NL1039114C2 - Semiconductor installatie, waarbij in een semiconductor tunnel ervan de bewerkstelliging van opvolgende rechthoekige platen, bevattende een aantal basis-chips ten behoeve van in een inrichting door deling ervan het verkrijgen van chips. - Google Patents

Semiconductor installatie, waarbij in een semiconductor tunnel ervan de bewerkstelliging van opvolgende rechthoekige platen, bevattende een aantal basis-chips ten behoeve van in een inrichting door deling ervan het verkrijgen van chips. Download PDF

Info

Publication number
NL1039114C2
NL1039114C2 NL1039114A NL1039114A NL1039114C2 NL 1039114 C2 NL1039114 C2 NL 1039114C2 NL 1039114 A NL1039114 A NL 1039114A NL 1039114 A NL1039114 A NL 1039114A NL 1039114 C2 NL1039114 C2 NL 1039114C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor
installation
successive
tunnel
plates
Prior art date
Application number
NL1039114A
Other languages
English (en)
Inventor
Edward Bok
Original Assignee
Edward Bok
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Edward Bok filed Critical Edward Bok
Priority to NL1039114A priority Critical patent/NL1039114C2/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL1039114C2 publication Critical patent/NL1039114C2/nl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769Storage means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6732Vertical carrier comprising wall type elements whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising sidewalls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

Semiconductor installatie, waarbij in een semiconductor tunnel ervan de bewerkstelliging van opvolgende rechthoekige platen, bevattende een aantal basis-chips ten behoeve van in een inrichting door deling ervan het verkrijgen van chips.
5
Semiconductor installatie, bevattende tenminste één semiconductor tunnel-opstelling en middelen ten behoeve van tijdens de werking ervan het tenminste nagenoeg ononderbroken erdoorheen verplaatsen van opvolgende aaneengeslten semi-10 conductor substraat-gedeeltes onder het daarin bewerkstelligen van in dwarsrichting ervan naast elkaar gelegen basisgedeeltes van semiconductor chips, in een inrichting achter de uitgang ervan door deling ervan de bewerkstelliging van opvolgende, gescheiden rechthoekige substraat-gedeeltes met 15 een tjjdeljjke opslag ervan in een verwijderbare cassette achter deze inrichting, in typisch een aantal inrichtingen, welke typisch eveneens deel uitmaken van deze installatie, het plaatsvinden van het opbrengen van tenminste een tweetal electrische aansluitingen op deze chips, en vervolgens in 20 eveneens typisch een aantal inrichtingen door opvolgende delingen van deze rechthoekige substraat-gedeeltes in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan de bewerkstelliging van individuele semiconductor chips.
25 Voor de ingang van de semiconductor tunnel-opstelling van de semiconductor installatie volgens de uitvinding de opname van een folie-opslagrol ten behoeve van tijdens de werking ervan het typisch ononderbroken toevoeren van opvolgende gedeeltes van deze typisch kunststoffen folie naar de ingang 30 van deze tunnel-opstelling onder het daarin bewerkstelligen van opvolgende aaneengesloten semiconductor substraat-gedeeltesm welke zich ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan uitstrekken in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan.
35 Deze opvolgende substraat-gedeeltes bevatten nabij de uitgang van deze tunnel-opstelling een aantal naast elkaar gelegen uitvoeringen en opbouwen in zowel de dwars- als lengterichting ervan met een omvang ter grootte van een 1039114 2 semiconductor chip.
Daarbij in een erachter gelegen inrichting het plaatsvinden van scheiding in de lengterichting ervan van een aantal opvolgende aaneengesloten, zich verplaatsende substraat-5 gedeeltes vanaf de voorgaande aaneengesloten substraat-gedeeltes onder de vorming van opvolgende rechthoekige semiconductor platen.
Daarbij het mogelijk eveneens verwijderd zijn van de gedeeltes, welke zich bevinden aan weerszijde van het centrale semiconduc-10 tor behandelings-gedeelte ervan.
De installatie bevat achter deze tunnel-opstelling een uitwisselbare cassette ten behoeve van het typisch opslaan daarin van deze afgesneden rechthoekige substraat-gedeeltes en waarby deze installatie verder middelen bevat ten behoeve van 15 het vullen van zulk een cassette met opvolgende platen.
Daarbij na het typisch gevuld zijn ervan met deze platen het verwijderen en vervangen door een volgende cassette.
Vervolgens vindt in deze installatie achter zulk een gevulde cassette-opstelling in een inrichting het opvolgend 20 aanbrengen van electrische aansluitingen op elk van de in zulk een substraat-gedeelte opgenomen semiconductor chip, met typisch opslag ervan in een volgende cassette.
