NL8401296A - Werkwijze voor het voorkomen van invreet- of wegvreetverschijnselen. - Google Patents

Werkwijze voor het voorkomen van invreet- of wegvreetverschijnselen. Download PDF

Info

Publication number
NL8401296A
NL8401296A NL8401296A NL8401296A NL8401296A NL 8401296 A NL8401296 A NL 8401296A NL 8401296 A NL8401296 A NL 8401296A NL 8401296 A NL8401296 A NL 8401296A NL 8401296 A NL8401296 A NL 8401296A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
film
chamber
layer
coating
gold
Prior art date
Application number
NL8401296A
Other languages
English (en)
Original Assignee
White Eng Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by White Eng Corp filed Critical White Eng Corp
Publication of NL8401296A publication Critical patent/NL8401296A/nl

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/32Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • EFIXED CONSTRUCTIONS
    • E21EARTH OR ROCK DRILLING; MINING
    • E21BEARTH OR ROCK DRILLING; OBTAINING OIL, GAS, WATER, SOLUBLE OR MELTABLE MATERIALS OR A SLURRY OF MINERALS FROM WELLS
    • E21B17/00Drilling rods or pipes; Flexible drill strings; Kellies; Drill collars; Sucker rods; Cables; Casings; Tubings
    • E21B17/02Couplings; joints
    • E21B17/04Couplings; joints between rod or the like and bit or between rod and rod or the like
    • E21B17/042Threaded
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49826Assembling or joining
    • Y10T29/49885Assembling or joining with coating before or during assembling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mining & Mineral Resources (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

