NL1037060C2

NL1037060C2 - Semiconductor installatie, bevattende tenminste mede een lange smalle semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling ten behoeve van tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van een totaal semiconductor behandelings-proces van de daarin verplaatsende substraat.

Info

Publication number: NL1037060C2
Application number: NL1037060A
Authority: NL
Inventors: Edward Bok
Original assignee: Edward Bok
Priority date: 2009-06-23
Filing date: 2009-06-23
Publication date: 2010-12-27

Description

Semiconductor installatie, bevattende tenminste mede een lange smalle semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnel-opstelling ten behoeve van tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van een totaal semiconductor 5 behandelings-proces van de daarin verplaatsende substraat.

In deze semiconductor installatie volgens de uitvinding vindt de jaarproductie van circa 0,4 miljard chips plaats.

Zulk een semiconductor installatie is nog niet bekend.

10 Daarbij de reeds in de bijgaande Nederlandse Octrooiaanvrage No. 1 van de aanvrager omschreven voordelen van zulk een installatie ten opzichte van de bestaande semiconductor installaties onder toepassing van tenminste mede individuele semiconductor modules en - wafers.

15 De typisch minder dan 15 meter lange semiconductor installatie heeft slechts een breedte van minder dan 2 meter ten behoeve van daarin tijdens de werking ervan het verkrijgen van chips uit de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

Daarbij in zulk een installatie de opname van tenminste 20 mede een semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling. en waarin tijdens de werking ervan in opvolgende behandelings-gedeeltes het ononderbroken plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen van de opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor 25 substraat-gedeeltes en zulks typisch onder toepassing van een ononderbroken folie of band als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

In een volgende gunstige uitvoering van deze installatie daarin de opname van een inrichting ten behoeve van de opslag 30 van een zodanig lange folie, dat gedurende een lange tijd, tenminste circa 0,2 jaar, een tenminste nagenoeg ononderbroken verplaatsing ervan door zulk een tunnel-opstelling geschiedt.

Verder bevat zulk een folie/band evenwijdige opstaande zijwanden en heeft deze een breedte, welke in'geringe mate 35 kleiner is dan die van de doorgang van zulk een tunnel.

In een gunstige uitvoering is zulk een tunnel-opstelling ononderbroken en strekt zich uitsluitend lineair uit.

Daarbij is de doorgang ervan ten behoeve van de verplaatsing erdoorheen van de opvolgende substraat-gedeeltes tijdens de 1037060 2 werking alleen ter plaatse van de in- en uitgangszijde ervan in open verbinding met de atmospherische buitenlucht onder toepassing van een gasvormig mediumslot aan tenminste de ingangszijde ervan.

Verder in een gunstige uitvoering van deze installatie achter zulk een 5 tunnel-opstelling de opname van een inrichting ten behoeve van daarin tenminste mede door deling van de opvolgende, daarin ononderbroken semiconductor behandelde semiconductor substraat-gedeeltes, de bewerkstelliging van semiconductor chips.

Verder bevat deze installatie middelen ten behoeve van de besturing 10 van tenminste mede de opvolgende semiconductor behandelingen in zulk een tunnel-opstelling en het semiconductor substraat transfersysteem ten behoeve van een tenminste nagenoeg ononderbroken gelijkmatige verplaatsing van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes erdoorheen.

Voor deze installatie personeel ten behoeve van het plaatsvinden van 15 tenminste mede het navolgende: a) het opstarten van de werking van zulk een semiconductor tunnel-opstelling en beëindiging ervan? en b) controle van de correcte continue werking van deze tunnel-opstelling en het onderhoud ervan.

20 Verder bevat deze installatie inrichtingen ten behoeve van het navolgende: a) starten en beëindigen van de toe- en afvoer van de semiconductor behandelingsmediums en de transfermediums; en b) onderhouden van een continue toe- en afvoer van deze mediums.

25 De installatie bevat typisch verder de opslag-opstellingen van de verschillende semiconductor behandelings- en transfermediums.

In een gunstige alternatieve uitvoering ervan bevat deze middelen ten behoeve van in het uitgangsgedeelte ervan het verwijderen van de opvolgende metalen folie-gedeeltes vanaf de opvolgende semiconductor 30 substraat-gedeeltes als een tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

Daarbij bevat deze installatie in een volgende gunstge uitvoering ervan aan de uitgangszijde van de tunnel-opstelling middelen ten behoeve van via een reinigings-inrichting verplaatsen van deze folie naar een opslagrol ervoor.

35 In een volgende gunstige uitvoering van deze installatie daarbij de opname van een rol-opstelling aan de ingangszijde van de tunnel-opstelling ten behoeve van het opnieuw invoeren van de gereinigde folie daarin.

Daarbij daartoe achter zulk een onder deze tunnel—Opstelling opgenomen 3 reinigings-inrichting voor deze metalen folie de npnamt» van een inrichting ten behoeve van het daarin op de bovenwand ervan opbouwen van een pm hoge laag vloeibaar geleidingsmedium voor een ganakkelijke verplaatsing ervan door deze tunnel-opstel1ing.

5 Verder fungeert in een gunstige uitvoering van deze installatie zulk een folie als een ononderbroken metalen semiconductor substraat draag/ transfer band ten behoeve van het nabij de ingang van de daarin opgenanen tunnel-opstelling opbrengen erop van opvolgende typisch kunststoffen folie-gedeeltes, welke daartoe afkcmstig zijn van een folie-opslagrol.

10 Daarbij is in een gunstige uitvoering van deze band de bovenwand tenminste ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan verdiept ten behoeve van het daarin opnemen van deze opvolgende folie-gedeeltes en wordt daarbij typisch een mechanisch contact onderhouden tussen deze opvolgend band- en folie-gedeeltes.

15 Bij de bestaande semiconductor installaties onder toepassing van opslag van semiconductor wafers in cassettes ai transfer ervan naar ai vanaf opvolgende semiconductor behandelings-modules ten behoeve van de vervaardiging van semiconductor chips tenminste mede de reeds deze bijgaande Nedelandse Octrooi-aanvrage No. 1 cmschreven nadelen ervan.

20 Verder daarbij aanvullend het navolgende:

Bij toepassing daarin van de ccmbinatie van een nagenoeg cilindrische wafer als semiconductor substraat en opvolgende semiconductor substraat behandelings-modules, waarin geen mogelijke lineaire verplaatsing ervan erdoorheen, noet daarbij ten behoeve van de bewerkstelliging van een 25 semiconductor substraat, waaruit door deling ervan het verkrijgen van semiconductor chips, aldus de noodzakelijke opbouw van een aantal opvolgende semiconductor lagen, welke uitsluitend in hoogterichting op elkaar liggen met tussengelegen typisch di-electrische semiconductor lagen, bevattende metalen semiconductor doorverbindingen voor deze 30 semiconductor lagen.

Daarbij geen enkele mogelijkheid van zulke semiconductor lagen cm opvolgend in een lineaire richting naast elkaar te liggen.

Aldus de noodzaak van een uiterst dure en complexe semiconductor installatie, bevattende een zeer groot aantal semiconductor behandelings-35 modules.

Daarbij bij toepassing van een vijftal op elkaar gelegen semiconductor lagen, met voor elke typisch nagenoeg ronde laag een benodigde individuele belichtingspatroon-opbreng-inrichting en een groot aantal 4 individuele semiconductor benandelings-inrichtingen en bevattende eveneens een aanzienlijke ontvang ervan.

Zulks tevens voor de daarbij tussengelegen viertal semiconductor verbindingslagen met eveneens tenminste mede de noodzakelijke toepassing 5 van een groot aantal van zulke semiconductor inrichtingen.

Aldus mede daardoor de noodzaak van een groot aantal benodigde semiconductor reini g ings-behandelingen ten behoeve van de bewerkstelliging van een totaal semiconductor behandelings-proces voor zulk een semiconductor substraat met typisch een daarbij benodigde de-10 electrische onderlaag ervan voor het daaruit verkrijqen vah zulke chips.

Daarbij mede door de steeds verdere verkleining van de breedte van de metalen semiconductor verbindingen in zulk een semiconductor laag, nu reeds typisch minder dan 40 nanometer, een steeds verdere bemoeilijking van het totale semiconductor behandelings-proces en zulks tevens door 15 het uiterst nauwkeurig boven elkaar moeten liggen van deze opvolgende semiconductor lagen met de tussengelegen metalen doorverbindingen.

In deze nieuwe semiconductor installatie nu echter mede door deze nanometer grote lijnbreedtes de mogelijke ideale bewerkstelliging van opvolgende semiconductor substraat-gedeelteS) bevattende slechts één 20 semiconductor laag en waaruit in een inrichting achter zulk een semiconductor tunnel-opstelling door deling «van het verkrijgen van semiconductor chips met slechts deze enkele semiconductor laag en toch daarbij een toelaatbare omvang ervan.

In deze semiconductor installatie volgens de uitvinding tevens de 25 mogelijke toepassing van meerdere van de middelen en werkwijzen van de semiconductor inrichtingen, welke door de aanvrager zijn omschreven in de gelijktijdig hiermede ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen.

Verder in deze semiconductor installatie de mogelijke toepassing van alle reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor behandelingen voor 30 wafers in semiconductor modules, ook welke reeds zijn omschreven in

Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Conclusies van het navolgende: a) een individuele semiconductor wafer of - substraat; en/of b) een al dan niet individuele semiconductor processing-module.

35 Verder zijn de in deze Octrooi-aanvrage ontschreven middelen en werkwijzen tevens toepasbaar in de semiconductor installaties of delen ervan, welke zijn ontschreven in de gelijktijdig door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen.

5

Figuur 1 toont schematisch de semiconductor installatie volgens de uitvinding in een zijaanzicht ervan.

Figuur 2 toont een doorsnede over de lijn 2-2 van de in deze installatie opgenanen semiconductor tunnel-opstelling ter plaatse van het 5 ingangsgedeelte ervan.

Figuur 3 toont een langsdoorsnede van het begingedeelte van deze semiconductor tunnel ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan.

Figuur 3A toont daarbij sterk vergroot een tunneldoortocht-gedeelte ter 10 plaatse van de in de bovenwand van het boventunnelblok opgencmen stripvormige transduoer-opstelling.

O

Figuur 3 toont daarbij sterk vergroot de tunneldoorgang achter deze transducer-opstelling.

Figuur 4 toont sterk vergroot een langsdoorsnede-gedeelte van de 15 tunneldoorgang ter plaatse van een toe- en afvoergroef in het ondertunnelblok voor vloeibaar transfer/geleidingsmedium.

Figuur 5 toont schematisch de semiconductor installatie in een alternatieve uitvoering ervan en waarbij daarin in een inrichting achter de tunnel-opstelling het met behulp van een rol-opstelling plaatsvinden 20 van scheiding van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes van de opvolgende folie-gedeeltes onder daarbij opslag van deze opvolgend folie-gedeeltes in een folie-opslagrol-opstelling.

Figuur 6 toont een alternatieve uitvoering van de installatie volgens de Figuur 5 en waarbij daarin ter plaatse van de ingang van deze 25 semiconductor tunnel-opstelling de opname van een rol-opstelling ten behoeve van het mede daarmede bewerkstelligen van een ononderbroken metalen semiconductor substraat draag/transferband en waarbij op deze band het opbrengen van opvolgende typisch kunststoffen folie-gedeeltes, welke afkomstig zijn van een in deze installatie opgencmen folie-opslagrol.

30 Figuur 7 toont een dwarsdoorsnede van een band-uitvoering met een verdiept centraal gedeelte van de bovenwand ervan ten behoeve van het daarin opnemen van de opvolgende folie-gedeeltes.

Figuur 8 toont een gedeelte van een alternatieve uitvoering van de semiconductor installatie met daarin het ononderbroken door de tunnel-35 opstelling ervan verplaatsen van een ononderbroken folie draag/ transf erband met daarop een tweetal opvolgend® aaneengesloten f oliën.

