JPS59200803A - かじり防止法及びイオンめつき法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、かじり防止法（ａｎｔｉｇａ］］ｊ、ｎｇ＋
ｎｅｔｂｏｄ）、ことに組立で又は分解するときに非常
にかじりの生じやすいねじ継手用のかじり防止法に関す
る。

かじり（ｇａｌｌｉｎｇ　）は、比較的高い応力で最も
損傷する一種の固着磨耗である。互いに組合５部品の焼
付きは、激しいかじりの結果であることが多く、この焼
付きは通常装置の寿命の早期段階に起る。ねじ付き部品
は、とくに焼付ぎの傾向に注意しなければならない。

２つの表面に相互に荷重を加えるときは、これ等の互に
協働する表面は、引続く運動ニより生ずる局部的の高い
圧力及び熱により強力な結合を形成する。これ等の結合
が境界面で切断するならば、はとんど損傷を生じないて
、各部品はなめらかに動く。又どちらかの材料に破砕が
起ると、大きい損傷が生ずる。この損傷をかじりと称す
る。

従来はかじりによる破損を防止するのに有機質及び無機
質の潤滑剤を使っている。従来使われている共通の方法
では、すず又は亜鉛或はこれ等の両方の金属質電気めっ
きを使用している。この電気めっきは、重大な環境廃棄
物処理の間頂を引き起すかもしれない。りん酸塩転化被
覆も又使われている。この被覆も又環境廃棄物処理の問
題を引き起し、この被覆を施すことのできる材料支持層
の種類に制限を受ける。ねじ付き管継手に一般に使われ
るＡＰＩ変性スレッド・コンパウンド（ｍｏｄｊ、ｆｊ
、ｅｄ　ｔｈｒｅａｄ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ　）のような
ベースｄ′１」滑剤膜により、可動部品が化学的、熱的
又は物理的に破壊されなく又は変位させられない限りは
、これ等の部品間にすべりを許容する。しかし潤滑剤が
浸透した後相互に接触する作用表面の冷間溶接が始まる
。冷間溶接の結果、互いに組合う表面のかじりによる破
壊が生ずる。

すなわち互に接触する金属対金属の表面のかじりを、こ
れ等の表面が密封面、肩部又はねじ部分のどれであって
も防止する方法が必要になる。

本発明によれば、ねじ付き管継手の反復する組立て及び
分解に従来伴うがじりの問題を実質的に除去する方法が
得られる。

本発明によれば、２個の互いに協働するねじ付き部材の
かじりを防止する方法が得られる。本発明方法では、少
くとも一方のねじ利き部利の機械加工した表面に高エネ
ルギーレベルのイオンめっきにより材料膜を付着させ、
低いせん新店力値を持つねじ付き部材上に薄い機械的絶
縁膜を形成する。

なお本発明によれば、高エネルギーレベルのイオンめっ
きにより各ねじ付き部材の機械加工面に材料膜を利着さ
せ、低いせん新店力［直を持つ互いに協働する金属対金
属の各表面に薄い膜を形成し、各部材を相互に接合した
ときに、互いに協働する金属対金属の表面の活性原子格
子構造を相互に隔離し絶縁することにより、かじりを防
止することによって、互いに協働する２個のおす形及び
めす形のねじ付き部材のかじりを防止１〜る方法が得ら
れる。

なお本発明によればねじ付き部材のかじりを防止する方
法では、支持層原子格子の一体部分としてねじ付き部材
のベース基村内にフェーズ（ｐｈａｓｅ　）された介在
する薄い膜を持つねじ付き部材の基材にフェーズされた
機械加工表面上に機械的絶縁材料の薄い膜を形成する。

以下本発明による防止法及びイオンめっき法の笑施例馨
顔付図囲について詳帷に説明する。

本発明は多くの互に兵ろ用逆のねじｔｌき肯泣手のかじ
りケ防止するのに有用であるが、ねじ利き管、胚十のか
じりの問題は、石油工朱及びガス工業で製造用配管馨違
節し、禅帖馨はすすＩ伝にとくに一般的である。ことに
かじりは、油井の腸食栄往？見服するのに必要とする高
合雀ステンレスｊ・１…」及びニッケルケベーストする
合金の送油管製品に主要な問題とンよつ５ｚろ。