* r t ^ * N.0. 32478 1
Werkwijze voor het voorkomen van invreet- of wegvreetverschijnselen.
De uitvinding heeft betrekking óp werkwijzen waarmee invreet- of wegvreetverschijnselen worden voorkomen en heeft meer in het bijzonder betrekking op werkwijzen om deze verschijnselen tegen te gaan bij van schroefdraad voorziene koppelelementen die gekoppeld en ontkoppeld kun-5 nen worden, welke koppelelementen een hoge affiniteit voor dergelijke verschijnselen vertonen.
Invreten of wegvreten is een vorm van adhesie-slijtage die zeer schadelijk is bij relatief hoge spanningen. Maataf wijkingen van de componenten zijn veelal het resultaat van ernstige wegvreeteffecten en 10 vinden over het algemeen plaats vroeg in de levensduur van de apparatuur. Van schroefdraad voorziene componenten staan in het bijzonder bekend om hun neiging maataf wijkingen te vertonen.
Wanneer twee oppervlakken elkaar belasten dan kunnen de samenwerkende oppervlakken een sterke hechting vertonen als gevolg van de loka-15 le hoge druk en warmte gegenereerd door een opvolgende beweging. Als deze hechting op het scheidingsvlak wordt verbroken dan treedt er weinig beschadiging op en lopen de delen gemakkelijk; als echter de breuk optreedt in een van beide materialen dan resulteert daaruit een ernstige beschadiging. Deze beschadiging staat bekend onder de term wegvreten 20 of invreten.
In het verleden zijn organische en anorganische smeermiddelen toegepast om dergelijke wegvreeteffecten te verwijden. Bekende eerder toegepaste methoden omvatten het aanbrengen door middel van elektrobekle-ding van metalen lagen van tin en/of zink, hetgeen echter ernstige mi-25 lieuproblemen ten aanzien van eventueel afval veroorzaakt. Ook zijn fosfaat-omvormingsbekledingen gebruikt, die echter ook te lijden hebben van milieu afvalproblemen en beperkt zijn tot een type materiaalsub— straat waarop het kan worden toegepast. Basissmeerfilms zoals API gemodificeerd schroefdraadmengsel dat over het algemeen wordt gebruikt bij 30 van schroefdraad voorziene koppelelementen laten slib toe tussen de bewegende delen zolang de bewegende delen niet chemisch, thermisch of fysisch zijn vernietigd of verplaatst. Nadat het smeermiddel is ingetrokken begint echter het koud lassen van de in contact met elkaar staande actieve oppervlakken. Koud lassen resulteert In destructie door wegvre-35 ten van de aan elkaar grenzende oppervlakken.
Er bestaat dus een behoefte aan een werkwijze waarmee dit wegvreetef-fect van samenwerkende metalen oppervlakken wordt voorkomen, ongeacht of het gaat om afdichtende oppervlakken, schouders of schroefdraadele- 8401296 s' 2 menten.
In overeenstemming met de onderhavige uitvinding wordt een werkwijze verschaft voor het in hoofdzaak elimineren van wegvreetproblemen die tot nu toe optreden bij het herhaaldelijk maken en verbreken van 5 verbindingen met van schroefdraad voorziene elementen.
In overeenstemming met de onderhavige uitvinding wordt een werkwijze verschaft voor het voorkomen van wegvreeteffecten bij twee samenwerkende van schroefdraad voorziene elementen. De werkwijze omvat het aanbrengen van een materiaalfilm door middel van een ionen bekledings-10 werkwijze met hoge energieniveau's op de bewerkte oppervlakken van tenminste een van de van schroefdraad voorziene elementen waardoor een dunne mechanische isolerende film op het van schroefdraad voorziene element ontstaat met een lage schuifspanningswaarde.
In overeenstemming met een ander kenmerk van de onderhavige uit-15 vinding wordt een werkwijze verschaft voor het voorkomen van wegvreeteffecten bij twee samenwerkende mannelijke en vrouwelijke van schroefdraad voorziene elementen door een materiaalfilm aan te brengen met behulp van een ionenbekledingsproces bij hoge energieniveau's op de bewerkte oppervlakken van elk element waardoor een dunne film ontstaat op 20 elk van de samenwerkende metalen oppervlakken met een lage schuifspan-ningswaarde teneinde de actieve atomaire roosterstructuren van de samenwerkende metaaloppervlakken van elkaar te scheiden en te isoleren wanneer de elementen worden samengevoegd teneinde daardoor wegvreeteffecten te vermijden.
25 In overeenstemming met nog een ander kenmerk van de onderhavige uitvinding omvat de werkwijze voor het vermijden van wegvreeteffecten bij van schroefdraad voorziene elementen het aanbrengen van een duime film van mechanisch isolerende materialen op de bewerkte oppervlakken, welke film gefaseerd is in het basismateriaal van het van schroefdraad 30 voorziene element met een tussenliggende dunne film die gefaseerd is in het basismateriaal van het van schroefdraad voorziene element als een integraal deel van het atoomrooster van het substraat.
Voor een beter begrip van de onderhavige uitvinding en voor een goed begrip van de verdere voordelen ervan wordt in het volgende verwe-35 zen naar de gedetailleerde beschrijving die wordt gegeven aan de hand van de bijgaande figuren.
Figuur 1 toont een vergroot doorsnede-aanzicht van de schroef-draadverbinding van twee buisvormige elementen.
Figuur 2 toont een vergroot doorsnede-aanzicht van de schroefdraad 40 van een van de buisvormige elementen getoonde in figuur 1, voorzien van 8401296 t 3 * u een bekleding volgens een kenmerk van de onderhavige uitvinding.
Figuur 3 toont een vergrote deeldoorsnede van de schroefdraad van een buisvormig element getoond in figuur 1 voorzien van een bekleding in overeenstemming met een ander kenmerk van de onderhavige uitvin-5 ding.
Figuur 4 illustreert grafisch hoe de samenstelling van de bekledingen van de onderhavige uitvinding wijzigt bij een meerlaags bekleding.
Figuur 3 is een schematisch diagram ter illustratie van het ge-10 bruik van een ionenbekledingswerkwijze die uitgevoerd wordt binnen het kader van de uitvinding.
Figuur 6 is een schematisch diagram ter illustratie van het gebruik van een sputterwerkwijze die wordt toegepast binnen het kader van de uitvinding.
15 Figuur 7 is een schematisch diagram ter illustratie van een stel sel dat binnen het kader van de uitvinding wordt gebruikt voor het aanbrengen van bekledingen op de van schroefdraad voorziene delen van een langgerekt buisvormig element.
Alhoewel de onderhavige uitvinding gebruikt kan worden voor het 20 voorkomen van wegvreeteffecten bij van schroefdraad voorziene verbindingselementen in allerlei verschillende toepassingen treedt het weg-vreetprobleem bij van schroefdraad voorziene verbindingselementen in het bijzonder algemeen op in de olie- en gasindustrie bij het koppelen en ontkoppelen van prouctiepijpleidingsegmenten. Het wegvreten vormt in 25 het bijzonder een belangrijk probleem bij in de olie-industrie gebruikte buisvormige producten vervaardigd uit hoog gelegeerde roestvaste staalsoorten en op nikkel gebaseerde legeringen, die nodig zijn om de corrosieve omstandigheden in een boorput te weerstaan.
In figuur 1 is een mannelijk pijpelement zoals een pijp 10 ge-30 toond, voorzien van schroefdraad 12 die samenwerkt met de schroefdraad 14 op het samenwerkende vrouwlijke buiselement zoals de pijp 16. De schroefdraadverbinding tussen de pijpen 10 en 16 omvat de planaire gebieden 20 en 22 en de afdichtgebieden 24 en 26. Alhoewel een bijzondere van schroefdraad voorziene configuratie is getoond in figuur 1 is de 35 onderhavige uitvinding gericht op elk type schroefdraadverbinding. Alhoewel het wegvreeteffect kan optreden tussen ieder willekeurig deel van de schroefdraadverbinding hebben de afdichtgebieden 24 en 26 over het algemeen het meest te lijden van wegvreeteffecten.