Vervolgens het verplaatsen van zulk een cassette naar een inrichting, waarin door opvolgende delingen van zulk een 25 semiconductor plaat in zowel de lengte- als dwarsrichting de bewerkstelliging van individuele semiconductor chips en waarbij deze installatie typisch middelen bevat ten behoeve van een tijdelijke opslag ervan.
De uitvinding zal hieronder nader worden uiteengezet aan 30 de hand van de in een aantal Figuren weergegeven uitvoerings-voorbeelden van deze installatie—opbouw, welke echter binnen het kader van de uitvinding kan variëren.
Figuur 1 toont schematisch de semiconductor installatie volgens de uitvinding in een zijaanzicht ervan.
35 Figuur 2 toont een dwarsdoorsnede over de lijn 2-2 van de in deze installatie opgenomen semiconductor tunnel-opstelling.
Figuur 3 toont een in deze tunnel-opstelling bewerkstelligde individuele rechthoekige semiconductot plaat, welke een 3 aantal opvolgende substraat-gedeeltes bevat, die zich uitstrekken in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan, met het nog niet verwijderd zijn van de beide dwarsuiteinden opzij van het centrale gedeelte ervan.
5 Figuur 4 toont de semiconductor plaat volgens de Figuur 3 en waarbij het verwijderd zijn van deze beide dwarsuiteinden.
Figuur 5 toont achter de uitgang van deze tunnel-opstel-ling een verwijderbare cassette ten behoeve van een tijdelijke opslag daarin van zulk een semiconductor plaat en waarbij de 10 installatie verder middelen bevat ten behoeve van na het gevuld zijn van een sectie daarmede het over een geringe afstand benedenwaarts verplaatsen ervan ten behoeve van het vullen van de volgende sectie ervan met zulk een plaat.
Figuur 6 toont de doorsnede over de lijn 6-6 van de 15 cassette volgens de Figuur 5 onder het tonen van zulk een plaat in een sectie ervan.
Figuur 7 toont de doorsnede over de lijn 7-7 van de cassette volgens de Figuur 5, met het daarbij geheel gevuld zijn ervan met deze platen.
20 Figuur 8 toont een alternatieve uitvoering van de cassette volgens de Figuur 5 en waarbij daarin op elkaar liggende opvolgende toegevoerde platen.
Figuur 9 toont het verwijderen van de cassette volgens de Figuur 5 vanaf de eronder gelegen verplaatsings-inrichting in 25 de onderste positie ervan.
Figuur 10 toont een inrichting ten behoeve van het daarin opbrengen van typisch een tweetal electrische contacten op elk semiconductor chip-gedeelte van zulk een plaat.
Figuur 11 toont voor een gedeelte van deze inrichting het 30 vergroot aangegeven zijn van deze electrische contacten.
Figuur 12 toont het verwijderen van een in dwarsrichting uitstrekkend plaat-gedeelte vanaf de rest ervan.
Figuur 13 toont het verwijderen van een semiconductor chip vana zulk een plaat-gedeelte.
35 Figuur 14 toont wederom zulk een individuele chip.
De uitvinding zal hieronder nader worden uiteengezet aan de hand van een aantal in de Figuren weergegeven üitvoerings-voorbeelden van de installatie-opbouw.
4
Figuur 1 toont schematisch de semiconductor installatie 10 in een zijaanzicht ervan.
Zulk een semiconductor installatie bestaat daarbij typisch in hoofdzaak uit een zich in de lengterichting ervan uit-5 strekkende semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnel-opstelling 12, bevattende een boventunnelblok 14, een ondertunnelblok 16 en de ertussen opgenomen centrale tunnel-doortocht 18, Figuur 2.
In zulk een semiconductor installatie nabij de ingangs-10 zijde 20 van deze semiconductor tunnel-opstelling 12 de opname van de opslagrol-opstelling 22 ten behoeve van tijdens de werking ervan de ononderbroken toevoer van een zeer lange folie 24 met typisch slechts een minder dan 0,1 mm dikte en bevattende een typisch tenminste nagenoeg evenwijdige opstaande 15 zijwand-gedeeltes 26 en 28.
Tijdens de werking van zulk een installatie vindt daarbij typisch een ononderbroken lineaire verplaatsing van deze folie 24 door deze tunneldoortocht 18 plaats.
Daarbij in de opvolgende secties van het centrale boven-20 behandelings-gedeelte van de tunneldoortocht 18 het ononderbroken plaatsvinden van de opbouw van typisch één semiconductor laag op de bovenzijde van deze folie onder de bewerkstelliging van opvolgende, zich ononderbroken onderlangs dit boven-behandelingsgedeelte van deze tunneldoortocht verplaat-25 sende semiconductor substraat-gedeeltes 30.
