KR960026450A - 반도체 소자의 mosfet 제조 방법 - Google Patents

반도체 소자의 mosfet 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960026450A
KR960026450A KR1019940034295A KR19940034295A KR960026450A KR 960026450 A KR960026450 A KR 960026450A KR 1019940034295 A KR1019940034295 A KR 1019940034295A KR 19940034295 A KR19940034295 A KR 19940034295A KR 960026450 A KR960026450 A KR 960026450A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
trench
gate
material layer
semiconductor substrate
Prior art date
Application number
KR1019940034295A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100312940B1 (ko
Inventor
허윤종
Original Assignee
문정환
Lg 반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, Lg 반도체주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019940034295A priority Critical patent/KR100312940B1/ko
Publication of KR960026450A publication Critical patent/KR960026450A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100312940B1 publication Critical patent/KR100312940B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66568—Lateral single gate silicon transistors
    • H01L29/66613—Lateral single gate silicon transistors with a gate recessing step, e.g. using local oxidation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/107—Substrate region of field-effect devices
    • H01L29/1075—Substrate region of field-effect devices of field-effect transistors
    • H01L29/1079—Substrate region of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/1083—Substrate region of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate with an inactive supplementary region, e.g. for preventing punch-through, improving capacity effect or leakage current
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
    • H01L29/4236—Disposition, e.g. buried gate electrode within a trench, e.g. trench gate electrode, groove gate electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66537—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET using a self aligned punch through stopper or threshold implant under the gate region

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 기판위에 서로 식각선택성이 있는 제1패턴과 제2패턴을 순차적으로 형성시키고, 제2패턴과 제1패턴의 소정부분을 식각하여 트랜치를 형성시킬 반도체 기판을 일부 노출시킨 후, 식각된 제2패턴과 제1패턴을 마스크로 반도체 기판을 식각하여 경사가 완만한 트랜치를 형성시키면서, 이온주입을 실시하여 반도체 기판 내부의 트랜치 하부에 기판과 동일도전형이 고농도 이온층을 형성시키고, 제2패턴과 상기 제1패턴을 순차적으로 제거한 후, 트랜치에 게이트 산화막과 게이트를 형성시킨 다음, 게이트 양측에 소스드레인영역을 형성시켜서 반도체 소자의 MOSFET를 제조함을 요지로 한다. 이렇게 형성시킨 MOSFET는 게이트의 면적에 비하여 긴채널을 형성시키므로서, 게이트의 트랜치 형태가 완만한 경사를 가지도록 하여 종래 트랜치 트랜지스터에서 발생한 게이트 모서리에서의 과도한 필드를 감소시켜 트랜지스터의 신뢰도를 향상시키면서, 전체 칩에서 장채널 트랜지스터가 차지하는 면적을 줄일 수 있는 것이 특징이다.

Description

반도체 소자의 MOSFET 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 반도체 소자의 MOSFET 제조 방법의 각 단계를 설명한 도면.

Claims (3)

  1. 반도체 소자의 MOSFET 제조방법에 있어서, 1) 반도체 기판위에 반도체 기판과 제2물질층에 대하여식각선택성이 있는 물질로 제1물질층을 형성시키고, 상기 제1물질층에 대하여 식각선택성이 있는 물질로 제2물질층을 형성시키는 단계와, 2) 상기 반도체 기판에 형성시킨 상기 제2물질층의 소정부분을 제거하여 상기 제1물질층의 일부를 노출시키는 제2패턴을 형성한 후, 상기 제2패턴을 마스크로 상기 제1물질층을 등방성 식각하여 반도체 기판을 일부 노출시키는 제1패턴을 형성시킨 단계와, 3) 상기 제2패턴과 제1패턴을 마스크로 하여 반도체 기판을 등방성 식각하여 경사가 완만한 트랜치를 형성시키는 단계와, 4) 상기 제1패턴과 제2패턴을 마스크로 상기 반도체 기판 전면에 이온주입을 실시하여 상기 반도체 기판 내부의 상기 트랜치 하부에 기판과 동일도전형의 고농도 이온층을 형성시키는 단계와, 5) 상기 기판 상에 형성시킨 제2패턴과 상기 제1패턴을 순차적으로 제거한 후, 상기 트랜치에 게이트 산화막과 게이트를 형성시키는 단계와, 6) 상기 게이트의 양측에 소스드레인영역을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체 소자의 MOSFET 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 1) 단계의 제1물질층과 제2물질층을 각각 산화막과 질화막으로 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 MOSFET 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 2) 단계의 상기 제2패턴을 마스크로 상기 제1물질층을 식각함에 있어서, 상기 트랜치의 경사도를 조절하기 위하여 상기 제2패턴 하부로 측면식각하여 소정 측면깊이까지 제1물질층을 식각시켜 제1패턴을 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 MOSFET 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940034295A 1994-12-15 1994-12-15 반도체소자의mosfet제조방법 KR100312940B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940034295A KR100312940B1 (ko) 1994-12-15 1994-12-15 반도체소자의mosfet제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940034295A KR100312940B1 (ko) 1994-12-15 1994-12-15 반도체소자의mosfet제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960026450A true KR960026450A (ko) 1996-07-22
KR100312940B1 KR100312940B1 (ko) 2003-07-07

Family

ID=37531281

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940034295A KR100312940B1 (ko) 1994-12-15 1994-12-15 반도체소자의mosfet제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100312940B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100372638B1 (ko) * 1999-11-22 2003-02-17 주식회사 하이닉스반도체 전계효과 트랜지스터 제조방법
KR100487633B1 (ko) * 1997-11-28 2005-07-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100487633B1 (ko) * 1997-11-28 2005-07-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 제조방법
KR100372638B1 (ko) * 1999-11-22 2003-02-17 주식회사 하이닉스반도체 전계효과 트랜지스터 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR100312940B1 (ko) 2003-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940027104A (ko) 트랜지스터 제조방법
KR960012564A (ko) 박막 트랜지스터 및 그 형성방법
KR960005896A (ko) 박막트랜지스터 제조방법
KR0149527B1 (ko) 반도체 소자의 고전압용 트랜지스터 및 그 제조방법
KR950021786A (ko) 모스펫(mosfet) 및 그 제조방법
KR960026450A (ko) 반도체 소자의 mosfet 제조 방법
KR950034667A (ko) 반도체 소자 및 그 제조방법
KR960043091A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR970053096A (ko) 모스전계효과트랜지스터 제조방법
KR970004070A (ko) 리세스 된 게이트 전극을 갖는 반도체장치 및 그 제조방법
KR970003685A (ko) 모스 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
KR950025929A (ko) 트랜지스터 제조방법
KR950004590A (ko) 모스패트(mosfet)의 구조 및 제조방법
KR950026026A (ko) 트랜지스터 제조 방법
KR930017207A (ko) Mosfet 제조방법
KR950004604A (ko) 에스오아이(soi)트랜지스터 구조 및 제조방법
KR970023887A (ko) 모스펫 제조방법
KR970054189A (ko) 반도체장치 제조방법
KR960005895A (ko) 모스트랜지스터 제조방법
KR19980055711A (ko) 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR950030279A (ko) 반도체소자 및 그 제조방법
KR950007091A (ko) 트랜지스터의 구조 및 제조방법
KR970054258A (ko) 박막트랜지스터 제조방법
KR970054256A (ko) 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR980006482A (ko) 반도체소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120924

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130916

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140917

Year of fee payment: 14

EXPY Expiration of term