Volgens een kenmerk van de onderhavige uitvinding wordt een me-40 taalfilm neergeslagen die overgaat in het oppervlak van de metalen 8401296 F * 4 schroefdraden 12 en 14 naast de planaire gebieden 20 en 22 en de af-dichtgebieden 24 en 26. De metaalfilm wordt neergeslagen als integraal deel van het atoomrooster van het substraat met een uniforme bedekking en dikte door middel van een neerslag van atomaire deeltjes van de ge-5 wenste functionele materialen met hoge energie. De materiaalfilm kan bijvoorbeeld bestaan uit willekeurige zachtere metalen, zoals bijvoorbeeld goud, zilver, lood, tin, indium, palladium of koper met lage wrijvingscoëfficiënten, goede adhesie en lage schuifsterkte, welke door een met hoge energieniveau's werkend ionenbekledingsproces kunnen wor-10 den neergeslagen in een dunne film die direct hecht aan het geheel bewerkte schroefdraadprofiel. In het bijzonder omvat de voorgestelde werkwijze het verschaffen van een door middel van een dunne film behandeld bewerkt profiel met een of meer oppervlakte-films neergeslagen op zijn buitenoppervlakken door middel van een ionenbekledingsproces met 15 hoog deeltjesenergieniveau. Andere typen zachte films kunnen worden gebruikt zoals bijvoorbeeld anorganische verbindingen met een gelaagde roosterstructuur zoals molybdeendisulfide.
Indien bovendien een corrosiebestendige legering wordt gebruikt in de pijpen 10 en 16 dan kan het wenselijk zijn om een of meer tussen-20 laagfilms te verschaffen van een hard materiaal zoals chroom, titanium of diverse geharde vuurvaste materialen zoals metaalcarbiden, metaalni-triden, keramische materialen of zogenaamde cermats. In die gevallen vormt het buitenoppervlak van de hardere materialen de overgang naar een laag van de zachtere mechanisch isolerende films, zodat het smerend 25 vermogen wordt overgebracht op de hardere aanvankelijk aangebrachte be-kledingslaag.
In figuur 2 is een vergroot deelaanzicht getoond van de schroefdraad 14 waarbij de gefaseerde legeringsopbouw zichtbaar is van een dunne beschermende film en een buitenfilm, beiden aangebracht met be-30 hulp van een sputter- of ionenbekledingsproces met hoog deeltjesenergieniveau. Bij het begin van het neerslagproces komen de ionen aan onder invloed van een elektrische ladingsversnelling en begraven zich in de roosterstructuur 30 van het substraat. Terwijl de opbouw voortgang vindt, waarbij bijvoorbeeld een hard metaal zoals bijvoorbeeld chroom 35 wordt gebruikt, wordt de dunne laag 32 neergeslagen die sterkte en duurzaamheid verleent aan het oppervlak van de schroefdraad 14. Tijdens verdere voortgang van de opbouw begint het faseren van materialen waarbij het percentage van het harde materiaal uit de onderliggende dunne laag 32 geleidelijk aan afneemt vergezeld van een procentuele toename 40 in de samenstelling van een materiaal van de buitenste laag 34, zoals 8401296 5 è 'i bijvoorbeeld goud. De totale dikte van de gecombineerde lagen 32 en 34 kan liggen in de orde van 10000 tot 12000 angstrom. De dikte van de ma-teriaallaag 34 kan bijvoorbeeld ongeveer gelijk zijn aan 2000 angström. Indien gewenst kunnen ook meervoudige lagen worden gebruikt, zoals bij-5 voorbeeld een binnenste laag van titanium, een tweede laag van titani-umcarbide en een buitenlaag van titaniumnitraat.
In figuur 3 is de bekleding van de schroefdraad 14 geïllustreerd als een enkelvoudige filmbekleding. De enkelvoudige filmbekleding kan worden gebruikt in toepassingen waarin het wegvreeteffect minder ern-10 stig is en het niet nodig is om de meervoudige bekledingslaag, geïllustreerd in figuur 2, toe te passen. Een film van een enkel segment van een willekeurig geschikt laagmateriaal 36 kan worden gebruikt door het aanbrengen van het materiaal 36 op de schroefdraad 14 door middel van een ionenbekledingsproces met hoog deeltjesenergieniveau. Het is geble-15 keu dat enkelvoudige bekledingen van koper, indium of goud het mogelijk maken dat verbindingen in gereedschappen tien keer kunnen worden gemaakt en verbroken in vergelijking met anderhalf keer voor niet beklede gereedschapsverbindingen.
Teneinde de adhesie van de laag 36 aan de schroefdraad 14 verder 20 te verbeteren en problemen, samenhangend met de zwakke affiniteit van de materiaallaag 36 aan de schroefdraad 14 te overwinnen verdient het de voorkeur om een dunne laag 38 van ongeveer 2000 angström aan te brengen bestaande uit een wederzijds actief materiaal zoals bijvoorbeeld nikkel. De uniforme drie-dimensionale bekledingseigenschappen van 25 een ionenbekledingsproces maken mogelijk om een laag te laten groeien op het oppervlak 40 zelfs als het oppervlak 40 verborgen is voor de be-kledingsstroom die gericht is in overeenstemming met de pijl 42.
Figuur 4 illustreert in een diagram de procentuele legeringssamen-stelling uitgezet tegen de laagdikte voor een materiaal A, lijn 44, en 30 voor een materiaal B, lijn 46. Materiaal A bestaat bijvoorbeeld uit een chroomlaag 32 (figuur 2) en materiaal B kan bijvoorbeeld bestaan uit een goudlaag zoals de laag 34 (figuur 2). Over de eerste 4000 Mngström van de laagdikte is de laag 32 aanzienlijk harder. Terwijl het neer-slagproces voortgang vindt neemt het percentage van het zachtere mate-35 riaal B van de laag 34 toe terwijl de hoeveelheid van het materiaal A in de laag 32 afneemt. In de buitenste 2000 'angström is de film in hoofdzaak opgebouwd uit het zachte materiaal zoals een goudlaag 34.
De dunne lagen aangebracht op de pijpen 10 en 16 kunnen worden aangebracht met diverse verschillende processen zoals bijvoorbeeld een 40 chemisch dampneerslagproces, verdamping in vacuüm ofwel fysische damp- 84 p 1 2 9 6 * & 6 neerslag, sputteren met inbegrip van hoogfrequent sputteren, gelijkstroom sputteren en diverse magnetron sputtermethoden en ionenbekle-dingsprocessen zoals beschreven in het Amerikaanse octrooischrift Reissue 30.401.
5 Een belangrijk kenmerk van de voorgestelde werkwijze is het ver schaffen van een verbeterd ionenbekledingsproces gebruikmakend van hoge deeltjes energieniveau's voor het bekleden van substraten zoals schroefdraadsecties van pijpen met een ruime keuze aan materiaal met een hoge neerslagsnelheid. Het proces volgens de onderhavige uitvinding 10 realiseert een hoge energieflux naar het substraatoppervlak waardoor een sterke door de hoge oppervlaktetemperatuur bevorderde diffusie wordt verschaft alsmede chemische reacties zonder dat het nodig is om een grote hoeveelheid materiaal te verhitten, de oppervlakte of tussen-laagstructuur te wijzigen of de film fysisch te vermengen tijdens het 15 neerslaan van de film. Ionenbekleding biedt hoge neerslagsnelheden waarbij het vervaardigen van dunne films kan worden gedaan met een snelheid van millimeters in plaats van angströms. Het verhoogde ver-snellingsvermogen dat aan de ionen ter beschikking staat maakt het met voordeel mogelijk om grote onregelmatig gevormde voorwerpen, inwendige 20 openingen of convoluties te bekleden met een uniform neergeslagen film waarvan de dikte loopt tussen extreem dun en een dikke film in het mil-lemetergebied.
Het verbeterde ionenbekledingsproces volgens de onderhavige uitvinding is geïllustreerd in figuur 5, welke figuur een vacuüm bekle-25 dingsstelsel toont met een verdampingsbron waarin de verdampende atomen worden geïoniseerd door botsingen met elektronen wanneer ze door een magnetisch veld verlopen naar het substraat teneinde het materiaal dat op het substraat moet worden aangebracht in de plasmatoestand te brengen in de nabijheid van het substraat. Een ionenbekledingsstelsel voor 30 toepassing binnen het kader van de uitvinding is in zijn algemeenheid aangegeven met 50. Het stelsel 50 omvat een kamervormige behuizing 52 die geschikt is om een vacuüm in op te wekken. De behuizing 52 kan bestaan uit een vertikale of horizontale behuizing en kan opgebouwd zijn uit een willekeurig geschikt materiaal waarin de vacuümdruk kan worden 35 gehandhaafd. De kamerbehuizing 52 omvat een uitgang 54, bestuurd door een klep 56 die voert naar een (niet getoonde) pomp voor het tot vacuüm evacueren van de kamer 52. Het stelsel 50 kan teruggebracht worden naar de atmosferische druk door gebruik te maken van de klep 57.
Een steun 58 is in de kamer 52 aangebracht voor het vasthouden van 40 een of meer substraatartikelen 60, die bekleed moeten worden. Zoals ge- 8401296 7
