NL1039112C2 - Semiconductor chips, bewerkstelligd in een semiconductor installatie, en waarbij daartoe in een tunnel-opstelling ervan de productie van rechthoekige platen en waaruit tenslotte in een inrichting door deling het verkrijgen ervan. - Google Patents

Description

Semiconductor chips, bewerkstelligd in een semiconductor installatie, en waarbij daartoe in een tunnel—opstelling ervan de productie van rechthoekige platen en waaruit tenslotte in een inrichting door deling het verkrijgen ervan.

5

Semiconductor chip, bewerkstelligd in een semiconductor installatie en waarbij een semiconductor tunnel-opstelling en middelen ten behoeve van tydens de werking ervan het tenminste nagenoeg ononderbroken erdoorheen verplaatsen van opvol— 10 gende aaneengesloten semiconductor substraat-gedeeltes onder het daarin bewerkstelligen van in dwarsrichting ervan naast elkaar gelegen basis-gedeeltes van semiconductor chips, nabij de uitgang ervan door deling ervan de bewerkstelliging van opvolgende, gescheiden rechthoekige substraat-gedeeltes met 15 een tijdelijke opslag ervan in een verwijderbare cassette achter deze inrichting, in typisch een aantal inrichtingen, welke al dan niet eveneens deel uitmaken van deze installatie, het plaatsvinden van het opbrengen van tenminste een tweetal electrische aansluitingen op deze basis-chips, en vervolgens 20 in eveneens typisch een aantal inrichtingen door opvolgende delingen van deze rechthoekige substraat-gedeeltes in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan de bewerkstelliging van deze individuele semiconductor chips.

25 Voor de ingang van de semiconductor tunnel-opstelling van de semiconductor installatie volgens de uitvinding de opname daarin van een folie-opslagrol ten behoeve van tijdens de werking ervan het typisch ononderbroken toevoeren van opvolgende gedeeltes van deze typisch kunststoffen folie naar de ingang 30 van deze tunnel-opstelling onder het daarin bewerkstelligen van opvolgende aaneengesloten semiconductor substraat-gedeeltes, welke zich ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan uitstrekken in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan.

35 Deze opvolgende substraat-gedeeltes bevatten nabij de uitgang van deze tunnel-opstelling een aantal naast elkaar gelegen uitvoeringen en opbouwen in zowel de dwars- als lengterichting ervan met een omvang ter grootte van chips.

1 0 39 1 12 2

Daarbij in een al dan niet erachter gelegen inrichting het plaatsvinden van scheiding in de lengterichting ervan van een aantal opvolgende aaneengesloten, zich verplaatsende substraat gedeeltes vanaf de voorgaande aaneengesloten substraat-5 gedeeltes onder de vorming van opvolgende rechthoekige semiconductor platen.

Daarbij het mogelijk eveneens verwijderd zijn van de gedeeltes, welke zich bevinden aan weerszijde van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan.

10 De installatie bevat achter deze tunnel-opstelling een uitwisselbare cassette ten behoeve van het typisch opslaan daarin van deze afgesneden rechthoekige substraat-gedeeltes en waarbij deze installatie verder middelen bevat ten behoeve van het vullen van zulk een cassette met opvolgende semiconductor 15 platen.

Daarbij na het typisch gevuld zijn ervan met deze platen het verwijderen ervan en vervangen door een volgende cassette.

Vervolgens vindt in deze installatie achter zulk een gevulde cassette-opstelling in een inrichting het opvolgend 20 aanbrengen van electrische aansluitingen op elk van de in zulk een substraat-gedeelte opgenomen semiconductor chip, met typisch opslag ervan in een volgende cassette.

Vervolgens het verplaatsen van zulk een cassette naar een inrichting, waarin door opvolgende delingen van zulk'een 25 semiconductor plaat in zowel de lengte- als dwarsrichting de bewerkstelliging van individuele semiconductor chips en waarbij deze installatie typisch middelen bevat ten behoeve van een tijdelijke opslag ervan.

De uitvinding zal hieronder nader worden uiteengezet aan 30 de hand van de in een aantal Figuren weergegeven uitvoerings-voorbeelden van deze installatie-opbouw, welke echter binnen het kader van de uitvinding kan variëren.

