FR2544747A1 - Procede de protection contre les dommages par frottement - Google Patents
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Abstract
L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE PROTECTION CONTRE LES DOMMAGES PAR FROTTEMENT. LE PROCEDE CONSISTE A DEPOSER UNE PELLICULE DE MATIERE PAR PLACAGE IONIQUE A HAUT NIVEAU D'ENERGIE SUR LES SURFACES USINEES 12, 14 D'AU MOINS UNE PIECE FILETEE 10, 16 AFIN DE FORMER UNE MINCE PELLICULE ISOLANTE MECANIQUEMENT SUR LA PARTIE FILETEE 10, 16 AVEC UNE FAIBLE VALEUR DE CONTRAINTES AU CISAILLEMENT. L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT A LA PROTECTION DES FILETAGES DES TUBES DE FORAGE PETROLIER.
Description
La présente invention se rapporte aux procédés de protection contre les
dommages par frottement et concerne plus particulièrement un tel procédé destiné à des raccords à vis qui ont une forte tendance aux dommages par frottement lorsqu'ils sont montés ou démontés. Le dommage par frottement est une forme d'usure par adhérence qui est plus marquée sous des contraintes relativement élevées Le grippage des éléments associés résulte fréquemment d'un dommage sévère par frottement et se produit habituellement tôt dans l'existence d'un équipement Les éléments à vis sont connus particulièrement
pour leur forte tendance au grippage.
Quand deux surfaces sont serrées l'une contre l'autre, ces surfaces coopérantes peuvent former de fortes liaisons sous l'effet de la haute pression et de
la chaleur développées localement par un mouvement ulté-
rieur Si ces liaisons se séparent à la surface de contact, il ne se produit que peu de dommages et les pièces se déplacent régulièrement; par contre, si une fissure se produit dans une matière ou l'autre, il en résulte des
dommages importants Ce sont les dommages par frottement.
Dans le passé, des lubrifiants organiques et minéraux ont été utilisés pour la protection contre les
dommages par frottement Des procédés courants déjà utili-
sés comprennent le placage électrolytique métallique
d'étain et/ou de zinc qui peut soulever de sérieux pro-
blèmes d'élimination des déchets dans l'environnement.
Des revêtements de conversion phosphatée ont été également été utilisés et posent aussi des problèmes d'élimination dans l'environnement et sont limités au type de matière support sur laquelle ils peuvent être appliqués Des pellicules lubrifiantes de base comme un mélange pour vis modifié par l'American Petroleum Institute, couramment utilisé sur des raccords à vis, permettent le glissement entre les pièces mobiles, dans la mesure o elles ne sont pas détruites ou déforméeschimiquement, thermiquement ou physiquement Mais, quand le lubrifiant a été pénétré, une soudure à froid des surfaces actives en contact entre elles commence à se produire Le soudage à froid entraîne
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la destruction par dommage par frottement des surfaces associées.
Le besoin existe donc d'un procédé de protec-
tion contre les dommages par frottement de surface;métal-
liquescoopérantes que ce-soit des surfaces d'étanchéité,
des épaulements ou des éléments filetés.
L'invention concerne donc un procédé pour éléminer pratiquement les problèmes de dommages par frottement, associés jusqu'ici avec le montage et le
démontage répétés de raccords à vis.
Selon l'invention, un procédé est prévu pour la protection contre les dommages par frottement de deux pièces filets coopérantes Le procédé consiste à déposer une pellicule de matière par un placage ionique de haut niveau d'énergie sur les surfaces usinées de l'une au moins des pièces filetés, en formant ainsi une mince pellicule isolante mécaniquement sur la pièce fileté-, avec une faible
valeur de contraintes en cisaillement.
Selon un autre aspect, l'invention concerne un procédé de protection contre les dommages par frottement de deux pièces filetees, mâle et femelle coopérantes, consistant à déposer une pellicule de matière par placage ionique à haut niveau d'énergie sur les surfaces usinées de chacune des pièces en formant une mince pellicule sur chacune des surfaces métalliques-coopérant avec une faible valeur de contraintes au cisaillement, de manière à séparer et à isoler les structures actives de réseaux atomiques des surfaces métalliques coopérantes, quand les pièces sont assemblées, assurant ainsi une protection contre les
dommages par frottement.
Selon un autre aspect encore, l'invention-
concerne un procédé de protection contre les dommages par frottement de pièces filets consistant à produire une mince pellicule de matières isolantes mécaniquement sur les surfaces usinées, pénétrant dans la matière de base de la pièce filetée, une mince pellicule intermédiaire pénétrant dans la matière de base de la pièce filetée,
faisant partie intégrante du réseau atomique du substrat.
D'autres caractéristiques et avantages de
l'invention apparaîtront au cours de la description qui
va suivre.
Aux dessins annexés, donnés uniquement à titre d'exemples nullement limitatifs: La figure 1 est une coupe à grande échelle d'un raccordement fileté entre deux pièces tubulaires, La figure 2 est une coupe à grande échelle d'un filet de l'une des pièces tubulaires de la figure 1, revêtue selon un aspect de l'invention, La figure 3 est une coupe à grande échelle d'un filet de l'une des pièces tubulaires de la figure 1 qui a été revêtu selon un autre aspect de l'invention, La figure 4 est une courbe illustrant comment la composition des revêtements selon l'invention change avec des revêtements multiples,
La figure 5 est un schéma illustrant l'utili-
sation d'un placage ionique pour la mise en oeuvre du procédé de l'invention, La figure 6 illustre l'utilisation d'une pulvérisation pour la mise en oeuvre du procédé selon l'invention,et La figure 7 est un schéma illustrant un dispositif selon l'invention pour revêtir des filetages
sur une pièce tubulaire allongée.
L'invention convient pour la protection contre les dommages par frottement des raccords à vis dans de nombreuses applications différentes, mais ce problème des raccords à vis est particulièrement courant dans l'industrie du pétrole et du gaz, au montage et au démontage des tubes de production En particulier, les dommages par frottement constituent un problème majeur pour les matériaux tubulaires des champs pétroliers en alliage d'acier inoxydable et à base de nickel, et qui sont nécessaires pour pallier les conditions corrosives dans
un forage.
La figure 1 représente une pièce tubulaire mâle, comme un tube, portant un filetage 12 qui coopère avec un taraudage 14 sur une pièce tubulaire femelle coopérante, comme un tube 16 L'assemblage vissé entre les tubes 10 et 16 comprend des surfaces planes 20 et 22 et des surfaces d'étanchéité 24 et 26 La figure 1 représente une configuration particulière du filetage,
mais l'invention s'applique à n'importe quel type d'assem-
blage vissé Les dommages par frottement peuvent se produire entre n'importe quelle partie de l'assemblage vissé, mais
les surfaces d'étanchéité 24 et 26 constituent généra-
lement le point le plus mauvais pour les dommages par frottement. Selon un aspect, le procédé selon l'invention consiste à déposer une pellicule métallique-qui pénètre dans la surface des filets de métal 12 et 14, en plus des surfaces planes 20 et 22 et des surfaces d'étanchéité 24 et 26 La pellicule métallique est déposée comme une partie intégrante du réseau atomique sous-jacent, avec une épaisseur et une couverture uniformes, par un dépôt à haute énergie de particules de dimensions atomiques des matières fonctionnelles voulues La pellicule de matière peut consister par exemple en un quelconque des métaux doux comme par exemple l'or, l'argent, le plomb, l'étain, l'indium, le palladium et le cuivre ayant des propriétés de faible frottement, de bonne adhérence et de faible résistance au cisaillement, et qui peuvent être déposés par l'opération de placage ionique à haut niveau en une mince pellicule adhérant directement sur tout le profil du filet usiné En particulier, le présent procédé consiste à prévoir un profil usiné traité par une pellicule mince, avec une ou plusieurs pellicules superficielles déposées sur les surfaces extérieures par une opération de placage ionique avec un haut niveau d'énergie des particules D'autres types de pellicules 12 peuvent être utilisées comme par exemple des composés minéraux à
réseau stratifié, comme le bisulfure de molybdène.
