NL1039111C2 - Uitwisselbare semiconductor cassette achter een semiconductor tunnel-opstelling voor het daarin tijdelijk opslaan van de daarin bewerkstelligde rechthoekige platen, bevattende reeds basis-chips. - Google Patents

Description

Uitwisselbare semiconductor cassette achter een semiconductor tunnel-opstelling voor het daarin tijdelijk opslaan van de daarin bewerkstelligde rechthoekige platen, bevattende reeds basis-chips.

5

Verwijderbare semiconductor cassette, waarbij zoals daartoe in een semiconductor tunnel-opstelling, welke deel uitmaakt van een semiconductor installatie, bevattende middelen ten behoeve van tijdens de werking ervan het tenminste nagenoeg 10 ononderbroken erdoorheen verplaatsen van opvolgende aaneengesloten semiconductor substraat-gedeeltes, met typisch in het laatste gedeelte van deze tunnel-opstelling het plaatsvinden van afsnijding van individuele rechthoekige substraat-gedeeltes vanaf de volgende gedeeltes, met een tijdelijke opslag 15 ervan in zulk een verwijderbare cassette ten behoeve van in typisch tenminste één inrichting, die niet in de installatie is opgenomen, de bewerkstelliging van rechthoekige substraat-gedeeltes met typisch in een eerste inrichting op elk gedeelte ervan ter grootte van een semiconductor chip het 20 aanbrengen van een tweetal electrische aansluitingen en in een volgende inrichting door deling ervan de bewerkstelliging van zulk een semiconductor chip.

In de bijgaande Nederlandse Octrooi-aanvragen No's 3 en 2 25 zijn reeds semiconductor installaties aangegeven en omschreven, waarin de toepassing van cassettes ten behoeve van de opslag daarin van rechthoekige semiconductor platen.

In de ingang van deze semiconductor tunnel-opstelling volgens de uitvinding de opname van een folie-opslagrol ten 30 behoeve van tijdens de werking ervan het typisch ononderbroken toevoeren van opvolgende gedeeltes van een typisch kunststoffen of papieren folie naar de ingang ervan onder het daarin bewerkstelligen van opvolgende aaneengesloten semiconductor substraat-gedeeltes, welke zich ter plaatse van ten-35 minste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan uitstrekken in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan.

Deze opvolgende substraat-gedeeltes bevatten nabij de uitgang van deze tunnel-opstelling een aantal naast elkaar 1 0 3 9 1 1 1 2 gelegen uitvoeringen en opbouwen in zowel de dwars- als lengterichting ervan met een omvang ter grootte van semiconductor chips.

Daarbij in een erachter gelegen inrichting het plaatsvinden 5 van scheiding in de lengterichting ervan van een aantal opvolgende aaneengesloten, zich verplaatsende substraat-gedeeltes vanaf de voorgaande aaneengesloten substraat-gedeeltes de vorming van opvolgende rechthoekige semiconductor platen.

10 Daarbij het mogelijk eveneens verwijderd zijn van de gedeeltes, welke zich bevinden aan weerszijde van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan.

Deze tunnel-opstelling bevat typisch een aantal uitwisselbare cassettes ten behoeve van het daarin opslaan van 15 deze afgesneden rechthoekige substraat-gedeeltes, bevattende reeds basis-chips, en waarbij deze tunnel-opstelling verder middelen bevat ten behoeve van het vullen van zulk een cassette met opvolgende semiconductor platen.

Daarbij na het typisch gevuld zijn ervan met deze platen het 20 verwijderen ervan en vervangen door een volgende cassette.

Deze basis-chips bestaan daarbij uit reeds met een metaal gevulde crevices in de bovenlaag ervan.

Voor deze cassette daarbij een mogelijke breedte en diepte van de opslag-ruimte van typisch 100 mm.

25 Bij aldus een oppervlakte van zulk een bewerkstelligde basis-chip van typisch 1 cm^, aldus 100 ervan per plaat.

Verder bedraagt de hoogte van deze opslagruimte van zulk een cassette typisch tenminste 200 mm.

Door de dikte van zulk een plaat van typisch minder dan 30 0,2 mm, bedraagt aldus de vul-capaciteit ervan circa 1000 platen.

Met dit aantal van 100 basis-chips per plaat bedraagt deze vulcapaciteit aldus 100 000 chips.