Figuur 9 toont een gedeeltelijk bovenaanzicht van de opvolgende, door de inrichting achter de uitgang van de tunnel-opstelling verplaatsende 6 semiconductor substraat-gedeeltes,

Figuur 10 toont sterk vergroot een bovenaanzicht van de na deling van deze opvolgende semiconductor subetraat-gedeeltes bewerkstelligde semiconductor chipty bevattende daarbij typisch slechts één semiconductor 5 bovenlaag.

De uitvinding zal hieronder nader woden uiteengezet aan de hand van een aantal in de Figuren weergegeven uitvoeringsvoorbeelden van de installatie-opbouw.

Figuur 1 toont schematisch de semiconductor installatie in een 10 zijaanzicht ervan.

Zulk een semiconductor installatie bestaat daarbij typisch in hoofdzaak uit een zich in de lengterichting ervan uitstrekkende semiconductor subtraat transfer/behandelingstunnel-opstelling 12» bevattende een bcventunnelblok 14, een ondertunnelblok 16 en de ertussen opgenomen 15 centrale tunneldoortocht 18, Figuren 2 ei 3.

In zulk een semiconductor installatie nabij de ingangszgde 20 van deze semiconductor tunnel-opetelling 12 de' opname van een opslagrol-opstelling 22 ten behoeve van tijdens de werking ervan de ononderbroken toevoer van een zeer lange folie met typische slechts een minder dan 0,1 ιπη dikte 20 ervan en bevattende een typisch tenminste nagenoeg evenwijdige opstaande zijwand-gedeeltes 26 en 28.

Tijens de werking van zulk een semiconductor installatie vindt daarbij een ononderbroken lineaire verplaatsing van deze folie 24 door deze tunneldoortocht 18 plaats.

25 Daarbij in de opvolgende secties van het centrale boven-semiconductor behandelings-gedeelte van de tunneldoorocht 18 het ononderbroken plaatsvinden van opbouw van tenminste één semiconductor laag op de bovenzijde van deze folie onder de bewerkstelliging van opvolgende zich ononderbroken onderlangs dit boven-behandelingsgedeelte van deze 30 tuuneldoortocht verplaatsende semiconductor subetraat-gedeeltes^

Figuur 3 toont een langsdoorsnede van het begingedeelte nan deze semiconductor tunnel 12 ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan.

Ten behoeve van verankering van de eerste semiconductor laag op deze 35 folie 24 nabij de ingang 20 van deze tunneldoorgang 18 vindt achter de stripvormige slotsectie 30 en zulks via de stripvonnige toevoer sectie 32 in het bcventunnelblok 14 ter plaatse van het bovenspleet-gedeelte van de tunneldoorgang 18 het ononderbroken toevoeren van de combinatie van 7 laagkokend vloeibaar draagmedium 36 en deeltjes vloeibaar hechtmedium 38 plaats en waarbij met behulp van een in de onderwand van dit tunnelblok opgencmen stripvomige transducer-opstelling 40, welke tevens fungeert als warmtebron, het in het eronder gelegen gedeelte van deze boven-5 behandelingsspleetgedeelte ' plaatsvinden van verdamping van dit laagkokende vloeibare draagmedium 36, met daarbij neerslag van deze deeltjes vloeibaar hechtmedium 38 op de opvolgende eronderlangs verplaatsende folie-gedeeltes, onder de vorming van een gelijkmatige jum hoge film van deze vloeibare hechtsubstantie 38 en waarbij in een daarop 10 volgende stripvormige afvoersectie 42 in dit boventunnelblok het plaatsvinden van afvoer van dit verdampte medium.

Daarbij toont Figuur 3 sterk vergroot een gedeelte van deze bovenspleet 34 onder deze transducer-opstelling 40, met daarin reeds het plaatsvinden van neerslag van deeltjes vloeibare hechtsubstantie 38 op de opvolgende, o 15 eronderlangs folie-gedeeltes 24 en Figuur 3 een gedeelte van deze bovenspleet 34. achter deze afvoersectie 42 en waarbij ter plaatse zulk een opgebouwde pm hoge laag van dit hechtmedium 38 op deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende folie-gedeeltes 24.

Daarbij, zoals is aangegeven in de Figuren 3 en sterk vergroot 20 Figuur 4, teminste mede plaatselijk in tenminste de bovenwand van het ondertunnelblok 16 de opname van, gezien in de verplaatsingsrichting van deze opvolgende ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 44, opvolgende, in de lengterichting van deze tunnel uitstrekkende groeven 46 met aan de ingangszijde ervan aansluiting erop 25 van een stripvormige toevoersectie 48 voor typisch hoogkokend vloeibaar transfer/geleidingsmedium 50, met aan de uitgangszijde ervan de aansluiting erop van een stripvormige afvoersectie 54 ten behoeve van het continue onderhouden van opvolgende stromen ervan langs de onderwand van deze opvolgende folie-gedeeltes onder het daarbij gelijktijdig onderhouden 30 van een jum hoge film ervan in tenminste mede de tussengelegen onderpleet-sectie .58 en ondersteunen van de verplaatsing van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes door de tunneldoorgang 18.

Daarbij, zoals verder is aangegeven in de Figuur 4, in de opvolgende secties van het centrale boven-semiconductorbehandelingsgedee1te 60 van 35 deze tunneldoortocht het ononderbroken dpbouwen van de opvolgende semiconductor lagen op de bovenzijde van deze folie 24 onder de bewerkstelliging van deze opvolgende, zich ononderbroken onderlangs dit centrale boven-semiconductor behandelingsspleetgedeelte 34 verplaatsende 8 semiconductor substraat-gedeeltes 44.

In de Figuur 5 is een schematisch zijaanzicht van de alternatieve semiconductor installatie 10' aangegeven, waarbij daarin tijdens de werking ervan in de inrichting 62 het ononderbroken plaatsvinden van 5 scheiding van de opvolgende gedeeltes van de metalen folie 24' van de daarop in de semiconductor tunnel-opstelling 12' opgebrachte opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 44’.

Deze opvolgende folie-gedeeltes zijn daarbij afkomstig uit de folie-opslagrol 22'.

10 Ten behoeve van de bewerkstelliging van zulk een scheiding daarbij het voorafgaand in het begingedeelte van de tunnel-opstelling 12' op deze opvolgende folie-gedeeltes aangebracht zijn van een pm hoge film zeer hoogkokend vloeibaar medium, typisch gallium, op tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan.

15 Daarbij via mede de rol-opstelling 64 het verplaatsen van deze opvolgende folie-gedeeltes naar de reinigings-inrichting 66 ten behoeve van het daarin ononderbroken plaatsvinden van reiniging van in het bijzonder het boven-oppervlak ervan.

Vervolgens vindt daarbij in de rol-opstelling 68 opslag van deze 20 opvolgende folie-gedeeltes plaats.

Daarbij fungeert deze rol-opstelling 68 tevens ten behoeve van het daarbij uitoefenen van een trekkracht op deze opvolgende folie-gedeeltes.

In de aangepaste inrichting 70 vindt daarbij na reiniging van de opvolgende, daarin ononderbroken toegevoerde semiconductor substraat-25 gedeeltes 44' deling ervan in semiconductor chips 72 plaats.

De in tenminste de Figuren 1, 2 en 5 aangegeven folie 24 bestaat typisch uit kunststof of een metaal en waarbij aldus de semiconductor onderlaag van de in de tunnel-opstelling 12 van deze semiconductor installatie 10 bewerkstelligde opvolgende semiconductoe substraat-30 gedeeltes 44 en daarmede eveneens zulk een semiconductor chip 72 tenminste mede uit zulk een kunststof of metaal bestaat.

Figuur 6 toont de semiconductor installatie 10", waarbij in de ingang van de tunnel-opstelling 12" de rol-opstelling 78 ten behoeve van het wedercm invoeren van de in de inrichting 66" gereinigde opvolgende 35 gedeeltes van de folie 24"in deze semiconductor tunnel-opstelling 12", met het typisch fungeren ervan als een ononderbroken semiconductor draag/trans ferband.

In de inrichting 80 vindt daartoe na deze reinigings-inrichting 66" 9 daarbij het mede plaatsvinden van het ophouwen van een jjm hoge film tijdelijke vloeibare hechtsubstantie 82 op de opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende, mede daartoe in geringe mate dikkere metalen band 76.

Daarbij in een gunstige werking van deze installatie 10" vindt een 5 ononderbroken toevoer van opvolgende folie-gedeeltes74 vanaf de folie-opslagrol 22" plaats ten behoeve van het in het in het ingangs-gedeelte 20" van deze tunnel-opstel ling 12" opbrengen ervan op deze band 76 met daarbij deze tussengelegen um hoge laag tijdelijke hechtsubstantie 82.

Verder met behulp van deze hechtsubstantie het in voldoende mate 10 zodanig tijdelijk verankeren op de opvolgende bandgédeeltes 76 van de in deze tunnel-opstelling 12” bewerkstelligde opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 44", dat in de inrichting 62" achter deze tunnel-opstelling het mogelijk plaatsvinden van scheiding van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes van de opvolgende bandgedeeltes 15 Figuur 7 toont een gunstige uitvoering van deze semiconductor substraat draag/transferband 76, waarbij de bovenwand tenminste ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte 60" in geringe mate verdiept is ten behoeve van het daarin opbouwen van zulke opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 44'11, met typisch de 20 opvolgende folie-gedeeltes 74 als een definitieve semiconductor onderlaag ervan.

Daarbij zijn de op het verdiepte centrale gedeelte 84 van deze band 76 opgebrachte opvolgende folie-gedeeltes 74 als definitieve semiconductor onderlaag van zulke opvolgende semiconductor substraat-25 gedeeltes in voldoende mate daarop verankerd door een mechanisch contact van deze daartoe optimaal vlakke opvolgende folie-gedeeltes met de eveneens optimaal vlakke verdiepte bovenwand-gedeeltes van deze band.

Zulks mede door daarbij de toepassing van zulk een semiconductor substraat draag/transferband 7 6 , dat deze met tenminste één opstaande 30 zijwand 86 correspondeert met een vlakke opstaande zijwand 88 van de

I I I

tunneldoorgang 18

Verder, dat daarbij mede daartoe de opstaande zijwand 90 van dit . verdiepte gedeelte 84 van deze band 7 6 , welke correspondeert met deze opstaande zijwand 86 ervan, eveneens in voldoende mate in zowel de lengte-35 als hoogterichting vlak is en zulks tevens voor de daarmede corresponderende opstaande zijwand 26 van de opvolgende folie-gedeeltes 74.

Verder, dat daarbij tijdens de wamte-behandeling van een bovenlaag-gedeelte van de opvolgende substraat-gedeeltes 44''', zoals is 10 anschreven in de toekomstige Nederlandse Octrooi-aanvragen van de aanvrager, het mede beletten van een ontoelaatbare vervorming in dwarsrichting ervan.

Daarbij daartoe in opvolgende semiconductor warmte-behandelingssecties 5 in de onderwand van het boventunnelblok 14 de opname van een ven grote electrische verwarmingsdraad, met het daarbij gedurende een zeer korte tijd opwarmen van slechts een (sub) urn hoge opgebrachte semiconductor substantie, zoals een di-electrische substantie en typisch in de lengterichting opzij ervan een afkoel-inrichting.

10 Verder mede daartoe het in een gunstige werkwijze in deze tunnel-opstelling 12 opbouwen van slechts één semiconductor bovenlaag op typisch een kunststoffen folie2 4, waardoor tenminste mede het navolgende: a) een geringe toelaatbare vervorming ervan tijdens zulk een oven- 15 behandelingsprooes; en b) een geringe toelaatbare uitrekking ervan in de lengterichting van de tunneldoorgang 18 tijdens de lineaire verplaatsing ervan erdoorheen, omdat daarbij in een stripvormige tunnelsectie slechts één enkel belichtingsproces benodigd is.

20 Daarbij tijdens de werking van deze tunnel-opstelling met een ononderbroken verplaatsing van zulk een combinatie van ononderbroken band 76 en typisch ononderbroken opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 44 net mede daarbij onderhouden van een nagenoeg evenwijdige positie van zulk een opstaande zijwand van deze folie 24 met de 25 daarmede corresponderende opstaande zijwand 8 8 van de tunneldoorgang 18 met behulp van opvolgende stromen gasvormig medium langs de bovenwand ervan en het daarhïj onderhouden van het navolgende: a) geleiding van deze band 76 langs zulk een opstaande zijwand van de tunneldoorgang 18; en 30 b) aanliggen van een opstaande zijwand92 van de opvolgende folie-gedeeltes 74 tegen de opstaande zijwand90 van dit verdiepte bovenwand-gedeelte 84 van deze band 76.