Illustreerd is ia figuur 5 is het substraat 60 voorzien van de interne schroefdraden van een pijpkoppeling. Een gelijkspanningsvermogensbron 61 en een hoogfrequente vermogensbron 62 zijn aanwezig en gekoppeld met de steun 58 teneinde positieve ionen aan te trekken in de richting van 5 het substraat vanaf een materiaalverdampingsbron. De verdampingsbron kan iedere willekeurige geschikte bron zijn waarmee het bekledingsmate-riaal kan worden verdampt, zoals bijvoorbeeld een vuurvaste bout, een elektronenbundelkanon, een door middel van inductie verhitte smeltkroes, een elektrische boogontlading, of zoals in figuur 5 gelllu-10 streerd is, een of meer elektrische gloeidraden 64 en 66 die op hun beurt gekoppeld zijn met de vermogensbronnen 68 respectievelijk 70.
Twee van dergelijke verdampingsbronnen 64 en 66 kunnen worden gebruikt voor het neerslaan van verschillende materialen en voor neerslag in diverse tijdsperioden.
15 Een gastoevoerleiding 72, bestuurd door een meetklep 74, is gekop peld met de kamervormige behuizing 52 en door deze leiding kan gas worden geïnjecteerd in de kamer 52. Het gas kan een inert gas zijn of een ander gas dat geleidend is om bepaalde functies uit te voeren zoals bijvoorbeeld het reinigen van het substraat 60 door middel van een bom-20 bardement met inerte gasionen voorafgaand aan het bekledingsproces of het door middel van botsingen verstrooien van de verdampte atomen teneinde de uniformiteit bij het bekleden van drie dimensionale voorwerpen te verbeteren. De hoogfrequente generator 62 is voor dit laatste doel aangebracht omdat hoogfrequent sputteren over het algemeen een beter 25 reinigend resultaat geeft dan de reiniging met behulp van een gelijk-spanningsbron. Bovendien kan het toegevoerde gas een metaalhoudend gasplasma vormen voor het produceren van een hoge doordringing van het metaal.
De steun 58 is voorzien van een arm of magneet 76 die bijvoorbeeld 30 permanente magneten of elektromagneten kan omvatten en magneten 78 voor het opbouwen van een magnetisch veld 80 aangrenzend aan het substraat 60, zodat de verdampte atomen, die verlopen door de elektronen die in het magnetische veld 80 spiraliseren, geïoniseerd worden door botsingen met de elektronen en direct worden aangetrokken door de hoge negatieve 35 potentiaal gegenereerd door de negatieve lading van de vermogensbron 61. Alle aansluitingen met het inwendige van de kamer 62 verlopen via isolatoren 82.
Tijdens het uitvoeren van de werkwijze volgens de onderhavige uitvinding wordt het stelsel 50 voor het met hoge energleniveau's uitvoe-40 ren van een ionenbekledingsproces, zoals geïllustreerd is in figuur 5, 84 01 2 9 6 « w 8 geëvacueerd via de afvoer 54 tot een geschikt vacuüm zoals bijvoorbeeld ongeveer 1 x 10“^ millimeter kwik. Indien het wenselijk is een rei-nigingsprocedure van het substraat 60 uit te voeren voor chemische of fysische redenen, dan kan gas worden geïntroduceerd in de behuizingska-5 mer 52 via de.leiding 72, bijvoorbeeld tot een druk van 10 tot 20 micron, en een in het gas gevormd hoogfrequent plasma zal het oppervlak van het substraat bombarderen waardoor een reiniging wordt uitgevoerd. Na het reinigen zal het gas uit de behuizingskamer 52 worden geëvacueerd voorafgaand aan het initiëren van het bekledingsproces.
10 Een hoge negatieve voorspanning van bijvoorbeeld 3 tot 5 kilovolt kan door de vermogensbron 61 worden aangeboden aan de steun 58 die dienst doet als kathode teneinde de positieve ionen aan te trekken in de richting van het substraat 60 door aantrekking door middel van een hoge spanningsdaling. Het bekleden begint wanneer een of beide elektrl-15 sche uit het geschikte materiaal opgebouwde gloeidraden 64 of 66 worden verwarmd tot een temperatuur die hoog genoeg is om het bekledingsmate-riaal te verdampen. Wanneer de bronnen 64 en 66 weerstandsverhittings-bronnen zijn, dan worden voedingsbronnen 68 en 70 gebruikt met een lage spanning en een hoge wisselstroom.
20 De magneten 76 en 78 leveren een magnetisch veld 80 voor de ther misch vrijgemaakte elektronen uit het te verdampen materiaal waardoor deze elektronen paan rondcirkelen en derhalve een gebied met dichte ionisatie vormen voor de atomen van het verdampende materiaal die deze elektronenwolk moeten passeren op hun weg naar het substraat 60. De 25 ionisatie is dus maximaal in het gebied van het substraat 60 waar de behoefte het grootst is. Een of beide elektrische weerstandsverhit-tingsdraden 64 of 66 kunnen worden gebruikt door het variëren van het, vanaf de vermogensbronnen 68 en 70 aan de gloeidraden 64 en 66 toegevoerde vermogens teneinde een of meer materiaalfilms of lagen aan te 30 brengen op het substraat 60.
Alhoewel de inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze volgens de onderhavige uitvinding is beschreven in samenhang met een conventioneel ionenbekledingsstelsel 50 kan daarnaast ook een sputtertechniek worden gebruikt. Figuur 6 illustreert een sputterstelsel dat in zijn 35 algemeenheid geïdentificeerd is door het referentiecijfer 90 en voorzien is van overeenstemmende en soortgelijke componenten als in het in figuur 5 geïllustreerde ionenbekledingsstelsel 50. Het sputterbekle-dingsstelsel 90 omvat een kathode 92 van bekledingsmateriaal. Het substraat 60 is geplaatst in een inerte plasma 94 dat gehandhaafd wordt 40 door middel van de vermogensbron 96. De vermogensbron kan een hoogfre- 8401296 9 quente broa of eea geiljkspanningsbron zijn. Het substraat 60 kan op aardpotentiaal of op een negatieve potentiaal worden gehandhaafd door middel van de spanningsbron 98. Positieve ionen 100 van een inert gasplasma 94 bombarderen het negatieve oppervlak van de kathode 92 en 5 slaan door botsingen atomen los uit het kathodemateriaal 92, waarvan er sommigen oversteken naar het te bekleden substraat 60.
Alhoewel de inrichtingen, geïllustreerd in de figuren 5 en 6 voor het uitvoeren van de werkwijze volgens de onderhavige uitvinding door middel van een ionenbekledingsproces (figuur 5) en een sputterbekle-10 dingsproces (figuur 6) bruikbaar zijn voor het bekleden van van schroefdraad voorziene producten met korte lengte, zoals koppelingen, zijn dergelijke apparaten niet praktisch als het gaat om een kamervormige behuizing 52 met een vacuümstelsel dat de gehele gebruikelijke lengte van een in de olie-industrie gebruikte pijp moet bevatten, welke 15 pijpen over het algemeen een lengte hebben van 9 tot 12 meter. Een verder kenmerk van de voorgestelde werkwijze is nu het verschaffen van een ionenbekledingsstelsel voor het neerslaan van een materiaalfilm of -laag op de bewerkte profielen van een lang buisvormig element zodanig dat het niet nodig is om een vacuümstelsel op te bouwen dat lang genoeg 20 is om het gehele buisvormige element te omsluiten. Het bekledingsproces wordt zodanig uitgevoerd dat alleen het betreffende bewerkte profiel van de pijp in een vacuüm moet worden geplaatst. Verder kunnen een of meer van schroefdraad voorziene delen van de pijp simultaan worden bekleed en kan de pijp worden geroteerd om de uniformiteit van de film te 25 verbeteren.
In figuur 7 is een stelsel 120 voor het bekleden van pijpschroef-draden geïllustreerd waarin de bewerkte profielen 124 en 126 van een pijp 122 simultaan kunnen worden bekleed. Alhoewel een enkele pijp 122 is geïllustreerd zal het duidelijk zijn dat het in figuur 7 getoonde 30 stelsel ook kan worden gebruikt voor het simultaan bekleden van meerdere pijpen 122. Soortgelijke referentiecijfers zullen worden gebruikt in figuur 7 voor delen die corresponderen of gelijksoortig zijn aan delen die aangegeven zijn in de figuren 5 en 6.
