JPS59200803A - かじり防止法及びイオンめつき法 - Google Patents
かじり防止法及びイオンめつき法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 49
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 title claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 46
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 13
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 10
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical group [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 5
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 5
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 239000004071 soot Substances 0.000 claims description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 description 3
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010041349 Somnolence Diseases 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- 201000004569 Blindness Diseases 0.000 description 1
- 241000255789 Bombyx mori Species 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000951471 Citrus junos Species 0.000 description 1
- 206010011878 Deafness Diseases 0.000 description 1
- 244000061508 Eriobotrya japonica Species 0.000 description 1
- 235000009008 Eriobotrya japonica Nutrition 0.000 description 1
- 240000003473 Grevillea banksii Species 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000277269 Oncorhynchus masou Species 0.000 description 1
- 244000055346 Paulownia Species 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010047700 Vomiting Diseases 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 210000003323 beak Anatomy 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 201000010099 disease Diseases 0.000 description 1
- 208000037265 diseases, disorders, signs and symptoms Diseases 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 210000002257 embryonic structure Anatomy 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 238000000855 fermentation Methods 0.000 description 1
- 230000004151 fermentation Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 1
- 208000021267 infertility disease Diseases 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000000968 intestinal effect Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 210000004185 liver Anatomy 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 210000004072 lung Anatomy 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000007746 phosphate conversion coating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical compound FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008673 vomiting Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E21—EARTH OR ROCK DRILLING; MINING
- E21B—EARTH OR ROCK DRILLING; OBTAINING OIL, GAS, WATER, SOLUBLE OR MELTABLE MATERIALS OR A SLURRY OF MINERALS FROM WELLS
- E21B17/00—Drilling rods or pipes; Flexible drill strings; Kellies; Drill collars; Sucker rods; Cables; Casings; Tubings
- E21B17/02—Couplings; joints
- E21B17/04—Couplings; joints between rod or the like and bit or between rod and rod or the like
- E21B17/042—Threaded
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、かじり防止法(antiga]]j、ng+
netbod)、ことに組立で又は分解するときに非常
にかじりの生じやすいねじ継手用のかじり防止法に関す
る。
netbod)、ことに組立で又は分解するときに非常
