KR980006122A - 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법에 관한 것으로, 비아 홀(Via hole)내에서 수분과의 접촉으로 인한 금속층의 부식을 방지하기 위하여 SOG막을 형성한 후 상기 SOG막내에 함유된 수분을 완전히 제거하고, 상기 SOG막상에 수분 투과율이 높은 TEOS막을 형성하므로써 비아 홀내에서 수분과의 접촉으로 인한 상부 금속층의 부식이 방지된다. 따라서 소자의 신뢰성 및 수율이 증대될 수 있는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제1c도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (8)
- 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법에 있어서, 절연층이 형성된 실리콘 기판상에 금속배선을 형성 한 후 전체 상부면에 제1금속층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제1금속층간 절연막상에 SOG막을 도포하여 표면을 평탄화시킨 후 상기 SOG막내에 함유된 수분을 제거하기 위하여 경화 및 소성 공정을 순차적으로 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 외부로부터 흡수된 수분을 제거하기 위하여 열처리를 실시한 후 상기 SOG막상에 제2금속층간 절연막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1금속층간 절연막은 실리콘 리치 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 실리콘 리치 산화막은 300 내지 350℃의 온도에서 PECVD 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 경화 공정은 300 내지 350℃의 온도에서 70 내지 100초동안 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소성 공정은 400 내지 420℃의 온도 및 질소(N2) 가스 분위기 하에서 50 내지 70분동안 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열처리는 150 내지 200mTorr의 압력 및 350 내지 400℃의 온도 조건에서 50 내지 70분동안 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2금속층간 절연막은 TEOS막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 TEOS막은 350 내지 450℃의 온도에서 PECVD 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960022813A KR980006122A (ko) | 1996-06-22 | 1996-06-22 | 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019960022813A KR980006122A (ko) | 1996-06-22 | 1996-06-22 | 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR980006122A true KR980006122A (ko) | 1998-03-30 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019960022813A KR980006122A (ko) | 1996-06-22 | 1996-06-22 | 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR980006122A (ko) |
-
1996
- 1996-06-22 KR KR1019960022813A patent/KR980006122A/ko not_active Application Discontinuation
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