Het bewerkte profiel 124 van de pijp 122 is ingestoken in de ka-35 mervormige behuizing 52. De kamervormige behuizing 52 is voorzien van een uitlaat 54 met een klep 56 daarin, die gekoppeld is met een (niet getoonde) vacuüm pomp voor het evacueren van de inwendige kamer van de behuizing 52. De behuizing 52 omvat verder een gastoevoerleiding 72 die wordt bestuurd door een meetklep 74. Een geschikt materiaal verdampend 40 stelsel is verder aangebracht In de vorm van een elektrische verhit- % 8401296 r 10 v tingsdraad 64. Het zal duidelijk zijn dat een verdere verhittingsdraad 66 met bijbehorende vermogensbron 70 (figuur 5) eveneens in het stelsel 120 kan worden toegepast. De verhittingsdraad 64 is bij voorkeur gepositioneerd dicht bij de buitenzijde van het schroefdraadelement 124. De 5 verhittingsdraad 64 is gekoppeld met een vermogensbron 68. De pijp 122 wordt geroteerd gebruikmakend van aangedreven rollen 130 voor het roteren van de pijp 122 in de richting van de pijl 130a.
Een vermogensbron 61 is aangebracht voor het aanbieden van een negatieve spanning aan de pijp 122 teneinde het vanaf de verhittingsdraad 10 64 verdampte materiaal aan te trekken naar het bewerkte profiel 124.
Bovendien is de magneet 76 aangebracht op het inwendige van de pijp 122 aangrenzend aan het profiel 124 om een magnetisch veld 80 op te wekken.
Omdat het moeilijk is om de uiteinden van de pijp 122 in te steken 15 in de kamervormige behuizing 52 en eenvacuüm te handhaven in de behuizing 52 voor het neerslaan van een materiaalfilm op de profielen 124 en 126 terwijl de pijp 122 wordt rond gedraaid kan de behuizing 52 voorzien zijn van een via een flens gemonteerde appendage 132. De appendage 132 kan verdeeld zijn door middel van de scheidingswanden 134, 136, 138 20 in een aantal afgeschotte kamers 140, 142 en 144. De scheidingswanden . 134, 136 en 138 zijn voorzien van afdichtringen 146 die in licht con-4 tact staan met het oppervlak van de pijp 122 en die de gaslekkage tus sen de afgeschotte kamers 140, 142 en 144 naar het inwendige van de geëvacueerde kamer 52 zullen minimaliseren.
25 De afgeschotte kamer 144, die het verst verwijderd is van de be huizing 52, wordt enigszins onder druk gebracht met een inert gas zoals bijvoorbeeld argon via de leiding 148 en de klep 150. Eventuele lekkage van argon vanaf de kamer 144 via de scheidingswand 138 zorgt ervoor dat gas terecht komt in de buitenlucht en een eventuele lekkage via de 30 scheidingswand 136 laat gas toe in de kamer 142. De kamer 142 is via een leiding 152 en een klep 154 gekoppeld met een (niet getoonde) pomp waarvan de pompcapacaiteit groter is dan de lekkage vanaf de kamer 144 zodat de werkdruk in de kamer 142 ongeveer 1 psia benadert. Deze configuratie beperkt het drukverschil dat de lekkage tussen de kamers 144 en 35 142 mogelijk maakt. Bovendien is een (niet getoonde) verdere pomp ge koppeld met een leiding 156 en een klep 158 aan de kamer 140 teneinde de werkdruk te handhaven op een druk minder dan 1000 micron. Verdere afgeschotte kamers kunnen nodig zijn, waarbij het aantal zal variëren afhankelijk van de ruwheid van de pijp 122 en de mate van afdichting 40 die wordt gerealiseerd door de ringen 146. Met het gebruik van de afge- 8401296 11 schotte kamers 140, 142 en 144 is echter de mate van argon lekkage vanaf de kamer 144 naar de geëvacueerde kamer in de behuizing 52 zeer klein en argon dat eventueel lekt tot in de kamer 52 kan via de leiding 54 worden weggepompt.
5 Ervan uitgaande dat het inwendige van de pijp 122 is afgedicht is de wijze van bekleden van het profiel 124 soortgelijk aan de wijze van bekleden in de stelsels 50 en 90 die eerder werden besproken aan de hand van de figuren 5 en 6. Vanwege de naar verhouding grote onzekerheid veroorzaakt door de ruwheid van het oppervlak van de pijp 122 en 10 de mogelijke variatie in de leksnelheid tussen de pijpen onderling kan de werkelijke waarde van de argondruk in de kamer van de behuizing 152 tijdens een bepaald proces variëren. Daarom kan het nodig zijn om de onderhavige werkwijze toe te passen met een onafhankelijk ionisatieme-chanisme voor het magnetische veld 80 zodanig dat het magnetische veld 15 80 wordt opgewekt in het gebied rond het profiel 124 waar de bekleding moet worden uitgevoerd door toevoegen van de magneet 76. De verdampte atomen verlopen derhalve door de in het magnetische veld 80 rond cirkelende elektronen, worden geïoniseerd door botsingen met deze elektronen en onmiddellijk aangetrokken door de hoge negatieve potentiaal op 20 de pijp 122, opgewekt door de vermogensbron 61.
Er wordt opgemerkt dat de voorgaande beschrijving van de werkwijze geen gas vereist was voor het opwekken van de ionisatie. Er zijn echter omstandigheden waarin de behoefte aan een uniforme film over zeer onregelmatige oppervlakken het wenselijk maakt om een kleine hoeveelheid 25 inert gas toe te voegen om het materiaal te laten spreiden en daarmee de uniformiteit van de film te bevorderen. Er wordt opgemerkt dat dit gebruik van een inert gas zoals bijvoorbeeld argon plaats vindt bij een druk die over het algemeen ligt onder de kenmerkende druk van 10-20 micron die nodig is voor de ionisatie zodat de filmeigenschappen niet ne-30 gatief worden beïnvloed door gasinsluitsels in de neergeslagen film.
Zoals reeds werd opgemerkt wordt het profiel 124 bekleed in een vacuüm. Alhoewel in het inwendige van de pijp 122 een stop kan worden aangebracht teneinde het profiel 124 in een vacuüm te handhaven verdient het de voorkeur om beide profielen 124 en 126 te bekleden in het-35 zélfde vacuüm teneinde zowel de kosten als dë tijdsduur nodig voor het twee maal genereren van het vacuüm rond de pijp 122 te vermijden. Daarom wordt een eindkapsamenstelling gebruikt, in zijn algemeenheid aangeduid met het referentiecijfer 170, waarmee het mogelijk is een materi-aalfilm neer te slaan op het profiel 126 simultaan met de neerslag van 40 materiaal op het profiel 124 waardoor de vacuüm pompcapaciteit binnen 8401296
„ V
12 de behuizingskamer 52 volledig, wordt benut.
De eindkapsamenstelling 170 is voorzien van een kapelement 172 met een aantal afdichtingen 174, 176 en 178, waarvan er een zoals bijvoorbeeld de afdichting 178, rust tegen het uiteinde van de pijp 122. Der-5 halve wordt een vacuüm gepompt in het gehele inwendige van de pijp 122, de afdichting 178 wordt door middel van de atmosferische buitendruk stevig aangetrokken en de. kap 172 zal tezamen met de pijp 122 roteren.
Een lichaamselement 180 is roteerbaar gemonteerd in de eindkap 170 en kan bestaan uit een geschikte kunststof die goed isoleert, een lage 10 wrijvingscoëfficiënt bezit en warmtebestendig is zoals bijvoorbeeld wordt verkocht onder de handelsnaam TEFLON. Het lichaamselement 180 wordt aangegrepen door de klem 181 die rotatie ervan belet. Een geschikte oppervlakte-afdichting 182 en een afdichtende 0-ring 184 voorkomen lekkage. Een geschikt verdampingselement zoals een verhittings-15 draad 190 is aangebracht en aangesloten op een vermogensbron 192 via de elektrische leidingen 194 die door het lichaamselement 180 verlopen.
Een magneet 196 is bij voorkeur in de pijp 122 geplaatst aangrenzend aan het profiel 126 in het gebied waar de bekleding wordt gewenst teneinde een dichte elektronenwolk te realiseren voor botingsionisatie. De 20 magnetische krachtlijnen 198 van de magneten 196 vangen de elektronen die de verhitte draad 190 als gevolg van thermische emissie verlaten.
De atomen van het verdampte materiaal worden derhalve positief geïoniseerd in de elektronenwolk en versneld in de richting van de pijp 122 als gevolg van de hoge negatieve polariteit aangeboden door de vermo-25 gensbron 62.
Het zal derhalve duidelijk zijn dat de onderhavige uitvinding een werkwijze verschaft die het wegvreeteffect bij schroefdraadelementen tegengaat door het neerslaan van een materiaalfilm door middel van een ionenbekledingsproces met hoog energieniveau op het bewerkte oppervlak 30 van tenminste een schroefdraadelement voor het verschaffen van een dunne film op de samenwerkende metalen oppervlakken van een pijp.
Alhoewel de uitvinding is beschreven aan de hand van specifieke uitvoeringsvormen ervan zal het voor de deskundige duidelijk zijn dat diverse wijzigingen en modificaties kunnen worden gemaakt zonder buiten 35 het kader van de uitvinding te treden.
8401296