にかじりの生じやすいねじ継手用のかじり防止法に関す
る。
かじり(galling )は、比較的高い応力で最も
損傷する一種の固着磨耗である。互いに組合5部品の焼
付きは、激しいかじりの結果であることが多く、この焼
付きは通常装置の寿命の早期段階に起る。ねじ付き部品
は、とくに焼付ぎの傾向に注意しなければならない。
損傷する一種の固着磨耗である。互いに組合5部品の焼
付きは、激しいかじりの結果であることが多く、この焼
付きは通常装置の寿命の早期段階に起る。ねじ付き部品
は、とくに焼付ぎの傾向に注意しなければならない。
2つの表面に相互に荷重を加えるときは、これ等の互に
協働する表面は、引続く運動ニより生ずる局部的の高い
圧力及び熱により強力な結合を形成する。これ等の結合
が境界面で切断するならば、はとんど損傷を生じないて
、各部品はなめらかに動く。又どちらかの材料に破砕が
起ると、大きい損傷が生ずる。この損傷をかじりと称す
る。
協働する表面は、引続く運動ニより生ずる局部的の高い
圧力及び熱により強力な結合を形成する。これ等の結合
が境界面で切断するならば、はとんど損傷を生じないて
、各部品はなめらかに動く。又どちらかの材料に破砕が
起ると、大きい損傷が生ずる。この損傷をかじりと称す
る。
従来はかじりによる破損を防止するのに有機質及び無機
質の潤滑剤を使っている。従来使われている共通の方法
では、すず又は亜鉛或はこれ等の両方の金属質電気めっ
きを使用している。この電気めっきは、重大な環境廃棄
物処理の間頂を引き起すかもしれない。りん酸塩転化被
覆も又使われている。この被覆も又環境廃棄物処理の問
題を引き起し、この被覆を施すことのできる材料支持層
の種類に制限を受ける。ねじ付き管継手に一般に使われ
るAPI変性スレッド・コンパウンド(modj、fj
、ed thread compound )のような
ベースd′1」滑剤膜により、可動部品が化学的、熱的
又は物理的に破壊されなく又は変位させられない限りは
、これ等の部品間にすべりを許容する。しかし潤滑剤が
浸透した後相互に接触する作用表面の冷間溶接が始まる
。冷間溶接の結果、互いに組合う表面のかじりによる破
壊が生ずる。
質の潤滑剤を使っている。従来使われている共通の方法
では、すず又は亜鉛或はこれ等の両方の金属質電気めっ
きを使用している。この電気めっきは、重大な環境廃棄
物処理の間頂を引き起すかもしれない。りん酸塩転化被
覆も又使われている。この被覆も又環境廃棄物処理の問
題を引き起し、この被覆を施すことのできる材料支持層
の種類に制限を受ける。ねじ付き管継手に一般に使われ
るAPI変性スレッド・コンパウンド(modj、fj
、ed thread compound )のような
ベースd′1」滑剤膜により、可動部品が化学的、熱的
又は物理的に破壊されなく又は変位させられない限りは
、これ等の部品間にすべりを許容する。しかし潤滑剤が
浸透した後相互に接触する作用表面の冷間溶接が始まる
。冷間溶接の結果、互いに組合う表面のかじりによる破
壊が生ずる。
すなわち互に接触する金属対金属の表面のかじりを、こ
れ等の表面が密封面、肩部又はねじ部分のどれであって
も防止する方法が必要になる。
れ等の表面が密封面、肩部又はねじ部分のどれであって
も防止する方法が必要になる。
本発明によれば、ねじ付き管継手の反復する組立て及び
分解に従来伴うがじりの問題を実質的に除去する方法が
得られる。
分解に従来伴うがじりの問題を実質的に除去する方法が
得られる。
本発明によれば、2個の互いに協働するねじ付き部材の
かじりを防止する方法が得られる。本発明方法では、少
くとも一方のねじ利き部利の機械加工した表面に高エネ
ルギーレベルのイオンめっきにより材料膜を付着させ、
低いせん新店力値を持つねじ付き部材上に薄い機械的絶
縁膜を形成する。
かじりを防止する方法が得られる。本発明方法では、少
くとも一方のねじ利き部利の機械加工した表面に高エネ
ルギーレベルのイオンめっきにより材料膜を付着させ、
低いせん新店力値を持つねじ付き部材上に薄い機械的絶
縁膜を形成する。
なお本発明によれば、高エネルギーレベルのイオンめっ
きにより各ねじ付き部材の機械加工面に材料膜を利着さ
せ、低いせん新店力[直を持つ互いに協働する金属対金
属の各表面に薄い膜を形成し、各部材を相互に接合した
ときに、互いに協働する金属対金属の表面の活性原子格
子構造を相互に隔離し絶縁することにより、かじりを防
止することによって、互いに協働する2個のおす形及び
めす形のねじ付き部材のかじりを防止1〜る方法が得ら
れる。
きにより各ねじ付き部材の機械加工面に材料膜を利着さ
せ、低いせん新店力[直を持つ互いに協働する金属対金
属の各表面に薄い膜を形成し、各部材を相互に接合した
ときに、互いに協働する金属対金属の表面の活性原子格
子構造を相互に隔離し絶縁することにより、かじりを防
止することによって、互いに協働する2個のおす形及び
めす形のねじ付き部材のかじりを防止1〜る方法が得ら
れる。
なお本発明によればねじ付き部材のかじりを防止する方
法では、支持層原子格子の一体部分としてねじ付き部材
のベース基村内にフェーズ(phase )された介在
する薄い膜を持つねじ付き部材の基材にフェーズされた
機械加工表面上に機械的絶縁材料の薄い膜を形成する。
法では、支持層原子格子の一体部分としてねじ付き部材
のベース基村内にフェーズ(phase )された介在
する薄い膜を持つねじ付き部材の基材にフェーズされた
機械加工表面上に機械的絶縁材料の薄い膜を形成する。
以下本発明による防止法及びイオンめっき法の笑施例馨
顔付図囲について詳帷に説明する。
顔付図囲について詳帷に説明する。
本発明は多くの互に兵ろ用逆のねじtlき肯泣手のかじ
りケ防止するのに有用であるが、ねじ利き管、胚十のか
じりの問題は、石油工朱及びガス工業で製造用配管馨違
節し、禅帖馨はすすI伝にとくに一般的である。ことに
かじりは、油井の腸食栄往?見服するのに必要とする高
合雀ステンレスj・1…」及びニッケルケベーストする
合金の送油管製品に主要な問題とンよつ5zろ。
りケ防止するのに有用であるが、ねじ利き管、胚十のか
じりの問題は、石油工朱及びガス工業で製造用配管馨違
節し、禅帖馨はすすI伝にとくに一般的である。ことに
かじりは、油井の腸食栄往?見服するのに必要とする高
合雀ステンレスj・1…」及びニッケルケベーストする
合金の送油管製品に主要な問題とンよつ5zろ。
第1図には営1bのような協1動する2/9才形官状部
材のねじ14に協働するねし12ケ持つ骨1 Uのよう
なおす形管状部拐馨示しである。l”1 肯I I+
。
材のねじ14に協働するねし12ケ持つ骨1 Uのよう
なおす形管状部拐馨示しである。l”1 肯I I+
。
′16間のねじ理結台ISは、平らな区域2U 、22
及び密封区域ン4.ン繁〕馨11i4えている。第1図
に示した椅足のねじ形状はV:J示したものであるが、
不発・力では任意の榎耕のねじ連結面、でよい。磨損は
ねじ製紹部のどの部分間にも生するが、そ封区域i /
4126はかじり(galling )による破損に対
し最悪の部分である。
及び密封区域ン4.ン繁〕馨11i4えている。第1図
に示した椅足のねじ形状はV:J示したものであるが、
不発・力では任意の榎耕のねじ連結面、でよい。磨損は
ねじ製紹部のどの部分間にも生するが、そ封区域i /
