 2009-06-18 | 2010-12-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince sur un substrat cible ayant un coefficient de dilatation thermique different de celui de la couche mince |
US20110084477A1 (en) * | 2009-10-13 | 2011-04-14 | Hydril Company | Wedge threads with a solid lubricant coating |
US8356843B2 (en) * | 2010-09-27 | 2013-01-22 | Hamilton Sundstrand Corporation | Refrigeration system connection fitting |
WO2013052546A1 (en) * | 2011-10-03 | 2013-04-11 | Exxonmobil Research And Engineering Company | Methods for coating tubular devices used in oil and gas drilling, completions and production operations |
US9617800B2 (en) | 2012-02-23 | 2017-04-11 | Shell Oil Company | Connector assembly |
WO2014095836A1 (en) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | Shell Internationale Research Maatschappij B.V. | Pipe connector and method |
JP6204496B2 (ja) | 2013-01-11 | 2017-09-27 | テナリス・コネクシヨンズ・ベー・ブイ | 耐ゴーリング性ドリルパイプツールジョイントおよび対応するドリルパイプ |
DE102013213503A1 (de) * | 2013-07-10 | 2014-08-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Schraubverbindung für vakuumanwendungen |
US9840765B2 (en) * | 2013-10-16 | 2017-12-12 | General Electric Company | Systems and method of coating an interior surface of an object |
JP2015143556A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 大成建設株式会社 | 管継手構造 |
JP6452321B2 (ja) * | 2014-05-27 | 2019-01-16 | 株式会社友電舎 | 配管締結用ステンレス鋼製ねじ部材の製造方法 |
AT516684B1 (de) * | 2015-01-13 | 2018-08-15 | Voestalpine Tubulars Gmbh & Co Kg | Lösbare Gewindeverbindung mit asymmetrischer Beschichtung |
FR3035476B1 (fr) * | 2015-04-23 | 2017-04-28 | Vallourec Oil & Gas France | Joint filete tubulaire dote d'un revetement metallique sur le filetage et la portee d'etancheite |
US9470044B1 (en) | 2015-07-06 | 2016-10-18 | Pegasis S.r.l. | Threaded connection having high galling resistance and method of making same |
US10830002B2 (en) * | 2017-04-20 | 2020-11-10 | Megalex, Llc | Buckling-resistant sucker rod |
DE202017103484U1 (de) * | 2017-06-09 | 2018-09-13 | Gea Mechanical Equipment Gmbh | Schraubverbindung an einer Zentrifuge |
US11248289B2 (en) * | 2017-11-10 | 2022-02-15 | Dallas Thin Films | Multilayered corrosion and anti-galling coating for threads and wearable materials |
FR3118721B1 (fr) * | 2021-01-11 | 2023-05-12 | Commissariat Energie Atomique | Procede de preparation de la surface d’une piece et procede d’assemblage par brasage direct d’une piece ainsi preparee |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR797616A (fr) * | 1935-11-12 | 1936-05-01 | Kattowitzer Aktien Ges Fuer Be | Procédé pour éviter le grippage dans les filetages |
CH301090A (de) * | 1950-12-27 | 1954-08-31 | Elov Englesson John | Verfahren zur Herstellung von Schraubenverbänden. |
GB861892A (en) * | 1958-02-19 | 1961-03-01 | Anadite Inc | Improvements in vacuum metalizing high tensile steel parts more particularly steel aircraft parts |
JPS4627461Y1 (nl) * | 1968-05-07 | 1971-09-22 | ||
US3639151A (en) * | 1969-03-13 | 1972-02-01 | United Aircraft Corp | Vapor randomization in vacuum deposition of coatings |
AT290370B (de) * | 1969-04-22 | 1971-05-25 | Wienerberger Baustoffind Ag | Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers |
US3806380A (en) * | 1971-03-05 | 1974-04-23 | Hitachi Ltd | Method for hardening treatment of aluminum or aluminum-base alloy |
US3925116A (en) * | 1972-08-09 | 1975-12-09 | Niels N Engel | Superhard martensite and method of making the same |
JPS5226217B2 (nl) * | 1972-11-16 | 1977-07-13 | ||
US4054426A (en) * | 1972-12-20 | 1977-10-18 | White Gerald W | Thin film treated drilling bit cones |
US3857682A (en) * | 1973-02-07 | 1974-12-31 | G White | High temperature resistive and dry lubricated film surfaces |
DE2346738A1 (de) * | 1973-09-17 | 1975-04-24 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zum aufbringen duenner schichten auf flaechenhafte gebilde |
US3914178A (en) * | 1974-01-23 | 1975-10-21 | Amerace Corp | Wear reducing coating |
US3951642A (en) * | 1974-11-07 | 1976-04-20 | General Electric Company | Metallic coating powder containing Al and Hf |
US3952334A (en) * | 1974-11-29 | 1976-04-27 | General Atomic Company | Biocompatible carbon prosthetic devices |
JPS5165039A (ja) * | 1974-12-03 | 1976-06-05 | Seiko Instr & Electronics | Metsukihoho |