En outre, si un alliage résistant à la corrosion est utilisé dans les tubes 10 et 16, il peut être souhaitable de prévoir une ou plusieurs pellicules d'interface de matière dure comme le chrome, de titane ou différentes matières réfractaires durcies comme des carbures métalliques, des nitrures métalliques, des matières céramiques ou des cermets Dans ce cas, la surface extérieure
de la matière durcie se mélange avec une couche de pel-
licule isolante mécaniquement plus douce de sorte qu'un pouvoir lubrifiant est conféré à la couche initiale de
revêtement dur.
La figure 2 est une coupe à grande échelle d'un filet 14 montrant la formation d'un alliage pénétrant d'une mince pellicule de protection et d'une pellicule extérieure, déposée par des opérations de pulvérisation
ou de placage ionique à haut niveau d'énergie des parti-
cules Au début d'un dépôt, les ions initiaux arrivent sous une accélération par charge électrique et s'encastrent dans la structure 30 de réseau sous-jacent Quand le dépôt se poursuit, par exemple en utilisant un métal dur comme du chrome, une mince couche 32 est déposée pour assurer la solidité et la longévité de la surface du
filet 14 Quand le dépôt se poursuit encore, la pénétra-
tion des matières commence, le pourcentage de la mince couche 32 de matière dure sous-jacente diminuant de façon permanente, ce qui s'accompagne d'une augmentation de la composition en pourcentage de la couche de matière extérieure 34, par exemple de l'or Les épaisseurs totales des couches combinées 32 et 34 peuvent être de l'ordre de 1 à 1,2 A L'épaisseur de la couche de matière 34 peut être par exemple d'environ 0,2 A En variante, et à volonté, les couches multiples peuvent être utilisées comme par exemple une couche intérieure de titane, une
seconde couche de carbure de titane et une couche exté-
rieure de nitrate de titane.
La figure 3 montre le revêtement d'un filet 14 avec un revêtement d'une seule pellicule Ce revêtement
d'une seule pellicule peut être utilisé dans appli-
cations o les dommages par frottement sont moins sévères que ceux qui nécessitent des revêtements à couches multiples comme le montre la figure 2 Une pellicule d'un seul élément sous forme d'une couche 36 de matière appropriée peut être utilisée en appliquant la couche de matière 36 sur le filet 14 par une opération de placage ionique à
haut niveau des particules Il s'est avéré que des revête-
ments simples de cuivred'indium ou d'or permettent de monter et de démonter jusqu'à dix fois les joints d'outils, comparativement à la moitié de ce nombre pour des joints
d'outils non revêtus.
En outre, pour améliorer encore l'adhérence de
la couche 36 sur le filet 14 ou pour pallier les problèmes-
associés avec une faible affinité de la couche de matière 36 sur le filet 14, une mince couche 38 d'environ 0,2 g de matière active mutuellement, comme par exemple de nickel, est avantageuse Les caractéristiques uniformes de revêtement tridimensionnel du placage ionique permet la formation d'une couche sur une surface 40 même si cette dernière est masquée dans la direction du flux de placage
indiqué par la flèche 42.
La figure 4 est une courbe de la composition d'alliage en pourcentage en fonction de l'épaisseur du dépôt-pour une matière A, ligne 44 et une matière B; ligne 46 La matière A peut être par exemple une couche de chrome 32 (figure 2) et la matière B peut être par
exemple une couche d'or comme la couche 34 (figure 2).
Pour la première épaisseur de 0,4 à, la couche 32 est nettement plus dure Quand le dépôt se poursuit, le pourcentage de matière B plus douce que la couche 34 commence à augmenter tandis que la quantité de la couche 32 de matière A diminue Sur l'épaisseur extérieure de 0,2 A, la pellicule est pratiquement entièrement en matière
douce comme-la couche d'or 34.
Les minces couches peuvent être appliquées sur les tubes 10 et 16 par plusieurs procédés différents, par exemple par dépôt de vapeur chimique, évaporation sous vide, également appelés dépôt de vapeur physique, par pulvérisation, y compris à haute fréquence, en courant continu et diverses versions à magnétron et le placage ionique, comme le décrit le brevet des Etats-Unis d'Amérique N O Re 30 401. Un aspect important de l'invention réside dans l'utilisation d'un procédé perfectionné de placage ionique, avec des niveaux d'énergie élevés des particules, permettant de plaquer des supports comme des tubes filetés avec une large variété de matières et des vitesses de dépôt élevées Le procédé de l'invention permet un flux d'énergie élevé vers la surface du support, produisant une température superficielle élevée améliorant la diffusion et les réactions chimiques sans nécessiter un chauffage de masse, sans modifier la structure de surface et d'interface ou sans mélange physique des pellicules pendant leur dépôt Le placage ionique offre des vitesses de dépôt élevées permettant de mesurer les pellicules
minces en mm plutôt qu'en Angstroms La plus grande puis-
sance de projection imprimée aux ions facilite de façon avantageuse le revêtement de plus grands objets de forme irrégulière, de plus grand diamètre intérieur ou de plus grandes convolutions avec une pellicule déposée de façon uniforme dans une plage de pellicules extrêmement minces
jusqu'à des épaisseurs de l'ordre du mm.
La figure 5 illustre le procédé perfectionné de placage ionique selon l'invention, qui consiste en un
système de placage sous vide avec une source d'évapora-
tion dans laquelle des atomes de substance évaporée sont ionisés par collision d'électrons en passant par un champ magnétique vers le substrat, afin de convertir la matière à plaquer sur le substrat à l'état de plasma dans la région de ce substrat La référence 50 désigne globalement un dispositif de placage ionique destiné à la mise en oeuvre de l'invention Le dispositif 50 comporte une enceinte 52 qui convient pour y faire le vide L'enceinte 52 peut être verticale ou horizontale et peut être faite de toute matière appropriée pour maintenir la pression sous vide L'enceinte 52 comporte une sortie 54 contrôlée par une vanne 56, conduisant à une pompe (non-représentée) pour la mise sous vide de l'enceinte 52 Le dispositif 50 peut être ramené à la pression atmosphérique au moyen d'une vanne 57. Un appareil 58 est prévu dans l'enceinte 52
pour supporter un ou plusieurs supports 60 à revêtir.