Vij een productie van typisch circa 10 basis-chips per 35 10 secondes bedraagt aldus de totale tijdsduur van het vullen van zulk een cassette eveneens circa 100 000 seconden, 28 uur en onvoorstelbaar hoog en kan aldus zulk een vulcapaciteit aanmerkelijk minder bedragen.

3

Daardoor is zulk een cassette ideaal ten behoeve van een tijdelijke opslag daarin van zulke platen.

Zulk een cassette is vervolgens te transporteren naar een semiconductor bedrijf in het binnen- of buitenlans.

5 Vervolgens vindt in tenminste één individuele inrichting het opvolgend aanbrengen van electrische aansluitingen op elk van de in zulk een substraat.gedeelte opgenomen basischip plaats met typisch wederom opslag ervan in cassettes. | L !

Vervolgens het verplaatsen van zulke opvolgende cassettes i j 10 naar een volgende inrichting, waarin door opvolgende delingen j van zulk een semiconductor plaat in zowel de lengte- als ] dwarsrichting de bewerkstelliging van individuele semiconduc- i

tor chips. J

Daarbij bevat deze inrichting mogelijk eveneens middelen ten J

15 behoeve van een tijdelijke opslag van deze chips.

De uitvinding zal hieronder nader worden uiteengezet aan de hand van de in een aantal Figuren weergegeven uitvoerings— voorbeelden van deze bewerkstelliging van semiconductor chips, i welke echter binnen het kader van de uitvinding kan variëren. , 20 Figuur 1 toont schematisch de semiconductor tunnel- j

opstelling volgens de uitvinding in een zijaanzicht ervan en J

| welke is opgenomen in een semiconductor installatie.

Figuur 2 toont de dwarsdoorsnede over de lijn 2-2 van deze | semiconductor tunnel-opstelling.

25 Figuur 3 toont een in deze tunnel-opstelling bewerkstel- j

ligde individuele rechthoekige semiconductor plaat, welke een I

aantal opvolgende substraat-gedeeltes bevat, die zich uitstrekken in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan, met het i nog niet verwijderd zijn van de beide dwarsuiteinden opzij van 30 het centrale gedeelte ervan.

Figuur 4 toont de semiconductor plaat volgens de Figuur 3 en waarbij het verwijderd zijn van deze beide dwarsuiteinden.

Figuur 5 toont achter de uitgang van deze tunnel-opstelling een verwyderbare cassette ten behoeve van een tijdelijke 35 opslag daarin van zulk een semiconductor plaat en waarbij de tunnel-opstelling verder middelen bevat ten behoeve van ha het gevuld zijn van een sectie daarmede het over een geringe afstand benedenwaarts verplaatsen ervan ten behoeve van het 4 vullen van de volgende sectie ervan met zulk een plaat.

Figuur 6 toont de doorsnede over de" 1'ijn 6-6 van de' cassette volgens de Figuur 5 onder het tonen van zulk een plaat in een sectie ervan.

5 Figuur 7 toont de doorsnede over de lijn 7-7 van de cassette volgens de Figuur 5, met het daarbij geheel gevuld zijn ervan met deze platen.

Figuur 8 toont een alternatieve uitvoering van de cassette volgens de Figuur 5 en waarbij daarin op elkaar gelegen 10 opvolgende toegevoerde platen.

Figuur 9 toont het verwijderen van de cassette volgens de Figuur 5 vanaf de eronder gelegen verplaatsings-inrichting in de onderste positie ervan.

Figuur 10 toont een inrichting ten behoeve van het daarin 15 opbrengen van typisch een tweetal electrische contacten op elk semiconductor chip-gedeelte van zulk een plaat.

Figuur 11 toont voor een gedeelte van deze inrichting het vergroot aangegeven zijn van deze electrische contacten.

Figuur 12 toont het verwijderen van een in dwarsrichting 20 uitstrekkend plaat-gedeelte vanaf de rest ervan.

Figuur 13 toont het verwijderen van een semiconductor chip vanaf zulk een plaat-gedeelte.

Figuur 14 toont wederom zulk een individuele chip.

De uitvinding zal hieronder nader worden uiteengezet aan 25 de hand van een aantal in deze Figuren weergegeven uitvoe-rings-voorbeelden van de installatie-opbouw.

Figuur 1 toont schematisch de demiconductor installatie 10 in een zijaanzicht ervan.