Figuur 3 toont een in deze tunnel-opstelling 12 bewerkstelligde individuele rechthoekige semiconductor plaat 34 door typisch afsnijding ervan vanaf de volgende substraat-gedeeltes 30 en welke typisch een aantal opvolgende gedeeltes 30 ervan bevat, die zich uitstrekken in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan, met het nog niet verwijderd zijn van de beide dwarsuiteinden 26 en 28 opzjj van het centrale gedeelte ervan.
Figuur 4 toont de semiconductor plaat 36 en waarbij het 35 verwijderd zijn van deze beide dwarsuiteinden.
Figuur 5 toont achter de uitgang 40 van deze tunnel-opstelling 12 de verwijderbare cassette 42 ten behoeve van een tijdelijke opslag daarin van zulk een plaat 34 of 36 en waarbij 5 de installatie 10 verder middelen bevat ten behoeve van na het gevuld zijn van een laatste gedeelte ervan het over een geringe afstand benedenwaarts verplaatsen ervan ten behoeve van het vullen van de volgende sectie 44 ervan met zulk een 5 plaat 34 of 36.
Figuur 6 toont de doorsnede over de lijn 6-6 van de cassette 42 volgens de Figuur 5 onder het tonen van zulk een plaat 34 of 36 in een sectie ervan.
Figuur 7 toont de doorsnede over de lijn 7—7 van de 10 cassette 42 volgens de Figuur 5, met het daarbij geheel gevuld zijn ervan met deze platen.
Figuur 8 toont een alternatieve uitvoering 44 van de cassette 42 volgens de Figuur 5 en waarbij daarin op elkaar gelegen opvolgend toegevoerde platen 34 of 36.
15 Figuur 9 toont het verwijderen van de cassette 42 of 44 volgens de Figuur 5 of Figuur 8 vanaf de eronder gelegen verplaatsings-inrichting 46 in de onderste positie ervan.
Figuur 10 toont de inrichting 48 ten behoeve van het daarin opbrengen van typisch een tweetal electrische 20 contacten 50 en 52 op elk semiconductor chip-gedeelte 54 van zulk een plaat 36.
Figuur 11 toont voor een gedeelte van deze inrichting 48 het vergroot aangegeven zijn van deze beide electrische contacten 50 en 52.
25 Figuur 12 toont het verwyderen van een in dwarsrichting uitstrekkend plaat-gedeelte 56 vanaf de rest 58 van deze plaat 36.
Figuur 13 toont het verwijderen van een semiconductor chip 54 vanaf zulk een plaat-gedeelte 56.
30 Figuur 14 toont wederom zulk een individuele chip 54.
Binnen het kader van de uitvinding kan deze folie 24 bestaan uit elk soort van substantie, zoals onder andere papier, een voldoend harde kunststof of een combinatie van substanties.
35 Verder de mogelijkheid om de verplaatsing van zulk een folie door deze tunnel-opstelling 12 te doen plaatsvinden met behulp van opvolgende stromen transfer-medium langs de onderzijde van deze folie 24 of met behulp van een ononderbro- 6 ken metalen transfer—band onder toepassing van een rol— opstelling aan het begin- en achtergedeelte van deze tunnel-opstelling of gedeeltes ervan.
Zulke middelen van verplaatsing van de opvolgende 5 substraat-gedeeltes zijn reeds aangegeven in de vele tunnel-opstellingen, waarvoor door de aanvrager inmiddels Nederlandse Octrooien zijn verkregen.
Daarbij zijn eveneens elke breedte en lengte van zulk een bewerkstelligde semiconductor plaat 34 of 36 mogelijk, typisch 10 minder dan 100 mm, om in zulk een installatie 10 met de goedkoopste semiconductor chips 54 met behulp van zulk een papieren of kunststoffen onderlaag ervan te kunnen vervaardigen .
Verder tevens de mogelykheid van toepassing van cassettes 15 voor het tijdelijk opslaan van deze bewerkstelligde mini semiconductor platen en daartoe eveneens een opslag-breedte en - lengte met zulk een minimale grootte ervan en waarbij de mogelijke verplaatsing van deze uiterst dunne platen tot binnen zulk een cassette geschiedt met behulp van de stuw-20 kracht van de volgende plaat ten behoeve van opslag in zulk een cassette,
Door de enorme productie van zulke semiconductor platen in zulk een installatie zijn meerdere inrichtingen ten behoeve van het al dan niet gelijktijdig aanbrengen van zulke electri-25 sche aansluitingen benodigd, met toevoer van deze platen ernaartoe vanuit deze cassettes.