Comme le montre la figure 5, le support 60 comporte les taraudages intérieurs d'un raccord de tuyaux Une source 61 de tension continue et une source 62 d'alimentation à_ haute fréquence sont connectées à l'appareil 58 pour attirer vers le support 60 des ions positifs provenant d'une source de vaporisation de matière La source de vaporisation peut être toute source appropriée susceptible de vaporiser une matière de placage, comme par exemple une tige réfractaire, un canon à électrons, un creuset chauffé par induction, un arc électrique, ou comme le montre la figure 5, un ou plusieurs filaments électriques 64 et 66 qui sont à leur tour connectés à des sources d'alimentation 68 et 70 respectivement Deux de ces sources de vaporisation 64 et 66 peuvent être utilisées pour le dépôt de différentes matières et des dépôts à des périodes différentes Une conduite 72 d'arrivée de gaz contrôlée par une vanne de mesure 74 est branchée sur l'enceinte 52 de manière que du gaz d'entrée puisse être injecté dans cette enceinte 52 Le gaz d'entrée peut être un gaz inerte
ou autre gaz qui convient pour remplir des fonctions spé-
cifiques, comme par exemple le nettoyage du support 60 par bombardement d'ions de gaz inerte avant l'opération de placage, ou de diffusion par collision d'atomes de produits évaporés pour améliorer l'uniformité du revêtement d'objets tridimensionnels Le générateur à haute fréquence
62 est prévu pour cette dernière fonction car une pulvé-
risation à haute fréquence nettoie généralement mieux que le nettoyage par une source de courant continu En outre, le gaz inerte peut être un plasma gazeux contenant
254474 ?
un métal pour produire une forte pénétration de ce métal.
L'appareil 58 comporte un aimant 76 qui peut consister par exemple en des aimants permanents ou des électro-aimants et des aimants 78 pour établir un champ magnétique 80 près du substrat 60 afin que des atomes d'une substance évaporée passant par les électrons qui sont mis en spirale dans le champ magnétique 80 soient ionisés par collision avec les électrons et soient immédiatement attirés par le fort potentiel négatif développé par la charge négative de la source d'alimentation 61 Toutes les connexions établies avec l'intérieur de l'enceinte 52
passent par des isolants 82.
Pour la mise en oeuvre du procédé selon l'invention, le dispositif 50 de placage ionique à haut niveau d'énergie représenté sur la figure 5 est vidé par la sortie 54 par une source de vide appropriée, par exemple environ 1, 3 x 10 Pa S'il y a lieu d'assurer le nettoyage du substrat 60 pour raisons physiques ou chimiques, un gaz peut être introduit dans l'enceinte'52 par la conduite 72, par exemple sous une pression de 10 à 20 d et un plasma à haute fréquence formé par le gaz bombarde la surface du support 60, pour effectuer un bon nettoyage Après le nettoyage, le gaz
est extrait de la chambre sous vidé 52 avant le déclenche-
ment de l'opération de placage.
Une polarisation continue négative, par exemple de 3 à 5 k V produite par la source d'alimentation 61 peut être appliquée à l'appareil 58 qui fonctionne coqmme une cathode pour attirer des ions positifs vers le
support 60, par attraction par une forte chute de tension.
Le placage commence quand l'un ou les deux filaments électriques 64 ou 66 sont chauffés à une température
suffisamment élevée pour vaporiser la matière de placage.
Si les sources 64 et 66 sont chauffées par résistance, des sources d'alimentation 68 et 70 de courant alternatif
à basse tension, haute intensité, sont utilisées.
Les aimants 76 et 78 produisent UA champ magnétique 80 pour des électrons thermiques provenant du produit évaporé, provoquant un mouvement en spirale de ces électrons et offrant ainsi une section d'ionisation dense aux atomes de substance évaporée passant par le nuage vers le substrat 60 Ainsi, l'ionisation est maximale dans la région du support 60 o le besoin est le plus grand L'un ou les deux filaments électriques 64, 66 à résistance peuvent être utilisés en modifiant l'alimentation des sources 68 et 70 pour les filaments 64 et 66 respectivement afin d'obtenir und ou plusieurs
pellicules ou couches de matière sur le support 60.
L'appareil de mise en oeuvre du procédé selon l'invention a été décrit cidessus dans le cas d'un dispositif conventionnel 50 de placage ionique, mais une technique par pulvérisation peut également
convenir La figure 6 illustre un dispositif de pulvé-
risation désigné globalement par la référence 90, les éléments semblables et correspondants déjà identifiés sur le dispositif de placage ionique 50 de la figure 5 étant désignés par les mêmes références Le dispositif 90 de placage par pulvérisation comporte une cathode 92 en matière de placage Le support 60 est placé dans un
plasma inerte 94 qui est entretenu par une source d'ali-
mentation 96 La source d'alimentation 96 peut être une source à haute fréquence ou de tension continue Le support 60 peut être maintenu au potentiel de la masse ou à une valeur négative par une source de tension 98 Des ions positifs 100 du plasma de gaz inerte 94 bombardent la surface négative de la cathode 92 et par collision des atomes projetés depuis la cathode 92, certains d'entre
eux atteignent le support 60.
Les appareils-représentés sur les figures 5 et 6, destinés à la mise en oeuvre du procédé selon l'invention-pour un placage ionique conventionnel (figure ) et un placage par pulvérisation (figure 6) conviennent pour le revêtement de produits à vis de courte longueur,
comme des raccords, mais ces appareils ne sont pas prati-
cables avec une enceinte 52 comprenant un système de mise sous vide pour enfermer complètement toute la longueur habituelle d'un tube de forage pétrolier dont la longueur est généralement de 10 à 13 mètres Selon un autre aspect du présent procédé, un dispositif de placage ionique est prévu pour déposer une pellicule ou une couche de matière sur des profils usinés d'une pièce tubulaire allongée, de manière qu'il ne soit pas nécessaire de constituer un dispositif de mise sous vide suffisamment long pour enfermer complètement la pièce tubulaire Le procédé de placage est tel qu'il suffit que le profil usiné nécessaire du tube soit mis sous vide En outre, une ou plusieurs parties filetées du tube peuvent être
revêtues simultanément et le tube peut être mis en rota-
tion pour améliorer l'uniformité de la pellicule.
La figure 7 représente un dispositif 120 de revêtement de filetage de tube, dans lequel des profils usinés 124 et 126 d'un tube 122 peuvent être revêtus simultanément Un seul tube 122 a été représenté mais il est bien entendu que le dispositif représenté sur la
figure 7 peut également être utilisé pour revêtir simul-
tanément plusieurs tubes 122 Sur la figure 79 les mêmes références numériques que celles des figures 5 et 6 sont
utilisées pour les éléments semblables ou correspondants.
Le profil usiné 124 du tube 122 pénètre dans une enceinte 52 Cette dernière comporte une sortie 54 avec une vanne 56, branchée sur une pompe à vide, non représentée, pour vider la chambre intérieure de l'enceinte 52 L'enceinte 52 comporte également une conduite 72
d'arrivée de gaz contrôlée par une vanne de mesure 74.
Un dispositif de vaporisation d'une matière appropriée est prévu, comme un filament électrique 64 Il est
bien entendu qu'un autre filament 66 et sa source d'ali-
mentation 70 associée (figure 5) peuvent aussi être prévus dans le dispositif 120 Le filament 64 est positionné de préférence à proximité de lr extérieur de la partie filetée 124 Le filament 64 est connecté à une source d'alimentation 68 Le tube 122 est mis en rotation en utilisant des galets 130 qui le font tourner dans la
direction de la flèche 130 a.