Figuur 8 toont voor de semiconductor installatie 10 middelen ten behoeve van het bewerkstelligen van tijdaas de werking ervan daarin in 35 het ingangsgedeelte 20 van de daarin opgencmen semiconductor tunnel- opstelling 12 het aansluiten op de achterzijde 94 van de reeds erdoorheen verplaatste folie 24 van de voorzijde96- van een volgende folie 24.

Daartoe bevatten deze foliën 24 aan de voorzijde ervan de vlakke 11 ópstaande zijwand 96 en aan de achterzijde de vlakke opstaande zijwand 94 en welke tenminste nagenoeg evenwijdig zijn.

In een gunstige uitvoering van zulk een in de opslagrol 68 opgeslagen folie 24 is daarbij de lengte ervan groter dan die van deze tunnel-5 opstelling 12, typisch meer dan 20 meter en zelfs mogelijk 5000 meter ten behoeve van gedurende circa 2 maanden het onderhouden van een continue ononderbroken verplaatsing ervan erdoorheen en met een daarin gelijktijdig ononderbroken plaatsvinden van de opvolgende semiconductor behandelingen.

Zulks bij een verplaatsingssnelheid van deze folie van 2 nm/seoande.

10 Aldus tenminste een circa 3 uren tijdsduur, voordat een volgende folie moet worden ingebracht.

Daarbij bevat tunnel-ingangsgedeelte 20 in een gunstige uitvoering aan de bovenzijde ervan een open centraal gedeelte 100 ten behoeve van inspectie van zulk een bewerkstelligde critische aansluiting van deze 15 opvolgende foliën waarbij ter plaatse van de beide dwarsuiteinden ge van de tunneldoorgang 18 het plaatsvinden van geleiding van de ingebrachte volgende folie.

Daarbij typisch tenminste mede met behulp van opvolgende stromen gasvomig medium langs deze nieuwe folie in de richting van de voorgaande 20 folie met het onderhouden van een in geringe mate hogere snelheid van het voorgedeelte van deze folie dan die van de voorgaande folie totdat zulk een aansluiting heeft plaats gevonden.

Zulk een folie—toevoersysteem is gedetailleerd aangegeven en cmschreven inde binnenkort nog in te dienen corresponderende Octrooi- 25 aanvrage door de aanvrager.

De reinigings-inrichting 66 bevat daarbij verier zodanige middelen, dat daarin tevens het plaatsvinden van verwijdering van een eventueel op de op de daarbij toegepaste band 76 terechtgekomen substantie. Figuur 6.

Zulk een geringe tunnel lengte is ook mogelijk bij toepassing van 30 opvolgende semiconductor substraatgedeeltea 44 met typisch slechts één semiconductor bovenlaag en waaruit in de inrichting 62 door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips 72 met slechts zulk een enkele semiconductor opbouw ervan, Figuren 1 en 2.

Zulk een mogelijke enkele semiconductorlaag in plaats van een aantal 35 boven elkaar gelegen semiconductor lagen, zoals tot op heden algemeen gebruikelijk is in de bestaande semiconductor industrie onder toepassing van nagenoeg cilindrische semiconductor wafers en tenminste mede individuele semiconductor behandelings-modules met verticale metalen 12 doorverbindingen ertussen.

In een alternatieve mogelijke uitvoering van zulk een folie 24 is de lengte ervan minder dan die van deze semiconductor tunnel-ops teil ing 12, waardoor een daarbij noodzakelijke veelvuldige inbreng ing van zulk een 5 volgende folie, typisch daarbij binnen 2 uur.

Verder kan zulk een inbrengen van het begin van de volgende folie zover handmatig worden ondersteund totdat aansluiting ervan op deze voorgaande folie heeft plaats gevonden en waarbij vervolgens tijdens de verdere verplaatsing van deze combinatie van foliën door deze stromen 10 gasvormig median zulk een aansluiting blijft gehandhaafd.

Door zulk een in het ingangsgedeelte van de tunnel-opstelling aansluiten van de volgende folie op de voorgaande folie vindt daarbij aldus mogelijk tenminste mede een ononderbroken toe- en afvoer van semiconductor behandel ingsmedium naar en vanaf de opvolgende stripvomige 15 boven semiconductor behandelingsspleetsecties van deze semiconductor tunnel-opstelling plaats.

Aldus een geheel nieuwe semiconductor transfer/behandelings-technologie onder de bewerkstelliging van semiconductor chips met daarbij de toepassing van elke mogelijke substantie voor zulk era semiconductor 20 folie of een combinatie van substanties ervoor, zoals mede is aangegeven en cmschreven in de vele, toekomstig in te dienen Octooi-aanvragen door de aanvrager, betreffende mede zulke semiconductor chips.

Zulks mede door de in de· volgendeOctrooi-aanvragen aangegeven en cmschreven aanvullende middelen en werkwijzen ten behoeve van tenminste 25 mede een hoog effectieve en bijzondere cpbouw van tenminste één semiconductor laag op zulk een folie als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag van de in deze semiconductor installatie bewerkstelligde opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, waaruit door deling ervan het verkrijgen van zulke semiconductor chips.

30 In de Figuur 9 is verder nog een gedeeltelijk bovenaanzicht aangegeven van de opvolgende, zich ononderbroken door de inrichting 62 achter de tunnel-uitgang 52, Figuur 1, verplaatsende opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 44.

Daarbij bestaat zulk een semiconductor substraat-gedeelte 44 uit een 35 aantal opvolgende, in dwarsrichting naast elkaar gelegen semiconductor substraatsecties, waaruit door deling ervan in deze inrichting de bewerkstelliging van semiconductor chips 72, typisch bevattende slechts één enkele semiconductor bovenlaag op een typisch kunststoffen folie 24 13 als definitieve semiconductor onderlaag ervan.

Figuur 10 toont sterk vergroot een bovenaanzicht van de bewerkstelligde semiconductor chip 72, bevattende op deze typisch kunststoffen onderlaag de semiconductor bovenlaag 104 in samengehechte toestand als vervanger 5 voor de bestaande semiconductor chips met een aantal boven elkaai gelegen semiconductor lagen met tussengelegen metalen semiconductor doorverbindingen.

Daarbij is typisch de afmeting van zulk een semiconductor chip 72 in dwarsrichting circa gelijk aan die in de lengterichting ervan.

10 Verder voor zulk een semiconductor chip elk mogelijk aantal electrische aansluitingen. 106 en elke mogelijke positie ervan.

Verder voor de semiconductor grondlaag van zulk een chip elke moge lijke combinatie van boven elkaar gelegen pm hoge lagen, zoals onder andere een di-electrische onderlaag, een metalen tussenlaag en een di-electrische 15 bovenlaag.

Verder de mogelijke toepassing van een aantal boven elkaar gelegen semiconductor lagen met metalen doorverbindingen ertussen.

Verder bevat deze semiconductor installatie zodanige middelen, dat daarbij met behulp van een in het boventunnelblok van de daarin opgencmen 20 semiconductor tunnel-ops telling stripvormige belichtingspatroon- cpbrenginrichting het plaatsvinden van het op de opvolgende eronder langs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes opbrengen van een stripvozmig belichtingspatroon.

Daarbij daartoe in de beide dwarsuiteinden van zulk een semiconductor 25 band of - folie het aangebracht zijn van opvolgende uitsparingen 100,

Figuur 8, ten behoeve van het met behulp van deze band of folie mede-verplaatsen van deze belichtingspatroon-opbrenginrichting met de opgebrachte opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes tijdens het belichtingsproces.

30 In zulk een semiconductor installatie 10,met de daarin opgencmen semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnelopstelling 12, tenminste mede de toepassing van een folie-opslagrol 22 nabij de ingang ervan ten behoeve van tijdens de werking ervan het plaatsvinden van een ononderbroken verplaatsing van de opvolgende folie-gedeeltes erdoorheen 35 en vindt daarbij in de achter de uitgang 52 van deze tunnel- opstelling opgencmen inrichting 62 tenminste mede door deling van de opvolgende, daarin ononderbroken toegevoerde semiconductor substraat-gedeeltes de bewerkstelliging van semiconductor chips 72 met tenminste 14 mede een semiconductor laag-opbouw.

Daarbij door het in deze tunnel-opstelling bewerkstelligd zijn van slechts één enkele semiconductor laag, welke tevens fungeert als semiconductor bovenlaag van de opvolgende, ononderbroken erdoorheen 5 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, tenminste mede de navolgende semiconductor laag-opbouwen van zulke, daaruit verkregen semiconductor chips: a) de combinatie van een kunststoffen onderlaag en een di-electrische bovenlaag; of 10 b) de combinatie van een kunststoffen onderlaag, een metalen tussenlaag en een di-electrische bovenlaag; of c) de combinatie van een metalen onderlaag en een di-electrische bovenlaag; of d) uitsluitend een di-electrische bovenlaag; of 15 e) de combinatie van een di-electrische onderlaag, een metalen tussenlaag en een di-electrische bovenlaag.

Indien echter in zulk een tunnel-opstelling de bewerkstelliging van een aantal boven elkaar gelegen primaire semiconductor lagen met secundaire tussenlagen, bevattende een aantal metalen doorverbindingen 20 tussen deze primaire semiconductor lagen, daarbij eveneens het mogelijk plaatsvinden van de onder a), b), C), d) ene) vermelde semiconductor laag-opbouwen van zulke, daaruit verkregen semiconductor chips.

Indien in zulk een semiconductor tunnel-opstelling uitsluitend de toepassing van een ononderbroken metalen semiconductor substraatdraag/ 25 band 76 met de rol-opstellingen 64 en 78 nabij de uit- en ingang ervan, Figuur 6, en met daarin de bewerkstelliging van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes met slechte een enkele semiconductor laag, welke daarbij tevens fungeert als semiconductor bovenlaag ervan, daarbij echter slechts de semiconductor laag-opbouwen van de uit zulk een 30 inrichting verkregen semiconductor chips,welke zijn vermeld onder d) en e).

Als daarbij in zulk een tunnel-opstelling de bewerkstelliging van, opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, bevattende een aantal boven elkaar gelegen primaire semiconductor lagen met secundaire semiconductor tussenlagen, waarin de opname van een aantal metalen 35 doorverbindingen tussen deze primaire lagen, daarbij eveneens voor de uit deze inrichting verkregen semiconductor chips slechts deze onder d) en e) vermelde semiconductor laag-opbouwen.

Indien echter de toepassing van de combinatie van zulk een 15 ononderbroken semiconductor substraat draag/transferband en de daarop ononderbroken vanaf een opslagrol-opstelling erop opgebrachte opvolgende semiconductor folie-gedeeltes, daarbij wederom tenminste mede de onder a), b), c), d) en e) vermelde mogelijke semiconductor laag-opbouwen. van de 5 daaruit verkregen semiconductor chips.

Zulk een semiconductor kunststoffen folie of - laag bevat een voldoend hoge smelttemperatuur en di-electrische waarde ervan ten behoeve van het fungeren ervan als tenminste semiconductor onderlaag van de opvolgende, in deze semiconductor tunnel-opstelling bewerkstelligde semiconductor 10 substraat-gedeeltes en vervolgens in een daarachter opgencmen inrichting tenminste mede door deling ervan het verkrijgen van semiconductor chips met zulk een semiconductor onderlaag ervan.

Verder is tevens een tenminste mede papieren folie in een daartoe geschikte uitvoering en samenstelling ervan toepasbaar voor tenminste 15 zulk een semiconductor onderlaag van de opvolgende, in deze tunnel-opstelling bewerkstelligde semiconductor substraat-gedeeltes en in de daarachter opgencmen inrichting door deling ervan opvolgende semiconductor chips.