Claims (29)

1, Werkwijze voor het voorkomen van wegvreeteffecten bij samenwerkende van schroefdraad voorziene elementen, gekenmerkt door het neerslaan van een materiaalfilm in een met hoog energieniveau uitgevoerd 5 ionenbekledingsproces op het bewerkte profiel van tenminste een element teneinde een dunne mechanisch isolerende film te verschaffen op de samenwerkende metalen oppervlakken welke film een lage schuifspanningswaarde heeft teneinde daardoor de samenwerkende metalen oppervlakken van elkaar te scheiden en zodoende wegvreeteffecten te voorkomen,
2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat tenminste een van de van schroefdraad voorziene elementen wordt geroteerd tijdens het neerslaan van de film teneinde een uniforme film te verschaffen.
3. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de film wordt neergeslagen op het bewerkte profiel in een aantal lagen, waarbij 15 de binnenste laag harder is dan de buitenste laag,
4. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de film bestaat uit een materiaal gekozen uit de groep goud, zilver, lood, tin, indium en koper.
5. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de film be- 20 staat uit een harde film van vuurvast materiaal.
6. Werkwijze volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat de genoemde film van gehard vuurvast materiaal bestaat uit een metaalcarbidefilm.
7. Werkwijze volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat de genoemde film van gehard vuurvast materiaal bestaat uit een metaaloxidefilm.
8. Werkwijze volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat de film van gehard vuurvast materiaal bestaat uit een metaalnitridefilm.
9. Werkwijze volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat de film is neergeslagen met een dikte variërend tussen ongeveer 1000 ëngström en ongeveer 1 millimeter.
10. Werkwijze volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat de totale dikte van de gecombineerde lagen variëert tussen 500 angström en ongeveer 6 millimeter.
11. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de film bestaat uit een anorganische samenstelling met een gelaagd rooster.
12. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de film een palladiumfllm is.
13. Werkwijze volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat de binnenste filmlaag bestaat uit chroom en de buitenste filmlaag bestaat uit goud.
14. Werkwijze volgens conclusie 13, met het kenmerk, dat de dikte 84 0 1 29 6 van de chroomfilm ongeveer 2000 angstrom tot ongeveer 4000 angstrom bedraagt en de buitenste goudlaag ongeveer 2000 angstrom dik Is.
15. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de film bestaat uit een nikkel onderlaag bedekt door een buitenlaag.
16. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de film bestaat uit een legering die goud en koper bevat.
17. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de film bestaat uit een legering die palladium en koper bevat.
18. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de film 10 bestaat uit een legering die palladium en goud bevat.
19. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de film bestaat uit een legering die palladium en zilver bevat.
20. Werkwijze voor het door middel van een ionenbekledingswerkwij-ze bekleden van beide uiteinden van een langgerekt buisvormig element, 15 gekenmerkt door de volgende stappen: insluiten van de uiteinden in een kamer; evacuëren van een van de kamers waardoor via het buisvormige element in beide kamers een vacuüm ontstaat; verdampen van bekledingsmateriaal in elk van de geëvacuëerde kamers in 20 de nabijheid van de genoemde uiteinden; aanbieden van een negatieve voorspanning aan het element teneinde de positieve ionen van verdampt bekledingsmateriaal aan te trekken.
21. Werkwijze volgens conclusie 20, gekenmerkt door het roteren van het buisvormige element.
22. Werkwijze volgens conclusie 20, met het kenmerk, dat een mag netisch veld wordt aangelegd aangrenzend aan beide uiteinden.
23. Werkwijze volgens conclusie 20, gekenmerkt door het omsluiten van delen van het roterende element in afgeschotte kamers aangrenzend aan een van de geëvacueerde kamers.
24. Werkwijze volgens conclusie 23, met het kenmerk, dat de afge schotte kamer aangrenzend aan de geëvacueerde kamer leeggepompt wordt en de afgeschotte kamer die daarop volgt wordt voorzien van een inert gas.
25. Werkwijze voor het door midel van ionenbekleding aanbrengen 35 van een laag op de beide uiteinden van een langgerekt buisvormig element, gekenmerkt door de volgende stappen insluiten van het eerste uiteinde in een kamer waarbij het tweede uiteinde buiten de genoemde kamer blijft gepositioneerd; sluiten van het tweede uiteinde van het element met een roteerbare af-40 sluiting; 84 0 1 2 9 6 ' r - ^ evacuëren van de kamer waardoor het gebied rond de beide uiteinden wordt geëvacueerd; verdampen van bekledingsmateriaal in de geëvacueerde gebieden aangrenzend aan de beide uiteinden; en 5 aanbieden van een negatieve gelijkspanning aan het element teneinde de positieve ionen van verdampt bekledingsmateriaal aan te trekken.
26. Werkwijze volgens conclusie 25, gekenmerkt door het roteren van het buisvormige element*
27. Werkwijze volgens conclusie 25, gekenmerkt door het opwekken 10 van een magnetisch veld in de nabijheid van de uiteinden van het element .
28. Werkwijze volgens conclusie 25, met het kenmerk, dat het ver-dampingsmateriaal zich bevindt binnen het tweede uiteinde en buiten het eerste uiteinde.
29. Werkwijze volgens conclusie 27, met het kenmerk, dat het mag netische veld wordt opgewekt door magneten gepositioneerd binnen elk uiteinde van het element. ********** 840 129 6
NL8401296A 1983-04-22 1984-04-19 Werkwijze voor het voorkomen van invreet- of wegvreetverschijnselen. NL8401296A (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US48774983 1983-04-22
US06/487,749 US4468309A (en) 1983-04-22 1983-04-22 Method for resisting galling