Zulk een semiconductor installatie bestaat daarby typisch 30 in hoofdzaak uit een zich in de lengterichting ervan uitstrekkende semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnel-opstelling 12, bevattende een boventunnelblok 14, een ondertunnelblok 16 en de ertussen opgenomen centrale tunnel-doortocht 18, Figuur 2.

35 In zulk een semiconductor installatie nabij de ingangs- zijde 20 van deze semiconductor tunnel-opstelling 12 de opname van de opslagrol-opstelling 22 ten behoeve van tijdens de werking ervan de ononderbroken toevoer van een zeer lange 5 folie 24 met typisch slechts een minder dan 0,2 mm dikte en bevattende een typisch tenminste nagenoeg evenwijdige opstaande zijwand-gedeeltes 26 en 28.

Tijdens de werking van zulk een tunnel-opstelling vindt 5 daarbij typisch een ononderbroken lineaire verplaatsing van deze folie 24 door deze tunnel-doortocht 18 plaats.

Daarbij in de opvolgende secties van het centrale boven-behandelings-gedeelte van de tunneldoortocht 18 het ononderbroken plaatsvinden van de opbouw van typisch één semicon-10 ductor laag op de bovenzijde van deze folie onder de bewerkstelliging van opvolgende, zich ononderbroken onderlangs dit boven-behandelingsgedeelte van deze tunneldoortocht verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 30.

Daarbij toont Figuur 3 een in deze tunnel-opstelling 12 15 bewerkstelligde individuele rechthoekige semiconductor plaat 34 door typisch afsnijding ervan vanaf de volgende substraat-gedeeltes 30 en welke typisch een aantal opvolgende gedeeltes ervan bevat, die zich uitstrekken in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan, met het nog niet verwijderd 20 zijn van de beide dwarsuiteinden 26 en 28 opzij van het centrale gedeelte ervan.

Figuur 4 toont de semiconductor plaat 36 en waarbij het verwijderd zijn van deze beide dwarsuiteinden.

Figuur 5 toont achter de uitgang 40 van deze tunnel-25 opstelling 12 de verwijderbare cassette 42 ten behoeve van een tijdelijke opslag daarin van zulk een plaat 34 of 36 en waarbij de installatie 10 verder middelen bevat ten behoeve van na het gevuld zijn van een laatste gedeelte ervan het over een geringe afstand benedenwaarts verplaatsen ervan ten behoeve 30 van het vullen van de volgende sectie 44 ervan met zulk een plaat 34 of 36.

Figuur 6 toont de doorsnede over de lijn 6-6 van de cassette 42 volgens de Figuur 5 onder het tonen van zulk een plaat 34 of 36 in een sectie ervan.

35 Figuur 7 toont de doorsnede over de lijn 7-7 van de cassette 42 volgens de Figuur 5, met het daarbij geheel gevuld zijn ervan met deze platen.

Figuur 8 toont een alternatieve uitvoering 44 van de 6 cassette 42 volgens de Figuur 5 en waarbij daarin op elkaar gelegen opvolgend toegevoerde platen 34 of 36.

Figuur 9 toont het verwijderen van de cassettes 42 of 44 volgens de Figuur 5 of Figuur 8 vanaf de eronder gelegen 5 verplaatsings-inrichting 46 in de onderste positie ervan.

Figuur 10 toont de inrichting 48 ten behoeve van het daarin opbrengen van typisch een tweetal electrische contacten 50 en 52 op elk semiconductor chip-gedeelte 54 van zulk een plaat.

10 Figuur 11 toont voor een gedeelte van deze inrichting 48 het vergroot aangegeven zijn van deze beide electrische contacten 50 en 52.

Figuur 12 toont het verwijderen van een in dwarsrichting uitstrekkend plaat-gedeelte 56 vanaf de rest 58 van deze 15 plaat 36.

Figuur 13 toont het verwijderen van een semiconductor chip 54 vanaf zulk een zulk een plaat-gedeelte 56.

Figuur 14 toont wederom zulk een individuele chip 54.

Binnen het kader van de uitvinding kan deze folie 24 20 bestaan uit elk soort van substantie, zoals onder andere papier, een voldoend harde kunststof of een combinatie van substanties.