Figuur 1 toont schematisch de semiconductor installatie volgens de uitvinding in een zijaanzicht ervan.

35 Figuur 2 toont een dwarsdoorsnede over de lijn 2-2 van de in deze installatie opgenomen semiconductor tunnel-opstelling.

Figuur 3 toont een in deze tunnel-opstelling bewerkstelligde individuele rechthoekige semiconductor plaat, welke een 3 aantal opvolgende substraat-gedeeltes bevat, die zich uitstrekken in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan, met het nog niet verwijderd zijn van de beide dwarsuiteinden opzij van het centrale gedeelte ervan.

5 Figuur 4 toont de semiconductor plaat volgens de Figuur 3 en waarbij het verwijderd zijn van deze beide dwarsuiteinden.

Figuur 5 toont achter de uitgang van deze tunnel-opstel-ling een verwijderbare cassette ten behoeve van een tijdelijke opslag daarin van zulk een semiconductor plaat en waarbij de 10 installatie verder middelen bevat ten behoeve van na het gevuld zijn van een sectie daarmede het over een geringe afstand benedenwaarts verplaatsen ervan ten behoeve van het vullen van de volgende sectie ervan met zulk een plaat.

Figuur 6 toont de doorsnede over de lijn 6-6 van de 15 cassette volgens de Figuur 5 onder het tonen van zulk een plaat in een sectie ervan.

Figuur 7 toont de doorsnede over de lijn 7-7 van de cassette volgens de Figuur 5, met het daarbij geheel gevuld zijn ervan met deze platen.

20 Figuur 8 toont een alternatieve uitvoering van de cassette volgens de Figuur 5 en waarbij daarin op elkaar liggende opvolgend toegevoerde platen.

Figuur 9 toont het verwijderen van de cassette volgens de Figuur 5 vanaf de eronder gelegen verplaatsings-inrichting in 25 de onderste positie ervan.

Figuur 10 toont een inrichting ten behoeve van het daarin opbrengen van typisch een tweetal electrische contacten op elk semiconductor chip-gedeelte van zulk een plaat.

Figuur 11 toont voor een gedeelte van deze inrichting het 30 vergroot aangegeven zijn van deze electrische contacten.

Figuur 12 toont het verwijderen van een in dwarsrichting uitstrekkend plaat-gedeelte vanaf de rest ervan.

Figuur 13 toont het verwijderen van een semiconductor chip vanaf zulk een plaat-gedeelte.

35 Figuur 14 toont wederom zulk een individuele chip.

De uitvinding zal hieronder nader worden uiteengezet aan de hand van een aantal in de Figuren weergegeven uitvoerings-voorbeelden van de installatie-opbouw.

4

Figuur 1 toont schematisch de semiconductor installatie 10 in een zijaanzicht ervan.

Zulk een semiconductor installatie bestaat daarbij typisch in hoofdzaak uit een zich in de lengterichting ervan uit— 5 strekkende semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnel-opstelling 12, bevattende een boventunnelblok 14, een ondertunnelblok 16 en de ertussen opgenomen centrale tunnel-doortocht 18, Figuur 2.

In zulk een semiconductor installatie nabij de ingangs-10 zijde 20 van deze semiconductor tunnel-opstelling 12 de opname van een opslagrol-opstelling 22 ten behoeve van tijdens de werking ervan de ononderbroken toevoer van een zeer lange folie 24 met typisch slechts een minder dan 0,1 mm dikte en bevattende een typisch tenminste nagenoeg evenwijdige 15 opstaande zijwand-gedeeltes 26 en 28.

Tijdens de werking van zulk een installatie vindt daarbij typisch een ononderbroken lineaire verplaatsing van deze folie 24 door deze tunneldoortocht 18 plaats.

Daarbij in de opvolgende secties van het centrale boven-20 behandelings-gedeelte van de tunneldoortocht 18 het ononderbroken plaatsvinden van de opbouw van typisch één semiconductor laag op de bovenzijde van deze folie onder de bewerkstelliging van opvolgende, zich ononderbroken onderlangs dit boven-behandelingsgedeelte van in deze tunneldoortocht 25 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30.