1039114

Claims (45)

1. Semiconductor installatie, met het kenmerk, dat deze bevattende een folie-opslagrol in het begin-gedeelte ervan 5 en een aantal daaropvolgende semiconductor behandelings- opstellingen, waaronder onder andere onmiddellijk achter deze folie-opslagrol een semiconductor tünnel-opstelling ervan en waarbij daarachter een aantal aanvullende semiconductor behandelings-inrichtingen ten behoeve van tenminste de 10 bewerkstelliging van individuele rechthoekige semiconductor platen ten behoeve van in tenminste één volgende semiconductor inrichting, welke al dan niet is opgenomen in deze installatie, door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips.
2. Installatie volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat daarbij deze tunnel-opstelling zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat in deze installatie de toepassing van een aantal daaropvolgende semiconductor inrichtingen ten behoeve can in de laatste inrichting ervan 20 door deling ervan het verkrijgen van zulke semiconductor chips.
3. Installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de verplaatsing van deze 25 opvolgende substraat-gedeeltes door de centrale doortocht van deze tunnel-opstelling tenminste plaatse lijk geschiedt met behulp van opvolgende stromen transfer-medium, welke via opgenomen uitsparingen in het ondertunnelblok gestuwd worden langs deze opvolgende substraat-gedeeltes.
4. Installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij zulk een verplaatsing van opvolgende substraat-gedeeltes door deze centrale doortocht van deze tunnel-opstelling tenminste plaatselijk geschiedt met 35 behulp van een ononderbroken metalen substraat draag/ transferband met een rol-opstelling aan begin- en achteruiteinde ervan.
5. Installatie volgens de Conclusie 3 of 4, met het 1039114 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van tenminste één van de verplaatsings-inrichtingen voor de opvolgende substraat-gedeeltes ten behoeve van de verplaatsing van zulke 5 substraat-gedeeltes door zulk een tunnel-doortocht, welke reeds is omschreven in meerdere van de inmiddels bewerkstelligde Nederlandse Octrooien van de indiener van deze Octrooiaanvrage in de voorgaande jaren.
6. Installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met 10 het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals daarbij daarin voor deze tunnel-opstelling de opname van zulk een folie-opslagrol, tijdens de werking ervan het tenminste nagenoeg ononderbroken plaatsvinden van toevoer van opvolgende uiterst dunne folie- 15 gedeeltes naar de ingangszijde van deze tunnel-opstelling en het vervolgens daarin fungeren als een definitieve onderlaag van zulke opvolgende substraat-gedeeltes.
7. Installatie volgens de Conclusie 6, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige 20 middelen, dat deze folie daarbij bestaat uit een voldoend sterke kunststof.
8. Installatie volgens de Conclusie 6, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat deze folie daarbij bestaat uit papier.
9. Installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tijdens de werking van deze tunnel-opstelling het daarin in het achter-gedeelte ervan plaatsvinden van een opvolgende afsnijding van recht- 30 hoekige substraat-gedeeltes als zulk een individuele rechthoekige semiconductor plaat vanaf de volgende, zich erdoorheen verplaatsende substraat-gedeeltes.
10. Installatie volgens de Conclusie 9, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige 35 middelen, dat daarbij de toepassing van uitwisselbare individuele cassettes ten behoeve van het daarin tijdelijk opslaan van zulke opvolgend toegevoerde platen.
11. Installatie volgens de Conclusie 10, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij zulk een cassette in neerwaartse richting verplaatsbaar is ten behoeve van het na het vullen van een sectie ervan met zulk een plaat door het vervolgens over 5 een geringe afstand benedenwaarts verplaatsen ervan het daarin vullen van een volgend gedeelte ervan met zulk een plaat.
12. Installatie volgens de Conclusie 11, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige 10 middelen, dat daarbij de opslag van zulke opvolgende platen in zulk een cassette geschiedt met een geringe tussenafstand in hoogterichting ervan en waarbij daartoe zulk een toegevoerde plaat geleid wordt door de beide geleide-uitsparingen in de beide dwarsuiteinden van de cassette-binnenzijde.
13. Installatie volgens de Conclusie 11, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de opslag van zulke opvolgende platen in zulk een cassette plaatsvindt onder een aanliggende positie in hoogterichting ervan.
14. Installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in de opvolgende secties van het centrale boven-behandelingsgedeelte van de tunnel-doortocht het ononderbroken plaatsvinden van de opbouw van 25 typisch één semiconductor laag op de bovenzijde van deze folie onder de bewerkstelliging van opvolgende, zich ononderbroken onderlangs dit boven-behandelingsgedeelte verplaatsende substraat-gedeeltes.
15. Installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met 30 het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het plaatsvinden van verwijdering van zulk een cassette vanaf de eronder gelegen verplaatsings-inrichting in de onderste positie ervan.
16. Installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met 35 het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat deze een inrichting bevat ten behoeve van het daarin opbrengen van typisch een tweetal electrische contacten op elk chip-gedeelte van zulk een plaat.
17. Installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarby door een aantal opvolgende delingen van zulk een plaat de bewerkstelliging van zulk 5 een semiconductor chip.
18. Installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de mogelijkheid van elke breedte en lengte van zulk een bewerkstelligde plaat, typisch 10 minder dan 100 mm, om daarin ook de goedkoopste chips met zulk een papieren of kunststoffen onderlaag ervan te kunnen vervaardigen.
19. Installatie volgens de Conclusie 18, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige 15 middelen, dat daarbij daartoe de toepassing van cassettes voor het tijdelyk opslaan van deze bewerkstelligde mini platen en daartoe eveneens een opslag-breedte en - lengte met zulk een minimale grootte ervan en waarbij de mogelijke verplaatsing van deze uiterst dunne platen tot binnen zulk een cassette 20 geschiedt met behulp van de stuwkracht van een volgende gescheiden plaat ten behoeve van een tijdelijke opslag daarin.
20. Installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals daarbij in verband met de 25 enorme productie van zulke platen in zulk een tunnel-opstel-ling ervan, meerdere inrichtingen ten behoeve van het aanbrengen van zulke electrische aansluitingen benodigd zijn, de toevoer van zulke geproduceerde platen ernaartoe geschiedt vanuit zulke cassettes.
21. Installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin de mogelijke toepassing van meerdere van de semiconductor uitvoeringen en middelen van de semiconductor installaties, - tunnel-opstel-35 lingen, - inrichtingen en - chips, welke zijn aangegeven en omschreven in de door de aanvrager reeds bewerkstelligde Nederlandse Octrooien.
22. Installatie volgens de Conclusie 21, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarin de mogelijke toepassing van semiconductor inrichtingen, welke zijn opgenomen in de bestaande semiconductor installaties onder de gebruikmaking van semiconductor modules, welke reeds zijn 5 omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Conclusies van het navolgende: a) een individuele semiconductor Wafer of - substraat; en/ of b) een al dan niet individuele semiconductor processing- 10 module.
23. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 22, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de in deze Octrooi-aanvrage omschreven middelen tevens moge lijk toepasbaar zijn in de gelijktijdig ingediende tweetal 15 andere Octrooi-aanvragen en in de toekomstig nog door de aanvrager in te dienen aanvullende Octrooi-aanvragen met betrekking op semiconductor installaties, - tunnel-opstel-lingen, - inrichtingen en - chips.
24. Werkwijze van de semiconductor installatie volgens één 20 der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals deze bevattende een folie-opslagrol in het begin-gedeelte ervan en een aantal daaropvolgende semiconductor behandelings-opstellingen, waaronder onder andere onmiddellijk achter deze folie-opslagrol een semiconductor tunnel-opstelling ervan en 25 waarbij daarachter een aantal aanvullende semiconductor behandelings-inrichtingen, daarmede tenminste de bewerkstelliging van individuele rechthoekige semiconductor platen ten behoeve van in tenminste één volgende inrichting, welke al dan niet is opgenomen in deze installatie, door deling ervan 30 de bewerkstelliging van semiconductor chips.
25. Werkwijze volgens de Conclusie 24, met het kenmerk, dat zoals daarbij in deze installatie de toepassing van zulk een tunnel-opstelling en een aantal daarop-volgende inrichtingen, in de laatste ervan door deling van deze rechthoekige platen 35 het verkrijgen van zulke semiconductor chips.
26. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de verplaatsing van deze opvolgende substraat-gedeeltes door de centrale doortocht van deze tunnel-opstelling tenminste plaatselijk geschiedt met behulp van opvolgende stromen transfer-medium, welke via uitsparingen in het ondertunnelblok gestuwd worden langs deze opvolgende substraat-gedeelte.
27. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij zulk een verplaatsing van de opvolgende substraat-gedeeltes door deze centrale doortocht van deze tunnel-opstelling tenminste plaatselijk geschiedt met behulp van een ononderbroken metalen substraat draag/transferband 10 met een rol-opstelling aan het begin- en achtereinde ervan.