4126はかじり(galling )による破損に対
し最悪の部分である。
本発明の1]7すでは、平らな区域2U、22及び笛封
凶域’l 4 、2 bのほかに金属のねじ′1ノ、1
40表曲に尋人されろ金属族馨利眉させること?特ばと
する。この、f属膜は、支持j−原子柚子(5ubst
rate atomj、c 1attice )の−俸
飾分として、所望の慎能材料(functional
mat、erial )がら成る原子サイズAV子の萬
エイ、ルキ゛−の灯宥により一体な板波及び厚さに付層
でせる。この相料腺は低いノ献源性、艮好な1妾渚性及
び低いぎんVdr独さ?持ったとえは金、銀、鉛、すす
、インジウム、白金又は銅のような比較曲乗がい釜7属
のうちの任意のものでよい。この余病は、高レベルのイ
オンめっき法により恢駕仕上げしたねし輪郭に直接接層
した薄い1・(の状態に付着させられる。とぐに本号法
は、商い粒子エネルギーレベルのイオンめっき法により
1層又は俊敏1輌の灰面J模ゲ付看させた博い膜処理し
た汝憧加工輪郭?形成する。たとえは=を宛化モリブデ
ンのような層状格子無愼化合物のような付1JIJ U
’jな橿団の柔かいMY々り用してもよい。
凶域’l 4 、2 bのほかに金属のねじ′1ノ、1
40表曲に尋人されろ金属族馨利眉させること?特ばと
する。この、f属膜は、支持j−原子柚子(5ubst
rate atomj、c 1attice )の−俸
飾分として、所望の慎能材料(functional
mat、erial )がら成る原子サイズAV子の萬
エイ、ルキ゛−の灯宥により一体な板波及び厚さに付層
でせる。この相料腺は低いノ献源性、艮好な1妾渚性及
び低いぎんVdr独さ?持ったとえは金、銀、鉛、すす
、インジウム、白金又は銅のような比較曲乗がい釜7属
のうちの任意のものでよい。この余病は、高レベルのイ
オンめっき法により恢駕仕上げしたねし輪郭に直接接層
した薄い1・(の状態に付着させられる。とぐに本号法
は、商い粒子エネルギーレベルのイオンめっき法により
1層又は俊敏1輌の灰面J模ゲ付看させた博い膜処理し
た汝憧加工輪郭?形成する。たとえは=を宛化モリブデ
ンのような層状格子無愼化合物のような付1JIJ U
’jな橿団の柔かいMY々り用してもよい。
さらにぎ+ Ll 、 ’I bに■ス貧性合釜ぞ利用
する場合には、クロム、チタン又は硬性の焼入れ耐火+
A料、たとえば金鵬炙化吻、金)^窒化物セラミック材
料又はサーメットのような吠買12料から1玖ろ1ノ胃
又は1減数層の界面課?形敢することか−ましい。
する場合には、クロム、チタン又は硬性の焼入れ耐火+
A料、たとえば金鵬炙化吻、金)^窒化物セラミック材
料又はサーメットのような吠買12料から1玖ろ1ノ胃
又は1減数層の界面課?形敢することか−ましい。
これらの例では硬い万の材料の外囲は采かい方の俊憚的
杷球族の虐ぞ配合して快い方の初めの扱後属に潤滑性乞
加えろ。
杷球族の虐ぞ配合して快い方の初めの扱後属に潤滑性乞
加えろ。
第2図には、高い粒子エイ・ルギーレベルのスパックリ
ング又はイオンめっき法により付着させた薄い保護族及
び外側膜のフェーズド合機ビルドアップ(phased
alloy buildup ) ?示すねじ14のJ
ム犬細I切IM4図馨1タjl示しである。刺着の囲妬
吋には初めのイオンは、電荷加速作用のもとに到洋し、
叉付増伯子栴造3 tJ内に埋まる。たとえはクロムの
ような硬質金ノ1鳴馨使いビルドアップか纜ぐとぜは、
博い虐32か付着し、ねじ14の狭面に強度及びll1
lt性ぞ付与する。さらにビルドアップか就くときは、
材料のフェーシング(phasing )が始まり、た
とえは金のようン゛よ外側の材料層34の100分羊帆
奴の璽加に伴い下側の吸い材料の薄い虐32の100分
率帆成か足當的に弦少する。懐合虐;52,34の全厚
さは10,000ないし12,000オングストローム
の重す囲である。制゛刺ノ曽34のノ享さはたとえはf
Jン、000オングストロームである。
ング又はイオンめっき法により付着させた薄い保護族及
び外側膜のフェーズド合機ビルドアップ(phased
alloy buildup ) ?示すねじ14のJ
ム犬細I切IM4図馨1タjl示しである。刺着の囲妬
吋には初めのイオンは、電荷加速作用のもとに到洋し、
叉付増伯子栴造3 tJ内に埋まる。たとえはクロムの
ような硬質金ノ1鳴馨使いビルドアップか纜ぐとぜは、
博い虐32か付着し、ねじ14の狭面に強度及びll1
lt性ぞ付与する。さらにビルドアップか就くときは、
材料のフェーシング(phasing )が始まり、た
とえは金のようン゛よ外側の材料層34の100分羊帆
奴の璽加に伴い下側の吸い材料の薄い虐32の100分
率帆成か足當的に弦少する。懐合虐;52,34の全厚
さは10,000ないし12,000オングストローム
の重す囲である。制゛刺ノ曽34のノ享さはたとえはf
Jン、000オングストロームである。
現は所望によりたとえばチタンのビニ3壇と、灰化チタ
ンの第2層と、側版チタンの夕十層とのような多事壱ゲ
4り用してもよい。
ンの第2層と、側版チタンの夕十層とのような多事壱ゲ
4り用してもよい。
第6図は単一の族恢復によるねじ14の#−褌?1タリ
示しである。この単−族被潰は、第2図に例示した多重
虐破後に必要であるほどにはかじりか倣しくない用途に
利用することかできろ。任意]回当7エ)14料層36
から取る単−元累j挨は、高い粒′子レベルのイオンめ
っき法により、ねじ′14に材料ノ曽3bケ施すことに
よって不IJ用できる。鋼、インジウム又は笠から成る
単−仮偵は、仮僅してない工兵帽牛に朽する1層2回に
比べて工具、1胚手乞10回組立て分解できることが分
った。
示しである。この単−族被潰は、第2図に例示した多重
虐破後に必要であるほどにはかじりか倣しくない用途に
利用することかできろ。任意]回当7エ)14料層36
から取る単−元累j挨は、高い粒′子レベルのイオンめ
っき法により、ねじ′14に材料ノ曽3bケ施すことに
よって不IJ用できる。鋼、インジウム又は笠から成る
単−仮偵は、仮僅してない工兵帽牛に朽する1層2回に
比べて工具、1胚手乞10回組立て分解できることが分
った。
さらにねじ14に対する材料層3io)m層’& −盾
部めるために、又はねじ′14に対する利科層36の弱
い親和力に伴う問題乞除くために、たとえはニッケルの
ような相互活吻貿がら成る約2.000オングストロー
ムの薄い層3dか有利である。イオンめっきの一体な6
θ(元板Fil f+’性により、表面4Uか矢印4)
で不すめつさ光れの方向から1想されても、表ffi+
4 Uに増生艮?M’f答する。
部めるために、又はねじ′14に対する利科層36の弱
い親和力に伴う問題乞除くために、たとえはニッケルの
ような相互活吻貿がら成る約2.000オングストロー
ムの薄い層3dか有利である。イオンめっきの一体な6
θ(元板Fil f+’性により、表面4Uか矢印4)
で不すめつさ光れの方向から1想されても、表ffi+
4 Uに増生艮?M’f答する。
第4図はイ2料A、 [IJ]線4線入4材料B、 l
出線46に対する係合金組成苅付−厚さの紛図ぞ示す。
出線46に対する係合金組成苅付−厚さの紛図ぞ示す。
材料Aはたとえばクロム層32(第2図)であり、材料