US4016389A (en) * | 1975-02-21 | 1977-04-05 | White Gerald W | High rate ion plating source |
JPS5235775A (en) * | 1975-09-17 | 1977-03-18 | Yukihiko Okazaki | Method of forming sliding surface in vacuum apparatus |
JPS5282683A (en) * | 1975-12-29 | 1977-07-11 | Seiko Epson Corp | Manufacture of punch unit for paper tape |
GB1542299A (en) * | 1976-03-23 | 1979-03-14 | Warner Lambert Co | Blade shields |
CH611938A5 (nl) * | 1976-05-19 | 1979-06-29 | Battelle Memorial Institute | |
US4181590A (en) * | 1977-08-16 | 1980-01-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method of ion plating titanium and titanium alloys with noble metals and their alloys |
US4109061A (en) * | 1977-12-08 | 1978-08-22 | United Technologies Corporation | Method for altering the composition and structure of aluminum bearing overlay alloy coatings during deposition from metallic vapor |
JPS56156767A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Highly hard substance covering material |
US4342631A (en) * | 1980-06-16 | 1982-08-03 | Illinois Tool Works Inc. | Gasless ion plating process and apparatus |
JPS5858273A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 被覆超硬合金 |
GB2123039B (en) * | 1982-03-23 | 1985-10-23 | Atomic Energy Authority Uk | Coatings for cutting implements |
-
1983
- 1983-04-22 US US06/487,749 patent/US4468309A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-03-28 GB GB08407983A patent/GB2142657B/en not_active Expired
- 1984-04-07 DE DE19843413164 patent/DE3413164A1/de active Granted
- 1984-04-18 NO NO841578A patent/NO841578L/no unknown
- 1984-04-19 NL NL8401296A patent/NL8401296A/nl not_active Application Discontinuation
- 1984-04-20 JP JP59078737A patent/JPH0625566B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1984-04-24 FR FR848406425A patent/FR2544747B1/fr not_active Expired
-
1986
- 1986-01-06 GB GB08600198A patent/GB2168724B/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2168724B (en) | 1987-02-04 |
GB8407983D0 (en) | 1984-05-10 |
FR2544747B1 (fr) | 1989-02-03 |
DE3413164C2 (nl) | 1992-10-01 |
GB2142657A (en) | 1985-01-23 |
JPS59200803A (ja) | 1984-11-14 |
JPH0625566B2 (ja) | 1994-04-06 |
GB2142657B (en) | 1987-02-04 |
NO841578L (no) | 1984-10-23 |
GB8600198D0 (en) | 1986-02-12 |
DE3413164A1 (de) | 1984-10-25 |
GB2168724A (en) | 1986-06-25 |
US4468309A (en) | 1984-08-28 |
FR2544747A1 (fr) | 1984-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL8401296A (nl) | Werkwijze voor het voorkomen van invreet- of wegvreetverschijnselen. | |
Mattox | Physical vapor deposition (PVD) processes | |
Waits | Planar magnetron sputtering | |
EP0435098A2 (en) | Deposition apparatus and method for enhancing step coverage and planarization of semiconductor wafers | |
JP2008506840A (ja) | 事前に組立済みのプロセス配管の内部表面を現場においてコーティングする方法及びシステム | |
US20130209006A1 (en) | Current insulated bearing components and bearings | |
JPH10259480A (ja) | イオン化スパッタリング装置 | |
Window | Issues in magnetron sputtering of hard coatings | |
EP2963145A1 (en) | Coating and method for its deposition to operate in boundary lubrication conditions and at elevated temperatures | |
JP4563966B2 (ja) | 半導体加工装置用部材およびその製造方法 | |
JPH0261547B2 (nl) | ||
WO2013184231A1 (en) | Anti-diffusion metal coated o-rings | |
KR101724375B1 (ko) | 나노구조 형성장치 | |
JP2001214269A (ja) | 硬質炭素積層膜とその形成方法 | |
US5601654A (en) | Flow-through ion beam source | |
RU2522874C1 (ru) | Способ защиты поверхности алюминия от коррозии | |
JP4903104B2 (ja) | 半導体加工装置用部材 | |
KR101696838B1 (ko) | 나노 구조 형성용 스퍼터링 장치 | |
US20090057134A1 (en) | Thin film application device and method for coating small aperture vacuum vessels | |
US20210050192A1 (en) | Magnetron sputtering device | |
US20100058986A1 (en) | System and method for plasma plating | |
RU2173911C2 (ru) | Получение электродуговой плазмы в криволинейном плазмоводе и нанесение покрытия на подложку | |
Pierson | CVD/PVD coatings | |
RU2214476C2 (ru) | Способ формирования покрытия из драгоценных металлов и их сплавов | |
Fukami et al. | Target erosion pattern in planar magnetron sputtering |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A85 | Still pending on 85-01-01 | ||
BA | A request for search or an international-type search has been filed | ||
BB | A search report has been drawn up | ||
BC | A request for examination has been filed | ||
BV | The patent application has lapsed |