第１図には営１ｂのような協１動する２／９才形官状部
材のねじ１４に協働するねし１２ケ持つ骨１　Ｕのよう
なおす形管状部拐馨示しである。ｌ”１　肯Ｉ　Ｉ＋　
。

′１６間のねじ理結台ＩＳは、平らな区域２Ｕ　、２２
及び密封区域ン４．ン繁〕馨１１ｉ４えている。第１図
に示した椅足のねじ形状はＶ：Ｊ示したものであるが、
不発・力では任意の榎耕のねじ連結面、でよい。磨損は
ねじ製紹部のどの部分間にも生するが、そ封区域ｉ　／
４１２６はかじり（ｇａｌｌｉｎｇ　）による破損に対
し最悪の部分である。

本発明の１］７すでは、平らな区域２Ｕ、２２及び笛封
凶域’ｌ　４　、２　ｂのほかに金属のねじ′１ノ、１
４０表曲に尋人されろ金属族馨利眉させること？特ばと
する。この、ｆ属膜は、支持ｊ−原子柚子（５ｕｂｓｔ
ｒａｔｅ　ａｔｏｍｊ、ｃ　１ａｔｔｉｃｅ　）の−俸
飾分として、所望の慎能材料（ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ　
ｍａｔ、ｅｒｉａｌ　）がら成る原子サイズＡＶ子の萬
エイ、ルキ゛−の灯宥により一体な板波及び厚さに付層
でせる。この相料腺は低いノ献源性、艮好な１妾渚性及
び低いぎんＶｄｒ独さ？持ったとえは金、銀、鉛、すす
、インジウム、白金又は銅のような比較曲乗がい釜７属
のうちの任意のものでよい。この余病は、高レベルのイ
オンめっき法により恢駕仕上げしたねし輪郭に直接接層
した薄い１・（の状態に付着させられる。とぐに本号法
は、商い粒子エネルギーレベルのイオンめっき法により
１層又は俊敏１輌の灰面Ｊ模ゲ付看させた博い膜処理し
た汝憧加工輪郭？形成する。たとえは＝を宛化モリブデ
ンのような層状格子無愼化合物のような付１ＪＩＪ　Ｕ
’ｊな橿団の柔かいＭＹ々り用してもよい。

さらにぎ＋　Ｌｌ　、　’Ｉ　ｂに■ス貧性合釜ぞ利用
する場合には、クロム、チタン又は硬性の焼入れ耐火＋
Ａ料、たとえば金鵬炙化吻、金）＾窒化物セラミック材
料又はサーメットのような吠買１２料から１玖ろ１ノ胃
又は１減数層の界面課？形敢することか−ましい。

これらの例では硬い万の材料の外囲は采かい方の俊憚的
杷球族の虐ぞ配合して快い方の初めの扱後属に潤滑性乞
加えろ。

第２図には、高い粒子エイ・ルギーレベルのスパックリ
ング又はイオンめっき法により付着させた薄い保護族及
び外側膜のフェーズド合機ビルドアップ（ｐｈａｓｅｄ
ａｌｌｏｙ　ｂｕｉｌｄｕｐ　）　？示すねじ１４のＪ
ム犬細Ｉ切ＩＭ４図馨１タｊｌ示しである。刺着の囲妬
吋には初めのイオンは、電荷加速作用のもとに到洋し、
叉付増伯子栴造３　ｔＪ内に埋まる。たとえはクロムの
ような硬質金ノ１鳴馨使いビルドアップか纜ぐとぜは、
博い虐３２か付着し、ねじ１４の狭面に強度及びｌｌ１
ｌｔ性ぞ付与する。さらにビルドアップか就くときは、
材料のフェーシング（ｐｈａｓｉｎｇ　）が始まり、た
とえは金のようン゛よ外側の材料層３４の１００分羊帆
奴の璽加に伴い下側の吸い材料の薄い虐３２の１００分
率帆成か足當的に弦少する。懐合虐；５２，３４の全厚
さは１０，０００ないし１２，０００オングストローム
の重す囲である。制゛刺ノ曽３４のノ享さはたとえはｆ
Ｊン、０００オングストロームである。

現は所望によりたとえばチタンのビニ３壇と、灰化チタ
ンの第２層と、側版チタンの夕十層とのような多事壱ゲ
４り用してもよい。

第６図は単一の族恢復によるねじ１４の＃−褌？１タリ
示しである。この単−族被潰は、第２図に例示した多重
虐破後に必要であるほどにはかじりか倣しくない用途に
利用することかできろ。任意］回当７エ）１４料層３６
から取る単−元累ｊ挨は、高い粒′子レベルのイオンめ
っき法により、ねじ′１４に材料ノ曽３ｂケ施すことに
よって不ＩＪ用できる。鋼、インジウム又は笠から成る
単−仮偵は、仮僅してない工兵帽牛に朽する１層２回に
比べて工具、１胚手乞１０回組立て分解できることが分
った。