28. Werkwijze volgens de Conclusie 26 of 27, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van tenminste één van deze verplaatsings-inrichtingen voor de opvolgende substraat-gedeeltes, het plaatsvinden van de verplaatsing van zulke 15 substraat-gedeeltes door zulk een tunnel-doortocht reeds is omschreven in meerdere van de inmiddels bewerkstelligde Nederlandse Octrooien van de indiener van deze Octrooiaanvrage in de voorgaande jaren.
29. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met 20 het kenmerk, dat zoals daarbij daarin voor deze tunnel- opstelling de opname van zulk een f olie-opslagrol, tijdens de werking ervan het tenminste nagenoeg ononderbroken plaatsvinden van toevoer van opvolgende dunne folie-gedeeltes naar de ingangszijde van deze tunnel-opstelling en het vervolgens 25 daarin fungeren ervan als een definitieve onderlaag van zulke opvolgende substraat-gedeeltes.
30. Werkwijze volgens de Conclusie 29, met het kenmerk, dat daarbij de toevoer naar de tunnel-opstelling van een voldoend sterke kunststoffen folie.
31. Werkwijze volgens de Conclusie 29, met het kenmerk, dat daarbij de toevoer naar de tunnel-opstelling van een voldoend sterke papieren folie.
32. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tijdens de werking van deze tunnel-35 opstelling het daarin in het achter-gedeelte ervan plaatsvinden van een opvolgende afsnijding van rechthoekige substraat-gedeeltes als zulk een individuele rechthoekige semiconductor plaat vanaf de volgende, zich erdoorheen verplaatsende substraat-gedeeltes.
33. Werkwijze volgens Conclusie 32, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van uitwisselbare individuele cassettes, het daarin tijdelijk opslaan van zulke opvolgend 5 toegevoerde platen plaats vindt.
34. Werkwijze volgens de Conclusie 33, met het kenmerk, dat daarbij zulk een cassette in neerwaartse richting verplaatsbaar is ten behoeve van het na het vullen van een sectie ervan met zulk een plaat door het vervolgens over een 10 geringe afstand benedenwaarts verplaatsen ervan het daarna vullen van een volgend gedeelte ervan met zulk een plaat.
35. Werkwijze volgens de Conclusie 34, met het kenmerk, dat daarbij het opslaan van zulke opvolgende platen in zulk een cassette geschiedt met een geringe tussenafstand in de 15 hoogterichting ervan en waarbij daartoe zulk een toegevoerde plaat geleid wordt door de beide geleide-uitsparingen in de beide dwarsuiteinden van de cassette-binnenzrjde.
36. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in de opvolgende secties van het centrale 20 boven-behandelingsgedeelte van de tunnel-doortocht het ononderbroken plaatsvinden van de opbouw van typisch één semiconductor laag op de bovenzijde van deze folie onder de bewerkstelliging van opvolgende, zich ononderbroken onder- langs dit boven-behandelingsgedeelte verplaatsende plaat- 25 gedeeltes met typisch een di-electrische bovenlaag.
37. Werkwijze volgens de Conclusie 35 of 36, met het kenmerk, dat daarbij het opslaan van van zulke opvolgende platen in zulk een cassette plaatsvindt onder een aanliggende positie in hoogterichting ervan.
38. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij het plaatsvinden van verwijdering van zulk een cassette vanaf de eronder gelegen verplaatsings-inrich-ting in de onderste positie ervan.
39. .Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met 35 het kenmerk, dat daarbij met behulp van een inrichting het opbrengen van typisch een tweetal electrische contacten op elk chip-gedeelte van zulk een plaat.
40. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij door een aantal opvolgende delingen van zulk een plaat de bewerkstelliging van zulk een semiconductor chip.
41. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 5 kenmerk, dat zoals daarbij eveneens de mogelijkheid bestaat van elke breedte en lengte van zulk een bewerkstelligde plaat, typisch minder dan 100 mm, daarbij ook de goedkoopste chips met zulk een papieren of kunststoffen onderlaag ervan kunnen worden bewerkstelligd.
42. Werkwijze volgens de Conclusie 41, met het kenmerk, dat zoals daartoe de toepassing van cassettes voor het tijdelijk opslaan van deze bewerkstelligde mini platen en daartoe eveneens een opslag-breedte en - lengte met zulk een minimale grootte ervan, daarbij de mogelijke verplaatsing van deze dunne 15 platen tot binnen zulk een cassette geschiedt met behulp van de stuwkracht van een volgende gescheiden plaat.
43. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in verband met de enorme productie van zulke platen in zulk een tunnel-opstelling per tijds- 20 eenheid, met behulp van meerdere inrichtingen het aanbrengen van zulke electrische aansluitingen plaats moet vinden, en geschiedt de toevoer van zulke geproduceerde platen ernaartoe vanuit zulke cassettes.
44. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 25 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin de mogelijke toepassing van meerdere van de werkwijzen de uiterst omvangrijke semiconductor installatie, - tunnel-opstellingen, - inrichtingen en de vervaardiging van - chips, welke zijn aangegeven en om-30 schreven in de door de aanvrager reeds bewerkstelligde en de door de aanvrager gelijktijdig ingediende tweetal andere Nederlandse Octrooi-aanvragen.
45. Werkwijze volgens de Conclusie 44, met het kenmerk, dat zoals daarby mede de mogelijke toepassing van semiconductor 35 werkwijzen, welke reeds worden toegepast in de bestaande semiconductor installaties onder de gebruikmaking van semiconductor modules, welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Conclusies van het navolgende: a) een individuele semiconductor wafer of - substraat; en/of b) een al dan niet individuele semiconductor module of 5. inrichting, en zulks mede bij draagt in zulk een optimaal semiconductor behandelings-proces van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes. 1 0 3 9 1 14
NL1039114A 2011-10-18 2011-10-18 Semiconductor installatie, waarbij in een semiconductor tunnel ervan de bewerkstelliging van opvolgende rechthoekige platen, bevattende een aantal basis-chips ten behoeve van in een inrichting door deling ervan het verkrijgen van chips. NL1039114C2 (nl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1039114A NL1039114C2 (nl) 2011-10-18 2011-10-18 Semiconductor installatie, waarbij in een semiconductor tunnel ervan de bewerkstelliging van opvolgende rechthoekige platen, bevattende een aantal basis-chips ten behoeve van in een inrichting door deling ervan het verkrijgen van chips.

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1039114A NL1039114C2 (nl) 2011-10-18 2011-10-18 Semiconductor installatie, waarbij in een semiconductor tunnel ervan de bewerkstelliging van opvolgende rechthoekige platen, bevattende een aantal basis-chips ten behoeve van in een inrichting door deling ervan het verkrijgen van chips.
NL1039114 2011-10-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL1039114C2 true NL1039114C2 (nl) 2013-04-22

Family

ID=45926860

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1039114A NL1039114C2 (nl) 2011-10-18 2011-10-18 Semiconductor installatie, waarbij in een semiconductor tunnel ervan de bewerkstelliging van opvolgende rechthoekige platen, bevattende een aantal basis-chips ten behoeve van in een inrichting door deling ervan het verkrijgen van chips.

Country Status (1)

Country Link
NL (1) NL1039114C2 (nl)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1985005758A1 (en) * 1984-06-04 1985-12-19 Edward Bok Gaseous lock for entrance and exit of tunnel, in which transport and processing of wafers take place under double floating condition
US4600471A (en) * 1981-08-26 1986-07-15 Integrated Automation, Limited Method and apparatus for transport and processing of substrate with developing agent
US20050002743A1 (en) * 2003-04-14 2005-01-06 Daifuku Co., Ltd. Apparatus for transporting plate-shaped work piece
DE102006054846A1 (de) * 2006-11-20 2008-05-29 Permatecs Gmbh Produktionsanlage zur Herstellung von Solarzellen im Inline-Verfahren, Inline-Batch-Umsetzeinrichtung, Batch-Inline-Umsetzeinrichtung sowie Verfahren zur Integration eines Batch-Prozesses in eine mehrspurige Inline-Produktionsanlage für Solarzellen
NL1037060C2 (nl) * 2009-06-23 2010-12-27 Edward Bok Semiconductor installatie, bevattende tenminste mede een lange smalle semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling ten behoeve van tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van een totaal semiconductor behandelings-proces van de daarin verplaatsende substraat.

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4600471A (en) * 1981-08-26 1986-07-15 Integrated Automation, Limited Method and apparatus for transport and processing of substrate with developing agent
WO1985005758A1 (en) * 1984-06-04 1985-12-19 Edward Bok Gaseous lock for entrance and exit of tunnel, in which transport and processing of wafers take place under double floating condition
US20050002743A1 (en) * 2003-04-14 2005-01-06 Daifuku Co., Ltd. Apparatus for transporting plate-shaped work piece
DE102006054846A1 (de) * 2006-11-20 2008-05-29 Permatecs Gmbh Produktionsanlage zur Herstellung von Solarzellen im Inline-Verfahren, Inline-Batch-Umsetzeinrichtung, Batch-Inline-Umsetzeinrichtung sowie Verfahren zur Integration eines Batch-Prozesses in eine mehrspurige Inline-Produktionsanlage für Solarzellen
NL1037060C2 (nl) * 2009-06-23 2010-12-27 Edward Bok Semiconductor installatie, bevattende tenminste mede een lange smalle semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling ten behoeve van tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van een totaal semiconductor behandelings-proces van de daarin verplaatsende substraat.