Une source d'alimentation 61 applique une tension continue négative au tube 122 pour attirer la
matière évaporée du filament 64 sur le profil usiné 124.
En outre, un aimant 76 est disposé à l'intérieur du tube 122, près du profil 124 pour produire un champ
magnétique 80.
Etant donné qu'il est difficile d'introduire l'extrémité du tube 122 dans l'enceinte 52 et de maintenir le vide dans cette enceinte afin de déposer une pellicule de matière sur le profil 124 et 126 pendant que le tube 122 tournes I' enceinte 52 comporte une partie en saillie 132 montée sur bride La partie en saillie 132 peut être divisée par des cloisons 134, 136 et 138 en plusieurs chambres séparées 140, 142 et 144 Les cloisons 134, 136 et 138 comportent des bagues d'étanchéité 146 qui sont légèrement en contact avec la surface du tube 122 et qui réduisent au minimum les fuites de gaz entre les chambres 140, 142 et 144 de l'intérieur de l'enceinte
sous vide 52.
La chambre 144, la plus éloignée de l'enceinte 52 est mise légèrement sous pression avec un gaz inerte, par exemple l'argon, par une conduite 148 et une vanne Une fuite d'argon de la chambre 144 par la cloison 138 se fait vers l'atmosphère et une fuite par la cloison 136 se fait vers la chambre 142 Cette dernière est reliée par une conduite 152 et une vanne 154 à une pompe non représentée, qui aspire avec un débit supérieur à la fuite de la chambre 144 de manière que la pression dans la chambre 142 soit environ 7 x 103 Pa En outre, une autre pompe, non représentée, est reliée par une conduite 156 et une vanne
158 à la chambre 140 pour y maintenir une pression infé-
rieure à 1,3 millibars D'autres chambres séparées peuvent être nécessaires, en nombre variable suivant la rugosité du tube 122 et du degré d'étanchéité obtenu par les bagues
254474 î
146 Cependant, grâce à l'utilisation des chambres séparées , 142 et 144, la quantité d'argon qui fuit depuis la chambre 144 vers l'enceinte sous vide 152 est très réduite et l'argon qui pénètre dans cette enceinte 52 peut être pompé par la conduite 54. Le revêtement du profil 124, en supposant que l'intérieur du tube 122 soit fermé, est similaire à celui des dispositifs 50 et 90 déjà décrits en regard des figures 5 et 6 Mais, en raison de l'incertitude relative concernant la rugosité de la surface du tube 122 et des variations de taux de fuite, la valeur réelle de la pression d'argon dansla chambre de l'enceinte 52 pendant une
opération donnée peut varier Il peut donc être néces-
saire d'appliquer le présent procédé avec un mécanisme d'ionisation indépendant du champ magnétique 80, de manière que ce champ magnétique 80 soit établi dans la région autour du profil 124 ou le placage est nécessaire, en introduisant l'aimant 76 Ainsi, les atomes évaporés passant par le nuage d'électrons se déplacent en spirales dans le champ magnétique 80 et sont ionisés par collision avec ces électrons pour être immédiatement attirés par le potentiel négatif élevé du tube 122, produit par la
source d'alimentation 61.
Il faut noter en regard de la description
ci-dessus qu'aucun gaz n'est nécessairement présent pour l'ionisation Mais il existe des cas o la nécessité
d'uniformité de la pellicule sur des surfaces très irré-
-gulières entraine qu'il soit souhaitable d'ajouter une
légère quantité de gaz inerte dans le but de pulvérisa-
tion de matières en vue d'une meilleure uniformité de la pellicule Il faut remarquer que cette utilisation d'un gaz inerte, comme par exemple de l'argon sous une pression
de 1,3 à 2,5 x 10 3 millibars, nécessaire pour l'ioni-
sation est suffisamment basse pour ne pas perturber les propriétés de la pellicule par inclusion du gaz dans la
pellicule déposée.
Comme cela a été indiqué, le profil 124 est revêtu dans le vide Bien qu'un bouchon pourr-^ t être placé à l'intérieur du tube 122 pour maintenir le profil 124 sous vide, il est avantageux de revêtir les deux profils 124 et 126 avec la même pompe à vide pour éviter la dépense et le temps de mettre deux fois sous vide le
tube 122 Par conséquent, un ensemble de capuchon d'ex-
trémité, désigné globalement par la référence 170, permet de déposer une pellicule de matière simultanément sur le profil 126 avec le dépôt d'une matière sur le profil 124 afin de tirer profit du système de pompage à vide dans
l'enceinte 52.
L'ensemble de capuchon d'extrémité 170 comporte un capuchon 172 avec plusieurs joints 174, 176 et 178, dont l'un, comme par exemple le joint 178, assure l'étanchéité de l'extrémité du tube 122 Par conséquent, quand le vide est établi à l'intérieur du tube 122, le joint 178 est serré étroitement par la force de la pression atmosphérique et le capuchon 172 tourne avec
le tube 122.
Une pièce 180 est montée pour tourner dans le capuchon d'extrémité 170 et elle peut être faite d'une
matière plastique possédant de bonnes propriétés d'iso-
lement, de faible coefficient de frottement et de résistance à la chaleurcomme le produit vendu sous le nom de marque TEFLON La pièce 180 est maintenue par une pince 181 qui l'empêche de tourner; un joint d'extrémité 182 et une bague torique 184 évitent les fuites Une source
d'évaporation appropriée, comme un filament 190 est-
prévue, connectée à une source d'alimentation 192 par des conducteurs électriques 194 qui traversent la pièce Un aimant 196 est disposé de préférence à l'intérieur du tube 122, près du profil 126, dans la région o un placage doit être formé pour produire un nuage dense d'électrons pour l'ionisation par collisions Les lignes
de force magnétiques 198 provenant de l'aimant 196 cap-
turent des électrons qui quittent le filament chauffé 190 par émission thermoionique Par conséquent, des atomes de substance évaporée sont ionisés positivement dans le nuage électronique et sont accélérées vers le tube 122 par la haute tension négative appliquée par la source
d'alimentation 62.
Il apparaît ainsi que l'invention apporte un procédé de protection contre les dommages par frottement de pièces vissées en déposant une pellicule de matière par un placage ionique à haut niveau d'énergie sur un profil usiné d'au moins une pièce, en formant ainsi une mince pellicule sur les surfaces métalliques coopérantes du tube. Bien entendu, de nombreuses modifications peuvent être apportées au procédé décrit et illustré à titre d'exemple nullement limitatif sans sortir du
cadre ni de l'esprit de l'invention.
Claims (24)
1 Procédé de protection contre les dommages
par frottement de pièces fletets coopérantes, procédé cara-
térisé en ce qu'il consiste essentiellement à déposer une pellicule de matière par placage ionique à haut niveau d'énergie, sur le profil usiné ( 12,14) d'au moins une pièce ( 10,16) afin de former une mince pellicule ( 32) isolante mécaniquement sur les surfaces métalliques coopérantes, avec une faible valeur de contraintes au cisaillement, en séparant ainsi l'une de l'autre les surfaces métalliques coopérantes pour éviter les dommages
par frottement.
2 Procédé selon la revendication 1, caracté-
risé en ce que l'une au moins des piècesfilets est mise en rotation pendant le dépôt de la pellicule pour obtenir
une pellicule uniforme.
