KR970052781A - 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법에 관한 것으로, SOG막과 층간 절연막의 접착력을 강화시키기 위하여 SOG막을 평탄화시킨 후 HMDS를 이용하여 표면 처리하므로서 층간 절연막의 절연 특성이 향상되어 소자의 수율 및 신뢰성이 향상될 수 있도록 한 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 및 제2B도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법을 형성하기 위한 소자의 단면도.
Claims (8)
- 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법에 있어서, 절연층이 형성된 실리콘 기판상에 하부 금속 배선을 형성한 후 전체 상부면에 제1층간 절연막 및 SOG막을 순차적으로 형성하고 열처리 공정을 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제1층간 절연막의 표면이 노출되는 시점까지 상기 SOG막을 부분 에치백하여 표면을 평탄화시키는 단계와, 상기 단계로부터 헥사메틸디실라센으로 전체 구조상부를 표면 처리한 후 전체 상부면에 제2층간 절연막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2층간 절연막은 플라즈마 보조 TEOS막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1층간 절연막은 1000내지 3000Å의 두께로 형성되며, 상기 제2층간 절연막은 5000내지 8000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2층간 절연막은 상기 표면 처리후 4시간 이내에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 SOG막은 3000내지 7000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열처리 공정은 400내지 450℃의 질소(N2)가스 분위기하에서 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 표면 처리는 100내지 120℃온도의 오븐에서 30내지 60분 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.
- 제1항 또는 제7항에 있어서, 상기 표면 처리시 상기 헥사메틸디실라센은 증기 상태인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950046305A KR100193888B1 (ko) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950046305A KR100193888B1 (ko) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052781A true KR970052781A (ko) | 1997-07-29 |
| KR100193888B1 KR100193888B1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=66592919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019950046305A KR100193888B1 (ko) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100193888B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990051680A (ko) * | 1997-12-19 | 1999-07-05 | 김영환 | 반도체 장치의 다층 배선 형성 방법 |
-
1995
- 1995-12-04 KR KR1019950046305A patent/KR100193888B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990051680A (ko) * | 1997-12-19 | 1999-07-05 | 김영환 | 반도체 장치의 다층 배선 형성 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100193888B1 (ko) | 1999-06-15 |
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