Verder is elke afmeting van zulk een typisch rechthoekige 20 semiconductor chips met zulk een tenminste mede papieren onderlaag-gedeelte in zcwel de lengte- en dwarsrichting ervan mogelijk.

In een gunstige uitvoering van zulk een kunststoffen - of papieren folie vindt daarbij in een inrichting, welke al dan niet is opgenomen in deze semiconductor installatie, op tenminste het centrale 25 semiconductor behandelings-gedeelte ervan het opbrengen van een pm hoge laag di-electrische substantie plaats ten behoeve van het in de tunnel-opstelling ervan bewerkstelligen van met metaal gevulde nanometer grote uitsparingen in de bovenwand van de daarin bewerkstelligde opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes en 30 vervolgens door tenminste mede deling ervan in de erachter opgencmen inrichting het verkrijgen van semiconductor chips met zulk een semiconductor onder- en bovenlaag ervan.

Verder wordt in deze tunnel-opstelling met behulp van de opvolgende folie/band-gedeeltes in ccmbinatie met opvolgende stromen slotmedium in 35 de beide dwarsuiteinden van de tunneldoorgang een mediumslot onderhouden ten behoeve van het vooral terechtkomen van semiconductor behandelings-medium vanuit de primaire bovenspleet terecht kcmt in de secundaire onderspleet en medium vanuit deze onderspleet in deze bovenspleet.

1037060

Claims

1. Semiconductor installatie met het kenmerk, dat deze bevattende een semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling en zcdanig is uitgevoerd, dat daarbij tijdens de werking van deze tunnel-opstelling het 5 tenminste nagenoeg ononderbroken plaatsvinden van een tenminste nagenoeg ononderbroken verplaatsing erdoorheen van opvolgende aaneengesloten semiconductor substraat-gedeeltes ten behoeve van het daarin plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen ervan.

2. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, 10 dat deze verder zodanig is uitgevoerd en zodanige middelen bevat, dat daarbij in deze semiconductor tunnel-opstelling het plaatsvinden van een zodanig groot aantal semiconductor behandelingen van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, dat in een erachter opgencmen inrichting door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips. 15 3. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de breedte van zulk een semiconductor tunnel-opstelling ervan minder dan 2 meter is.

4. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, 20 met het kenmerk, dat daarbij zulk een daarin opgencmen tunnel-opstelling tenminste mede opvolgende semiconductor behandelings-gedeeltes bevat ten behoeve van het daarin tijdens de werking ervan ononderbroken plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen van de opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes. 25 5. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 4, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en middelen bevat, dat daarbij in zulk een send conductor tunnel-opstelling ervan het tenminste nagenoeg ononderbroken erdoorheen verplaatsen van opvolgende gedeeltes van een ononderbroken folie als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag van 30 deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes plaatsvindt.

6. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 5, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat deze folie daarbij bestaat uit tenminste één substantie ten behoeve van het fungeren ervan als zulk een tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag.

7. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 6, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat deze folie daarbij tenminste mede bestaat uit een metalen substantie.

8. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 6, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat deze folie daarbij tenminste 1037060 roede bestaat uit een kunststoffen substantie.

9. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, roet het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij in een inrichting achter de daarin opgenamen semiconductor tunnel-opstelling 5 door deling van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes de bewerkstelliging van semiconductor chips met zulk een semiconductor onderlaag ervan.

10. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 6, roet het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij in een inrichting 10 achter de daarin opgencmen semiconductor tunnel-opstelling door deling van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes de bewerkstelliging van semiconductor chips met tenminste mede een kunststoffen onderlaag en een 'di-electrische bovenlaag.

11. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, 15 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de dikte van zulk een folie geringer is dan 0,2 nm.

12. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 11, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de tunneldoorgang van zulk een semiconductor tunnel-opstelling slechts in geringe mate breder 20 is dan de breedte van zulk een folie.

13. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de toepassing van een folie roet tenminste nagenoeg evenwijdige opstaande ·. zijwanden ervan.

14. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij daarin de opname van een inrichting ten behoeve van de beschikbaarheid van een zodanig zeer lange folie, dat gedurende een zeer lange tijd een ononderbroken lineaire verplaatsing van de opvolgende gedeeltes van deze 30 folie door zulk een semiconductor tunnel-opstelling plaatsvindt.

15. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 14, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij daartoe de toepassing van een folie-opslagrol.

16. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, 35 met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij de tijdsduur van zulk een ononderbroken verplaatsing van deze opvolgende folie-gedeeltes door nagenoeg alle semiconductor behandelings-gedeeltes van zulk een semiconductor tunnel-opstelling tenminste 2 maanden bedraagt.

17. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij de verplaatsingssnelheid van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes door zulk een semiconductor tunnel-opstelling beperkt is tot minder dan 5. ntn/seconde.

18. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij zulk een semiconductor tunnel-opstelling, bevattende tenminste mede een bovenen ondertunnelblok, zich ononderbroken uitstrekt in de lineaire 10 verplaatsingsrichting van deze opvolgende, zich erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

19. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 18, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij de doorgang van zulk een semiconductor tunnel-opstelling voor de opvolgende, zich erdoorheen 15 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes tijdens de werking ervan alleen ter plaatse van de in- en uitgangszijde ervan in een open verbinding is met de atmospherische buitenlucht onder toepassing van een gasvormig mediumslot aan tenminste de ingangszijde ervan.

20. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, 20 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij achter de uitgang van de daarin opgencmen semiconductor tunnel-opstelling de opname van een inrichting ten behoeve van daarin tenminste door deling van de opvolgende, daarin ononderbroken semiconductor behandelde semiconductor substraat-gedeeltes de bewerkstelliging van semiconductor 25 chips.

21. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder middelen bevat ten behoeve van het daarin plaatsvinden van besturing van tenminste mede de opvolgende semiconductor behandelingen in zulk een semiconductor tunnel-opstelling 30 en het daarin opgencmen semiconductor substraat transfersysteem ten behoeve van een tenminste nagenoeg ononderbroken gelijkmatige verplaatsing van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes erdoorheen.

22. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 21, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij daartoe in tenminste 35 mede het eindgedeelte van zulk een tunnel-opstelling het continue uitoefenen van een trekkracht op de opvolgende, zich erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

23. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder middelen bevat ten behoeve van in het uitgangs-gedeelte van zulk een daarin opgenomen semiconductor tunnel-opstelling het tenminste mede plaatsvinden van verwijdering van de opvolgende folie-gedeeltes als tijdelijke semiconductor onderlaag van de 5 daarin bewerkstelligde semiconductor substraat-gedeeltes ervanaf.

24. Sard conductor installatie volgens de Conclusie 23, met het kenmerk, dat deze daartoe verder zodanige middelen bevat, dat daarbij in het ingangs-gedeelte van deze semiconductor tunnel-opstelling het plaatsvinden van het opbrengen van een micro hoge film hechtvloeistof met 10 een hoge kooktemperatuur ervan ten behoeve van het tijdelijk in deze daarin opgenamen semiconductor tunnel-opstelling het plaatsvinden van een tijdelijke verankering op deze folie van de opvolgende, daarin bewerkstelligde semiconductor substraat-gedeeltes.

25. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, 15 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daartoe tenminste mede daarin ter plaatse van de uitgangszijde van deze tunnel-opstelling de opname van een afvoerrol-opstelling ten behoeve van verplaatsing in tenminste benedenwaartse richting van de vanaf deze opvolgende, zich lineair verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 20 verwijderde opvolgende folie-gedeeltes.

26. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 25, met het kenmerk, dat daarbij in een inrichting achter deze rol-opstelling door deling van deze verwijderde semiconductor substraat-gedeeltes de bewerkstelliging van semiconductor chips met een typisch di-electrische onderlaag ervan.

27. Semiconductor installatie vólgens de Conclusie 25, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat deze tevens een opslagrol bevat voor deze opvolgende verwijderde folie-gedeeltes, met tussen deze afvoerrol-opstelling en deze opslagrol-opstelling de opname van een reinigings-inrichting voor deze opvolgende, zich erdoorheen verplaatsende 30 folie-gedeeltes.

28. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 25, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij daarin de opname van een rol-opstelling aan de ingangszijde van zulk een semiconductor tunnel-opstelling ten behoeve van het daarbij fungeren van de opvolgende, 35 ononderbroken door deze tunnel-opstelling verplaatsende folie-gedeeltes als een ononderbroken semiconductor draag/transferband.

29. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 28, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij onder deze tunnel- opstelling tussen deze beide rol-opstellingen tenminste mede de opname van een reinigings-inrichting ten behoeve van het daarin plaatsvinden van reiniging van deze opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor band-gedeeltes.

30. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 29, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij tijdens de werking ervan deze metalen semiconductor substraat draag/transferband fungeert ten behoeve van het daarmede verplaatsen van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes door deze daarin opgencmen semiconductor tunnel- 10 opstelling als een tijdelijke semiconductor onderlaag van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

31. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 30, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze band verdiept is ten behoeve 15 van het daarin tijdens de werking ervan tenminste plaatsvinden van opbouw van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

32. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 31, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij onder de daarin opgencmen semiconductor tunnel-opstelling tussen deze beide rol- 20 opstellingen achter de daarin opgencmen reinigings-inrichting ten behoeve van reiniging van de opvolgende, ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor band-gedeeltes;de opname van een inrichting voor het terplaatse van tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan opbouwen van een um hoge film vloeibare hoog kokende 25 hechtsubstantie ten behoeve van het tijdens de doorgang van de opvolgende semiconductor substraat draag/transferband-gedeeltes door deze tunnel-opstelling het daarbij in voldoende mate zodanig tijdelijk verankeren erop van de daarin bewerkstelligde opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, dat in een inrichting achter deze tunnel-opstelling het 30 mogelijk plaatsvinden van scheiding van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes van de opvolgende band-gedeeltes.

33. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 32, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij in de semiconductor tunnel-opstelling in het begingedeelte ervan op deze laag tijdelijke 35 hechtsubstantie plaatsvinden van opbouw van een semiconductor grondlaag voor deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

34. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 33, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij voor deze semiconductor grondlaag de mogelijke toepassing van elk daartoe geschikt materiaal.

35. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 34, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij voor deze 5 semiconductor grondlaag de toepassing van de combinatie van een aantal boven elkaar gelegen aaneengehechte semiconductor lagen, bestaande uit tenminste mede verschillende said conductor substanties.

36. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 35, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij voor deze grondlaag 10 de opbouw in deze semiconductor tunnel-opstelling van een um hoge di-electrische substantie als onderste laag ervan.

37. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 35, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij voor deze grondlaag de opbouw in deze semiconductor tunnel-opstelling van een pm hoge 15 metalen substantie.

38. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij nabij de ingang van de daarin opgenomen semiconductor tunnel-opstelling de opname van een opslagrol voor een tijdelijke opslag van een zeer lange 20 folie, met tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van het in de ingangszijde van deze tunnel-opstelling opbrengen van opvolgende folie-gedeeltes als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag van deze opvolgende erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes op het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van de opvolgende, reeds 25 ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat draag/ transferband-gedeeltes.

39. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 38, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij het materiaal voor deze folie bestaat uit tenminste een kunststoffen substantie.

40. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 38, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij het materiaal voor deze folie tenminste mede bestaat uit een zacht metalen substantie.

41. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat deze folie 35 daarbij bestaat uit meerdere lagen verschillende semiconductor substanties.

42. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij in het begingedeelte van de daarin opgenomen semiconductor tunnel-opstelling het ononderbroken plaatsvinden van opbouw van een aantal boven elkaar gelegen hoge di-electrische lagen op de opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor folie-gedeeltes. 43.Semiconductor installatie volgens de Conclusie 42, met het kenmerk, 5 dat deze zodanige middelen bevat, dat daarbij in daarop volgende stripvormige boven semiconductor behandelingsspleetsecties ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze tunnel-opstelling het vervolgens plaatsvinden van alle volgende opbouwen van semiconductor lagen en primaire semiconductor behandelingen ter 10 bewerkstelliging van zodanige opvolgende semiconductor substraat- gedeeltes, dat daaruit in een inrichting achter de uitgang ervan door deling van deze substraat-gedeeltes het verkrijgen van semiconductor chips.

44. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 43, met het kenmerk, 15 dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij onder toepassing van zulk een ononderbroken semiconductor substraat draag/transferband de daarop opgebrachte grondlaag zodanig niet daarop gehecht is, dat daarbij na al deze plaatsgehad hebbende opvolgend semiconductor opbouwen en behandelingen in deze inrichting het plaatsvinden van het scheiden van 20 deze semiconductor bovenlaag inclusief deze semiconductor grondlaag als opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes vanaf deze band, waarna door deling van deze semiconductor bovenlaag het verkrijgen van semiconductor chips met deze di-electrische grondlaag.

45. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 38, met het kenmerk, 25 dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de verticale zijwand van zulk een verdiept vlak bovenwand-gedeelte van deze band, gezien in zowel de lengte- als hoogterichting ervan, eveneens tenminste nagenoeg vlak is en deze zijwand tevens nagenoeg evenwijdig is met de beide opstaande zijwanden van deze band.

46. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 45, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat zoals daarbij tijdens de werking van deze tunnel-opstelling het ononderbroken verplaatsen van de opvolgende band-gedeeltes erdoorheen met daarop opvolgende gedeeltes van een ononderbroken folie, het daarbij onderhouden van een tenminste 35 nagenoeg evenwijdige positie van een opstaande zijwand van deze folie-gedeeltes met de daarmede corresponderende opstaande opstaande zijwand-gedeeltes van de tunneldoorgang.

47. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 46, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij met behulp van opvolgende stromen gasvormig medium langs tenminste mede deze folie het ononderbroken onderhouden van het navolgende: a) geleiding van deze band langs zulk een opstaande zijwand van de 5 tunneldoorgang; en b) aanliggen van de opvolgende folie-gedeeltes met één ópstaande zijwand ervan tegen de daarmede corresponderende opstaande zijwand van dit verdiepte bovenwand-gedeelte van deze band.

48. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, 10 met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij in de semiconductor tunnel-opstelling ervan tijdens het in een stripvormige bovenbehandelingssectie ervan ononderbroken plaatsvinden van een warmte-behandel ingsproces van het semiconductor bovenlaaggedeelte van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende substraat-15 gedeeltes, het beletten van een ontoelaatbare vervorming ervan in tenminste de dwarsrichting ervan.

49. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 48, met het kenmerk, dat deze daartoe verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in zulk een warmte-behandelingssectie in de onderwand van het boventunnelblok de 20 opname van een electrische verwarmingsdraad met een ym grote omvang ervan ten behoeve van het daarbij gedurende een zeer korte tijd verwarmen van slechts in hoofdzaak een pm hoge opgebrachte semiconductor substantie, zoals een di-electrische laag.

50. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 49, met het kenmerk, 25 dat deze daartoe mede zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in de lengterichting opzij ervan in dit boventunnelblok de opname van een eveneens stripvormige afkoel-inrichting.

51. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende 30 zodanige middelen, dat daarbij in zulk een semiconductor tunnel-opstelling ervan het ononderbroken plaatsvinden van de opbouw van tenminste één semiconductor bovenlaag op de zich tijdens de werking ervan ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor band-gedeeltes, waarbij tenminste mede het navolgende: 35 a) een toelaatbare vervorming ervan tijdens zulk een semiconductor behandelingsproces; en b) een geringe toelaatbare uitzetting van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes in de lengterichting van de tunneldoorgang tijdens de lineaire verplaatsing ervan erdoorheen.

52. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 51, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij deze band een zeer dunne semiconductor folie is. 5 53 Semiconductor installatie volgens de Conclusie 51, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij deze band zulk een ononderbroken metalen semiconductor substraat draag/transferband is.

54. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 51, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbg voor zulke opvolgende 10 semiconductor bovenlaag-gedeeltes slechts het benodigd zijn van één stripvormige belichtingspatroon-opbrenginrichting, indien daarbij de toepassing van slechts één gemeenschappelijke semiconductor bovenlaag.

55. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 51, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij in zulk een 15 semiconductor tunnel-cpstelling ervan het bewerkstelligen van een aantal boven elkaar gelegen semiconductor hoofdlagen, met een ertussen gelegen di-electrische laag, bevattende enige metalen doorverbindingen ervoor.

55. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusie, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij met 20 behulp van een stripvormige belichtingspatroon-opbrenginrichting.welke is opgenamen in het boventunnelblok van de daarin opgencmen semiconductor tunnel-opstelling, het plaatsvinden van het op de opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes opbrengen van een stripvormig belichtingspatroon.

57. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 56, met het kenmerk, dat deze verder daartoe zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in de beide dwarsuiteinden van zulk een semiconductor band of - folie het aangebracht zijn van opvolgende uitsparingen ten behoeve van het met behulp van deze band of folie mede verplaatsen van deze belichtingspatroon- 30 opbrenginrichting tijdens het belichtingsproces.

58. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij na aansluiting van een volgende semiconductor folie op de achterzijde van de reeds door de semiconductor tunnel-opstelling verplaatsende folie, 35 vervolgens op tenminste één plaats een hechtverbinding ertussen wordt bewerkstelligd en waartoe de gebruikmaking van elk soort van reeds algemeen toegepaste hechtmethoden, zoals het aanbrengen van een lasverbinding of samensmelten van de beide folie-uiteinden.

59. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat in de daarin opgencmen semiconductor tunnel-opstelling tijdens de werking ervan het plaatsvinden van alle benodigde 5 opbrengingen van semiconductor substanties en semiconductor behandelingen van de opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en na verplaatsing ervan uit deze tunnel-opstelling via de achter-uitgangszijde ervan in een daarachter opgencmen inrichting allereerst het plaatsvinden van verwijdering van deze 10 laag vloeibaar geleidingsmedium ervanaf en vervolgens daarin het plaatsvinden van deling van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes onder de bewerkstelliging van semiconductor chips,

60. Semiconductor installatie volgens.de Conclusie 59, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, zoals daarbij in deze tunnel- 15 opstelling tijdens de werking ervan het daarin plaatsvinden van een ononderbroken verplaatsing erdoorheen van een folie vanaf een folie-cpslagrol, daarbij de opvolgende folie-gedeeltes fungeren als een definitieve semiconductor onderlaag van de daarin bewerkstelligde semiconductor substraat-gedeeltes en waarbij in de inrichting achter deze 20 tunnel-opstelling door tenminste mede deling ervan het verkrijgen van semiconductor chips met een foiie-gedeelte als semiconductor onderlaag ervan.

61. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 59, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, zoals daarbij in deze tunnel- 25 opstelling tijdens de werking ervan het daarin plaatsvinden van een ononderbroken verplaatsing van een ononderbroken semiconductor folie, welke afkomstig is uit een folie-opslagrol, met daarop ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan in het begingedeelte van de tunneldoorgang het opgebracht zijn van een pm hoge 30 laag vloeibaar tijdelijk hechtmiddel en vervolgens daarin het daarop plaatsvinden van de opbouw van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, bevattende ëeh di-electrische onderlaag ervan, in het begingedeelte van de achter deze tunnel-opstelling opgencmen inrichting het ononderbroken plaatsvinden van verwijdering in benedenwaartse 35 richting van de opvolgende folie- gedeeltes en de tijdelijke hechtsubstantie vanaf de opvolgende, erdoorheen verplaatsende substraat-gedeeltes en in het eindgedeelte van deze inrichting door deling ervan het verkrijgen van semiconductor chips net een di-electrische onderlaag ervan.

62. Semiconductor installatie volgens de Gonclusie 59, net het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat zoals in de tunnel-opstelling ervan de toepassing van een ononderbroken metalen semiconductor substraat draag/transferband met een rol-opstelling nabij de in- en uigang ervan, in 5 het begingedeelte van deze tunnel-opstelling op deze band, bevattende een reeds in een voorgaande inrichting op tenminste het centrale gedeelte ervan opgebrachte urn hoge film vloeibare tijdelijke hechtsubstantie, de bewerkstelliging van tenminste mede een um hoge di-electrische laag als een semiconductor onderlaag van de opvolgende erdoorheen verplaatsende 10 substraat-gedeeltes met een zodanig voldoende hoogte ervan, dat in de inrichting achter deze tunnel-opstelling door deling ervan het verkrijgen van semiconductor chips met zulk een di-electrische onderlaag ervan.

63. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 62, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij in opvolgende secties 15 van deze tunnel-opstelling op deze di-electrische onderlaag het ononderbroken plaatsvinden van een pm hoge metalen tussenlaag met daarboven wederan een pm hoge laag di-electrische substantie ten behoeve van in deze tunnel-opstelling de bewerkstelliging van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, bevattende als totale semiconductor 20 onderlaag zulk een combinatie van lagen en het aldus verkrijgen van semiconductor chips met zulk een versterkte semiconductor onderlaag ervan.

64. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in de daarin opgencmen semiconductor 25 tunnel-opstelling tijdens de werking ervan ter plaatse van tenminste het centrale gedeelte van een ononderbroken erdoorheen verplaatsende ononderbroken folie het ononderbroken plaatsvinden van opbouw van tenminste mede één semiconductor laag, welke tevens fungeert als semiconductor bovenlaag van de opvolgende, ononderbroken erdoorheen 30 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met tenminste mede de navolgende semiconductor laag-opbouwen van de daaruit verkregen semiconductor chips: a) de combinatie van een kunststoffen onderlaag en een di-electrische bovenlaag; of 35 b) de combinatie van een kunststoffen onderlaag, een metalen tussenlaag en een di-electrische bovenlaag; of c) de combinatie van een metalen onderlaag en een di-electrische bovenlaag; of d) uitsluitend een gemeenschappelijke di-eleetrische onder- en bovenlaag; of e) de combinatie van een di-electrische onderlaag, een metalen tussenlaag en een di-electrische bovenlaag.

65. Semiconductor installatie volgens de Gonclusie 64, met het kenmerk, dat zoals daarbij in zulk een tunnel-opstelling de bewerkstelliging van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, bevattende een aantal boven elkaar gelegen primaire semiconductor lagen met secundaire semiconductor tussenlagen, waarin de opname van een aantal metalen doorvemindingen 10 tussen deze primaire lagen, in de erachter opgencmen inrichting tenminste mede door deling van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes het verkrijgen van semiconductor chips, bevattende naast mogelijk de onder a), b), c), d) ene) vermelde lagen tevens zulke semiconductor tussenlagen.

66. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals daarbij in zulk een semiconductor tunnel-opstelling ervan uitsluitend de toepassing van een ononderbroken metalen semiconductor substraat draag/transfer band met een rol-opstelling nabij 20 de in- en uitgang ervan en met daarin tijdens de werking ervan de bewerkstelliging van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes met tenminste mede een semiconductor laag op het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan, welke tevens fungeert als semiconductor bovenlaag van deze semiconductor substraat-gedeeltes, daarbij tenminste 25 mede de navolgende semiconductor laag-opbouwen van de in de inrichting achter deze tunnel-opstelling door deling verkregen semiconductor chijps, bevattende tenminste mede het navolgende; a) uitsluitend een di-electrische onderlaag, welke tevens fungeert als di-electrische bovenlaag; of 30 b) de combinatie van een di-electrische onderlaag, een metalen tussenlaag en een di-electrische bovenlaag.

67. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 66, met het kenmerk, dat zoals daarbij in zulk een tunnel-opstelling de bewerkstelliging van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, bevattende een aantal 35 boven elkaar gelegen primaire semiconductor lagen met secundaire semiconductor tussenlagen, waarin de opname van een aantal metalen doorverbindingen tussen deze primaire lagen, in de erachter opgencmen inrichting tenminste mede het verkrijgen van semiconductor chip», bevattende tenminste mede naast de mogelijke onder en b) vermelde semiconductor lagen tevens zulke semiconductor tussenlagen.

68. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende 5 zodanige middelen, dat daarbij in zulk een semiconductor tunnel-opstelling ervan de toepassing van een ononderbroken semiconductor substraat draag/transferband en de daarop ononderbroken vanaf een folie opslagrol-opstelling erop opgebrachte opvolgende semiconductor folie-gedeeltes, daarbij tenminste mede de in de Conclusies 64 en 65 onder a), b), c), 10 d) en e) vermelde mogelijke semiconductor laag-opbouwen van de verkregen semiconductor chips.

69. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij zulk een semiconductor kunststoffen folie 15 of - opgebouwde kunststoffen laag een in voldoende mate hoog smeltpunt en di-electrische waarde ervan bevat ten behoeve van het tenminste mede fungeren ervan als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag van de in deze semiconductor tunnel-opstelling ervan bewerkstelligde semiconductor substraat-gedeeltes met typsch daarbij geen semiconductor tussenlaag of 20 -lagen ervan.

70. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 69, bevattende verder zodanige middelen, dat daarbij het fungeren van deze kunststoffen folie of - laag tevens als semiconductor bovenlaag van deze opvolgende erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes onder daartoe 25 mede in deze tunnel-opstelling in een stripvormige semiconductor behandelings-sectie plaatsvinden van een belichtingsproces van de opvolgende, zich eronder bevindende substraat-gedeeltes ten behoeve van de bewerkstelliging van met een metaal gevulde nanometer grote uitsparingen in de bovenwand ervan.

71. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van papier in een zodanig daartoe geschikte uitvoering en samenstelling ervan, dat deze toepasbaar is voor zulk een semiconductor onderlaag ai mogelijk - bovenlaag van de in 35 de semiconductor tunnel-opstelling ervan bewerkstelligde semiconductor substraat-gedeeltes met typisch daarbij geen semiconductor tussenlaag of -lagen, ten behoeve van in de erachter opgencmen inrichting tenminste mede door deling ervan het verkrijgen van semiconductor chips met tenminste zulk een papieren onderlaa3 ervan,

72. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij onder toepassing van zulk een kunststoffen 5 of papieren folie, in een inrichting, welke al dan niet daarin is opgencmen, op tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan plaatsvinden van het opbrengen van een um hoge laag di-electrische substantie ten behoeve van het in de tunnel-opstelling ervan bewerkstelligen van met metaal gevulde nanometer grote uitsparingen in de 10 bovenwand van de daarin bewerkstelligde opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes en vervolgens door tenminste mede deling ervan in de erachter opgencmen inrichting het verkrijgen van semiconductor chips met zulk een semiconductor onder- en bovenlaac ervan.

73. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, 15 met het kenmerk, dat deze inrichtingen bevat ten behoeve van tenminste mede het navolgende: a) starten van de toevoer van de semiconductor transfer- en behandelingsmediums en afvoer ervan; b) gedurende een zeer lange tijd onderhouden van een continue toe- en 20 afvoer van deze mediums; en c) beëindiging van tenminste de continue toevoer van deze semiconductor transfer- en behandelingsmediums.

74. Semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende 25 zodanige middelen, dat daarbij daarin de mogelijke toepassing van meerdere van de semiconductor uitvoeringen en middelen van de semiconductor installaties, - tunnel-opstellingen, - inrichtingen en - chips, zoals aangegeven en omschreven in de door de aanvrager gelijk met deze Octrooiaanvrage ingediende aanvullende Nederlandse Octrooi-aanvragen.

75. Semiconductor installatie volgens de Conclusie 73, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarin de nogelijke toepassing van semiconductor inrichtingen, welke zijn opgencmen in de bestaande semiconductor installaties onder gebruikmaking van semiconductor modules, welke reeds zijn cmschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in 35 de tekst en Conclusies van het navolgende: a) een individuele semiconductor wafer of - substraat; en/of b) een al dan niet individuele semiconductor processing-module.

76. Semiconductor installatie volgens conclusie 75, net het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de in deze Octrooi-aanvrage cmschreven middelen ervan tevens mogelijk toepasbaar zijn in de toekomstig nog door de.aanvrager in te dienen aanvullende Octrooi-5 aanvragen semiconductor installaties, - tunnel-opstellingen en - inrichtingen. 77.W erkwijze van de semiconductor installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze bevattende een semiconductor substraat transfer/ behandelingstunnel-opstelling, welke zodanig is 10 uitgevoerd, dat daarbij tijdens de werking van deze tunnel-opstel ling het tenminste nagenoeg ononderbroken plaatsvinden van een tenminste nagenoeg onderbroken verplaatsing erdoorheen van opvolgende aaneengesloten semiconductor substraat-gedeeltes ten behoeve van het daarin plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen ervan.

78. Werkwijze volgens de Conclusie 77, met het kenmerk, dat. daarbij zulk een substraat-verplaatsing gedurende een zeer lange tijd ononderbroken is.

79. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij zulk een tunnel-opstelling tenminste mede opvolgende semiconductor behandelings-gedeeltes bevat, tijdens de werking ervan het 20 ononderbroken plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen daarin van de opvolgende, zich ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

80. Werkwijze volgens de Gonclusie 79, met het kenmerk, dat daarbij in zulk een tunnel-opstelling het tenminste nagenoeg ononderbroken 25 erdoorheen verplaatsen van opvolgende gedeeltes van een ononderbroken folie als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes plaatsvindt.

81. Werkwijze volgens de Conclusie 80, met het kenmerk, dat zoals deze folie daarbij bestaat uit tenminste één substantie, het plaatsvinden van 30 het fungeren ervan als zulk een tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag.

82. Werkwijze volgens de Conclusie 81, met het kenmerk, dat deze folie daartoe tenminste mede bestaat uit een metalen substantie.

83. Werkwijze volgens de Conclusie 81, met het kenmerk, dat deze folie daarbij daartoe tenminste mede bestaat uit een kunststoffen substantie.

84. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in een inrichting achter deze semiconductor tunnel-opstelling door deling van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes de bewerkstelliging van semiconductor chips met zulk een semiconductor onderlaag ervan.

85. Werkwijze volgens één der voorgaande Gonclusies, met het kenmerk, dat daarbij de dikte van zulk.een folie mede daartoe geringer is dan 0,2 nm.

86. Werkwijze volgens de Conclusie 85, met het kenmerk, dat daarbij mede daartoe de tunneldoorgang van zulk een semiconductor tunnel-opstelling slechts in geringe mate breder is dan de breedte van zulk een folie.

87. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij mede daartoe de toepassing van een folie met tenminste nagenoeg 10 evenwijdige opstaande zijwanden ervan.

88. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in deze semiconductor installatie de opname van een inrichting ten behoeve van de beschibaarheid van een zeer lange folie, gedurende een zeer lange tijd een ononderbroken verplaatsing van de 15 opvolgende gedeeltes van zulk een folie door zulk een semiconductor tunnel-opstelling ervan plaatsvindt.

89. Werkwijze volgens de Conclusie 88, met het kenmerk, dat daarbij zulk een folie-verplaatsing geschiedt vanaf een folie-opslagrol.

90. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, 20 dat daarbij de tijdsduur van zulk een ononderbroken verplaatsing van deze opvolgende fole-gedeeites door tenminste nagenoeg alle semiconductor behandelings-gedeeltes van zulk een semiconductor tunnel-opstelling tenminste 2 maanden bedraagt.

91. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, 25 dat daarbij de verplaatsingssnelheid van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes door zulk een semiconductor tunnel-opstelling beperkt is tot minder dan 3 rrm/seconde.

92. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de doorgang van de semiconductor tunnel-opstelling voor de 30 opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes tijdens de werking ervan alleen ter plaatse van de in-en uitgangszijde ervan in een open verbinding is met de atmospherische buitenlucht en zulks onder toepassing van een gasvormig mediumslot aan tenminste de ingangszijde ervan. 93. werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij achter de uitgang van de semiconductor tunnel-opstelling de opname van een inrichting, waarin tenminste mede door deling van de opvolgende, daarin ononderbroken toegevoerde semiconductor behandelde semiconductor substraat-gedeeltes, de bewerkstelliging van semiconductor chips.

94. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, mét het kenmerk, dat daarbij in deze semiconductor installatie het ononderbroken plaatsvinden 5 van besturing van tenminste mede de opvolgende semiconductor behandelingen in zulk een semiconductor tunnel-opstelling ervan en het daarin opgenomen semiconductor substraat-transfersysteem ten behoeve van zulk een tenminste nagenoeg ononderbroken gelijkmatige verplaatsing van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes erdoorheen.

95. Werkwijze volgens de Conclusie 94, met het kenmerk, dat daarbij mede daartoe in tenminste mede het eindgedeelte van zulk een tunnel-opstelling het continue plaatsvinden van het uitoefenen van een trekkracht op de opvolgende, zich erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes .

96. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in het uitgangs-gedeelte van de semiconductor tunnel-opstelling het tenminste mede plaatsvinden van verwijdering van de opvolgende folie-gedeeltes als tijdelijke semiconductor onderlaag van de daarin ononderbroken bewerkstelligde semiconductor substraat-gedeeltes 20 97. Werkwijze volgens de Conclusie 96, met het kenmerk, dat deze semiconductor installatie daartoe verder zodanige middelen bevat, zoals daarbij in het ingangs-gedeelte van deze semiconductor tunnel-opstelling het ononderbroken plaatsvinden van het opbrengen/opbouwen van een micro hoge film hechtvloeistof met een hoge kooktemperatuur ervan ten behoeve 25 van het daarmede tijdelijk in deze tunnel-opstelling het plaatsvinden van een tijdelijke verankering op de opvolgende folie-gedeeltes van de opvolgende, daarin bewerkstelligde semiconductor substraat-gedeeltes.

98. Werkwijze volgens één- der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daartoe tenminste mede ter plaatse van de uitgangszijde van deze 30 tunnel-opstelling de opname van een afvoerrol-opstelling, het ononderbroken plaatsvinden van verplaatsing in tenminste benedenwaartse richting van de vanaf déze opvolgende, zich lineair verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes verwijderde opvolgende folie-gedeeltes.

99. Werkwijze volgens de Conclusie 98, met het kenmerk, dat daarbij in 35 een inrichting achter deze rol-opstelling door deling van van deze verwijderde semiconductor substraat-gedeeltes de bewerkstelliging daaruit van semiconductor chips met een typisch di-electrische onderlaag ervan.

100. Werkwijze volgens de Conclusie 98, met het kenmerk, dat in deze semiconductor installatie tevens een opslagrol-opstelling is opgencmen. daarin het plaatsvinden van opslag van deze opvolgende verwijderde folie-gedeeltes en zoals daarbij tussen deze afvoerrol-opstelling en deze opslagrol-opstelling de opname van een reinigings-inrichting , daarin het 5 ononderbroken plaatsvinden van reiniging van deze opvolgende, zich erdoorheen verplaatsende folie-gedeeltes.

102. Werkwijze volgens de Conclusie 98, met het kenmerk, dat zoals daarbij in deze semiconductor installatie tevens de opname van een rol-opstelling aan de ingangszijde van deze semiconductor tunnel-opstelling, het daarbij 10 fungeren van de opvolgende, ononderbroken door deze tunnel-opstelling verplaatsende folie-gedeeltes als een ononderbroken semiconductor substraat-draag/transferband.

103. Werkwijze volgens de Conclusie 102, met het kenmerk, dat zoals daarbij onder deze tunnel-opstelling tussen deze beide rol-opstellingen tenminste 15 mede de opname van een reinigings-inrichting, daarin het ononderbroken plaatsvinden van reiniging van deze opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor band-gedeeltes.