3 Procédé selon la revendication 1, carac-
térisé en ce que plusieurs couches de pellicules sont déposées sur le profil usiné, la couche intérieure
( 32) étant plus dure que la couche extérieure ( 34).
4 Procédé selon la revendication 1, carac-
térisé en ce que la pellicule est choisie dans le groupe comprenant l'or, l'argent, le plomb, l'étain, l'indium et
le cuivre.
Procédé selon la revendication térisé en ce que la pellicule consiste en une
de matière réfractaire durcie.
risé er durcie térisé durcie risé er durcie
1, carac-
pellicule
6 Procédé selon la revendication 5, caracté-
ce que ladite pellicule de matière réfractaire
est une pellicule d'un carbure métallique.
7 Procédé selon la revendication 5, carac-
en ce que ladite pellicule de matière réfractaire
est une pellicule d'un oxyde métallique.
8 Procédé selon la revendication 5, caracté-
i ce que ladite pellicule de matière réfractaire
est une pellicule d'un nitrure métallique.
9 Procédé selon la revendication 5, carac-
térisé en ce que la pellicule est déposée jusqu'à une
épaisseur dans la plage d'environ 0,1 gm à environ 1 mm.
Procédé selon la revendication 3, caractérisé par plusieurs couches dont l'épaisseur totale et les épaisseurs se situent dans une plage d'environ
0,05 gm à environ 6 mm.
11 Procédé selon la revendication 1 ': carac-
térisé en ce que la pellicule est un composé minéral
à réseau stratifié.
12 Procédé selon la revendication 1, carac-
térisé en ce que la pellicule consiste en une pellicule
de palladium.
13 Procédé selon la revendication 3, carac-
térisé en ce que la pellicule intérieure t 3 Z est faite de
chrome et la pellicule extérieure est faite d'or.
14 Procédé selon la revendication 13, carac-
térisé en ce que l'épaisseur de la pellicule de chrome est d'environ 0,2 Dam à environ 0,4 Dm, tandis que la
couche extérieure est faite d'or d'une épaisseur d'en-
viron 0,2 gm.
Procédé selon la revendication 1, carac-
térisé en ce que la pellicule consiste en une base de
nickel couverte par une couche extérieure.
16 Procédé selon la revendication 1, carac-
térisé en ce que la pellicule consiste en un alliage
contenant de l'or et du cuivre.
17 Procédé selon la revendication 1, carac-
térisé en ce que la pellicule consiste en un alliage con-
tenant du palladium et du cuivre.
18 Procédé selon la revendication 1, carac-
térisé en ce que la pellicule consiste en un alliage con-
tenant du palladium et de l'or.
19 Procédé selon la revendication 1, carac-
térisé en ce que la pellicule consiste en un alliage
contenant du palladium et de l'argent.
254474-7,
Procédé de placage ionique de -deux
extrémités d'une pièce tubulaire allongée ( 122), carac-
térisé en ce qu'il consiste essentiellement à enfermer chacune des extrémités ( 124, 126) dans une chambre < 52, 170) à vider l'une des chambres, en vidant ainsi les deux chambres par l'intermédiaire de la pièce, à vaporiser ( 64,190) une matière de placage dans chacune des chambres vidées, près des extrémités, à appliquer une polarisation négative continue ( 61) à la pièce, pour attirer des
ions positifs de la matière de placage vaporisée.
21 Procédé selon la revendication 20, carac-
térisé en ce qu'il consiste également à faire tourner
( 130) la pièce tubulaire.
22 Procédé selon la revendication 20, carac-
térisé en ce qu'un champ magnétique ( 80) est produit près
des deux extrémités.
23 Procédé selon la revendication 20, carac-
térisé en ce qu'il consiste également à enfermer des parties de la pièce tournante dans des chambres séparées ( 140, 142,
144) près de l'une des chambres sous vide.
24 Procédé selon la revendication 23, carac-
térisé en ce que la chambre séparée ( 140) voisine de la chambre sous vide ( 52) est pompée tandis que la chambre
séparée ( 144) opposée reçoit un gaz inerte.
25 Procédé de placage ionique des deux extré-
mités d'une pièce tubulaire allongée ( 122), caractéri-
sé en ce qu'il consiste essentiellement à enfermer la première extrémité ( 124) dans une chambre ( 52), la seconde extrémité ( 126) étant positionnée en dehors de ladite chambre, à fermer la seconde extrémité de la chambre avec une fermeture tournante ( 170), à vider la chambre de manière à vider la région autour des deux extrémités, à vaporiser ( 64, 190) de la matière de placage dans les régions évacuées près des extrémités et à appliquer ( 61) une polarisation négative continue à la pièce ( 122) pour
attirer des ions positifs de matière de placage vaporisé.
26 Procédé selon la revendication 25, carac-
térisé en ce qu'il consiste 6 galement à faire tourner 1 9
( 130) la pièce tubulaire.
27 Procédé selon la revendication'25, carac-
térisé en ce qu'il consiste également à développer un champ magnétique ( 80) près de chacune des extrémités de la pièce. 28 procédé selon la revendication 25, caractérisé en ce que la matière de vaporisation se trouve à l'intérieur de la seconde extrémité et à l'extérieur
de la première extrémité.
29 Procédé selon la revendication 27, carac-
térisé en ce que le champ magnétique est produit par des aimants ( 76) positionnés à l'intérieur de chaque
extrémité de la pièce.