Verder de mogelgkheid om de verplaatsing van zulk een folie door deze tunnel-opstelling 12 te doen plaatsvinden met 25 behulp van opvolgende stromen transfer-medium langs de onderzijde van deze folie 24 of met behulp van een ononderbroken metalen transfer-band onder de toepassing van een rol-opstelling aan het begin- en achtergedeelte van deze tunnel-opstelling of gedeeltes ervan.

30 Zulke middelen van verplaatsing van de opvolgende substraat-gedeeltes zijn reeds aangegeven in de vele tunnel-opstellingen, waarvoor door de aanvrager inmiddels Nederlandse Octrooien zijn verkregen.

Daarbij zijn eveneens elke breedte en lengte van zulk een 35 bewerkstelligde semiconductor plaat 34 of 36 mogelijk, typisch minder dan 100 mm, om in zulk een installatie 10 met de goedkoopste semiconductor chips 54 met behulp van zulk een papieren of kunststoffen onderlaag ervan te kunnen 7 vervaardigen.

Verder tevens de mogelijkheid van toepassing van cassettes voor het tijdelijk opslaan van deze bewerkstelligde mini semiconductor platen en daartoe eveneens een opslag-breedte 5 en - lengte met zulk een minimale grootte ervan en waarbij de mogelijke verplaatsing van deze uiterst dunne platen tot binnen zulk een cassette geschiedt met behulp van de stuwkracht van de volgende plaat ten behoeve van opslag ervan in zulk een cassette.

10 Door de enorme productie van zulke semiconductor platen in zulk een tunnel-opstelling zijn meerdere inrichtingen ten behoeve van het al dan niet gelijktijdig aanbrengen van zulke electrische aansluitingen benodigd, met toevoer van deze platen ernaartoe vanuit deze cassettes.

1 039 1 1 1

Claims (21)

1. Verwijderbare cassette, welke is opgenomen achter de uitgang van een semiconductor tunnel-opstelling, en waarin 5 tjjdens de werking ervan het tenminste nagenoeg ononderbroken erdoorheen verplaatsen van opvolgende aaneengesloten semiconductor substraat-gedeeltes, met in het laatste gedeelte ervan door typisch afsnijding van een aantal substraat-gedeeltes van de volgende substraat-gedeeltes de bewerk- 10 stelliging van individuele rechthoekige substraat-gedeeltes en waarbij door een verdere verplaatsing ervan een tijdelijke opslag ervan plaatsvindt in deze cassette.

2. Cassette volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat daarbij deze afgesneden opvolgende substraat-gedeeltes als 15 semiconductor platen in hoofdzaak bestaan uit typisch een kunststoffen of papieren folie met een dikte van typisch minder dan 0,2 mm.

3. Cassette volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze daartoe eveneens een rechthoekige opslag- 20 ruimte bevat.

4. Cassette volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij zulk een semiconductor plaat een aantal naast elkaar gelegen uitvoeringen en opbouwen met een omvang ter grootte van een semiconductor chip bevat in zowel de 25 lengte als dwarsrichtin ervan.

5. Cassette volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij het daarin opslaan van in deze tunnel-opstelling bewerkstelligde rechthoekige substraat-gedeeltes, bevattende reeds 30 basis-chips, welke zijn voorzien van met metaal gevulde nanometer grote uitsparingen in de di-electrische bovenlaag ervan.

6. Cassette volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de breedte en diepte van zulkk een 35 opslagruimte circa 100 mm bedraagt.

7. Cassette volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij daarin de opname van een groot aantal geleide-uitsparingen in 1 0 39 1 1 1 de tegenover elkaar gelegen zijwanden ervan en welke in hoogterichting op enige afstand van elkaar verwijderd zijn ten behoeve van het geleiden van zulk een binnenkomende rechthoekige plaat tot tegen de achterwand ervan.

8. Cassette volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij daarin de toepassing van gladde tegenover elkaar gelegen zijwanden ten behoeve van het geleiden van zulk een toegevoerde plaat tot naar zijn aanslag-positie tegen de achter-10 wand ervan en waarbij deze plaat komt te liggen op de voorgaande ingebrachte plaat.

9. Cassette volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat met behulp van een eronder gelegen verplaatsings-inrichting 15 deze over typisch de dikte van zulk een plaat tenminste in neerwaartse richting verplaatsbaar is ten behoeve van het ontvangen van een volgende plaat.