さらにねじ１４に対する材料層３ｉｏ）ｍ層’＆　−盾
部めるために、又はねじ′１４に対する利科層３６の弱
い親和力に伴う問題乞除くために、たとえはニッケルの
ような相互活吻貿がら成る約２．０００オングストロー
ムの薄い層３ｄか有利である。イオンめっきの一体な６
θ（元板Ｆｉｌ　ｆ＋’性により、表面４Ｕか矢印４）
で不すめつさ光れの方向から１想されても、表ｆｆｉ＋
　４　Ｕに増生艮？Ｍ’ｆ答する。

第４図はイ２料Ａ、　［ＩＪ］線４線入４材料Ｂ、　ｌ
出線４６に対する係合金組成苅付−厚さの紛図ぞ示す。

材料Ａはたとえばクロム層３２（第２図）であり、材料
Ｂはたとえば材料層、う４（第２１メ］）のようなｌｉ
眉である。第１０４，０００オングストロームの厚さに
対してクロム層３２は実賀的に比較的硬い。

何層が杭〈とさは、金層３４の朱かい方の；Ｉ　ｆ４　
Ｂの１００分率は増加し始めるが、材料Ａのクロム１曽
３２の量は減少する。外１則の７，０００オンダストロ
ーチのノ厚さにおいては、Ｊ挨は金層３４のようにはｌ
ま全部が来かい材料である。

容室１１Ｊ　、　１６に施されろ薄いノー乞、たとえは
化学的蒸着と、又＄１！的魚盾とも呼ばれろ具空蒸漸と
、煕稼周波数、直流及び捏橿のマグ不トロンの変形？含
むスパックリンダと、米ｌ調吋肝刊光第５　ｔＪ、４０
１号明ｆｌｉｉｌ吾にν１］示してめろよう′・よイオ
ンめつさとのような俵数＜＝＜Ｍの互いに共なる方法に
よって〃也すことかできる。

とくに本発明方法は、冨ねじのような支持層に、ツム範
囲の４里−の材料？筒い付層割合でめっきするイオンめ
っき法により与えられる尚い粒子エネルギーレベルぞ１
史用する新規なイアーンめつき云にある。本発明めつさ
法は、支持層面に筒いエネルギー末馨加え、バルク加熱
、表面及び界面の傳造の変更又は族付盾甲のノ戻の物理
的混合乞必要とすることなく、高い狭面温度により向上
した拡散及び化学反応か優られる。イオンめっきにより
、早い付層割合か得られ、オングストロームでなぐてミ
リメートルの単位で薄いｊ僕？持つ加工品が侍られろ３
．イオンＶこ与えられろ増大した均一電解１住により、
比較的太さい４１児則な形状の物件、内径台１〕又はう
ず巻部に、極めて薄い膜から朋範囲の厚い朕までの純Ｈ
の一様に付層されろ膜乞容易に破榎することかできるか
ら有利である。

第５図には本発明りこまる屓１現ｊ丁イオン・）つき装
置’；ｌ　ｔｌＪボしである。、このイオンき′）つき
装（６，は、惑発綜ケ持つ其生めつさ装置である。この
めつき装置では魚元（し別の原子は、磁界ゲ４孝て支持
〕曽に進むときに、電子１期矢によりイオン化され、支
持層にめっきしようとする材料ぞ、この支持層の［！、
域で）０ラズマセく聾に変邪ぐする。不発１夕」に１史
うイメンめつ＠装置９Ｕは、内筒ｊＫ具空ゲ生じさせる
のに逸する室ハウジング５２馨１捕えている０至バウシ
ング５２は上下方向形又は１買方向形でよりｆＡ空圧乞
・沫つ１−ｉ：怠：Ｉａ肖な材料で何成すれ（ｌ−よい
。至Ｉ・ウジング５２は、弁ｂ６により匍］側ｊされろ
出「１５４乞備えている。弁５６は、室ノ・ウジンダｂ
ｌぞ真空にするボンダ（図ボしてない）に通じている。

イオンめっき装置５！Ｊ馨、弁ｂ／馨第１」用すること
により大気圧にもどすことができる。

室・・ウジフグ５ンには、４１６しようとする支持虐ｂ
Ｕ乞持つ１個又は複数個の物品を保持するように取付具
５８乞設けである。第５図に・りｌ」示したように支持
層６０は管厭手のめねじ馨栴成する。

