KR950025869A - 콘택홀 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 제조공정중 금속배선과 하부막과의 연결을 위한 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 워드 라인용 폴리실리콘막 상에 층간 절연막(4)을 형성하고, 전체구조 상부에 탄탈륨옥사이드막(5)을 형성하는 단계; 상기 탄탈륨옥사이드막(5) 상부를 평탄화막(6)으로 평탄화하는 단계; 및 예정된 콘택홀 부위의 상기 탄탈륨옥사이드막(5), 층간 절연막(4)을 선택식각하여 제거함으로써 반도체 기판(1)을 노출시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징을 함으로써 본 발명은 디자인룰에 관게없는 레이어를 식각 장벽으로 사용함으로써 고집적 소자에 적합한 미세 콘택을 기존의 노광기술과 식각기술로도 달성할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 본 발명에 따른 콘택홀 형성공정을 나타내는 예시 단면도.
Claims (1)
- 반도체 소자 제조공정중 콘택홀 형성방법에 있어서, 워드라인용 폴리실리콘막 상에 충간 절연막(4)을 형성하고, 전체구조 상부에 탄탈륨옥사이드막(5)을 형성하는 단계; 상기 탄탈륨옥사이드막(5) 상부를 평탄화막(6)으로 평탄화하는 단계; 및 예정된 콘택홀 부위의 상기 탄탈륨옥사이드막(5), 충간 절연막(4)을 선택식각하여 제거함으로써 반도체 기판(1)을 노출시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940002274A KR950025869A (ko) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940002274A KR950025869A (ko) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950025869A true KR950025869A (ko) | 1995-09-18 |
Family
ID=66663173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940002274A KR950025869A (ko) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950025869A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100458087B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2005-02-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치제조방법 |
-
1994
- 1994-02-07 KR KR1019940002274A patent/KR950025869A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100458087B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2005-02-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치제조방법 |
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Legal Events
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