10. Cassette volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij deze tunnel-opstelling daarbij zodanige 20 middelen bevat, dat de verplaatsing van zulk een plaat in deze cassette geschiedt met behulp van zich in deze tunnel-opstelling verplaatsend afgesneden substraat-gedeelte, welke nog aangesloten is op het daaropvoldeiid substraat-gedeelte.

11. Cassette volgens één der voorgaande Conclusies, met het 25 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de hoogte van de opslagruimte ervan typisch tenminste 100 mm bedraagt en tevens de toepassing daarin van zulke gladde geleide-wanden.en de opslag van zulke opvolgende platen geschiedt op elkaar, daarbij deze cassette een vul-capaciteit 30 heeft van typisch circa 500 boven elkaar gelegen platen.

12. Werkwijze van een verwijderbare cassette, welke in een semiconductor installatie is opgenomen achter de uitgang van een semiconductor tunnel-opstelling, en waarin tijdens de werking ervan het tenminste nagenoeg ononderbroken erdoorheen 35 verplaatsen van opvolgende aaneengesloten semiconductor substraat-gedeeltes, met in het laatste gedeelte ervan door typisch afsnijding van een aantal substraat-gedeeltes van de volgende substraat-gedeeltes de bewerkstelliging van individuele rechthoekige substraat-gedeeltes en waarbij door een verdere verplaatsing ervan een tijdelijke opslag ervan plaatsvindt in deze cassette.

13, Werkwijze van de cassette volgens de Conclusie 12, met 5 het kenmerk, dat daarbij afgesneden opvolgende substraat- gedeeltes dienen als semiconductor platen en daartoe in hoofdzaak bestaan uit typisch een kunststoffen of papieren folie met een dikte ervan van typisch minder dan 0,2 mm.

14. Werkwijze van de cassette volgens één der voorgaande

10 Conclusies, met het kenmerk, dat zoals zulk een semiconductor plaat een een aantal naast elkaar gelegen semiconductor uitvoeringen in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan bevat, daarbij het bewerkstelligen daarin van een aantal semiconductor basis-chips. 15 15, Werkwijze van de cassette volgens de Conclusie 14, met het kenmerk, dat in een rechthoekige opslaruimte ervan de opslag van zulke platen.

16. Werkwijze van de cassette volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij het daarin opslaan 20 van in deze tunnel-opstelling bewerkstelligde rechthoekige substraat-gedeeltes, bevattende reeds zulke basis-chips, welke tenminste mede zijn voorzien van met metaal gevulde nanometer grote uitsparingen in de di-electrische bovenlaag ervan. 25 17 Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals de breedte en diepte van zulk een opslagruimte circa 100 mm bedraagt, daarbij het daarin toevoeren van zulk een plaat met maximaal deze breedte en lengte ervan.

18. Werkwijze van de cassette volgens één der voorgaande 30 Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarin de opname van een groot aantal geleide-uitsparingen in de tegenover elkaar gelegen zijwanden ervan en welke in hoogterichting op enige afstand van elkaar verwijderd zijn, het geleiden daarin van zulk een binnenkomende rechthoekige plaat plaats vindt tot 35 tegen de achterwand ervan.

19. Werkwyze van de cassette volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij daarin de toepassing van gladde tegenover elkaar gelegen zijwanden, daarmede het plaatsvinden van geleiding van zulk een toegevoerde plaat tot naar zijn aanslag-positie tegen de achterwand ervan en zulk een plaat tevens komt te liggen op de voorgaande ingebrachte plaat.

20. Werkwijze van de cassette volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij met behulp van een eronder gelegen verplaatsings-inrichting deze over typisch de dikte van zulk een plaat in neerwaartse richting verplaatsbaar is ten behoeve van het ontvangen van een volgende 10 plaat.

21. Werkwijze van de cassette volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de verplaatsing van zulk een plaat in deze cassette geschiedt met behulp van een zich in deze tunnel-opstelling verplaatsend afgesneden 15 substraat-gedeelte, welke nog aangesloten is op het daaropvolgend substraat-gedeelte.

22. Werkwijze van de cassette volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals de hoogte van de opslagruimte ervan typisch tenminste 100 mm bedraagt en 20 tevens de toepassing daarin van zulke gladde geleide-wanden en de opslag daarin van zulke opvolgende platen geschiedt op elkaar, daarbij daarin het mogelijk inbrengen van typisch circa 500 boven elkaar gelegen platen, als zijnde een enorme vul-capaciteit ervan. 1039111