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| US06/487,749 US4468309A (en) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | Method for resisting galling |
Publications (2)
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|---|---|
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Families Citing this family (110)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5096558A (en) * | 1984-04-12 | 1992-03-17 | Plasco Dr. Ehrich Plasma - Coating Gmbh | Method and apparatus for evaporating material in vacuum |
| JPS6137960A (ja) * | 1984-07-28 | 1986-02-22 | Tadanobu Okubo | 金属表面加工方法 |
| DE3428951A1 (de) * | 1984-08-06 | 1986-02-13 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Mit einer deckschicht aus gold oder einem goldhaltigen material ueberzogener dekorativer gebrauchsgegenstand und verfahren zu seiner herstellung |
| JPS61111981A (ja) * | 1984-11-05 | 1986-05-30 | 株式会社豊田中央研究所 | セラミツク部品と金属部品との結合方法 |
| DE3531801A1 (de) * | 1985-09-06 | 1987-03-19 | Kolbenschmidt Ag | Leichtmetallkolben |
| WO1987006673A1 (fr) * | 1986-05-02 | 1987-11-05 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Joint pour canalisations de puits de petrole et methode pour sa fabrication |
| DE3623360A1 (de) * | 1986-07-11 | 1988-01-14 | Cameron Iron Works Gmbh | Einrichtung mit einander benachbarten oberflaechen, zwischen denen hohe druecke und/oder hohe reibungsbeanspruchungen auftreten |
| SE460301B (sv) * | 1986-10-15 | 1989-09-25 | Sandvik Ab | Skarvstaang foer slaaende bergborrmaskin |
| FR2607830B1 (fr) * | 1986-12-08 | 1993-04-09 | Univ Limoges | Procede et dispositif pour le depot par vaporisation a l'interieur d'un tube |
| US4764394A (en) * | 1987-01-20 | 1988-08-16 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Method and apparatus for plasma source ion implantation |
| JPS63293384A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | 住友金属工業株式会社 | ねじ継手付ｆｒｐ管 |
| EP0298157B1 (fr) * | 1987-06-29 | 1992-09-02 | Hauzer Holding B.V. | Méthode et appareil pour revêtir des cavités d'objets |
| US4826365A (en) * | 1988-01-20 | 1989-05-02 | White Engineering Corporation | Material-working tools and method for lubricating |
| JPH01199088A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-10 | Nippon Steel Corp | 耐隙間腐食性に優れた高合金油井管用継手 |
| US4988534A (en) * | 1989-03-31 | 1991-01-29 | General Electric Company | Titanium carbide coating of bearing components |
| US5105879A (en) * | 1991-03-20 | 1992-04-21 | Baker Hughes Incorporated | Method and apparatus for sealing at a sliding interface |
| FR2681472B1 (fr) | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
| US5252365A (en) * | 1992-01-28 | 1993-10-12 | White Engineering Corporation | Method for stabilization and lubrication of elastomers |
| IT1264630B1 (it) * | 1993-06-30 | 1996-10-04 | Agip Spa | Protezione antigrippaggio perfezionata per giunti particolarmente adatta nel campo petrolifero |
| SE509821C2 (sv) * | 1995-04-27 | 1999-03-08 | Dart Engineering Ag | Anordning vid snabbkopplingsdel |
| US5713610A (en) * | 1995-10-13 | 1998-02-03 | Santa Barbara Research Center | Semi-permanent vacuum closure with multiple retubulation capability |
| US5685345A (en) * | 1995-12-21 | 1997-11-11 | Donaldson Company, Inc. | Reinforcing structure for conduit; and method |
| KR970062277A (ko) * | 1996-02-29 | 1997-09-12 | 도오다 고오이찌로 | 내연 기관용 피스톤 |
| FR2748851B1 (fr) * | 1996-05-15 | 1998-08-07 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une couche mince de materiau semiconducteur |
| US6098655A (en) * | 1996-12-03 | 2000-08-08 | Carolina Power & Light Company | Alleviating sticking of normally closed valves in nuclear reactor plants |
| US6291313B1 (en) | 1997-05-12 | 2001-09-18 | Silicon Genesis Corporation | Method and device for controlled cleaving process |
| US6033974A (en) | 1997-05-12 | 2000-03-07 | Silicon Genesis Corporation | Method for controlled cleaving process |
| US6245161B1 (en) | 1997-05-12 | 2001-06-12 | Silicon Genesis Corporation | Economical silicon-on-silicon hybrid wafer assembly |
| US20070122997A1 (en) | 1998-02-19 | 2007-05-31 | Silicon Genesis Corporation | Controlled process and resulting device |
| US6027988A (en) * | 1997-05-28 | 2000-02-22 | The Regents Of The University Of California | Method of separating films from bulk substrates by plasma immersion ion implantation |
| US6548382B1 (en) | 1997-07-18 | 2003-04-15 | Silicon Genesis Corporation | Gettering technique for wafers made using a controlled cleaving process |
| FR2773261B1 (fr) | 1997-12-30 | 2000-01-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions |
| US6291326B1 (en) | 1998-06-23 | 2001-09-18 | Silicon Genesis Corporation | Pre-semiconductor process implant and post-process film separation |
| WO2001098623A1 (fr) * | 1998-11-16 | 2001-12-27 | Shell Oil Company | Dilatation radiale d'elements tubulaires |
| US6823937B1 (en) * | 1998-12-07 | 2004-11-30 | Shell Oil Company | Wellhead |
| GB2344606B (en) * | 1998-12-07 | 2003-08-13 | Shell Int Research | Forming a wellbore casing by expansion of a tubular member |
| US7195064B2 (en) * | 1998-12-07 | 2007-03-27 | Enventure Global Technology | Mono-diameter wellbore casing |
| DE19916168B4 (de) * | 1999-04-12 | 2004-08-12 | Alma-Mechanik Metallteile Gmbh | Befestigungsanordnung |
| US6500732B1 (en) | 1999-08-10 | 2002-12-31 | Silicon Genesis Corporation | Cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses |
| US6221740B1 (en) | 1999-08-10 | 2001-04-24 | Silicon Genesis Corporation | Substrate cleaving tool and method |
| JP2003506883A (ja) | 1999-08-10 | 2003-02-18 | シリコン ジェネシス コーポレイション | 低打ち込みドーズ量を用いて多層基板を製造するための劈開プロセス |
| US6263941B1 (en) | 1999-08-10 | 2001-07-24 | Silicon Genesis Corporation | Nozzle for cleaving substrates |
| US7250196B1 (en) | 1999-10-26 | 2007-07-31 | Basic Resources, Inc. | System and method for plasma plating |
| US6521104B1 (en) | 2000-05-22 | 2003-02-18 | Basic Resources, Inc. | Configurable vacuum system and method |
| US6503379B1 (en) | 2000-05-22 | 2003-01-07 | Basic Research, Inc. | Mobile plating system and method |
| US7100685B2 (en) * | 2000-10-02 | 2006-09-05 | Enventure Global Technology | Mono-diameter wellbore casing |
| JP3931564B2 (ja) * | 2001-01-25 | 2007-06-20 | 住友金属工業株式会社 | 耐焼付き性及び防錆性に優れた鋼管用ねじ継手 |
| JP4399121B2 (ja) * | 2001-02-13 | 2010-01-13 | 富士フイルム株式会社 | 撮像システム |
| RU2258859C2 (ru) * | 2001-04-11 | 2005-08-20 | Сумитомо Метал Индастриз, Лтд. | Резьбовое соединение для стальных труб (варианты) |
| FR2823599B1 (fr) | 2001-04-13 | 2004-12-17 | Commissariat Energie Atomique | Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation |
| DE10124933A1 (de) * | 2001-05-21 | 2002-11-28 | Endress & Hauser Gmbh & Co Kg | Anordnung aus einem metallischen Deckel und einem metallischem Gehäuse eines Meßgerätes und Verfahren zu deren Herstellung |
| JP3870732B2 (ja) * | 2001-07-25 | 2007-01-24 | 住友金属工業株式会社 | 耐焼付き性に優れた鋼管用ねじ継手 |
