KR980005540A - 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 2단계의 어닐링 공정을 통하여 낮은 콘택저항과 우수한 보호 금속막 특징을 갖는 금속 배선 형성방법에 관한 것으로, 소정의 접합 영역이 구비된 반도체 기판상에 절연막을 형성하는 단계; 접합 영역 표면의 일부분이 노출되도록 절연막의 예정된 영역에서 콘택홀을 형성하는 단계; 결과물 상부에 보호 금속막을 증착하는 단계; 보호 금속막에 대하여 콘택저항을 감소시키기 위한 급속 열처리 공정의 제1어닐링을 실시하는 단계; 보호 금속막에 대한 특성을 향상시키기 위한 노방식 열처리 공정의 제2어닐링을 실시하는 단계; 및, 결과물 상부에 금속층을 증착한 후 패턴화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법을 설명하기 위한 도면.
Claims (4)
- 소정의 접합 영역이 구비된 반도체 기판상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 접합 영역 표면의 일부분이 노출되도록 상기 절연막의 예정된 영역에서 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 결과물 상부에 보호 금속막을 증착하는 단계; 상기 보호 금속막에 대하여 콘택저항을 감소시키기 위한 급속 열처리 공정의 제1어닐링을 실시하는 단계; 상기 보호 금속막에 대한 특성을 향상시키기 위한 노방식 열처리 공정의 제2어닐링을 실시하는 단계; 및, 상기 결과물 상부에 금속층을 증착한 후 패턴화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 급속 열처리 공정은 600 내지 800°C의 온도로 10 내지 30초 동안 가열하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 급속 열처리 공정은 N2가스 분위기에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 노방식의 열처리 공정은 400 내지 450°C의 온도로 25 내지 35분 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960024499A KR100222124B1 (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019960024499A KR100222124B1 (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR980005540A true KR980005540A (ko) | 1998-03-30 |
KR100222124B1 KR100222124B1 (ko) | 1999-10-01 |
Family
ID=19463890
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960024499A KR100222124B1 (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR100222124B1 (ko) |
-
1996
- 1996-06-27 KR KR1019960024499A patent/KR100222124B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100222124B1 (ko) | 1999-10-01 |
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