Bはたとえば材料層、う4(第21メ])のようなli
眉である。第104,000オングストロームの厚さに
対してクロム層32は実賀的に比較的硬い。
Bはたとえば材料層、う4(第21メ])のようなli
眉である。第104,000オングストロームの厚さに
対してクロム層32は実賀的に比較的硬い。
何層が杭〈とさは、金層34の朱かい方の;I f4
Bの100分率は増加し始めるが、材料Aのクロム1曽
32の量は減少する。外1則の7,000オンダストロ
ーチのノ厚さにおいては、J挨は金層34のようにはl
ま全部が来かい材料である。
Bの100分率は増加し始めるが、材料Aのクロム1曽
32の量は減少する。外1則の7,000オンダストロ
ーチのノ厚さにおいては、J挨は金層34のようにはl
ま全部が来かい材料である。
容室11J 、 16に施されろ薄いノー乞、たとえは
化学的蒸着と、又$1!的魚盾とも呼ばれろ具空蒸漸と
、煕稼周波数、直流及び捏橿のマグ不トロンの変形?含
むスパックリンダと、米l調吋肝刊光第5 tJ、40
1号明fliil吾にν1]示してめろよう′・よイオ
ンめつさとのような俵数<=<Mの互いに共なる方法に
よって〃也すことかできる。
化学的蒸着と、又$1!的魚盾とも呼ばれろ具空蒸漸と
、煕稼周波数、直流及び捏橿のマグ不トロンの変形?含
むスパックリンダと、米l調吋肝刊光第5 tJ、40
1号明fliil吾にν1]示してめろよう′・よイオ
ンめつさとのような俵数<=<Mの互いに共なる方法に
よって〃也すことかできる。
とくに本発明方法は、冨ねじのような支持層に、ツム範
囲の4里−の材料?筒い付層割合でめっきするイオンめ
っき法により与えられる尚い粒子エネルギーレベルぞ1
史用する新規なイアーンめつき云にある。本発明めつさ
法は、支持層面に筒いエネルギー末馨加え、バルク加熱
、表面及び界面の傳造の変更又は族付盾甲のノ戻の物理
的混合乞必要とすることなく、高い狭面温度により向上
した拡散及び化学反応か優られる。イオンめっきにより
、早い付層割合か得られ、オングストロームでなぐてミ
リメートルの単位で薄いj僕?持つ加工品が侍られろ3
.イオンVこ与えられろ増大した均一電解1住により、
比較的太さい41児則な形状の物件、内径台1〕又はう
ず巻部に、極めて薄い膜から朋範囲の厚い朕までの純H
の一様に付層されろ膜乞容易に破榎することかできるか
ら有利である。
囲の4里−の材料?筒い付層割合でめっきするイオンめ
っき法により与えられる尚い粒子エネルギーレベルぞ1
史用する新規なイアーンめつき云にある。本発明めつさ
法は、支持層面に筒いエネルギー末馨加え、バルク加熱
、表面及び界面の傳造の変更又は族付盾甲のノ戻の物理
的混合乞必要とすることなく、高い狭面温度により向上
した拡散及び化学反応か優られる。イオンめっきにより
、早い付層割合か得られ、オングストロームでなぐてミ
リメートルの単位で薄いj僕?持つ加工品が侍られろ3
.イオンVこ与えられろ増大した均一電解1住により、
比較的太さい41児則な形状の物件、内径台1〕又はう
ず巻部に、極めて薄い膜から朋範囲の厚い朕までの純H
の一様に付層されろ膜乞容易に破榎することかできるか
ら有利である。
第5図には本発明りこまる屓1現j丁イオン・)つき装
置’;l tlJボしである。、このイオンき′)つき
装(6,は、惑発綜ケ持つ其生めつさ装置である。この
めつき装置では魚元(し別の原子は、磁界ゲ4孝て支持
〕曽に進むときに、電子1期矢によりイオン化され、支
持層にめっきしようとする材料ぞ、この支持層の[!、
域で)0ラズマセく聾に変邪ぐする。不発1夕」に1史
うイメンめつ@装置9Uは、内筒jK具空ゲ生じさせる
のに逸する室ハウジング52馨1捕えている0至バウシ
ング52は上下方向形又は1買方向形でよりfA空圧乞
・沫つ1−i:怠:Ia肖な材料で何成すれ(l−よい
。至I・ウジング52は、弁b6により匍]側jされろ
出「154乞備えている。弁56は、室ノ・ウジンダb
lぞ真空にするボンダ(図ボしてない)に通じている。
置’;l tlJボしである。、このイオンき′)つき
装(6,は、惑発綜ケ持つ其生めつさ装置である。この
めつき装置では魚元(し別の原子は、磁界ゲ4孝て支持
〕曽に進むときに、電子1期矢によりイオン化され、支
持層にめっきしようとする材料ぞ、この支持層の[!、
域で)0ラズマセく聾に変邪ぐする。不発1夕」に1史
うイメンめつ@装置9Uは、内筒jK具空ゲ生じさせる
のに逸する室ハウジング52馨1捕えている0至バウシ
ング52は上下方向形又は1買方向形でよりfA空圧乞
・沫つ1−i:怠:Ia肖な材料で何成すれ(l−よい
。至I・ウジング52は、弁b6により匍]側jされろ
出「154乞備えている。弁56は、室ノ・ウジンダb
lぞ真空にするボンダ(図ボしてない)に通じている。
イオンめっき装置5!J馨、弁b/馨第1」用すること
により大気圧にもどすことができる。
により大気圧にもどすことができる。
室・・ウジフグ5ンには、416しようとする支持虐b
U乞持つ1個又は複数個の物品を保持するように取付具
58乞設けである。第5図に・りl」示したように支持
層60は管厭手のめねじ馨栴成する。
U乞持つ1個又は複数個の物品を保持するように取付具
58乞設けである。第5図に・りl」示したように支持
層60は管厭手のめねじ馨栴成する。
皿流篭鉱61及びRF電源り2乞設け、祇(=J呉b8
に接続し、蒸発Wから支持層6Uに同いたイオン馨引刊
ける。蒸発源は、たとえば]市大火ル1・、お11子ビ
ームカン、誇専〃日熱ろつは為 眠気アーク又は第す図
に例丁したようにでれヤれ屯保(i B 、 ’(IJ
K接抗した1本又は俵数本0)電気フイラメン)64
.bibのようなめつき伺科馨蒸光させる社章3ftf
r ’Uな源でよい。このような2つの蒸発源すなわち
電気フイラメン)ti4,1)bi’a?互いに共なる
月利の1」着と、互いに異なる時間における伺盾とのた
めにオリ用することかでさる。
に接続し、蒸発Wから支持層6Uに同いたイオン馨引刊
ける。蒸発源は、たとえば]市大火ル1・、お11子ビ
ームカン、誇専〃日熱ろつは為 眠気アーク又は第す図
に例丁したようにでれヤれ屯保(i B 、 ’(IJ
K接抗した1本又は俵数本0)電気フイラメン)64
.bibのようなめつき伺科馨蒸光させる社章3ftf
r ’Uな源でよい。このような2つの蒸発源すなわち
電気フイラメン)ti4,1)bi’a?互いに共なる
月利の1」着と、互いに異なる時間における伺盾とのた
めにオリ用することかでさる。
絞り弁74により制イ11jされるガス供給導管72は
、室・・ウジング52に連結されて、入力ガス6至・・
ウジンダb2に噴射する。この人力ガスは、不活性の又
はその地の層重性ガスであり、たとえはめつき処理前の
支持層6Uの不活性ガス・イオン・ボンバードメント清
掃又は蒸発原子の悔突敵乱のような9守定の憬nシ乞朱
し、6次元物体の板層の均等憔ゲ尚めろ。FtF電W6
ノは、RFスパッタリングの力が一般にDC源の?W掃
作用よりよく7a締するので、前記の1的のために岐け
られている。さらに入力カスは、尚い釜属勤1′「用馨
生しさせる金属含有力スフ0ラズマでよい。
、室・・ウジング52に連結されて、入力ガス6至・・
ウジンダb2に噴射する。この人力ガスは、不活性の又