| GB2396639B (en) | 2001-08-20 | 2006-03-08 | Enventure Global Technology | An apparatus for forming a wellbore casing by use of an adjustable tubular expansion cone |
| KR100378586B1 (ko) * | 2001-08-29 | 2003-04-03 | 테커스 (주) | 엑티브엑스 기반의 키보드 해킹 방지 방법 및 장치 |
| US7775290B2 (en) | 2003-04-17 | 2010-08-17 | Enventure Global Technology, Llc | Apparatus for radially expanding and plastically deforming a tubular member |
| WO2004081346A2 (fr) | 2003-03-11 | 2004-09-23 | Enventure Global Technology | Appareil destine a la dilatation radiale et a la deformation plastique d'un element tubulaire |
| GB0130967D0 (en) * | 2001-12-24 | 2002-02-13 | Hunting Oilfield Services Ltd | Anti galling threaded joint |
| US7918284B2 (en) | 2002-04-15 | 2011-04-05 | Enventure Global Technology, L.L.C. | Protective sleeve for threaded connections for expandable liner hanger |
| US20030180450A1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-09-25 | Kidd Jerry D. | System and method for preventing breaker failure |
| EP1985798A2 (fr) | 2002-04-12 | 2008-10-29 | Enventure Global Technology | Manchon protecteur pour connexions filetées pour support de conduite extensible |
| ES2334658T3 (es) * | 2002-05-31 | 2010-03-15 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Union de rosca para conducto de acero. |
| WO2004027392A1 (fr) | 2002-09-20 | 2004-04-01 | Enventure Global Technology | Evaluation de formabilite de conduite pour des elements tubulaires extensibles |
| US8187377B2 (en) | 2002-10-04 | 2012-05-29 | Silicon Genesis Corporation | Non-contact etch annealing of strained layers |
| FR2848336B1 (fr) | 2002-12-09 | 2005-10-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une structure contrainte destinee a etre dissociee |
| US8205680B2 (en) | 2003-01-09 | 2012-06-26 | Enventure Global Technology, Llc | Expandable connection |
| US7886831B2 (en) | 2003-01-22 | 2011-02-15 | Enventure Global Technology, L.L.C. | Apparatus for radially expanding and plastically deforming a tubular member |
| US20040174017A1 (en) * | 2003-03-06 | 2004-09-09 | Lone Star Steel Company | Tubular goods with expandable threaded connections |
| US7169239B2 (en) * | 2003-05-16 | 2007-01-30 | Lone Star Steel Company, L.P. | Solid expandable tubular members formed from very low carbon steel and method |
| FR2856844B1 (fr) | 2003-06-24 | 2006-02-17 | Commissariat Energie Atomique | Circuit integre sur puce de hautes performances |
| FR2857953B1 (fr) | 2003-07-21 | 2006-01-13 | Commissariat Energie Atomique | Structure empilee, et procede pour la fabriquer |
| US7712522B2 (en) | 2003-09-05 | 2010-05-11 | Enventure Global Technology, Llc | Expansion cone and system |
| US20050126497A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-06-16 | Kidd Jerry D. | Platform assembly and method |
| FR2861497B1 (fr) | 2003-10-28 | 2006-02-10 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de transfert catastrophique d'une couche fine apres co-implantation |
| US20050181177A1 (en) * | 2004-02-18 | 2005-08-18 | Jamie Knapp | Isotropic glass-like conformal coatings and methods for applying same to non-planar substrate surfaces at microscopic levels |
| JP4599874B2 (ja) * | 2004-04-06 | 2010-12-15 | 住友金属工業株式会社 | 油井管用ねじ継手、及びその製造方法 |
| GB2432866A (en) | 2004-08-13 | 2007-06-06 | Enventure Global Technology | Expandable tubular |
| CA2481609A1 (fr) * | 2004-09-28 | 2006-03-28 | Argus Machine Co. Ltd. | Raccordement filete pour tiges de forage |
| AT7941U1 (de) * | 2004-12-02 | 2005-11-15 | Ceratizit Austria Gmbh | Werkzeug zur spanabhebenden bearbeitung |
| US7883118B2 (en) * | 2005-03-29 | 2011-02-08 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Threaded joint for steel pipes |
| FR2889887B1 (fr) | 2005-08-16 | 2007-11-09 | Commissariat Energie Atomique | Procede de report d'une couche mince sur un support |
| AR057940A1 (es) * | 2005-11-30 | 2007-12-26 | Tenaris Connections Ag | Conexiones roscadas con recubrimientos de alta y baja friccion |
| US7562911B2 (en) * | 2006-01-24 | 2009-07-21 | Hydril Usa Manufacturing Llc | Wedge thread with sealing metal |
| US8993410B2 (en) | 2006-09-08 | 2015-03-31 | Silicon Genesis Corporation | Substrate cleaving under controlled stress conditions |
| US7811900B2 (en) | 2006-09-08 | 2010-10-12 | Silicon Genesis Corporation | Method and structure for fabricating solar cells using a thick layer transfer process |
| US8293619B2 (en) | 2008-08-28 | 2012-10-23 | Silicon Genesis Corporation | Layer transfer of films utilizing controlled propagation |
| US9362439B2 (en) | 2008-05-07 | 2016-06-07 | Silicon Genesis Corporation | Layer transfer of films utilizing controlled shear region |
| JP5028923B2 (ja) * | 2006-09-14 | 2012-09-19 | 住友金属工業株式会社 | 鋼管用ねじ継手 |
| FR2910179B1 (fr) | 2006-12-19 | 2009-03-13 | Commissariat Energie Atomique | PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GaN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DEPART |
| FR2925221B1 (fr) | 2007-12-17 | 2010-02-19 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince |
| DE502008001944D1 (de) * | 2008-06-17 | 2011-01-13 | Ti Automotive Heidelberg Gmbh | Schraubelement und Rohranschlusseinrichtung für den Anschluss von Rohrleitungen |
| US8330126B2 (en) | 2008-08-25 | 2012-12-11 | Silicon Genesis Corporation | Race track configuration and method for wafering silicon solar substrates |
| US8329557B2 (en) | 2009-05-13 | 2012-12-11 | Silicon Genesis Corporation | Techniques for forming thin films by implantation with reduced channeling |
| FR2947098A1 (fr) | 2009-06-18 | 2010-12-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince sur un substrat cible ayant un coefficient de dilatation thermique different de celui de la couche mince |
| US20110084477A1 (en) * | 2009-10-13 | 2011-04-14 | Hydril Company | Wedge threads with a solid lubricant coating |
| US8356843B2 (en) * | 2010-09-27 | 2013-01-22 | Hamilton Sundstrand Corporation | Refrigeration system connection fitting |
| WO2013052546A1 (fr) * | 2011-10-03 | 2013-04-11 | Exxonmobil Research And Engineering Company | Procédés permettant de recouvrir des dispositifs tubulaires utilisés dans des opérations de forage, de conditionnement et de production de pétrole et de gaz |
| US9617800B2 (en) | 2012-02-23 | 2017-04-11 | Shell Oil Company | Connector assembly |
| WO2014095836A1 (fr) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | Shell Internationale Research Maatschappij B.V. | Raccord de tuyau et procédé associé |
| JP6204496B2 (ja) | 2013-01-11 | 2017-09-27 | テナリス・コネクシヨンズ・ベー・ブイ | 耐ゴーリング性ドリルパイプツールジョイントおよび対応するドリルパイプ |
| DE102013213503A1 (de) * | 2013-07-10 | 2014-08-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Schraubverbindung für vakuumanwendungen |
| US9840765B2 (en) * | 2013-10-16 | 2017-12-12 | General Electric Company | Systems and method of coating an interior surface of an object |
| JP2015143556A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 大成建設株式会社 | 管継手構造 |