皿流篭鉱６１及びＲＦ電源り２乞設け、祇（＝Ｊ呉ｂ８
に接続し、蒸発Ｗから支持層６Ｕに同いたイオン馨引刊
ける。蒸発源は、たとえば］市大火ル１・、お１１子ビ
ームカン、誇専〃日熱ろつは為　眠気アーク又は第す図
に例丁したようにでれヤれ屯保（ｉ　Ｂ　、　’（ＩＪ
　Ｋ接抗した１本又は俵数本０）電気フイラメン）６４
．ｂｉｂのようなめつき伺科馨蒸光させる社章３ｆｔｆ
ｒ　’Ｕな源でよい。このような２つの蒸発源すなわち
電気フイラメン）ｔｉ４，１）ｂｉ’ａ？互いに共なる
月利の１」着と、互いに異なる時間における伺盾とのた
めにオリ用することかでさる。

絞り弁７４により制イ１１ｊされるガス供給導管７２は
、室・・ウジング５２に連結されて、入力ガス６至・・
ウジンダｂ２に噴射する。この人力ガスは、不活性の又
はその地の層重性ガスであり、たとえはめつき処理前の
支持層６Ｕの不活性ガス・イオン・ボンバードメント清
掃又は蒸発原子の悔突敵乱のような９守定の憬ｎシ乞朱
し、６次元物体の板層の均等憔ゲ尚めろ。ＦｔＦ電Ｗ６
ノは、ＲＦスパッタリングの力が一般にＤＣ源の？Ｗ掃
作用よりよく７ａ締するので、前記の１的のために岐け
られている。さらに入力カスは、尚い釜属勤１′「用馨
生しさせる金属含有力スフ０ラズマでよい。

枢１具−Ｊｄは、１不の旋又はたとえば水入磁石又は酸
磁石から成る磁石γ６と、磁石１８と馨備え、支持層６
０に隣接して９ｄ界６Ｕ父生じさせろ。

磁界８Ｕ内でらせん運動する電子？、超過する蒸発原子
か、電子との衝突によりイオン化され、喝諒し′１の貝
篭荷により生ずる尚い貝′屯位【すぐに引付けられる。

室ノ・ウジングｂノの内’Ａｌ）に対してなされるすべ
ての接吹け、絶球体；５７？介して行なわ才′１３５　
。

、本発明方法の実施に当たっては、第５図に例示シタ尚
エネルギーレベルのイオンめつ＠装ｆＭ５ｕン、たとえ
ば約Ｉ　Ｘ　１０−’　ミ’Ｊメートル水銀のような適
当な真空に出口９４ゲ註て排気する。１ヒ学的又は物理
的の理由で支持層１ｉ　１Ｊに×１シフげ副手１１賦乞
狩つことか望ましけれは、ガス供給導管７ノ馨イ・り三
て室バウシング５２円にたとえば１０ないし２０ミクロ
ンの圧力でガスを尋人することかてさる。又ガスにより
形成される無線周波数プラズマは、支持層）Ｕの表面に
１町矢し、甫浦馨付７【うから市イリである。渭憚俊に
おいてガスは、めっき処理６始めろ前に排気された。１
１１ノ・クリング９２から取りもどされる。

直流電源６゛１かし、たとえばろないし５キロボルトの
直流負バイアスＷ＝付具コ已に加えることかできる。取
付具ｂ８は陰極として作用し、太きい嘔圧呻下馨介し吸
引作用により正イオン？支持鷹６（Ｊに向い引付けろ。

一方又は両方の電気フィラメント６４又はｉｉ　６ケ、
めっき材料馨蒸発するのに十分商い温度にカロ熱すると
めっきか始まる。

゛嘔気フイラメン）　ｒｊ　４　、６６が抵抗加熱源で
ある場合には、低゛厖圧高′醒流の父流隠諒６　Ｂ　、
　−／　＋Ｊゲオｌ」用する。。

磁石（ｙ　＋　７　ｊｉは、蒸発制料からの熱電子に磁
界８０馨加え、これ谷の熱電子？らせん運動さぞて、途
中で゛中１−１の襄仏物馨証て支訳″増；ゴＵに３里む
蒸発相料の原子に缶なイオン化横町面？与えろ。

す７より−らイオン化は必要度が最大である支持層６Ｕ
の碩域で妓筒になる。世抗性の電気フィラメント６４　
、６ｔｉのどちらか一方又は両方ゲ、それぞれ電保ｂ　
ｄ　、　’（Ｌｌから電気フィラメント６４゜ｉ６への
電力人力６変えろことにより、支持層ＯｔＪに１嘴又は
１とｄ虐のイ４ン１斗試又は材料壱馨ブレ成するように
、４１」用することが・で゛きろ。