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8401296A true NL8401296A (nl) 1984-11-16

Family

ID=23936968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8401296A NL8401296A (nl) 1983-04-22 1984-04-19 Werkwijze voor het voorkomen van invreet- of wegvreetverschijnselen.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4468309A (nl)
JP (1) JPH0625566B2 (nl)
DE (1) DE3413164A1 (nl)
FR (1) FR2544747B1 (nl)
GB (2) GB2142657B (nl)
NL (1) NL8401296A (nl)
NO (1) NO841578L (nl)

Families Citing this family (110)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5096558A (en) * 1984-04-12 1992-03-17 Plasco Dr. Ehrich Plasma - Coating Gmbh Method and apparatus for evaporating material in vacuum
JPS6137960A (ja) * 1984-07-28 1986-02-22 Tadanobu Okubo 金属表面加工方法
DE3428951A1 (de) * 1984-08-06 1986-02-13 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Mit einer deckschicht aus gold oder einem goldhaltigen material ueberzogener dekorativer gebrauchsgegenstand und verfahren zu seiner herstellung
JPS61111981A (ja) * 1984-11-05 1986-05-30 株式会社豊田中央研究所 セラミツク部品と金属部品との結合方法
DE3531801A1 (de) * 1985-09-06 1987-03-19 Kolbenschmidt Ag Leichtmetallkolben
WO1987006673A1 (en) * 1986-05-02 1987-11-05 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Joint for oil well pipes and method of manufacturing same
DE3623360A1 (de) * 1986-07-11 1988-01-14 Cameron Iron Works Gmbh Einrichtung mit einander benachbarten oberflaechen, zwischen denen hohe druecke und/oder hohe reibungsbeanspruchungen auftreten
SE460301B (sv) * 1986-10-15 1989-09-25 Sandvik Ab Skarvstaang foer slaaende bergborrmaskin
FR2607830B1 (fr) * 1986-12-08 1993-04-09 Univ Limoges Procede et dispositif pour le depot par vaporisation a l'interieur d'un tube
US4764394A (en) * 1987-01-20 1988-08-16 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and apparatus for plasma source ion implantation
JPS63293384A (ja) * 1987-05-27 1988-11-30 住友金属工業株式会社 ねじ継手付frp管
EP0298157B1 (en) * 1987-06-29 1992-09-02 Hauzer Holding B.V. Method and device for coating cavities of objects
US4826365A (en) * 1988-01-20 1989-05-02 White Engineering Corporation Material-working tools and method for lubricating
JPH01199088A (ja) * 1988-02-03 1989-08-10 Nippon Steel Corp 耐隙間腐食性に優れた高合金油井管用継手
US4988534A (en) * 1989-03-31 1991-01-29 General Electric Company Titanium carbide coating of bearing components
US5105879A (en) * 1991-03-20 1992-04-21 Baker Hughes Incorporated Method and apparatus for sealing at a sliding interface
FR2681472B1 (fr) 1991-09-18 1993-10-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur.
US5252365A (en) * 1992-01-28 1993-10-12 White Engineering Corporation Method for stabilization and lubrication of elastomers
IT1264630B1 (it) * 1993-06-30 1996-10-04 Agip Spa Protezione antigrippaggio perfezionata per giunti particolarmente adatta nel campo petrolifero
SE509821C2 (sv) * 1995-04-27 1999-03-08 Dart Engineering Ag Anordning vid snabbkopplingsdel
US5713610A (en) * 1995-10-13 1998-02-03 Santa Barbara Research Center Semi-permanent vacuum closure with multiple retubulation capability
US5685345A (en) * 1995-12-21 1997-11-11 Donaldson Company, Inc. Reinforcing structure for conduit; and method
KR970062277A (ko) * 1996-02-29 1997-09-12 도오다 고오이찌로 내연 기관용 피스톤
FR2748851B1 (fr) * 1996-05-15 1998-08-07 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une couche mince de materiau semiconducteur
US6098655A (en) * 1996-12-03 2000-08-08 Carolina Power & Light Company Alleviating sticking of normally closed valves in nuclear reactor plants
US6291313B1 (en) 1997-05-12 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Method and device for controlled cleaving process
US6033974A (en) 1997-05-12 2000-03-07 Silicon Genesis Corporation Method for controlled cleaving process
US6245161B1 (en) 1997-05-12 2001-06-12 Silicon Genesis Corporation Economical silicon-on-silicon hybrid wafer assembly
US20070122997A1 (en) 1998-02-19 2007-05-31 Silicon Genesis Corporation Controlled process and resulting device
US6027988A (en) * 1997-05-28 2000-02-22 The Regents Of The University Of California Method of separating films from bulk substrates by plasma immersion ion implantation
US6548382B1 (en) 1997-07-18 2003-04-15 Silicon Genesis Corporation Gettering technique for wafers made using a controlled cleaving process
FR2773261B1 (fr) 1997-12-30 2000-01-28 Commissariat Energie Atomique Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions
US6291326B1 (en) 1998-06-23 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Pre-semiconductor process implant and post-process film separation
WO2001098623A1 (en) * 1998-11-16 2001-12-27 Shell Oil Company Radial expansion of tubular members
US6823937B1 (en) * 1998-12-07 2004-11-30 Shell Oil Company Wellhead
GB2344606B (en) * 1998-12-07 2003-08-13 Shell Int Research Forming a wellbore casing by expansion of a tubular member
US7195064B2 (en) * 1998-12-07 2007-03-27 Enventure Global Technology Mono-diameter wellbore casing
DE19916168B4 (de) * 1999-04-12 2004-08-12 Alma-Mechanik Metallteile Gmbh Befestigungsanordnung
US6500732B1 (en) 1999-08-10 2002-12-31 Silicon Genesis Corporation Cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses
US6221740B1 (en) 1999-08-10 2001-04-24 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving tool and method
JP2003506883A (ja) 1999-08-10 2003-02-18 シリコン ジェネシス コーポレイション 低打ち込みドーズ量を用いて多層基板を製造するための劈開プロセス
US6263941B1 (en) 1999-08-10 2001-07-24 Silicon Genesis Corporation Nozzle for cleaving substrates
US7250196B1 (en) 1999-10-26 2007-07-31 Basic Resources, Inc. System and method for plasma plating
US6521104B1 (en) 2000-05-22 2003-02-18 Basic Resources, Inc. Configurable vacuum system and method
US6503379B1 (en) 2000-05-22 2003-01-07 Basic Research, Inc. Mobile plating system and method
US7100685B2 (en) * 2000-10-02 2006-09-05 Enventure Global Technology Mono-diameter wellbore casing
JP3931564B2 (ja) * 2001-01-25 2007-06-20 住友金属工業株式会社 耐焼付き性及び防錆性に優れた鋼管用ねじ継手
JP4399121B2 (ja) * 2001-02-13 2010-01-13 富士フイルム株式会社 撮像システム
RU2258859C2 (ru) * 2001-04-11 2005-08-20 Сумитомо Метал Индастриз, Лтд. Резьбовое соединение для стальных труб (варианты)
FR2823599B1 (fr) 2001-04-13 2004-12-17 Commissariat Energie Atomique Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation
DE10124933A1 (de) * 2001-05-21 2002-11-28 Endress & Hauser Gmbh & Co Kg Anordnung aus einem metallischen Deckel und einem metallischem Gehäuse eines Meßgerätes und Verfahren zu deren Herstellung
JP3870732B2 (ja) * 2001-07-25 2007-01-24 住友金属工業株式会社 耐焼付き性に優れた鋼管用ねじ継手
GB2396639B (en) 2001-08-20 2006-03-08 Enventure Global Technology An apparatus for forming a wellbore casing by use of an adjustable tubular expansion cone
KR100378586B1 (ko) * 2001-08-29 2003-04-03 테커스 (주) 엑티브엑스 기반의 키보드 해킹 방지 방법 및 장치
US7775290B2 (en) 2003-04-17 2010-08-17 Enventure Global Technology, Llc Apparatus for radially expanding and plastically deforming a tubular member
WO2004081346A2 (en) 2003-03-11 2004-09-23 Enventure Global Technology Apparatus for radially expanding and plastically deforming a tubular member
GB0130967D0 (en) * 2001-12-24 2002-02-13 Hunting Oilfield Services Ltd Anti galling threaded joint
US7918284B2 (en) 2002-04-15 2011-04-05 Enventure Global Technology, L.L.C. Protective sleeve for threaded connections for expandable liner hanger
US20030180450A1 (en) * 2002-03-22 2003-09-25 Kidd Jerry D. System and method for preventing breaker failure
EP1985798A2 (en) 2002-04-12 2008-10-29 Enventure Global Technology Protective sleeve for threated connections for expandable liner hanger
ES2334658T3 (es) * 2002-05-31 2010-03-15 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Union de rosca para conducto de acero.
WO2004027392A1 (en) 2002-09-20 2004-04-01 Enventure Global Technology Pipe formability evaluation for expandable tubulars
US8187377B2 (en) 2002-10-04 2012-05-29 Silicon Genesis Corporation Non-contact etch annealing of strained layers
FR2848336B1 (fr) 2002-12-09 2005-10-28 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une structure contrainte destinee a etre dissociee
US8205680B2 (en) 2003-01-09 2012-06-26 Enventure Global Technology, Llc Expandable connection
US7886831B2 (en) 2003-01-22 2011-02-15 Enventure Global Technology, L.L.C. Apparatus for radially expanding and plastically deforming a tubular member
US20040174017A1 (en) * 2003-03-06 2004-09-09 Lone Star Steel Company Tubular goods with expandable threaded connections
US7169239B2 (en) * 2003-05-16 2007-01-30 Lone Star Steel Company, L.P. Solid expandable tubular members formed from very low carbon steel and method
FR2856844B1 (fr) 2003-06-24 2006-02-17 Commissariat Energie Atomique Circuit integre sur puce de hautes performances
FR2857953B1 (fr) 2003-07-21 2006-01-13 Commissariat Energie Atomique Structure empilee, et procede pour la fabriquer
US7712522B2 (en) 2003-09-05 2010-05-11 Enventure Global Technology, Llc Expansion cone and system
US20050126497A1 (en) * 2003-09-30 2005-06-16 Kidd Jerry D. Platform assembly and method
FR2861497B1 (fr) 2003-10-28 2006-02-10 Soitec Silicon On Insulator Procede de transfert catastrophique d'une couche fine apres co-implantation
US20050181177A1 (en) * 2004-02-18 2005-08-18 Jamie Knapp Isotropic glass-like conformal coatings and methods for applying same to non-planar substrate surfaces at microscopic levels
JP4599874B2 (ja) * 2004-04-06 2010-12-15 住友金属工業株式会社 油井管用ねじ継手、及びその製造方法
GB2432866A (en) 2004-08-13 2007-06-06 Enventure Global Technology Expandable tubular
CA2481609A1 (en) * 2004-09-28 2006-03-28 Argus Machine Co. Ltd. Threaded connection for drill pipes
AT7941U1 (de) * 2004-12-02 2005-11-15 Ceratizit Austria Gmbh Werkzeug zur spanabhebenden bearbeitung
US7883118B2 (en) * 2005-03-29 2011-02-08 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Threaded joint for steel pipes
FR2889887B1 (fr) 2005-08-16 2007-11-09 Commissariat Energie Atomique Procede de report d'une couche mince sur un support
AR057940A1 (es) * 2005-11-30 2007-12-26 Tenaris Connections Ag Conexiones roscadas con recubrimientos de alta y baja friccion
US7562911B2 (en) * 2006-01-24 2009-07-21 Hydril Usa Manufacturing Llc Wedge thread with sealing metal
US8993410B2 (en) 2006-09-08 2015-03-31 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving under controlled stress conditions
US7811900B2 (en) 2006-09-08 2010-10-12 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating solar cells using a thick layer transfer process
US8293619B2 (en) 2008-08-28 2012-10-23 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled propagation
US9362439B2 (en) 2008-05-07 2016-06-07 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled shear region
JP5028923B2 (ja) * 2006-09-14 2012-09-19 住友金属工業株式会社 鋼管用ねじ継手
FR2910179B1 (fr) 2006-12-19 2009-03-13 Commissariat Energie Atomique PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GaN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DEPART
FR2925221B1 (fr) 2007-12-17 2010-02-19 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'une couche mince
DE502008001944D1 (de) * 2008-06-17 2011-01-13 Ti Automotive Heidelberg Gmbh Schraubelement und Rohranschlusseinrichtung für den Anschluss von Rohrleitungen
US8330126B2 (en) 2008-08-25 2012-12-11 Silicon Genesis Corporation Race track configuration and method for wafering silicon solar substrates
US8329557B2 (en) 2009-05-13 2012-12-11 Silicon Genesis Corporation Techniques for forming thin films by implantation with reduced channeling
FR2947098A1 (fr) 2009-06-18 2010-12-24 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'une couche mince sur un substrat cible ayant un coefficient de dilatation thermique different de celui de la couche mince
US20110084477A1 (en) * 2009-10-13 2011-04-14 Hydril Company Wedge threads with a solid lubricant coating
US8356843B2 (en) * 2010-09-27 2013-01-22 Hamilton Sundstrand Corporation Refrigeration system connection fitting
WO2013052546A1 (en) * 2011-10-03 2013-04-11 Exxonmobil Research And Engineering Company Methods for coating tubular devices used in oil and gas drilling, completions and production operations
US9617800B2 (en) 2012-02-23 2017-04-11 Shell Oil Company Connector assembly
WO2014095836A1 (en) * 2012-12-20 2014-06-26 Shell Internationale Research Maatschappij B.V. Pipe connector and method
JP6204496B2 (ja) 2013-01-11 2017-09-27 テナリス・コネクシヨンズ・ベー・ブイ 耐ゴーリング性ドリルパイプツールジョイントおよび対応するドリルパイプ
DE102013213503A1 (de) * 2013-07-10 2014-08-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Schraubverbindung für vakuumanwendungen
US9840765B2 (en) * 2013-10-16 2017-12-12 General Electric Company Systems and method of coating an interior surface of an object
JP2015143556A (ja) * 2014-01-31 2015-08-06 大成建設株式会社 管継手構造
JP6452321B2 (ja) * 2014-05-27 2019-01-16 株式会社友電舎 配管締結用ステンレス鋼製ねじ部材の製造方法
AT516684B1 (de) * 2015-01-13 2018-08-15 Voestalpine Tubulars Gmbh & Co Kg Lösbare Gewindeverbindung mit asymmetrischer Beschichtung
FR3035476B1 (fr) * 2015-04-23 2017-04-28 Vallourec Oil & Gas France Joint filete tubulaire dote d'un revetement metallique sur le filetage et la portee d'etancheite
US9470044B1 (en) 2015-07-06 2016-10-18 Pegasis S.r.l. Threaded connection having high galling resistance and method of making same
US10830002B2 (en) * 2017-04-20 2020-11-10 Megalex, Llc Buckling-resistant sucker rod
DE202017103484U1 (de) * 2017-06-09 2018-09-13 Gea Mechanical Equipment Gmbh Schraubverbindung an einer Zentrifuge
US11248289B2 (en) * 2017-11-10 2022-02-15 Dallas Thin Films Multilayered corrosion and anti-galling coating for threads and wearable materials
FR3118721B1 (fr) * 2021-01-11 2023-05-12 Commissariat Energie Atomique Procede de preparation de la surface d’une piece et procede d’assemblage par brasage direct d’une piece ainsi preparee