Figuur 3 toont een in deze tunnel-opstelling 12 bewerkstelligde individuele rechthoekige semiconductor plaat 34 door typisch afsnijding ervan vanaf de volgende substraat-gedeeltes 30 en welke typisch een aantal opvolgende 30 gedeeltes ervan bevat, die zich uitstrekken in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan, met het nog niet verwijders zijn van de beide dwarsuiteinden 26 en 28 opzij van het centrale gedeelte ervan.

Figuur 4 toont de semiconductor plaat 36 en waarbij het 35 verwijderd zijn van deze beide dwarsuiteinden.

Figuur 5 toont achter de uitgang 40 van deze tunnel-opstelling 12 de verwijderbare cassette 42 ten behoeve van een tijdelijke opslag daarin van zulk een plaat 34 of 36 en waarbij 5 de installatie 10 verder middelen bevat ten behoeve van na het gevuld zijn van een laatste gedeelte ervan het over een geringe afstand benedenwaarts verplaatsen ervan ten behoeve van het vullen van de volgende sectie 44 ervan met zulk een 5 plaat 34 of 36.

Figuur 6 toont de doorsnede over de lijn 6-6 van de cassette 42 volgens de Figuur 5 onder het tonen van zulk een plaat 34 of 36 in een sectie ervan.

Figuur 7 toont de doorsnede over de lfln 7-7 van de 10 cassette 42 volgens de Figuur 5, met het daarbij geheel gevuld zijn ervan met deze platen.

Figuur 8 toont een alternatieve uitvoering 44 van de cassette 42 volgens de Figuur 5 en waarbij daarin op elkaar gelegen opvolgend toegevoerde platen 34 of 36.

15 Figuur 9 toont het verwijderen van de cassette 42 of 44 volgens de Figuur 5 of Figuur 8 vanaf de eronder gelegen verplaatsings-inrichting 46 in de onderste positie ervan.

Figuur 10 toont de inrichting 48 ten behoeve van het daarin opbrengen van typisch een tweetal electrische 20 contacten 50 en 52 op elk semiconductor chip-gedeelte 54 van zulk een plaat 36.

Figuur 11 toont voor een gedeelte van deze inrichting 48 het vergroot aangegeven zijn van deze beide electrische contacten 50 en 52.

25 Figuur 12 toont het verwijderen van een in dwarsrichting uitstrekkend plaat-gedeelte 56 vanaf de rest 58 ban deze plaat 36.

Figuur 13 toont het verwijderen van een semiconductor chip 54 vanaf zulk een plaat-gedeelte 56.

30 Figuur 14 toont wederom zulk een individuele chip54.

Binnen het kader van de uitvinding kan deze folie 24 bestaan uit elk soort van substantie, zoals onder andere papier, een voldoend harde kunststof of een combinatie van substanties.

35 Verder de mogelijkheid om de verplaatsing van zulk een folie door deze tunnel-opstelling 12 te doen plaatsvinden met behulp van opvolgende stromen transfer-medium langs de onderzijde van deze folie 24 of met behulp van een 6 ononderbroken metalen transfer-band onder toepassing van een rol-opstelling aan het begin- en achtergedeelte van deze tunnel-opstelling of gedeeltes ervan.

Zulke middelen van verplaatsing van de opvolgende 5 substraat-gedeeltes zijn reeds aangegeven in de vele tunnel-opstellingen, waarvoor door de aanvrager inmiddels Nederlandse Octrooien zijn verkregen.

Daarbij zijn eveneens elke breedte en lengte van zulk een bewerkstelligde semiconductor plaat 34 of 36 mogelijk, typisch 10 minder dan 100 mm, om in zulk een installatie 10 ook de goedkoopste semiconductor chips 54 met behulp van zulk een papieren of kunststoffen onderlaag ervan te kunnen vervaardigen .

Verder tevens de mogelijkheid van toepassing van cassettes 15 voor het tijdelijk opslaan van deze bewerkstelligde mini semiconductor platen en daartoe eveneens een opslag-breedte en — lengte met zulk een minimale grootte ervan en waarbij de moge lijke verplaatsing van deze uiterst dunne platen tot binnen zulk een cassette geschiedt met behulp van de stuw-20 kracht van de volgende plaat ten behoeve van opslag in zulk een cassette.