| JP6452321B2 (ja) * | 2014-05-27 | 2019-01-16 | 株式会社友電舎 | 配管締結用ステンレス鋼製ねじ部材の製造方法 |
| AT516684B1 (de) * | 2015-01-13 | 2018-08-15 | Voestalpine Tubulars Gmbh & Co Kg | Lösbare Gewindeverbindung mit asymmetrischer Beschichtung |
| FR3035476B1 (fr) * | 2015-04-23 | 2017-04-28 | Vallourec Oil & Gas France | Joint filete tubulaire dote d'un revetement metallique sur le filetage et la portee d'etancheite |
| US9470044B1 (en) | 2015-07-06 | 2016-10-18 | Pegasis S.r.l. | Threaded connection having high galling resistance and method of making same |
| US10830002B2 (en) * | 2017-04-20 | 2020-11-10 | Megalex, Llc | Buckling-resistant sucker rod |
| DE202017103484U1 (de) * | 2017-06-09 | 2018-09-13 | Gea Mechanical Equipment Gmbh | Schraubverbindung an einer Zentrifuge |
| US11248289B2 (en) * | 2017-11-10 | 2022-02-15 | Dallas Thin Films | Multilayered corrosion and anti-galling coating for threads and wearable materials |
| FR3118721B1 (fr) * | 2021-01-11 | 2023-05-12 | Commissariat Energie Atomique | Procede de preparation de la surface d’une piece et procede d’assemblage par brasage direct d’une piece ainsi preparee |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR797616A (fr) * | 1935-11-12 | 1936-05-01 | Kattowitzer Aktien Ges Fuer Be | Procédé pour éviter le grippage dans les filetages |
| FR1045327A (fr) * | 1950-12-27 | 1953-11-25 | Procédé de fabrication de dispositifs d'assemblage par vissage | |
| US3639151A (en) * | 1969-03-13 | 1972-02-01 | United Aircraft Corp | Vapor randomization in vacuum deposition of coatings |
| US3857682A (en) * | 1973-02-07 | 1974-12-31 | G White | High temperature resistive and dry lubricated film surfaces |
| FR2244012A1 (fr) * | 1973-09-17 | 1975-04-11 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
| FR2258557A1 (fr) * | 1974-01-23 | 1975-08-18 | Amerace Corp | |
| JPS5235775A (en) * | 1975-09-17 | 1977-03-18 | Yukihiko Okazaki | Method of forming sliding surface in vacuum apparatus |
| GB1474358A (en) * | 1974-12-03 | 1977-05-25 | Seiko Instr & Electronics | Method of plating a substrate with a precious metal |
| JPS5282683A (en) * | 1975-12-29 | 1977-07-11 | Seiko Epson Corp | Manufacture of punch unit for paper tape |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB861892A (en) * | 1958-02-19 | 1961-03-01 | Anadite Inc | Improvements in vacuum metalizing high tensile steel parts more particularly steel aircraft parts |
| JPS4627461Y1 (fr) * | 1968-05-07 | 1971-09-22 | ||
| AT290370B (de) * | 1969-04-22 | 1971-05-25 | Wienerberger Baustoffind Ag | Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers |
| US3806380A (en) * | 1971-03-05 | 1974-04-23 | Hitachi Ltd | Method for hardening treatment of aluminum or aluminum-base alloy |
| US3925116A (en) * | 1972-08-09 | 1975-12-09 | Niels N Engel | Superhard martensite and method of making the same |
| JPS5226217B2 (fr) * | 1972-11-16 | 1977-07-13 | ||
| US4054426A (en) * | 1972-12-20 | 1977-10-18 | White Gerald W | Thin film treated drilling bit cones |
| US3951642A (en) * | 1974-11-07 | 1976-04-20 | General Electric Company | Metallic coating powder containing Al and Hf |
| US3952334A (en) * | 1974-11-29 | 1976-04-27 | General Atomic Company | Biocompatible carbon prosthetic devices |
| US4016389A (en) * | 1975-02-21 | 1977-04-05 | White Gerald W | High rate ion plating source |
| GB1542299A (en) * | 1976-03-23 | 1979-03-14 | Warner Lambert Co | Blade shields |
| CH611938A5 (fr) * | 1976-05-19 | 1979-06-29 | Battelle Memorial Institute | |
| US4181590A (en) * | 1977-08-16 | 1980-01-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method of ion plating titanium and titanium alloys with noble metals and their alloys |
| US4109061A (en) * | 1977-12-08 | 1978-08-22 | United Technologies Corporation | Method for altering the composition and structure of aluminum bearing overlay alloy coatings during deposition from metallic vapor |
| JPS56156767A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Highly hard substance covering material |
| US4342631A (en) * | 1980-06-16 | 1982-08-03 | Illinois Tool Works Inc. | Gasless ion plating process and apparatus |
| JPS5858273A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 被覆超硬合金 |
| GB2123039B (en) * | 1982-03-23 | 1985-10-23 | Atomic Energy Authority Uk | Coatings for cutting implements |
-
1983
- 1983-04-22 US US06/487,749 patent/US4468309A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-03-28 GB GB08407983A patent/GB2142657B/en not_active Expired
- 1984-04-07 DE DE19843413164 patent/DE3413164A1/de active Granted
- 1984-04-18 NO NO841578A patent/NO841578L/no unknown
- 1984-04-19 NL NL8401296A patent/NL8401296A/nl not_active Application Discontinuation
- 1984-04-20 JP JP59078737A patent/JPH0625566B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1984-04-24 FR FR848406425A patent/FR2544747B1/fr not_active Expired
-
1986
- 1986-01-06 GB GB08600198A patent/GB2168724B/en not_active Expired
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR797616A (fr) * | 1935-11-12 | 1936-05-01 | Kattowitzer Aktien Ges Fuer Be | Procédé pour éviter le grippage dans les filetages |
| FR1045327A (fr) * | 1950-12-27 | 1953-11-25 | Procédé de fabrication de dispositifs d'assemblage par vissage | |
| US3639151A (en) * | 1969-03-13 | 1972-02-01 | United Aircraft Corp | Vapor randomization in vacuum deposition of coatings |
| US3857682A (en) * | 1973-02-07 | 1974-12-31 | G White | High temperature resistive and dry lubricated film surfaces |
| FR2244012A1 (fr) * | 1973-09-17 | 1975-04-11 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
| FR2258557A1 (fr) * | 1974-01-23 | 1975-08-18 | Amerace Corp | |
| GB1474358A (en) * | 1974-12-03 | 1977-05-25 | Seiko Instr & Electronics | Method of plating a substrate with a precious metal |
| JPS5235775A (en) * | 1975-09-17 | 1977-03-18 | Yukihiko Okazaki | Method of forming sliding surface in vacuum apparatus |
| JPS5282683A (en) * | 1975-12-29 | 1977-07-11 | Seiko Epson Corp | Manufacture of punch unit for paper tape |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| PATENTS ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 1, no. 120, 12 octobre 1977, page 2834 C 77; & JP-A-52 82 683 (SUWA SEIKOSHA K.K.) 11-07-1977 * |
| PATENTS ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 1, no. 70, 8 juillet 1977, page 1324 C 77; & JP-A-52 35 775 (YUKIHIKO OKAZAKI) 18-03-1977 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2168724B (en) | 1987-02-04 |
| GB8407983D0 (en) | 1984-05-10 |
| FR2544747B1 (fr) | 1989-02-03 |
| DE3413164C2 (fr) | 1992-10-01 |
| GB2142657A (en) | 1985-01-23 |
| JPS59200803A (ja) | 1984-11-14 |
| NL8401296A (nl) | 1984-11-16 |
| JPH0625566B2 (ja) | 1994-04-06 |
| GB2142657B (en) | 1987-02-04 |
| NO841578L (no) | 1984-10-23 |
| GB8600198D0 (en) | 1986-02-12 |
| DE3413164A1 (de) | 1984-10-25 |
| GB2168724A (en) | 1986-06-25 |
| US4468309A (en) | 1984-08-28 |
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