104. Werkwijze volgens de Conclusie 103, met het kenmerk, dat daarbij tijdens de werking van deze semiconductor-opstelling het fungeren van deze 20 metalen semiconductor substraat draag/transferband ten behoeve van het daarmede verplaatsen van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, welke al dan niet geheel daarop zijn bewerkstelligd, door deze tunnel-opstelling als een tijdelijke semiconductor onderlaag van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

105. Werkwijze volgens de Conclusie 104, met het kenmerk, dat daarbij . een verdiept centraal semiconductor behandelings-gedeelte van deze band tijdens de werking van deze tunnel-opstelling tenminste ten behoeve van het bijdragen in de verankering van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes op deze band. 106. werkwijze volgens de Conclusie 105, met het kenmerk, dat zoals daarbij onder deze tunnel-opstelling tussen deze beide rol-opstellingen achter de daarin opgencmen reinigings-inrichting ten behoeve van reiniging van de opvolgende, ononderbroken erdoorheen verplaatsende band-gedeeltes de opname van een inrichting ten behoeve van het daarin 35 terplaatse van dit verdiepte gedeelte ervan opbouwen van een um hoge film vloeibaar hoog kokende hechtsubstantie, zodat tijdens de doorgang van de opvolgende band-gedeeltes door deze tunnel-opstelling het daarbij in voldoende mate zodanig tijdelijk verankeren erop van de daarin bewerkstelligde opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, dat in een inrichting achter deze tunnel-opstelling het mogelijk plaatsvinden van scheiding van deze opvolgende substraat-gedeeles van de opvolgende band-gedeeltes.

107. Werkwijze volgens de Conclusie 106, met het kenmerk, dat daarbij in deze tunnel-opstelling in het begingedeelte ervan op deze laag tijdelijke hechtsubstantie in dit verdiepte band-gedeelte het plaatsvinden van opbouw van een ssidconductor grondlaag voor deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

108. Werkwijze volgens de Conclusie 107, met het kenmerk, dat daarbij het plaatsvinden van de bewerkstelliging van deze grondlaag met de moge lijke toepassing van elk daartoe geschikt materiaal.

109. Werkwijze volgens de Conclusie 108, met het kenmerk, dat daarbij in deze semiconductor tunnel-opstelling voor deze semiconductor grondlaag 15 het plaatsvinden van bewerkstelliging van de combinatie van een aantal boven elkaar gelegen aaneengechte semiconductor lagen, bestaande uit tenminste mede verschillende semiconductor substanties.

110. Werkwijze volgens de Conclusie 109, met het kenmerk, dat daarbij in deze tunnel-opstelling voor zulk een semiconductor grondlaag het 20 opbouwen van een um hoge di-electrische substantie als onderste laag ervan.

111. Werkwijze volgens de Conclusie 109, met het kenmerk, dat daarbij in deze tunnel-opstelling voor zulk een semiconductor grondlaag het opbouwen van een um hoge metalen substantie als onderste laag ervan. 25 112, werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij nabij de ingang van de semiconductor tunnel-opstelling de opname van een opslagrol voor een tijdelijke opslag van een zeer lange folie, tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van het in de ingangszijde ervan opbrengen van opvolgende folie-gedeeltes als 30 tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag van deze opvolgende erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes op het verdiepte centrale semiconductor behandelings-gedeelte van de opvolgende, reeds ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat draag/ transferband-gedeelte s.

113. Werkwijze volgens de Conclusie 112, met het kenmerk, dat daarbij daartoe het plaatsvinden van toevoer van een folie, welke tenminste mede bestaat uit een zacht metalen substantie.

114. Werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, met het kenmerk> dat daarbij daartoe het plaatsvinden van toevoer van een folie, welke bestaat uit meerdere lagen verschillende semiconductor substanties.

115. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in het begingedeelte van de semiconductor tunnel-opstelling 5 het ononderbroken plaatsvinden van opbouw van een aantal boven elkaar gelegen um hoge di-electrische lagen op de opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor folie-gedeeltes.

116. Werkwijze volgens de Conclusie 115, met het kenmerk, dat daarbij in daarop volgende stripvormige boven semiconductor behandelingsspleet- 10 secties ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze tunnel-opstelling het vervolgens plaatsvinden van alle volgende opbouwen van semiconductor lagen en primaire semiconductor behandelingen ter bewerkstelliging van zodanige opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, dat daaruit in een inrichting achter de uitgang ervan door 15 deling van deze substraat-gedeeltes het verkrijgen van semiconductor chips.

117. Werkwijze volgens de Conclusie 116, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van zulk een ononderbroken semiconductor substraat draag/ transferband in plaats van zulk een semiconductor folie, de daarop opgebrachte semiconductor grondlaag niet zodanig daarop gehecht is, dat na 20 deze plaatsgehad hebbende opvolgende semiconductor opbouwen en - behandelingen in deze inrichting het allereerst plaatsvinden van het scheiden van deze opgebrachte semiconductor bovenlaag inclusief deze semiconductor grondlaag als definitieve opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes vanaf deze band, waarna tenminste mede in deze 25 inrichting door deling semiconductor substraat-gedeeltes het verkrijgen van semiconductor chips met deze di-electrische grondlaag ervan.

118. Werkwijze volgens de Gonclusie 112, met het kenmerk, dat zoals daarbij de verticale zijwand van zulk een verdiept vlak bovenwand-gedeelte van deze band, gezien in zowel de lengte- als hoogterichting ervan, eveneens 30 tenminste nagenoeg vlak is en deze zijwand tevens nagenoeg evenwijdig is met de beide opstaande zijwanden van deze band, een optimale en correcte verankering van zulk een folie in dit verdiepte bovenwand-gedeelte van deze band tijdens de verplaatsing ervan plaatsvindt.

119. Werkwijze volgens de Conclusie 118, met het kenmerk, dat zoals daarbij 35 tijdens de werking van deze tunnel-opstelling het ononderbroken verplaatsen van de opvolgende band-gedeeltes erdoorheen, met daarop opvolgende gedeeltes van de ononderbroken folie, het daarbij onderhouden van een tenminste nagenoeg evenwijdige positie van de opstaande zijwand van deze folie-gedeeltes met de daarmede corresponderende opstaande zijwand-gedeeltes van de tunneldoorgang.

120. Werkwijze volgens de Conclusie 119, met het kenmerk, dat daarbij met behulp van opvolgende stremen gasvormig medium langs tenminste mede deze 5 folie het ononderbroken onderhouden van het navolgende: a) geleiding van deze band langs zulk een opstaande zijwand van de tunneldoorgang; en b) aanliggen van de opvolgende folie-gedeeltes net één opstaande zijwand ervan tegen de daarmede corresponderende opstaande zijwand 10 van dit verdiepte bovenwand-gedeelte van deze band.

121. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in de semiconductor tunnel-opstelling tijdens het in een stripvormige bovenbehandelings-sectie ervan ononderbroken plaatsvinden van een warmte-behandelingsproces van het semiconductor bovenlaag-gedeelte van 15 de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, het beletten van een ontoelaatbare vervorming ervanin tenminste de dwarsrichting ervan.

122. Werkwijze volgens de Conclusie 121, met het kenmerk, dat zoals daarbij in zulk een warmtebehandelings-sectie in de onderwand van het 20 boventunnelblok de opname van een electrische verwarmingsdraad met een um grote cmvang ervan, gedurende een zeer korte tijd het ononderbroken plaatsvinden van slechts in hoofdzaak een um hoge opgebrachte semiconductor substantie, zoals een di-electrische laag.

123. Werkwijze volgens de Conclusie 122, met het kenmerk, dat zoals daarbij 25 in de lengterichting opzij ervan in dit boventunnelblok de opname van een eveneens stripvormige afkoel-inrichting, een voldoende afkoeling van zulke opvolgende verwarmde um hoge gedeeltes van zulke opvolgende substraat-gedeeltes gewaarborgd is.

124. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat 30 daarbij in deze semiconductor installatie in de semiconductor tunnel- opstelling ervan het ononderbroken plaatsvinden van de opbouw van tenminste één semiconductor bovenlaag op de zich tijdens de werking ervan ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor band-gedeeltes, waarbij tenminste mede het navolgende plaatsvindt: 35 a) een toelaatbare vervorming ervan tijdens zulk een semiconductor behandelingsproces; en b) een geringe toelaatbare uitzetting van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes in de lengterichting van de tunneldoorgang tijdens de lineaire verplaatsing ervan erdoorheen.

125. Werkwijze volgens de Conclusie 124, met het kenmerk, dat daarbij deze band een zeer dunne semiconductor folie is.

126. Werkwijze volgens de Conclusie 124, met het kenmerk, dat daarbij deze 5 band zulk een ononderbroken metalen semiconductor substraat draag/ transferband is.

127. Werkwijze volgens de Conclusie 124, met het kenmerk, dat daarbij in een stripvormige sectie van de bovensemiconductor behandelingsspleet van de semiconductor tunnel-opstelling het plaatsvinden van een belichtings- 10 proces van zulke opvolgende, stripvormige semiconductor bovenlaag- gedeeltes, zoals daarbij de toepassing van slechts één gemeenschappelijke semiconductor hoofdlaag en met daardoor slechts één benodigde stripvormige belichtingspatroon-opbrenginrichting.

128. Werkwijze volgens de Conclusie 124, met het kenmerk, dat daarbij in 15 zulk een semiconductor tunnel-opstelling het bewerkstelligen van een aantal boven elkaar gelegen semiconductor hoofdlagen, met een ertussen gelegen di-electrische laag, bevattende enige metalen doorverbindingen ervoor.

129. Werkwijze volgens de Conclusie 128, met het kenmerk, dat daarbij in 20 een eveneens aantal stripvormige secties van het bovensemiconductor behandelingsspleet het met behulp van een stripvormige belichtingspatroon-opbrenginrichting plaatsvinden van een belichtingsproces voor elk van zulk een semiconductor laag. 130. werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat 25 zoals daarbij in de beide dwarsuiteinden van zulk een semiconductor band of - folie het aangebracht zijn van opvolgende uitsparingen , met behulp van deze band of folie het tijdelijk plaatsvinden van een mede-verplaatsen van zulk een belichtingspatroon-opbrenginrichting tijdens zulk een belichtingsproces.

131. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in de semiconductor tunnel-opstelling tenminste een aansluiting van de voorzijde van een 'volgende semiconductor folie op de achterzijde van de reeds erdoorheen verplaatsende folie plaatsvindt.

132. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat 35 daarbij in de semiconductor tunnel-opstelling tijdens de werking ervan het plaatsvinden van alle benodigde opbrengingen van semiconductor substanties en semiconductor behandelingen van de opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en na verplaatsing ervan daaruit via de achter-uitgangszijde ervan in een daarachter opgencmen inrichting allereerst het plaatsvinden van verwijdering van deze laag vloeibaar geleidingsmedium of tijdelijke hechtsubstantie ervanaf en vervolgens daarin het plaatsvinden van deling 5 van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes onder de bewerkstelliging van semiconductor chips.

133. Werkwijze volgens de Conclusie 132, met het kenmerk, dat zoala daarbij in deze tunnek-opstelling tijdens de werking ervan het plaatsvinden van een ononderbroken verplaatsing erdoorheen van een folie vanaf een folie- 10 opslagrol, daarbij de opvolgende folie-gedeeltes fungeren als een definitieve semiconductor onderlaag van de daarin bewerkstelligde semiconductor substraat-gedeeltes en waarbij in de inrichting achter deze tunnel-opstelling door tenminste mede deling ervan het verkrijgen van semiconductor chips met een folie-gedeelte als semiconductor onderlaag 15 ervan.

134. Werkwijze volgens de Conclusie 132, met het kenmerk, dat zoals daarbij in deze tunnel-opstelling tijdens de werking ervan het plaatsvinden van een ononderbroken verplaatsing van een ononderbroken semiconductor folie, welke afkomstig is uit een folie-opslagrol, met daarop ter plaatse van 20 tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan in het begingedeelte van de tunneldocrgang het opgebracht zijn van een um hoge laag vloeibaar tijdelijk hechtmiddel en vervolgens daarin het daarop plaatsvinden van de opbouw van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, bevattende een di-electrische onderlaag ervan, in het 25 begingedeelte van de achter deze tunnel-opstelling opgencmen inrichting het ononderbroken plaatsvinden van verwijdering in benedenwaartse richting van de opvolgende folie-gedeeltes en tenminste gedeeltelijk de tijdelijke hechtsubstantie van de opvolgende, erdoorheen verplaatsende substraat-gedeeltes en in het eindgedeelte van deze inrichting het 30 plaatsvinden van verwijdering van de rest van deze hechtsubstantie vanaf deze opvolgende substraat-gedeeltes, met vervolgens door deling ervan het verkrijgen van semiconductor chips met een di-electrische onderlaag ervan.