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR797616A (fr) * 1935-11-12 1936-05-01 Kattowitzer Aktien Ges Fuer Be Procédé pour éviter le grippage dans les filetages
CH301090A (de) * 1950-12-27 1954-08-31 Elov Englesson John Verfahren zur Herstellung von Schraubenverbänden.
GB861892A (en) * 1958-02-19 1961-03-01 Anadite Inc Improvements in vacuum metalizing high tensile steel parts more particularly steel aircraft parts
JPS4627461Y1 (nl) * 1968-05-07 1971-09-22
US3639151A (en) * 1969-03-13 1972-02-01 United Aircraft Corp Vapor randomization in vacuum deposition of coatings
AT290370B (de) * 1969-04-22 1971-05-25 Wienerberger Baustoffind Ag Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers
US3806380A (en) * 1971-03-05 1974-04-23 Hitachi Ltd Method for hardening treatment of aluminum or aluminum-base alloy
US3925116A (en) * 1972-08-09 1975-12-09 Niels N Engel Superhard martensite and method of making the same
JPS5226217B2 (nl) * 1972-11-16 1977-07-13
US4054426A (en) * 1972-12-20 1977-10-18 White Gerald W Thin film treated drilling bit cones
US3857682A (en) * 1973-02-07 1974-12-31 G White High temperature resistive and dry lubricated film surfaces
DE2346738A1 (de) * 1973-09-17 1975-04-24 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zum aufbringen duenner schichten auf flaechenhafte gebilde
US3914178A (en) * 1974-01-23 1975-10-21 Amerace Corp Wear reducing coating
US3951642A (en) * 1974-11-07 1976-04-20 General Electric Company Metallic coating powder containing Al and Hf
US3952334A (en) * 1974-11-29 1976-04-27 General Atomic Company Biocompatible carbon prosthetic devices
JPS5165039A (ja) * 1974-12-03 1976-06-05 Seiko Instr & Electronics Metsukihoho
US4016389A (en) * 1975-02-21 1977-04-05 White Gerald W High rate ion plating source
JPS5235775A (en) * 1975-09-17 1977-03-18 Yukihiko Okazaki Method of forming sliding surface in vacuum apparatus
JPS5282683A (en) * 1975-12-29 1977-07-11 Seiko Epson Corp Manufacture of punch unit for paper tape
GB1542299A (en) * 1976-03-23 1979-03-14 Warner Lambert Co Blade shields
CH611938A5 (nl) * 1976-05-19 1979-06-29 Battelle Memorial Institute
US4181590A (en) * 1977-08-16 1980-01-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method of ion plating titanium and titanium alloys with noble metals and their alloys
US4109061A (en) * 1977-12-08 1978-08-22 United Technologies Corporation Method for altering the composition and structure of aluminum bearing overlay alloy coatings during deposition from metallic vapor
JPS56156767A (en) * 1980-05-02 1981-12-03 Sumitomo Electric Ind Ltd Highly hard substance covering material
US4342631A (en) * 1980-06-16 1982-08-03 Illinois Tool Works Inc. Gasless ion plating process and apparatus
JPS5858273A (ja) * 1981-10-01 1983-04-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 被覆超硬合金
GB2123039B (en) * 1982-03-23 1985-10-23 Atomic Energy Authority Uk Coatings for cutting implements

Also Published As

Publication number Publication date
GB2168724B (en) 1987-02-04
GB8407983D0 (en) 1984-05-10
FR2544747B1 (fr) 1989-02-03
DE3413164C2 (nl) 1992-10-01
GB2142657A (en) 1985-01-23
JPS59200803A (ja) 1984-11-14
JPH0625566B2 (ja) 1994-04-06
GB2142657B (en) 1987-02-04
NO841578L (no) 1984-10-23
GB8600198D0 (en) 1986-02-12
DE3413164A1 (de) 1984-10-25
GB2168724A (en) 1986-06-25
US4468309A (en) 1984-08-28
FR2544747A1 (fr) 1984-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8401296A (nl) Werkwijze voor het voorkomen van invreet- of wegvreetverschijnselen.
Mattox Physical vapor deposition (PVD) processes
Waits Planar magnetron sputtering
EP0435098A2 (en) Deposition apparatus and method for enhancing step coverage and planarization of semiconductor wafers
JP2008506840A (ja) 事前に組立済みのプロセス配管の内部表面を現場においてコーティングする方法及びシステム
US20130209006A1 (en) Current insulated bearing components and bearings
JPH10259480A (ja) イオン化スパッタリング装置
Window Issues in magnetron sputtering of hard coatings
EP2963145A1 (en) Coating and method for its deposition to operate in boundary lubrication conditions and at elevated temperatures
JP4563966B2 (ja) 半導体加工装置用部材およびその製造方法
JPH0261547B2 (nl)
WO2013184231A1 (en) Anti-diffusion metal coated o-rings
KR101724375B1 (ko) 나노구조 형성장치
JP2001214269A (ja) 硬質炭素積層膜とその形成方法
US5601654A (en) Flow-through ion beam source
RU2522874C1 (ru) Способ защиты поверхности алюминия от коррозии
JP4903104B2 (ja) 半導体加工装置用部材
KR101696838B1 (ko) 나노 구조 형성용 스퍼터링 장치
US20090057134A1 (en) Thin film application device and method for coating small aperture vacuum vessels
US20210050192A1 (en) Magnetron sputtering device
US20100058986A1 (en) System and method for plasma plating
RU2173911C2 (ru) Получение электродуговой плазмы в криволинейном плазмоводе и нанесение покрытия на подложку
Pierson CVD/PVD coatings
RU2214476C2 (ru) Способ формирования покрытия из драгоценных металлов и их сплавов
Fukami et al. Target erosion pattern in planar magnetron sputtering

Legal Events

Date Code Title Description
A85 Still pending on 85-01-01
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
BV The patent application has lapsed