Door de enorme productie van zulke semiconductor platen is zulk een installatie zijn meerdere inrichtingen ten behoeve van het al dan niet gelijktijdig aanbrengen van zulke electri-25 sche aansluitingen benodigd, met toevoer van deze platen ernaartoe vanuit deze cassettes.

1 0 39 1 12

Claims (47)

1. Semiconductor chip, bewerkstelligd in een semiconductor installatie, bevattende een folie-opslagrol in het 5 begin-gedeelte ervan en een aantal daaropvolgende semiconductor behandelings-opstellingen, waaronder andere onmidde-l-lijk achter deze folie-opslagrol een semiconductor tunnel-opstelling ervan en daarachter een aantal aanvullende semiconductor behandelings-inrichtingen ten behoeve van tenminste 10 de bewerkstelliging van individuele rechthoekige semiconductor platen en waarbij in tenminste één volgende semiconductor inrichting, welke al dan niet is opgenomen in deze installatie, door deling ervan de bewerkstelliging van deze chip.

2. Chip volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat 15 deze installatie daartoe zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarin achter deze tunnel-opstelling de toepassing van een aantal daaropvolgende semiconductor inrichtingen ten behoeve van in de laatste inrichting ervan door deling ervan het verkrijgen ervan.

3. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat de verplaatsing van deze opvolgende substraat-gedeeltes door de centrale doortocht van deze tunnel-opstelling tenminste 25 plaatselijk geschiedt met behulp van opvolgende stromen transfer-medium, welke via uitsparingen in het ondertunnel-blok ervan gestuwd worden langs deze opvolgende substraat-gedeeltes .

4. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het 30 kenmerk, dat daarbij deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zulk een verplaatsing van opvolgende substraat-gedeeltes door deze centrale doortocht van deze tunnel-opstelling tenminste plaatselijk geschiedt met behulp van een ononderbroken metalen 35 substraat draag/transferband met een rol-opstelling aan het begin en achter-uiteinde ervan.

5. Chip volgens de Conclusie 3 of 4, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd, dat 1039112 daarbij de toepassing van tenminste één van de verplaatsings-inrichtingen voor de opvolgende substraat-gedeeltes ten behoeve van de verplaatsing van zulke substraat-gedeeltes door zulk een tunnel-doortocht, welke reeds zijn omschreven in 5 meerdere van de inmiddels bewerkstelligde Nederlandse Octrooien van de indiener van deze Octrooi-aanvrage in de voorgaande jaren.

6. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uit- 10 gevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals daarbij voor deze tunnel-opstelling de opname van zulk een folie-opslagrol, tijdens de werking ervan het tenminste nagenoeg ononderbroken plaatsvinden van toevoer van opvolgende dunne folie-gedeeltes naar de ingangszijde van deze tunnel- 15 opstelling en het vervolgens daarin fungeren ervan als een definitieve onderlaag van zulke opvolgende substraat-gedeeltes.

7. Chip volgens de Conclusie 6, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevatten- 20 de zodanige middelen, dat deze folie daarbij bestaat uit een voldoend sterke kunststof.

8. Chip volgens de Conclusie 6, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat deze folie daarbij bestaat uit 25 papier.

9. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tijdens de werking van deze tunnel-opstelling ervan het daarin 30 in het achter-gedeelte ervan plaatsvinden van een opvolgende af snij ding van rechthoekige substraat-gedeeltes als zulk een individuele rechthoekige semiconductor plaat vanaf de volgende, zich erdoorheen verplaatsende substraat-gedeeltes.

10. Chip volgens de Conclusie 9, met het kenmerk, dat deze 35 installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van uitwisselbare individuele cassettes ten behoeve van het daarin tijdelijk opslaan van zulke opvolgend toegevoerde platen.

11. Chip volgens de Conclusie 10, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij zulk een cassette in neerwaartse richting verplaatsbaar is ten behoeve van na het vul- 5 len van een sectie ervan met zulk een plaat door het vervolgens over een geringe afstand benedenwaarts verplaatsen ervan het daarin vervolgens vullen van een volgend gedeelte ervan met zulk een plaat plaats vindt.