本発明方法ぞ災泥する装置と普通のイオンｄ）つき装置
５Ｕについて述べたが、さらにスノ々ツク１ノング孜術
ぞ利用、してもよい。第６図しま、第５図でイオンめっ
き装置５０について述べた同１求な対応翰５品ぞ付つス
パックリング装置二（ＬＩ　Ｙ示す。スパンクリング装
置：３１１は、めっき材料力・ら戟る陰極９ンぞ備えて
いる。支持層ｂｉ　ＩＪは、電源９６により保持−４−
ろ不活性プラズマ号４内に位置させである。′岨諒ソロ
はＢＦ電稼又は直流電源により副成される。支持層ＬＪ
Ｏは、地区位に、又（ま電源：」ｄにより貝の直に抹た
れる。不活注力゛スフ０ラズマ９４の正イオンＩＬｌ［
Ｊは、陰憾Ｊ２の貝θ）陰１観面乞衝軍し、衝突により
陰憾Ｓ２の材料の原子乞たたき出す。この原子の若干は
横移動して支持ノ曽ｔｉＯぞめっきする。

普通のイオンめっき（第５図）及びスパックリンクめつ
さく第６図）のために本発明方法ケ実施する第５図及び
第６図に例示した装置は、継手のような長さの短いねじ
付き襞品乞仮復するのにＭ用であるか、これ弄の装置は
真空装置ケ持つ呈ノ・ウジングｂンか、長さか大坏６０
ないし４０フイートの送油管の菊効全長ぞ先金に稍める
には天川的でない。なお本方法の別の特徴は’８：’、
１長い管状昔ＩＳ桐の憎械υ目工した喘郭に材料膜又は
材料１冑馨伺着さゼるイオンめつさ装置？使うことによ
り、管状都祠馨ゲ＜　フ１１’ＪめるのＶこ十分長い真
空装置ケ咋る心安乞なぐすることである。真壁中にｉ杓
めるのに管状部材の所慢の慎憧加工した輪郭だけぞ心安
とするよりなめつき法が得られる。さらにこの哲状部材
の１１回又はｇＬ数個の、ｉｎＬ付き部分？同時に板積
でき、そして腺の均等性ケ高めるには、管状部材乞１回
転てれはよい。

第７図には・吹・兆υ１」工した輪郭１２４．１１６ぞ
付つ看１２１’ａｊ同時に被憶することのでさる管ねじ
仮憶装置１２０馨例示しである。早−の営１２２乞例示
しであるか、第７図にボした装置は又多１の管１２２の
同時板覆にも使うことができるのはもちろんである。第
７図では第す凶、又ひ第６図について前記した同体な訂
応する飾品に対し同体な参照叙字馨１更っである。

営１２２の慎扱加工した輪郭１ノ４か遮びる至・・クリ
ング５２ぞ設けである。至ノ・ウジフグ。１ノは、升ｂ
６Ｙ持つ出口ｊ〕４ヶ・１１１１１えている。出口：）
４は、呈ノ・クリング５２の（ハ）部里？併気するよう
に冥窒ポンプ（図示してない）に連結されている。冨ハ
ウジング５ンは、叙り弁ｔ４により市り叫１されるガス
供給４當ｔ２乞個えている。適尚な材料蒸発装置たとえ
ば電気フイラメン）６４乞収けである。官ねじ＃、榎装
置１２０においては又、第５図に示すような付加的な電
気フィラメント６６及びその関連する゛電源／Ｌ＋も４
り用できるσ）はもちろんである。゛電気フィラメント
６４はねじＴｆｌＳ分の輪郭′１２４のタ゛ト翰Ｓに近
依して位置させるび）かよい。

゛電気フィラメントｂ４は、゛延諒６８に寮況されてい
ろ。官１ンノは、・ｇ１ン２乞矢印１３０ａの方；ｉ」
に口私する動力ローラ′ｉ　：５　Ｌｌ　ｗ型」用して
回転させられる。