135. Werkwijze volgens de Conclusie 132, met het kenmerk, dat zoals daarbij in de tunnel-opstelling ervan de toepassing van een ononderbroken metalen 35 semiconductor substraat draag/transferband met een rol-opstelling nabij de in- en uitgang ervan, in het begingedeelte van deze tunnel-opstelling op deze band, bevattende een reeds in een voorgaande inrichting op tenminste het centrale gedeelte ervan opgebrachte um hoge film vloeibare tijdelijke hechtsubstantie, de bewerkstelliging van tenminste mede een um hoge di-electrische laag als een semiconductor onderlaag van de opvolgende erdoorheen verplaatsende substraat-gedeeltes met een zodanig voldoende hoogte ervan, dat in de inrichting achter deze tunnel-opstelling door 5 tenminste mede deling ervan het verkrijgen van semiconductor chips met zulk een di-electrische onderlaag ervan.

136. Werkwijze volgens de conclusie 135, met het kenmerk, dat in opvolgende secties van deze tunnel-opstelling op deze di-electrische onderlaag het tijdens de werking ervan ononderbroken plaatsvinden van een 10 um hoge metalen tussenlaag met daarboven wedercm een pm hoge laag di-electrische substantie ten behoeve van het daarin bewerkstelligen van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, bevattende als totale semiconductor onderlaag zulk een combinatie van pm hoge lagen en het aldus verkrijgen van semiconductor chips met zulk een versterkte 15 semiconductor onderlaag ervan.

137. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in deze semiconductor tunnel-opstelling tijdens de werking ervan ter plaatse van tenminste het centrale gedeelte van een ononderbroken erdoorheen verplaatsende ononderbroken folie het 20 ononderbroken plaatsvinden van opbouw van tenminste één semiconductor laag, welke tevens fungeert als semiconductor bovenlaag van de opvolgende, ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met tenminste mede de navolgende semiconductor laag-opbouwen van de daaruit verkregen semiconductor chips: 25 a) de combinatie van een kunststoffen onderlaag en een di-electrisch bovenlaag; of b) de combinatie van een kunststoffen onderlaag, een metalen tussenlaag en een di-electrische bovenlaag; of c) de combinatie van een metalen onderlaag en een di-electrische 30 bovenlaag; of d) uitsluitend een gemeenschappelijke di-electrisclie onder- en bovenlaag; of e) de combinatie van een di-electrische onderlaag, een metalen tussenlaag en een di-electrische bovenlaag.

138. Werkwijze volgens de Conclusie 137, met het kenmerk, dat zoals daarbij in zulk een tunnel-opstelling de bewerkstelliging van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, bevattende een aantal boven elkaar gelegen primaire semiconductor lagen met secundaire semiconductor tussenlagen, waarin de opname van een aantal metalen doorverbindingen tussen deze primaire lagen, in de erachter opgencmen inrichting tenminste mede door deling van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes het verkrijgen van semiconductor chips, bevattende naast mogelijk de onder 5 a), b), c), d) en e) vermelde lagen tevens zulke semiconductor tussenlagen.

139. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in zulk een semiconductor tunnel-opstelling uitsluitend de toepassing van een ononderbroken metalen semiconductor substraat 10 draag/transferband met een rol-opstelling nabij de in- en uitgang ervan en met daarin tijdens de werking ervan de bewerkstelliging van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes met tenminste mede een semiconductor laag op het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan, welke tevens fungeert als semiconductor bovenlaag van deze semiconductor 15 substraat-gedeeltes, daarbij tenminste mede de navolgende semiconductor laag-opbouwen van de in de inrichting achter deze tunnel-opstelling door deling verkregen semiconductor chips, bevattende tenminste mede het navolgende: a) uitsluitend een di-electrische onderlaag, welke tevens fungeert 20 als di-electrische bovenlaag; of b) de combinatie van een di-electrische onderlaag, een metalen tussenlaag en een di-electrische bovenlaag.

140. Werkwijze volgens de Conclusie 139, met het kenmerk, dat zoals daarbij in zulk een tunnel-opstelling de bewerkstelliging van opvolgende 25 semiconductor substraat-gedeeltes, bevattende een aantal boven elkaar gelegen primaire semiconductor lagen met secundaire semiconductor tussenlagen, waarin de opname van een aantal metalen doorverbindingen tussen deze primaire lagen, in de erachter opgencmen inrichting tenminste mede deling van de daarin ononderbroken aangevoerde opvolgende 30 semiconductor substraat-gedeeltes het verkrijgen van semiconductor chips, bevattende tenminste mede naast de mogelijke onder a) en b) vermelde semiconductor lagen tevens zulke semiconductor tussenlagen.

141. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in zulk een semiconductor tunnel-opstelling de 35 toepassing van een ononderbroken semiconductor substraat draag/transferband en de daarop ononderbroken vanaf een folie opslagrol-opstelling erop opgebrachte opvolgende semiconductor folie-gedeeltes, daarbij tenminste mede de in de Conclusies 137 en 138 onder a), b), c), d) en e) vermelde mogelijke semiconductor laag-opbouwen van de verkregen semiconductor chips. 142, werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij zulk een semiconductor kunststoffen folie of zulk een in de 5 semiconductor tunnel-opstelling opgebouwde laag, bestaande uit tenminste kunststof, een zodanig voldoend hoog smeltpunt en di-electrische waarde bevat, dat tenminste mede het fungeren ervan als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag van de in deze tunnel-opstelling bewerkstelligde semiconductor substraat-gedeeltes met typisch daarbij geen semiconductor 10 tussenlaag of -lagen ervan.

143. Werkwijze volgens de Conclusie 142, met het kenmerk, dat daarbij mede het fungeren van deze kunststoffen folie of - laag tevens als semiconductor bovenlaag van deze opvolgende erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes onder daartoe mede in deze tunnel- 15 opstelling in een stripvormige semiconductor behandelings-sectie ervan plaatsvinden van een belichtingsproces vein de opvolgende, zich eronder bevindende substraat-gedeeltes ten behoeve van de bewerkstelliging van met een metaal gevulde groep van nanometer grote uitsparingen in de bovenwand ervan.

144. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van papier in een zodanig daartoe geschikte uitvoering en samenstelling ervan en deze toepasbaar is voor zulk een semiconductor onderlaag en mogelijk - bovenlaag van de in de semiconductor tunnel-opstelling ervan bewerkstelligde semiconductor substraat-25 gedeeltes met typisch daarbij geen semiconductor tussenlaag of -lagen, daarmede in de erachter opgencmen inrichting tenminste mede door deling ervan het verkrijgen van semiconductor chips met tenminste zulk een papieren onderlaag ervan.

145. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, 30 dat zoals daarbij de toepassing van zulk een kunststoffen of papieren folie, in een inrichting, welke al dan niet in deze semiconductor installatie is opgenomeh, op tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan plaatsvinden van het opbrengen van een um hoge laag di-electrische substantie ten behoeve van het in de tunnel-35 opstelling ervan bewerkstelligen van met metaal gevulde nanometer grote uitsparingen in de bovenwand van de daarin bewerkstelligde opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes en vervolgens door tenminste mede deling ervan in de erachter opgencmen inrichting het verkrijgen van semiconductor chips met zulk een combinatie van een semiconductor onderen bovenlaag ervan.

146, Werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tijdens de werking van de semiconductor tunnel-opstelling met 5 behulp van de aaneengesloten opvolgende erdoorheen verplaatsende folie-of bandgedeeltes, welke zich in dwarsrichting uitstrekken tot tenminste nabij de beide dwarsuiteinden van de tunneldoorgang, in oanbinatie net opvolgende stromen slotmedium tenminste mede wordt belet, dat opvolgende stromen semiconductor behandelingsmedium vanuit de primaire boven 10 semiconductor behandelingsspleet terecht kenen in de zich eronder bevindende secundaire onderspleet.

147, Werkwijze volgens de Conclusie 146, met net kenmerk,dat daarbij met behulp van deze opvolgende stromen gasvormig slotmedium in de beide dwarsuiteinden van deze bovenspleet en zulks onder mede toepassing van 15 een typisch in de lengterichting van de tunneldoorgang tenminste tenminste nagenoeg ononderbroken medium afvoergroef in dwarsrichting opzij van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan tenminste mede het navolgende wordt voorkomen: a) het terechtkomen van semiconductor behandelingsmedium vanuit dit 20 centrale semiconductor behandelings-gedeelte in deze beide dwarsuiteinden van deze bovenspleet onder begrenzing van dit centrale gedeelte in dwarsrichting ervan; en b) het terechtkomen van een gedeelte van dit gasvormig slotmedium in dit centrale semiconductor behandelings-gedeelte onder terplaatse 25 verstoren van zulk een semiconductor behandelingsproces. 148, werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in deze tunnel-opstelling plaatselijk in het boventunnelblok de opname van een stripvormige transducer-opstelling ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan, daarbij tijdens de 30 werking ervan tenminste mede het onderhouden van het navolgende: a) een trilconditie van het daarmede corresponderende stripvormige onderwand-gedeelte van dit blok ten behoeve van het daarmede onderhouden van een UHF/MHF trilconditie van het semiconductor behandelingsmedium in het zich eronder bevindende semiconductor 35 behandelingsspleet-gedeelte; en b) een daarbij gepaard gaande warmte-ontwikkeling ervan ten behoeve van typisch het tevens verdampen van laag kokend vloeibaar draagmedium voor de daarin opgenomen deeltjes semiconductor behandelings- substantie. 149. werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij onder toepassing van zulk een kunststoffen of papieren folie, in een inrichting, welke al dan niet in deze semiconductor tunnel- 5 opstelling is opgencmen, op tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan plaatsvinden van het opbrengen van een pn hoge laag di-electrische substantie ten behoeve van het in deze tunnel-opstelling bewerkstelligen van met metaal gevulde nanometer grote uitsparingen in de bovenwand van de daarin bewerkstelligde opvolgende 10 semiconductor substraat-gedeeltes en vervolgens door tenminste mede deling ervan in de erachter opgencmen inrichting het verkrijgen van semiconductor chips met zulk een semiconductor onder- en bovenlaag ervan.

150. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in deze installatie aanvullend zodanige inrichtingen zijn 15 opgencmen, dat daarmede tenminste mede de navolgende semiconductor handelingen plaatsvinden: a) starten van de toevoer van de semiconductor transfer- en behandelingsmediums en afvoer ervan; b) gedurende een zeer lange tijd onderhouden van een continue toe- en 20 afvoer van deze mediums; en c) beëindiging van de continue toevoer van deze semiconductor transfer- en behandelingsmediums.

151. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in deze semiconductor installatie de mogelijke toepassing 25 van meerdere van de semiconductor uitvoeringen en middelen van de installaties, tunnel-opstellingen, inrichtingen en chips, welke zijn aangegeven en omschreven in de door de aanvrager gelijk met deze Octrooi-aanvrage ingediende aanvullende Nederlandse Octrooi-aanvragen. daarmede tenminste mede de bewerkstelliging van een optimaal totaal 30 semiconductor behandelingsproces van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes in de semiconductor tunnel-opstelling ervan wordt verkregen.

152. Werkwijze volgens de Conclusie 151, met het kenmerk, dat zoals daarbij mede de mogelijke toepassing van semiconductor werkwijzen, welke reeds worden toegepast in de bestaande semiconductor installaties onder 35 gebruikmaking van semiconductor modules, welke reeds zijn cmschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Conclusies van het navolgende: a) een individuele semiconductoe wafer of - substraat; en/of b) een al dan niet individuele semiconductor module of - inrichting, zulks mede hijdraagt in zulk een optimaal semiconductor behandelingsproces van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

153. Werkwijze volgens volgens de Conclusie 152, met het kenmerk, dat 5 daarbij de in deze Nederlandse Octrooi-aanvrage aangegeven en cmschreven werkwijzen tevens mogelijk toepasbaar zijn in de gelijktijdig hiermede door de aanvrager ingediende aanvullende Octrooi-aanvragen, betreffende semiconductor installaties, -tunnel-opstellingen en - inrichtingen. 1037060