12. Chip volgens de Conclusie 11, met het kenmerk, dat deze 10 installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de opslag van zulke opvolgende platen in zulk een cassette geschiedt met een geringe tussenafstand in de hoogterichting ervan en waarbij daartoe zulk een toegevoerde plaat geleid wordt door de beide gelei- 15 de-uitsparingen, welke zijn opgenomen in de beide dwars-uiteinden van de cassette-binnenzijde.

13. Chip volgens de Conclusie 11, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de opslag van zulke opvol- 20 gende platen in zulk een cassette plaatsvindt onder een aanliggende positie in de hoogterichting ervan.

14. Chip volgens êên der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in de 25 opvolgende secties van het centrale boven-behandelingsgedeel-te van de tunnel-doortocht het ononderbroken plaatsvinden van de opbouw van typisch één semiconductor laag op de bovenzijde van deze folie onder de bewerkstelliging van opvolgende, zich ononderbroken onderlangs zulk een boven-behandelingsgedeelte 30 verplaatsende substraat-gedeeltes.

15. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het plaatsvinden van verwijdering van zulk een cassette vanaf de 35 eronder gelegen verplaatsings-inrichting in typisch de onderdte positie ervan.

16. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat deze een inrichting bevat ten behoeve van het daarin opbrengen van typisch een tweetal electrische contacten op elk chip-gedeelte van zulk een plaat.

17. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij door een aantal opvolgende delingen van zulk een plaat de bewerkstelliging ervan.

18. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze tunnel-opstelling verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daartoe de mogelijkheid van elke breedte en lengte van zulk een daarin bewerkstelligde plaat, typisch minder dan 100 mm, 15 om daarin tevens de goedkoopste basis-chip met zulk een papieren of kunststoffen onderlaag ervan te kunnen vervaardigen .

19. Chip volgens de Conclusie 18, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevatten- 20 de zodanige middelen, dat daarbij daartoe de toepassing van meerdere cassettes ten behoeve van het tijdelijke opslaan van deze bewerkstelligde mini platen, met daartoe eveneens een opslag-breedte en - lengte ervan met zulk een minimale grootte en waarbij de mogelijke verplaatsing van deze dunne 25 platen tot binnen zulk een cassette geschiedt met behulp van de stuwkracht van een volgende gescheiden plaat ten behoeve van een tijdelijke opslag daarin.

20. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is 30 uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals daarbij in verband met de enorme productie van zulke platen in zulk een tunnel-opstelling ervan, meerdere inrichtingen ten behoeve van het aanbrengen daarop van electrische aansluitingen benodigd zijn, de toevoer van zulke geproduceerde 35 platen ernaartoe geschiedt vanuit zulke cassettes, welke zich al dan niet nog bevinden in deze installatie.

21. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin de mogelijke toepassing van meerdere van de semiconductor uitvoeringen, welke zijn aangegeven en omschreven in de door de aanvrager reeds bewerkstelligde Nederlandse Octrooien.

22. Chip volgens de Conclusie 21, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de mogelijke toepassing van semiconductor inrichtingen, welke zijn opgenomen in de bestaande semiconductor installaties onder de gebruikmaking van semiconductor modules, welke reeds 10 zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Conclusies van het navolgende: a) een individuele semiconductor wafer of - substraat; en/of b) een al dan niet individuele semiconductor processing-module .

23. Chip volgens de Conclusie 22, met het kenmerk, dat deze installatie daarbij daartoe verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de in deze Octrooi-aanvrage omschreven middelen tevens mogelijk toepasbaar zijn in de gelijktijdig ingediende drietal andere Octrooi-aanvragen en in de toekomstig nog door de 20 aanvrager in te dienen aanvullende Octrooi-aanvragen met betrekking tot semiconductor installaties, - tunnel-opstel-lingen, - inrichtingen en - chips.

24. Werkwijze ten behoeve van de vervaardiging van semiconductor chips in tenminste een semiconductor installatie, 25 bevattende een folie-opslagrol in het begin-gedeelte ervan en een aantal daaropvolgende semiconductor behandelings- opstellingen en waarbij onderandere onmiddellijk achter deze folie-opslagrol een semiconductor tunnel-opstelling ervan en daarachter een aantal aanvullende semiconductor behandelings-30 inrichtingen ten behoeve van tenminste daarin de bewerkstelliging van individuele rechthoekige semiconductor platen en in tenminste één volgende semiconductor inrichting, welke al dan niet is opgenomen in deze installatie, door deling ervan het verkrijgen van zulk een individuele chip.