営１２ノに負の直流′電圧ゲ加え、電気フィラメント６
４からの熟兜側料ゲ愼憧加工された輪郭゛１２４に引付
けるように電源６１馨設けである。

さらに営１ン２のｈ台ＩＳには、輪郭゛１２４にｍｌ媛
して磁石γ６ぞ設は磁界ｄＯゲ形成するようにしである
。

ｉｉ２ノの端部ＹＭ・・ウジングり２に弾入し、室・・
ウジフグ５２内に冥窒ゲ保ち、１′１２２乞回転しなが
ら輪郭１２４，１２６に材料の暎？付層させろことか望
ましいから、室・・ウジング５２に７ランジＪ−ＩＲ１
’＝Ｊけの句、１Ｊｔｌ物１３１ぞ設けろ○伺属装置’
＋３２は、仕切’＋　３４　、１３６　、１３８馨第１
」用することにより値数の隔壁室１４　Ｌｌ　、　１　
＝、２，１４４に分割されろ。谷仕νｉ　１　’、３　
ｑ　、　’ｌ　：！ｒ　Ｘ）、　１　ｓ　Ｂは、寅封項
１４ｂｉ’ｒ１崩えている。密封環゛１４６は、官１２
２の表面に軽く接咄し、排気された至・・ウジングし２
の内’ｔｅｌ）で爾壁室ｉ４ｕ、１４２．１ｑ４＋句の
ガスの漏れぞ厳少にする。

室・・ウジング５２から最も離れた隔壁￥１４４は、導
管１４Ｂ及び弁１　ｂｕ　馨経てたとえはアルゴンΩよ
うな不油性ガスでわアかに加圧される。

仕切１：５８による隔壁室１４４からのアルゴンの漏れ
は外気にＦｅれ、又仕切′１３ｂによる漏れは隔壁室１
４２に入る。隔壁室１４２は、ポンプ（図示してｙ’ｌ
い）への導管１５２及び弁１５４に連結されている。こ
のポンプは、隔壁室１４４からの漏れ乞）越えろ割合で
送粕し、隔壁室′１４ノ内の作動出力が約ｉ　′０ｓｉ
ａに近くなるようにする。この１Ａ造により、隔壁室１
４４，１４２間に漏れ馨生じさせる圧力差ケ制御衣する
。さらに隔壁室゛：４０への４営１５１ｊ及び弁′１ｂ
８に伺加的ポンプ（図示して７よい）馨連結し、１午用
圧力乞１江００ミクロン以下に保つよってしである。導
管１２２の粗さと、冨封環’ｌ　ｌｌ　６により得られ
ろ盲動度とによって変る付加的な隔壁室か必要である。

しかし隔壁室’ｉ　４　ＣＩ　、　’１４２　、１４４
の使用により、隔壁室１４４から室ハウジング！：＋２
円の４ノ１気された室（ハ）に漏れるアルゴンの量は、
倹めてわずかになる。

そして至ハウシング５２内に漏れ込むアルゴンは、４青
ｂ４馨柱で排気される。

官１２２の内部がふさがれる場合の被後の輪郭’Ｉ　７
　ｔ４の作用は、第５図侠び第６図Ｖこつぃて前記した
イオンめっき装置５Ｕ１スパツタリング装置ＪＯの１′
「用と同職である。しかじ管′１２２の表面の粗さに関
しては比較豹変りやすいことと、生ずる連硯痛れ割付が
変動することとによって、与えられた処理中に室ハウジ
ング５２０蚕内のアルゴン圧力の実際型が変動する。従
って１＋ｄ界ど００独立のイオン化機、酵と共に本発明
方法乞利用することにより、めつ＠乞必要とする輪郭１
２４のまわりの′唄域に磁石７　ｉｉ　馨伸入すること
によって、磁ヂＦｏｉＪが生ずるようにすることが必要
である。従って磁界）３　［１１’９でらせん運ヴＪす
る′電子を通過する蒸発原子は、このような−子との例
笑によりイオン化され、電源６１により管１）２の高い
貝可位にすぐに引１月けられろ。

不方法の前記の説明ではイオン化のためにガスぞ仔在さ
せる必要がない点に留意されたい。しかし包めて午税則
な表面にわたり族ぞ均寺に設ける必要があるので、さら
に膜乞均押にするのに伯料馨双乱させるために、わ丁か
な童の小砧性ガスぞ加えることがヱましい部会がある。

１ことえはイオン化に必要な１０ないし２０ミクロンの
圧力より低い圧力のアルゴンのような不Ｙ古性ガス？、
このように便うも合には、付層した腺にガスが含まれる
ことにより涙の性質に悪影譬乞及ぼさないようＶこガス
圧力は十分低りＴよっている。

前記したように輪郭１２４ば、冥仝中で扱珈されろ。輪
郭１２４乞真空中に抹つように、宜１２２の同梱きに栓
ぞ押入してもよいか、両１喘馴５１ン４゜１２ｂ（ｆｆ
回し真空ポンプ６便って被層し、営１２）ぞ２回真空に
しなけれはならない費用及び吋ｉ＊’Ｊ　’を省（）か
Ｍ利である。従って瑞都キャンプアセンブリ′１ン′Ｕ
により、物ｌｌｉ　１ノ４への何判の１寸涜と同１時に
輪郭１２６に材料膜馨付層さぜ、室・・ウジフグ３フ内
の真架ポンプ糸杭馨十分に利用することができる。