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6351223A (ja) 包装機械に用紙を送る搬送装置
US10569975B2 (en) Method for supplying plate elements to a machine, supply station and processing machine thus equipped
US3542629A (en) Method and apparatus for producing and transporting single- and multilayer chipboards
US20100050888A1 (en) Embedding cassette printing apparatus
JPS6121306A (ja) 紙巻煙草小包み機械における紙巻煙草の不完全グループを形成する方法
NL1039114C2 (nl) Semiconductor installatie, waarbij in een semiconductor tunnel ervan de bewerkstelliging van opvolgende rechthoekige platen, bevattende een aantal basis-chips ten behoeve van in een inrichting door deling ervan het verkrijgen van chips.
JP2009040518A (ja) 供給、搬出装置
US20160214827A1 (en) Stacking device
NL1037060C2 (nl) Semiconductor installatie, bevattende tenminste mede een lange smalle semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling ten behoeve van tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van een totaal semiconductor behandelings-proces van de daarin verplaatsende substraat.
EP3468876A2 (de) Vorrichtung zum transport von objekten
NL1039113C2 (nl) Semiconductor installatie, bevattende een semiconductor tunnel,waarin de bewerkstelliging van opvolgende rechthoekige platen, bevattende een aantal semiconductor basis-chips, met een tijdelijke opslag ervan in een daarachter gelegen cassette.
NL1039112C2 (nl) Semiconductor chips, bewerkstelligd in een semiconductor installatie, en waarbij daartoe in een tunnel-opstelling ervan de productie van rechthoekige platen en waaruit tenslotte in een inrichting door deling het verkrijgen ervan.
NL1039111C2 (nl) Uitwisselbare semiconductor cassette achter een semiconductor tunnel-opstelling voor het daarin tijdelijk opslaan van de daarin bewerkstelligde rechthoekige platen, bevattende reeds basis-chips.
NL1039189C2 (nl) Semiconductor chip, vervaardigd in een aantal opvolgende individuele semiconductor inrichtingen en waarbij in de eerste inrichting de opname van een folie-opslagrol, bevattende een zeer lange folie, in de daaropvolgende inrichtingen daarop de bewerkstelliging van opvolgende individuele rechthoekige substraat-gedeeltes, met in de laatste inrichting door opvolgende delingen ervan het verkrijgen daaruit daarvan.
NL1039188C2 (nl) Een aantal opvolgende individuele semiconductor inrichtingen, waarbij in de eerste inrichting de opname van een folie-opslagrol en in de daaropvolgende inrichtingen daarop de bewerkstelliging van opvolgende individuele rechthoekige semiconductor substraat-gedeeltes, met in de laatste inrichting door opvolgende delingen ervan het verkrijgen daaruit van semiconductor chips.
KR101100525B1 (ko) 다층의 단계적 적층을 위한 장치
US6296103B1 (en) Method of and device for buffering sheets of cut stock in block shaped stacks ranged in rows for cutting
JP5237158B2 (ja) 薄板状物品の供給装置
JP4936291B2 (ja) 試料ブロックのスライス装置
JP6118641B2 (ja) シャリ玉供給装置
NL1037473C2 (nl) Semiconductor tunnel-opstelling, waarin het plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen van opvolgende erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en waarbij mede daarin meerdere stripvormige medium toevoer-inrichtingen in ten minste het boventunnelblok ervan zijn opgenomen voor een ononderbroken toevoer van tenminste mede de combinatie van deeltjes van een draagmedium in een gasvormige - of verdampbare vloeibare vorm ervan.
CN218055824U (zh) 一种用于烟包卸盘机的烟盘运送装置
NL1037064C2 (nl) In een semiconductor tunnel-opstelling de opname in het boventunnelblok ervan van een stripvormige toevoer-sectie voor het daarin ononderbroken toevoeren van een semiconductor behandelings-medium, bevattende de combinatie van een laagkokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste en/of vloeibare vorm ervan onder tenminste mede een micro-hoogte van het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte en in een volgende sectie ervan een stripvormige transducer-opstelling, tevens fungerend als warmtebron, met in een daarop-volgende stripvormige afvoersectie afvoeren van he
JP6108911B2 (ja) トレー容器の切断排出装置
NL1037062C2 (nl) Semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling, waarin tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes tijdens het ononderbroken erdoorheen verplaatsen ervan.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20150501