25. Werkwijze volgens de Conclusie 24, met het kenmerk, dat zoals deze installatie verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarin achter deze tunnel-opstelling de toepassing van een aantal daaropvolgende semiconductor inrichtingen, en daarbij in de laatste inrichting ervan d®or deling ervan het verkrijgen van zulk een chip.

26. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 5 kenmerk, dat deze installatie verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de verplaatsing van deze opvolgende substraat-gedeeltes door de centrale doortocht van deze tunnel-opstelling tenminste plaatselijk geschiedt met behulp van opvolgende stromen transfer-medium, 10 welke via uitsparingen in het ondertunnelblok ervan gestuwd worden langs deze opvolgende substraat-gedeeltes.

27. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij deze installatie verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zulk een verplaat- 15 sing van opvolgende substraat-gedeeltes door deze centrale doortocht van deze tunnel-opstelling tenminste plaatselijk geschiedt met behulp van een ononderbroken metalen substraat draag/transferband met een rol-opstelling aan het begin- en achter-uiteinde ervan.

28. Werkwijze volgens de Conclusie 26 of 27, met het kenmerk, dat deze installatie verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals daarbij de gebruikmaking van tenminste één van de verplaatsings-inrichtingen voor de opvolgende substraat-gedeeltes ten behoeve van de ver-25 plaatsing van zulke substraat-gedeeltes door zulk een tunnel-doortocht, welke reeds zijn omschreven in meerdere van de inmiddels bewerkstelligde Nederlandse Octrooien van de indiener van deze Octrooi-aanvrage in de voorgaande jaren.

29. Werkwyze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 30 kenmerk, dat zoals deze installatie verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij voor deze tunnel-opstelling de opname van zulk een folie-opslagrol, tijdens de werking ervan het tenminste nagenoeg ononderbroken plaatsvinden van toevoer van opvolgende dunne folie-gedeeltes 35 naar de ingangszijde van deze tunnel-opstelling en het vervolgens daarin fungeren ervan als een definitieve onderlaag van zulke opvolgende substraat-gedeeltes.

30. Werkwijze volgens de Conclusie 29, met het kenmerk, dat zoals deze installatie verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen en deze folie daarbij bestaat uit een voldoend sterke kunststof, het fungeren ervan als zulk een definitieve onderlaag van deze chip.

31. Werkwijze volgens de Conclusie 29, met het kenmerk, dat zoals deze installatie verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen en deze folie daarbij bestaat uit papier, het fungeren ervan als zulk een definitieve onderlaag van deze chip.

32. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, tijdens de werking van deze tunnel-opstelling ervan het daarin in het achter-gedeelte ervan plaatsvinden van een opvolgende afsnij- 15 ding van rechthoekige substraat-gedeeltes als zulk een individuele rechthoekige semiconductor plaat vanaf de volgende, zich erdoorheen verplaatsende substraat-gedeeltes.

33. Werkwijze volgens de Conclusie 32, met het kenmerk, dat zoals deze installatie verder zodanig is uitgevoerd en bevat- 20 tende zodanige middelen, dat daarbij onder de toepassing van uitwisselbare individuele cassettes, daarin het tijdelijk opslaan van zulke opvolgend toegevoerde platen plaats vindt.

34. Werkwijze volgens de Conclusie 33, met het kenmerk, dat zoals deze installatie verder zodanig is uitgevoerd en bevat- 25 tende zodanige middelen, daarbij zulk een cassette in een neerwaartse richting verplaatsbaar is ten behoeve van na het vullen van een sectie ervan met zulk een plaat.door het vervolgens over een geringe afstand benedenwaarts verplaatsen ervan het daarin vervolgens vullen van een volgend gedeelte 30 ervan met zulk een plaat plaats vindt.