端部キャップ・アセンプＩＪ　１７１Ｊは、級数の密封
片１　／４，１７６．１７８乞持つキャップ１７２を備
えている。これ寺の密封片の１つ、たとえは密封片゛１
ｔ８は、管片１２２の端部に当てかつである。従って営
１ン２の内πＩＳ馨η・王て真空状態に排気されるとき
は、密封片１７８は大気圧の力により＝＝に締めつけら
れ、キャップ１ｒ２は管１２２と共に回転する。

本体部分１８０は、端部キャップ・アセンブリ１７０内
に回転自在に取付けられ、艮好な絶縁性、低キ優性及び
熱抵抗６付つ任慧適当なフ０ラスチック材たとえは商品
名テフロン（ＴＥＦＬＯＮ　）として市販されているプ
′ラスチック材から成っている。本体部分１８０は、フ
ランジ１８１によりつかみ回１１狐しないように拘束さ
れている。ノＮ当な面密封片１８２及びＯ半環１８４に
より漏れ馨防ぐ。フィラメント１９υのような通光な蒸
発材料馨設け、このフィラメントケ本俸部分１　ｉｊ　
Ｏ馨貫いて延びる導体１Ｊ４乞廊て電源１９２に接続す
る。なるべくは管１２２内に、めっきの望ましい頭載に
おいて輪郭１２６に瞬接して磁石１８６馨設け、衝突イ
オン化のための香な電子雲状Ｗを形成するＪうにしであ
る。磁石′１９ｂからの硅力鯨１９８により、熱放出に
よって刀目熱されたフィラメント１９０から出る電子を
捕捉する。従って蒸発材料の原子は、電子雲状物中で正
にイオン１ヒされ、電源６２により生ずる旨い負の慣性
により管１２２に加迷されろ。

従って本発明により少くとも一方のねじ付き部分ノ磯４
３に加工された輪郭に尚いエネルギーレベルのイオンめ
っキを行なうことにより、セ料ｅｔｃ付着させ、管の互
いに接触する金属対金属の表面に薄い膜？形成すること
によりねじ付ご部利の磨損馨防止１−ろ方法が得られる
のは明らかである。

以上本発明？七の実施例について詳細゛Ｖこ説明したが
本発明はなおその梢神乞逸脱しないで榎棟の液比変型？
１Ｎ’うことかで＠るのはもちろんである。

【図面の簡単な説明】

第１図は２本の管状部材のねじ連頑晶の軸妨囲図、第２
図は本発明方法の１実施例により被覆した第１図の一方
の管状部材のねじの拡大軸断面図、第６図は本発明方法
の別の実施例により被覆した第１図の一方の管状部材の
ねじの拡大軸断面図、第４図は本方法により被覆した多
重被覆の組成の変化を示す線図、第５図は本発明による
イオンめっき法？実施する装置の上下方向断面図、第６
図は本発明方法乞芙流するスパッタリング装置の上下方
向ＦｄＴ面図、第７図は細長い管状部材のねじ部分ぞ本
方法により被覆する装置の上下方向断面図である。 １　ｃｌ　、　　ｉ　　ｔｉ　、　　１２２・・・管、
１２．１４・・ねじ、３ノ、３４，３δ、：５Ｌ−膜、
’ｉ　ｌ　４　、１２　ｂｉ・・・輪郭。 ＦＩＧ　　３ 付着厚さくオングストローム） ＦＩＧ　　５