はその地の層重性ガスであり、たとえはめつき処理前の
支持層6Uの不活性ガス・イオン・ボンバードメント清
掃又は蒸発原子の悔突敵乱のような9守定の憬nシ乞朱
し、6次元物体の板層の均等憔ゲ尚めろ。FtF電W6
ノは、RFスパッタリングの力が一般にDC源の?W掃
作用よりよく7a締するので、前記の1的のために岐け
られている。さらに入力カスは、尚い釜属勤1′「用馨
生しさせる金属含有力スフ0ラズマでよい。
枢1具−Jdは、1不の旋又はたとえば水入磁石又は酸
磁石から成る磁石γ6と、磁石18と馨備え、支持層6
0に隣接して9d界6U父生じさせろ。
磁石から成る磁石γ6と、磁石18と馨備え、支持層6
0に隣接して9d界6U父生じさせろ。
磁界8U内でらせん運動する電子?、超過する蒸発原子
か、電子との衝突によりイオン化され、喝諒し′1の貝
篭荷により生ずる尚い貝′屯位【すぐに引付けられる。
か、電子との衝突によりイオン化され、喝諒し′1の貝
篭荷により生ずる尚い貝′屯位【すぐに引付けられる。
室ノ・ウジングbノの内’Al)に対してなされるすべ
ての接吹け、絶球体;57?介して行なわ才′135
。
ての接吹け、絶球体;57?介して行なわ才′135
。
、本発明方法の実施に当たっては、第5図に例示シタ尚
エネルギーレベルのイオンめつ@装fM5uン、たとえ
ば約I X 10−’ ミ’Jメートル水銀のような適
当な真空に出口94ゲ註て排気する。1ヒ学的又は物理
的の理由で支持層1i 1Jに×1シフげ副手11賦乞
狩つことか望ましけれは、ガス供給導管7ノ馨イ・り三
て室バウシング52円にたとえば10ないし20ミクロ
ンの圧力でガスを尋人することかてさる。又ガスにより
形成される無線周波数プラズマは、支持層)Uの表面に
1町矢し、甫浦馨付7【うから市イリである。渭憚俊に
おいてガスは、めっき処理6始めろ前に排気された。1
11ノ・クリング92から取りもどされる。
エネルギーレベルのイオンめつ@装fM5uン、たとえ
ば約I X 10−’ ミ’Jメートル水銀のような適
当な真空に出口94ゲ註て排気する。1ヒ学的又は物理
的の理由で支持層1i 1Jに×1シフげ副手11賦乞
狩つことか望ましけれは、ガス供給導管7ノ馨イ・り三
て室バウシング52円にたとえば10ないし20ミクロ
ンの圧力でガスを尋人することかてさる。又ガスにより
形成される無線周波数プラズマは、支持層)Uの表面に
1町矢し、甫浦馨付7【うから市イリである。渭憚俊に
おいてガスは、めっき処理6始めろ前に排気された。1
11ノ・クリング92から取りもどされる。
直流電源6゛1かし、たとえばろないし5キロボルトの
直流負バイアスW=付具コ已に加えることかできる。取
付具b8は陰極として作用し、太きい嘔圧呻下馨介し吸
引作用により正イオン?支持鷹6(Jに向い引付けろ。
直流負バイアスW=付具コ已に加えることかできる。取
付具b8は陰極として作用し、太きい嘔圧呻下馨介し吸
引作用により正イオン?支持鷹6(Jに向い引付けろ。
一方又は両方の電気フィラメント64又はii 6ケ、
めっき材料馨蒸発するのに十分商い温度にカロ熱すると
めっきか始まる。
めっき材料馨蒸発するのに十分商い温度にカロ熱すると
めっきか始まる。
゛嘔気フイラメン) rj 4 、66が抵抗加熱源で
ある場合には、低゛厖圧高′醒流の父流隠諒6 B 、
−/ +Jゲオl」用する。。
ある場合には、低゛厖圧高′醒流の父流隠諒6 B 、
−/ +Jゲオl」用する。。
磁石(y + 7 jiは、蒸発制料からの熱電子に磁
界80馨加え、これ谷の熱電子?らせん運動さぞて、途
中で゛中1−1の襄仏物馨証て支訳″増;ゴUに3里む
蒸発相料の原子に缶なイオン化横町面?与えろ。
界80馨加え、これ谷の熱電子?らせん運動さぞて、途
中で゛中1−1の襄仏物馨証て支訳″増;ゴUに3里む
蒸発相料の原子に缶なイオン化横町面?与えろ。
す7より−らイオン化は必要度が最大である支持層6U
の碩域で妓筒になる。世抗性の電気フィラメント64
、6tiのどちらか一方又は両方ゲ、それぞれ電保b
d 、 ’(Llから電気フィラメント64゜i6への
電力人力6変えろことにより、支持層OtJに1嘴又は
1とd虐のイ4ン1斗試又は材料壱馨ブレ成するように
、41」用することが・で゛きろ。
の碩域で妓筒になる。世抗性の電気フィラメント64
、6tiのどちらか一方又は両方ゲ、それぞれ電保b
d 、 ’(Llから電気フィラメント64゜i6への
電力人力6変えろことにより、支持層OtJに1嘴又は
1とd虐のイ4ン1斗試又は材料壱馨ブレ成するように
、41」用することが・で゛きろ。
本発明方法ぞ災泥する装置と普通のイオンd)つき装置
5Uについて述べたが、さらにスノ々ツク1ノング孜術
ぞ利用、してもよい。第6図しま、第5図でイオンめっ
き装置50について述べた同1求な対応翰5品ぞ付つス
パックリング装置二(LI Y示す。スパンクリング装
置:311は、めっき材料力・ら戟る陰極9ンぞ備えて
いる。支持層bi IJは、電源96により保持−4−
ろ不活性プラズマ号4内に位置させである。′岨諒ソロ
はBF電稼又は直流電源により副成される。支持層LJ
Oは、地区位に、又(ま電源:」dにより貝の直に抹た
れる。不活注力゛スフ0ラズマ94の正イオンILl[
Jは、陰憾J2の貝θ)陰1観面乞衝軍し、衝突により
陰憾S2の材料の原子乞たたき出す。この原子の若干は
横移動して支持ノ曽tiOぞめっきする。
5Uについて述べたが、さらにスノ々ツク1ノング孜術
ぞ利用、してもよい。第6図しま、第5図でイオンめっ
き装置50について述べた同1求な対応翰5品ぞ付つス
パックリング装置二(LI Y示す。スパンクリング装
置:311は、めっき材料力・ら戟る陰極9ンぞ備えて
いる。支持層bi IJは、電源96により保持−4−
ろ不活性プラズマ号4内に位置させである。′岨諒ソロ
はBF電稼又は直流電源により副成される。支持層LJ
Oは、地区位に、又(ま電源:」dにより貝の直に抹た
れる。不活注力゛スフ0ラズマ94の正イオンILl[
Jは、陰憾J2の貝θ)陰1観面乞衝軍し、衝突により
陰憾S2の材料の原子乞たたき出す。この原子の若干は
横移動して支持ノ曽tiOぞめっきする。
普通のイオンめっき(第5図)及びスパックリンクめつ
さく第6図)のために本発明方法ケ実施する第5図及び
第6図に例示した装置は、継手のような長さの短いねじ
付き襞品乞仮復するのにM用であるか、これ弄の装置は
真空装置ケ持つ呈ノ・ウジングbンか、長さか大坏60
ないし40フイートの送油管の菊効全長ぞ先金に稍める
には天川的でない。なお本方法の別の特徴は’8:’、
1長い管状昔IS桐の憎械υ目工した喘郭に材料膜又は
材料1冑馨伺着さゼるイオンめつさ装置?使うことによ
り、管状都祠馨ゲ< フ11’JめるのVこ十分長い真
空装置ケ咋る心安乞なぐすることである。真壁中にi杓
めるのに管状部材の所慢の慎憧加工した輪郭だけぞ心安
とするよりなめつき法が得られる。さらにこの哲状部材
の11回又はgL数個の、inL付き部分?同時に板積
でき、そして腺の均等性ケ高めるには、管状部材乞1回
転てれはよい。
さく第6図)のために本発明方法ケ実施する第5図及び
第6図に例示した装置は、継手のような長さの短いねじ
付き襞品乞仮復するのにM用であるか、これ弄の装置は
真空装置ケ持つ呈ノ・ウジングbンか、長さか大坏60