35. Werkwijze volgens de Conclusie 34, met het kenmerk, dat zoals deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, daarbij de opslag van zulke opvolgende platen in zulk een cassette geschiedt met een 35 geringe tussenafstand in de hoogterichting ervan en waarbij daartoe zulk een toegevoerde plaat geleid wordt door de beide geleide-uitsparingen, welke zijn opgenomen in de beide dwars-uiteinden van de cassette-binnenzijde.

36. Werkwijze volgens de Conclusie 34, met het kenmerk, dat zoals deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, daarbij de opslag van zulke opvolgende platen in zulk een cassette plaats vindt onder een 5 aanliggende positie in de hoogterichting ervan.

37. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals deze installatie verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, daarbij in de opvolgende secties van het centrale boven-behandelingsgedeelte van de 10 tunnel-doortocht het ononderbroken plaatsvinden van de opbouw van typisch één semiconductor laag op de bovenzijde van deze folie onder de bewerkstelliging van opvolgende, zich ononderbroken onderlangs zulk een boven-behandelingsgedeelte verplaatsende substraat-gedeeltes.

38. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals deze installatie verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, daarbij het plaatsvinden van verwijdering van zulk een cassette vanaf de eronder gelegen verplaatsings-inrichting in typisch de onderste posi- 20 tie ervan.

39. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals deze installatie verder verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat deze typisch tenminste één inrichting bevat achter zulk een cassette- 25 opbouw, het daarin opbrengen van typisch een tweetal electri-sche contacten op elk chip-gedeelte van zulk een plaat.

40. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in tenminste één inrichting door een aantal opvolgende delingen van zulk een plaat de bewerkstel- 30 liging van zulk een chip.

41. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals deze tunnel-opstelling verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, daarbij de bewerkstelliging daarin van opvolgende platen met elke mogelijke 35 breedte en lengte ervan, typisch circa 100 mm.

42. Werkwijze volgens de Conclusie 41, met het kenmerk, dat daarbij in zulk een tunnel-opstelling de vervaardiging van platen- met een zodanige semiconductor configuratie ervan, dat daaruit de mogelijke bewerkstelliging van de goedkoopste semiconductor chips.

43. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze installatie verder zodanig is uitgevoerd en 5 bevattende zodanige middelen, dat zoals daarbij de toepassing van zulk een cassette ten behoeve van het tijdelijk opslaan van deze bewerkstelligde mini-platen, met daartoe eveneens een opslag-breedte en -lengte ervan met zulk een minimale grootte, daarbij de verplaatsing van deze dunne platen tot binnen 10 zulk een cassette ten behoeve van een tijdelijke opslag daarin, zulks geschiedt met behulp van de stuwkracht van een volgende gescheiden plaat.

44. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals deze installatie in verband met de enorme 15 productie van zulke platen in zulk een tunnel-opstelling ervan, typisch geen inrichtingen ten behoeve van het aanbrengen daarop van electrische aansluitingen bevat, aldus de toevoer van zulke geproduceerde platen ernaartoe geschiedt vanuit zulke cassettes, welke zich dan niet bevinden in deze 20 installatie.

45. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals deze installatie verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, daarbij de mogelijke toepassing van meerdere van de werkwijzen, welke zijn aangege- 25 ven en omschreven in de door de aanvrager reeds bewerkstelligde Nederlandse Octrooien.

46. Werkwijze volgens de Conclusie 45, met het kenmerk, dat zoals deze installatie verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de mogelijke toepassing van de werkwijzen van de semi- 30 conductor inrichtingen, welke zijn opgenomen in de bestaande semiconductor installaties onder de gebruikmaking van semiconductor modules, welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Conclusies van het navolgende: 35 a) een individuele semiconductor wafer of - substraat; en/of b) een al dan niet individuele semiconductor processing-module .

47. Werkwijze volgens de Conclusie 46, met het kenmerk, dat deze installatie verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de in deze Octrooi-aanvrage omschreven werkwijzen tevens mogelijk toepasbaar zijn in de gelijktijdig ingediende drietal andëre Octrooi-aanvragen en in de toekomstig nog door de 5 aanvrager in te dienen aanvullende Octrooi-aanvragen met betrekking tot semiconductor installaties, - tunnel-opstel-lingen, - inrichtingen en - chips. 1039112