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　　少くとも一方のねじ付き部材の機械加工した
   輪郭上に高エネルギーレベルのイオンめっきにより材料
   膜を付着させ、低いせん断応力値を持つ互いに協働する
   金属対金属の表面上に薄い機械的絶縁膜を形成すること
   により、かじりを防止するように、互いに一協働する金
   属対金属の一表面を相互に隔離するこｇから成る、互い
   に協働するねじ付き部材のか°じりを防止するかじり防
   止法。 （２）前記ねじ付き部材のうちの少くとも一方を、前記
   膜の付着中に回転し、均等な膜を形成するようにする特
   許請求の範囲第（１）項記載のかじり防止法。 （３）　　複数の膜層を、機械加工した輪郭上に、内側
   層を外側層より硬くして付着させる特許請求の範囲第（
   １１項記載のかじり防止法。　。 （４）前記膜を、金、銀、鉛、すす、インジウム及び銅
   を含む金属類から形成する特許請求の範囲第（１）項記
   載のかじり防止法。 （５）前記膜が、硬化した耐火材料膜である特許請求の
   範囲第（１１項記載のかじり防止法。 （６）前記硬化した耐火材料膜が、金属炭化物膜である
   特許請求の範囲第（５）項記載のかじり防止法。 （７）前記硬化した耐火材料膜が、金属酸化物膜を使う
   特許請求の範囲第（５）項記載のかじり防止法。 （８）前記硬化した耐火材料膜が、金属窒化物膜である
   特許請求の範囲第（５）項記載のかじり防止法。 （９）　　前記膜を、約１０００オングストロームない
   し約１ミリメートルの範囲の厚さに付着させる特許請求
   の範囲第（５）項記載のかじり防止法。 （１０）複数の層を、全体にわたってその゛厚さを約５
   ００オングストロームないし約６ミリメードルの範囲と
   する特許請求の範囲第（３）項記載のかじり防止法。 αυ　前記膜が、層状格子無機化合物である特許請求の
   範囲第（１）項記載のかじり防止法。 （１２）前記膜が、パラジウム膜である特許請求の範囲
   第（１１項記載のかじり防止法。 ０３）　　内層膜がクロムであり、外層膜が金である特
   許請求の範囲第（３）項記載のかじり防止法。 ０４）　　前記クロム膜の厚さを約２．００　［］オン
   ダストロームないし約４．（）ＤＯオングストロームト
   金から成る前記外層膜の厚さを約２，０００オングスト
   ロームとする特許請求の範囲第（１３）項記載のかじり
   防止法。 （１５）前記膜が、外層により覆われたニッケルアンダ
   ーコートである特許請求の範囲第（１）項記載のかじり
   防止法。 （１６）前記膜が、金及び銅を含む合金である特許請求
   の範囲第（１）項記載のかじり防止法。 ０η　前記膜が、パラジウム及び銅な含む合金である特
   許請求の範囲第（１）項記載のかじり防止法。 賭　前記膜が、パラジウム及び金を含む合金である特許
   請求の範囲第（１１項記載のかじり防止法。 ｉｌｌ　　前記膜が、パラジウム及び銀を含む合金であ
   る特許請求の範囲第山頂記載のかじり防止法。 （２０）　　（イ）細長い管状部材の各端部な室内に納
   め、（ロ）これ等の室の一方を排気することにより、両
   方の室を前記管状部材を経て排気し、（）９前記各端部
   に隣接して前記排気した各室内においてめっき材料を蒸
   発させ、に）前記管状部材に直流の負バイアスを加え、
   蒸発しためつき材料の正イオンを引付けるようにするこ
   とから成る、細長い管状部材の両端部をイオンめっきす
   るイオンめっき法。 （２１）前記管状部材を回転する特許請求の範囲第（２
   ０）項記載のイオンめっき法。 （２２）磁界を、前記管状部材の両端部に隣接して生じ
   させる特許請求の範囲第（２０）項記載のイオンめっき
   法。 （２３）前記回転する管状部材の各部分を、前記排気し
   た室の一方に隣接して、隔壁室内に納める特許請求の範
   囲第（２０）項記載のイオンめっき法。 Ｃ７υ　前記排気した室に隣接する隔壁に、下方に向っ
   てポンプ作用を加え、すぐ次の隔壁室に不活性ガスを供
   給する特許請求の範囲第（２３）項記載のイオンめっき
   法。 Ｃ２５）　　（イｊ細長い管状部材の第１の端部を室内
   ｐコ納め、第２の端部は前記室から外に位置させ、（ロ
   ）前記管状部材の第２の端部を回転自在なりロージュア
   で閉じ、（→前記室を排気することにより、前記両端部
   のまわりの区域乞排気し、に）前記各端部に隣接して前
   記排気Ｉ−だ区域において、めっき材料を蒸発させ、体
   ）前記管状部材に直流の負バ・［アスを加え、蒸発した
   めつき材料の正イオンを引付けるようにすることから成
   る、細長い管状部材の両端部にイオンめっきするイオン
   めっき法。 （２６）前記管状部材を回転する特許請求の範囲第（２
   ５）項記載のイオンめっき法。 助　前記管状部材の各端部に隣接して磁界を形成する特
   許請求の範囲第（２９項記載のイオンめっき法。 （２８）蒸発材料を第２の端部内で、かつ第１の端部の
   外側に位置させる特許請求の範囲第（２５１項記載のイ
   オンめっき法。 ０２９）　　ｆｆｌ界を、前記管状部材の各端部内に位
   置させた磁石により生じさせる特許請求の範囲第（２η
   項記載のイオンめっき法。