ないし40フイートの送油管の菊効全長ぞ先金に稍める
には天川的でない。なお本方法の別の特徴は’8:’、
1長い管状昔IS桐の憎械υ目工した喘郭に材料膜又は
材料1冑馨伺着さゼるイオンめつさ装置?使うことによ
り、管状都祠馨ゲ< フ11’JめるのVこ十分長い真
空装置ケ咋る心安乞なぐすることである。真壁中にi杓
めるのに管状部材の所慢の慎憧加工した輪郭だけぞ心安
とするよりなめつき法が得られる。さらにこの哲状部材
の11回又はgL数個の、inL付き部分?同時に板積
でき、そして腺の均等性ケ高めるには、管状部材乞1回
転てれはよい。
第7図には・吹・兆υ1」工した輪郭124.116ぞ
付つ看121’aj同時に被憶することのでさる管ねじ
仮憶装置120馨例示しである。早−の営122乞例示
しであるか、第7図にボした装置は又多1の管122の
同時板覆にも使うことができるのはもちろんである。第
7図では第す凶、又ひ第6図について前記した同体な訂
応する飾品に対し同体な参照叙字馨1更っである。
付つ看121’aj同時に被憶することのでさる管ねじ
仮憶装置120馨例示しである。早−の営122乞例示
しであるか、第7図にボした装置は又多1の管122の
同時板覆にも使うことができるのはもちろんである。第
7図では第す凶、又ひ第6図について前記した同体な訂
応する飾品に対し同体な参照叙字馨1更っである。
営122の慎扱加工した輪郭1ノ4か遮びる至・・クリ
ング52ぞ設けである。至ノ・ウジフグ。1ノは、升b
6Y持つ出口j〕4ヶ・11111えている。出口:)
4は、呈ノ・クリング52の(ハ)部里?併気するよう
に冥窒ポンプ(図示してない)に連結されている。冨ハ
ウジング5ンは、叙り弁t4により市り叫1されるガス
供給4當t2乞個えている。適尚な材料蒸発装置たとえ
ば電気フイラメン)64乞収けである。官ねじ#、榎装
置120においては又、第5図に示すような付加的な電
気フィラメント66及びその関連する゛電源/L+も4
り用できるσ)はもちろんである。゛電気フィラメント
64はねじTflS分の輪郭′124のタ゛ト翰Sに近
依して位置させるび)かよい。
ング52ぞ設けである。至ノ・ウジフグ。1ノは、升b
6Y持つ出口j〕4ヶ・11111えている。出口:)
4は、呈ノ・クリング52の(ハ)部里?併気するよう
に冥窒ポンプ(図示してない)に連結されている。冨ハ
ウジング5ンは、叙り弁t4により市り叫1されるガス
供給4當t2乞個えている。適尚な材料蒸発装置たとえ
ば電気フイラメン)64乞収けである。官ねじ#、榎装
置120においては又、第5図に示すような付加的な電
気フィラメント66及びその関連する゛電源/L+も4
り用できるσ)はもちろんである。゛電気フィラメント
64はねじTflS分の輪郭′124のタ゛ト翰Sに近
依して位置させるび)かよい。
゛電気フィラメントb4は、゛延諒68に寮況されてい
ろ。官1ンノは、・g1ン2乞矢印130aの方;i」
に口私する動力ローラ′i :5 Ll w型」用して
回転させられる。
ろ。官1ンノは、・g1ン2乞矢印130aの方;i」
に口私する動力ローラ′i :5 Ll w型」用して
回転させられる。
営12ノに負の直流′電圧ゲ加え、電気フィラメント6
4からの熟兜側料ゲ愼憧加工された輪郭゛124に引付
けるように電源61馨設けである。
4からの熟兜側料ゲ愼憧加工された輪郭゛124に引付
けるように電源61馨設けである。
さらに営1ン2のh台ISには、輪郭゛124にml媛
して磁石γ6ぞ設は磁界dOゲ形成するようにしである
。
して磁石γ6ぞ設は磁界dOゲ形成するようにしである
。
ii2ノの端部YM・・ウジングり2に弾入し、室・・
ウジフグ52内に冥窒ゲ保ち、1′122乞回転しなが
ら輪郭124,126に材料の暎?付層させろことか望
ましいから、室・・ウジング52に7ランジJ−IR1
’=Jけの句、1Jtl物131ぞ設けろ○伺属装置’
+32は、仕切’+ 34 、136 、138馨第1
」用することにより値数の隔壁室14 Ll 、 1
=、2,144に分割されろ。谷仕νi 1 ’、3
q 、 ’l :!r X)、 1 s Bは、寅封項
14bi’r1崩えている。密封環゛146は、官12
2の表面に軽く接咄し、排気された至・・ウジングし2
の内’tel)で爾壁室i4u、142.1q4+句の
ガスの漏れぞ厳少にする。
ウジフグ52内に冥窒ゲ保ち、1′122乞回転しなが
ら輪郭124,126に材料の暎?付層させろことか望
ましいから、室・・ウジング52に7ランジJ−IR1
’=Jけの句、1Jtl物131ぞ設けろ○伺属装置’
+32は、仕切’+ 34 、136 、138馨第1
」用することにより値数の隔壁室14 Ll 、 1
=、2,144に分割されろ。谷仕νi 1 ’、3
q 、 ’l :!r X)、 1 s Bは、寅封項
14bi’r1崩えている。密封環゛146は、官12
2の表面に軽く接咄し、排気された至・・ウジングし2
の内’tel)で爾壁室i4u、142.1q4+句の
ガスの漏れぞ厳少にする。
室・・ウジング52から最も離れた隔壁¥144は、導
管14B及び弁1 bu 馨経てたとえはアルゴンΩよ
うな不油性ガスでわアかに加圧される。
管14B及び弁1 bu 馨経てたとえはアルゴンΩよ
うな不油性ガスでわアかに加圧される。
仕切1:58による隔壁室144からのアルゴンの漏れ
は外気にFeれ、又仕切′13bによる漏れは隔壁室1
42に入る。隔壁室142は、ポンプ(図示してy’l
い)への導管152及び弁154に連結されている。こ
のポンプは、隔壁室144からの漏れ乞)越えろ割合で
送粕し、隔壁室′14ノ内の作動出力が約i ′0si
aに近くなるようにする。この1A造により、隔壁室1
44,142間に漏れ馨生じさせる圧力差ケ制御衣する
。さらに隔壁室゛:40への4営151j及び弁′1b
8に伺加的ポンプ(図示して7よい)馨連結し、1午用
圧力乞1江00ミクロン以下に保つよってしである。導
管122の粗さと、冨封環’l ll 6により得られ
ろ盲動度とによって変る付加的な隔壁室か必要である。
は外気にFeれ、又仕切′13bによる漏れは隔壁室1
42に入る。隔壁室142は、ポンプ(図示してy’l
い)への導管152及び弁154に連結されている。こ
のポンプは、隔壁室144からの漏れ乞)越えろ割合で
送粕し、隔壁室′14ノ内の作動出力が約i ′0si
aに近くなるようにする。この1A造により、隔壁室1
44,142間に漏れ馨生じさせる圧力差ケ制御衣する
。さらに隔壁室゛:40への4営151j及び弁′1b
8に伺加的ポンプ(図示して7よい)馨連結し、1午用
圧力乞1江00ミクロン以下に保つよってしである。導
管122の粗さと、冨封環’l ll 6により得られ
ろ盲動度とによって変る付加的な隔壁室か必要である。
しかし隔壁室’i 4 CI 、 ’142 、144
の使用により、隔壁室144から室ハウジング!:+2
円の4ノ1気された室(ハ)に漏れるアルゴンの量は、
倹めてわずかになる。
の使用により、隔壁室144から室ハウジング!:+2
円の4ノ1気された室(ハ)に漏れるアルゴンの量は、
倹めてわずかになる。
そして至ハウシング52内に漏れ込むアルゴンは、4青
b4馨柱で排気される。
b4馨柱で排気される。
官122の内部がふさがれる場合の被後の輪郭’I 7
t4の作用は、第5図侠び第6図Vこつぃて前記した
イオンめっき装置5U1スパツタリング装置JOの1′
「用と同職である。しかじ管′122の表面の粗さに関
しては比較豹変りやすいことと、生ずる連硯痛れ割付が
変動することとによって、与えられた処理中に室ハウジ
ング520蚕内のアルゴン圧力の実際型が変動する。従
って1+d界ど00独立のイオン化機、酵と共に本発明
方法乞利用することにより、めつ@乞必要とする輪郭1
24のまわりの′唄域に磁石7 ii 馨伸入すること
によって、磁ヂFoiJが生ずるようにすることが必要
である。従って磁界)3 [11’9でらせん運ヴJす
る′電子を通過する蒸発原子は、このような−子との例
笑によりイオン化され、電源61により管1)2の高い
貝可位にすぐに引1月けられろ。
t4の作用は、第5図侠び第6図Vこつぃて前記した
イオンめっき装置5U1スパツタリング装置JOの1′
「用と同職である。しかじ管′122の表面の粗さに関
しては比較豹変りやすいことと、生ずる連硯痛れ割付が
変動することとによって、与えられた処理中に室ハウジ
ング520蚕内のアルゴン圧力の実際型が変動する。従
って1+d界ど00独立のイオン化機、酵と共に本発明
方法乞利用することにより、めつ@乞必要とする輪郭1
24のまわりの′唄域に磁石7 ii 馨伸入すること
によって、磁ヂFoiJが生ずるようにすることが必要
である。従って磁界)3 [11’9でらせん運ヴJす
る′電子を通過する蒸発原子は、このような−子との例
笑によりイオン化され、電源61により管1)2の高い
貝可位にすぐに引1月けられろ。
不方法の前記の説明ではイオン化のためにガスぞ仔在さ
せる必要がない点に留意されたい。しかし包めて午税則
な表面にわたり族ぞ均寺に設ける必要があるので、さら
に膜乞均押にするのに伯料馨双乱させるために、わ丁か
な童の小砧性ガスぞ加えることがヱましい部会がある。
せる必要がない点に留意されたい。しかし包めて午税則
な表面にわたり族ぞ均寺に設ける必要があるので、さら
に膜乞均押にするのに伯料馨双乱させるために、わ丁か
な童の小砧性ガスぞ加えることがヱましい部会がある。
1ことえはイオン化に必要な10ないし20ミクロンの
圧力より低い圧力のアルゴンのような不Y古性ガス?、
このように便うも合には、付層した腺にガスが含まれる
ことにより涙の性質に悪影譬乞及ぼさないようVこガス
圧力は十分低りTよっている。
圧力より低い圧力のアルゴンのような不Y古性ガス?、
このように便うも合には、付層した腺にガスが含まれる
ことにより涙の性質に悪影譬乞及ぼさないようVこガス
圧力は十分低りTよっている。
前記したように輪郭124ば、冥仝中で扱珈されろ。輪
郭124乞真空中に抹つように、宜122の同梱きに栓
ぞ押入してもよいか、両1喘馴51ン4゜12b(ff
回し真空ポンプ6便って被層し、営12)ぞ2回真空に
しなけれはならない費用及び吋i*’J ’を省()か
M利である。従って瑞都キャンプアセンブリ′1ン′U
により、物lli 1ノ4への何判の1寸涜と同1時に
輪郭126に材料膜馨付層さぜ、室・・ウジフグ3フ内
の真架ポンプ糸杭馨十分に利用することができる。
郭124乞真空中に抹つように、宜122の同梱きに栓
ぞ押入してもよいか、両1喘馴51ン4゜12b(ff
回し真空ポンプ6便って被層し、営12)ぞ2回真空に
しなけれはならない費用及び吋i*’J ’を省()か
M利である。従って瑞都キャンプアセンブリ′1ン′U
により、物lli 1ノ4への何判の1寸涜と同1時に
輪郭126に材料膜馨付層さぜ、室・・ウジフグ3フ内
の真架ポンプ糸杭馨十分に利用することができる。
端部キャップ・アセンプIJ 171Jは、級数の密封
片1 /4,176.178乞持つキャップ172を備
えている。これ寺の密封片の1つ、たとえは密封片゛1
t8は、管片122の端部に当てかつである。従って営
1ン2の内πIS馨η・王て真空状態に排気されるとき
は、密封片178は大気圧の力により==に締めつけら
れ、キャップ1r2は管122と共に回転する。
片1 /4,176.178乞持つキャップ172を備
えている。これ寺の密封片の1つ、たとえは密封片゛1
t8は、管片122の端部に当てかつである。従って営
1ン2の内πIS馨η・王て真空状態に排気されるとき
は、密封片178は大気圧の力により==に締めつけら
れ、キャップ1r2は管122と共に回転する。
本体部分180は、端部キャップ・アセンブリ170内
に回転自在に取付けられ、艮好な絶縁性、低キ優性及び
熱抵抗6付つ任慧適当なフ0ラスチック材たとえは商品
名テフロン(TEFLON )として市販されているプ
′ラスチック材から成っている。本体部分180は、フ
ランジ181によりつかみ回11狐しないように拘束さ
れている。ノN当な面密封片182及びO半環184に
より漏れ馨防ぐ。フィラメント19υのような通光な蒸
発材料馨設け、このフィラメントケ本俸部分1 ij
O馨貫いて延びる導体1J4乞廊て電源192に接続す
る。なるべくは管122内に、めっきの望ましい頭載に
おいて輪郭126に瞬接して磁石186馨設け、衝突イ
オン化のための香な電子雲状Wを形成するJうにしであ
る。磁石′19bからの硅力鯨198により、熱放出に
よって刀目熱されたフィラメント190から出る電子を
捕捉する。従って蒸発材料の原子は、電子雲状物中で正
にイオン1ヒされ、電源62により生ずる旨い負の慣性
により管122に加迷されろ。
に回転自在に取付けられ、艮好な絶縁性、低キ優性及び
熱抵抗6付つ任慧適当なフ0ラスチック材たとえは商品
名テフロン(TEFLON )として市販されているプ
′ラスチック材から成っている。本体部分180は、フ
ランジ181によりつかみ回11狐しないように拘束さ
れている。ノN当な面密封片182及びO半環184に
より漏れ馨防ぐ。フィラメント19υのような通光な蒸
発材料馨設け、このフィラメントケ本俸部分1 ij
O馨貫いて延びる導体1J4乞廊て電源192に接続す
る。なるべくは管122内に、めっきの望ましい頭載に
おいて輪郭126に瞬接して磁石186馨設け、衝突イ
オン化のための香な電子雲状Wを形成するJうにしであ
る。磁石′19bからの硅力鯨198により、熱放出に
よって刀目熱されたフィラメント190から出る電子を
捕捉する。従って蒸発材料の原子は、電子雲状物中で正
にイオン1ヒされ、電源62により生ずる旨い負の慣性
により管122に加迷されろ。
従って本発明により少くとも一方のねじ付き部分ノ磯4
3に加工された輪郭に尚いエネルギーレベルのイオンめ
っキを行なうことにより、セ料etc付着させ、管の互
いに接触する金属対金属の表面に薄い膜?形成すること
によりねじ付ご部利の磨損馨防止1−ろ方法が得られる
のは明らかである。
3に加工された輪郭に尚いエネルギーレベルのイオンめ
っキを行なうことにより、セ料etc付着させ、管の互
いに接触する金属対金属の表面に薄い膜?形成すること
によりねじ付ご部利の磨損馨防止1−ろ方法が得られる
のは明らかである。
以上本発明?七の実施例について詳細゛Vこ説明したが
本発明はなおその梢神乞逸脱しないで榎棟の液比変型?
1N’うことかで@るのはもちろんである。
本発明はなおその梢神乞逸脱しないで榎棟の液比変型?
1N’うことかで@るのはもちろんである。
第1図は2本の管状部材のねじ連頑晶の軸妨囲図、第2
図は本発明方法の1実施例により被覆した第1図の一方
の管状部材のねじの拡大軸断面図、第6図は本発明方法
の別の実施例により被覆した第1図の一方の管状部材の
ねじの拡大軸断面図、第4図は本方法により被覆した多
重被覆の組成の変化を示す線図、第5図は本発明による
イオンめっき法?実施する装置の上下方向断面図、第6
図は本発明方法乞芙流するスパッタリング装置の上下方
向FdT面図、第7図は細長い管状部材のねじ部分ぞ本
方法により被覆する装置の上下方向断面図である。 1 cl 、 i ti 、 122・・・管、
12.14・・ねじ、3ノ、34,3δ、:5L−膜、
’i l 4 、12 bi・・・輪郭。 FIG 3 付着厚さくオングストローム) FIG 5
図は本発明方法の1実施例により被覆した第1図の一方
の管状部材のねじの拡大軸断面図、第6図は本発明方法
の別の実施例により被覆した第1図の一方の管状部材の
ねじの拡大軸断面図、第4図は本方法により被覆した多
重被覆の組成の変化を示す線図、第5図は本発明による
イオンめっき法?実施する装置の上下方向断面図、第6
図は本発明方法乞芙流するスパッタリング装置の上下方
向FdT面図、第7図は細長い管状部材のねじ部分ぞ本
方法により被覆する装置の上下方向断面図である。 1 cl 、 i ti 、 122・・・管、
12.14・・ねじ、3ノ、34,3δ、:5L−膜、
’i l 4 、12 bi・・・輪郭。 FIG 3 付着厚さくオングストローム) FIG 5
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) 少くとも一方のねじ付き部材の機械加工した
輪郭上に高エネルギーレベルのイオンめっきにより材料
膜を付着させ、低いせん断応力値を持つ互いに協働する
金属対金属の表面上に薄い機械的絶縁膜を形成すること
により、かじりを防止するように、互いに一協働する金
属対金属の一表面を相互に隔離するこgから成る、互い
に協働するねじ付き部材のか°じりを防止するかじり防
止法。 (2)前記ねじ付き部材のうちの少くとも一方を、前記
膜の付着中に回転し、均等な膜を形成するようにする特
許請求の範囲第(1)項記載のかじり防止法。 (3) 複数の膜層を、機械加工した輪郭上に、内側
層を外側層より硬くして付着させる特許請求の範囲第(
11項記載のかじり防止法。 。 (4)前記膜を、金、銀、鉛、すす、インジウム及び銅
を含む金属類から形成する特許請求の範囲第(1)項記
載のかじり防止法。 (5)前記膜が、硬化した耐火材料膜である特許請求の
範囲第(11項記載のかじり防止法。 (6)前記硬化した耐火材料膜が、金属炭化物膜である
特許請求の範囲第(5)項記載のかじり防止法。 (7)前記硬化した耐火材料膜が、金属酸化物膜を使う
特許請求の範囲第(5)項記載のかじり防止法。 (8)前記硬化した耐火材料膜が、金属窒化物膜である
特許請求の範囲第(5)項記載のかじり防止法。 (9) 前記膜を、約1000オングストロームない
し約1ミリメートルの範囲の厚さに付着させる特許請求
の範囲第(5)項記載のかじり防止法。 (10)複数の層を、全体にわたってその゛厚さを約5
00オングストロームないし約6ミリメードルの範囲と
する特許請求の範囲第(3)項記載のかじり防止法。 αυ 前記膜が、層状格子無機化合物である特許請求の
範囲第(1)項記載のかじり防止法。 (12)前記膜が、パラジウム膜である特許請求の範囲
第(11項記載のかじり防止法。 03) 内層膜がクロムであり、外層膜が金である特
許請求の範囲第(3)項記載のかじり防止法。 04) 前記クロム膜の厚さを約2.00 []オン
ダストロームないし約4.()DOオングストロームト
金から成る前記外層膜の厚さを約2,000オングスト
ロームとする特許請求の範囲第(13)項記載のかじり
防止法。 (15)前記膜が、外層により覆われたニッケルアンダ
ーコートである特許請求の範囲第(1)項記載のかじり
防止法。 (16)前記膜が、金及び銅を含む合金である特許請求
の範囲第(1)項記載のかじり防止法。 0η 前記膜が、パラジウム及び銅な含む合金である特
許請求の範囲第(1)項記載のかじり防止法。 賭 前記膜が、パラジウム及び金を含む合金である特許
請求の範囲第(11項記載のかじり防止法。 ill 前記膜が、パラジウム及び銀を含む合金であ
る特許請求の範囲第山頂記載のかじり防止法。 (20) (イ)細長い管状部材の各端部な室内に納
め、(ロ)これ等の室の一方を排気することにより、両
方の室を前記管状部材を経て排気し、()9前記各端部
に隣接して前記排気した各室内においてめっき材料を蒸
発させ、に)前記管状部材に直流の負バイアスを加え、
蒸発しためつき材料の正イオンを引付けるようにするこ
とから成る、細長い管状部材の両端部をイオンめっきす
るイオンめっき法。 (21)前記管状部材を回転する特許請求の範囲第(2
0)項記載のイオンめっき法。 (22)磁界を、前記管状部材の両端部に隣接して生じ
させる特許請求の範囲第(20)項記載のイオンめっき
法。 (23)前記回転する管状部材の各部分を、前記排気し
た室の一方に隣接して、隔壁室内に納める特許請求の範
囲第(20)項記載のイオンめっき法。 C7υ 前記排気した室に隣接する隔壁に、下方に向っ
てポンプ作用を加え、すぐ次の隔壁室に不活性ガスを供
給する特許請求の範囲第(23)項記載のイオンめっき
法。 C25) (イj細長い管状部材の第1の端部を室内
pコ納め、第2の端部は前記室から外に位置させ、(ロ
)前記管状部材の第2の端部を回転自在なりロージュア
で閉じ、(→前記室を排気することにより、前記両端部
のまわりの区域乞排気し、に)前記各端部に隣接して前
記排気I−だ区域において、めっき材料を蒸発させ、体
)前記管状部材に直流の負バ・[アスを加え、蒸発した
めつき材料の正イオンを引付けるようにすることから成
る、細長い管状部材の両端部にイオンめっきするイオン
めっき法。 (26)前記管状部材を回転する特許請求の範囲第(2
5)項記載のイオンめっき法。 助 前記管状部材の各端部に隣接して磁界を形成する特
許請求の範囲第(29項記載のイオンめっき法。 (28)蒸発材料を第2の端部内で、かつ第1の端部の
外側に位置させる特許請求の範囲第(251項記載のイ
オンめっき法。 029) ffl界を、前記管状部材の各端部内に位
置させた磁石により生じさせる特許請求の範囲第(2η
項記載のイオンめっき法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/487,749 US4468309A (en) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | Method for resisting galling |
US487749 | 1995-06-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59200803A true JPS59200803A (ja) | 1984-11-14 |
JPH0625566B2 JPH0625566B2 (ja) | 1994-04-06 |
Family
ID=23936968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59078737A Expired - Lifetime JPH0625566B2 (ja) | 1983-04-22 | 1984-04-20 | かじり防止法及びイオンめつき法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4468309A (ja) |
JP (1) | JPH0625566B2 (ja) |
DE (1) | DE3413164A1 (ja) |
FR (1) | FR2544747B1 (ja) |
GB (2) | GB2142657B (ja) |
NL (1) | NL8401296A (ja) |
NO (1) | NO841578L (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1984-04-07 DE DE19843413164 patent/DE3413164A1/de active Granted
- 1984-04-18 NO NO841578A patent/NO841578L/no unknown
- 1984-04-19 NL NL8401296A patent/NL8401296A/nl not_active Application Discontinuation
- 1984-04-20 JP JP59078737A patent/JPH0625566B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1984-04-24 FR FR848406425A patent/FR2544747B1/fr not_active Expired
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- 1986-01-06 GB GB08600198A patent/GB2168724B/en not_active Expired
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