KR980003731A - 표시 패널용 정전 파괴 보호 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

표시 패널용 정전 파괴 보호 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 표시 패널용 정전 파괴 보호 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세히 말하자면, 정전기로 인하여 표시 패널 내부의 활성 영역 내부에 형성되어 있는 소자의 파괴를 보호하기 위해 패드 영역에 도전층을 포함하는 표시 패널용 정전 파괴 보호 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 기판 중앙에 속하는 활성영역에 제1방향으로 게이트선을 형성하고 동시에 패드 영역에 제1방향으로 링의 일부를 형성하고 기판 위에 게이트 절연막, 반도체층, 에치 스토퍼를 형성한 후, 활성 영역에 에치 스토퍼를 마스크로 하여 반도체층을 고농도로 도핑하여 반도체츠의 두 부분에 소스/드레인 영역을 형성하고 패드 영역에 고농도 도전층을 형성하고 게이트 절연막을 식각하여 제1, 제2콘택홀을 형성하고 활성 영역에 데이터 선 및 소스/드레인 전극을 형성하고 동시에 패드 영역에 제1콘택홀을 통항 링이 나머지를 완성하고 제1, 제2전극을 형성한다. 따라서, 본 발명에 따른 정전 파괴 보호 장치는 별도의 공정이 필요없이 중앙부의 활성 영역에서 박막 트랜지스터 제조 공정에 대응하여 가장자리의 패드 영역에 제조가 가능함은 물론, 각각의 화소에 대하여 결함을 점검하는 경우에도 패드 영역의 링을 분리할 필요가 없으로 후속 공정에서도 정전 파괴를 방지할 수 있으며 제1, 제2전극의 폭파 간격을 저항치를 적절히 만들 수 있으며 박막 트랜지스터를 이용한 보호 장치시 발생되는 보호 장치의 파기를 방지할 수 있는 효과가 있다.

Description

표시 패널용 정전 파괴 보호 장치 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에서 정전 파괴 보호 장치를 도시한 평면도.
제5도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에서 정전 파괴 보호 장치의 회로도이다.

Claims (19)

  1. 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 고농도도전층, 상기 콘택층 및 게이트 절연막 위에 형성되어 위에 형성되어 있으며 상기 고농도 도전층의 중앙 상부에 개구부를 갖는 제1, 제2전극을 포함하고 있는 정전 파괴 보호 장치용 소자.
  2. 제1항에서, 상기 고농도 도전층과 상기 게이트 절연막 사이에 반도체층을 더 포함하는 정전 파괴 보호 장치용 소자.
  3. 제1항에서, 상기 고농도 도전층은 고농도 불순물로 도핑되어 있는 실리콘층으로 이루어진 정전 파괴 보호장치용 소자.
  4. 제1항에서, 상기 고농도 도전층은 고농도 불순물로 도핑되어있는 실리사이드층으로 이루어진 정전 파괴 보호 장치용 소자.
  5. 기판, 상기 기판 위에 제1방향으로 형성되어 있는 게이트선, 상기 기판 위에 상기 게이트선과 교차하는 데이터선, 상기 기판의 둘레에 형성되어 있으며 상기 게이트선 및 데이터선과 교차하는 링, 상기 링과 상기 데이터선, 및 게이트선이 교차하는 부분에 인접하게 형성되어 있으며 상기 링과 연결되어 있는 제1전극, 상기 링과 상기 게이트선 및 데이터선이 교차하는 부분에 인접하게 형성되어 있으며 상기 게이트선 및 데이터선에 각각 연결되어 있는 제2전극, 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 형성되어 있는 고농도 도전층르 포함하고 있는 표시 패널용 정전 파괴 보호 장치.
  6. 제5항에서, 상기 고농도 도정층은 고농도 불수물로 도핑되어 있는 실리콘층으로 이루어진 정전 파괴 보호 장치.
  7. 제5항에서, 상기 고농도 도전층은 고농도 불순물로 도핑되어 있는 실리사이드로 이루어진 정전 파괴 보호 장치.
  8. 기판 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 고농도로 도핑되어 있는 고농도 도전층을 형성하는 단계, 금속막을 중착하고 상기 고농도 도전층의 중앙 상부의 상기 금속막을 식각하여 제1/제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 정전 파괴 보호 장치용 소자의 제조방법.
  9. 제8항에서, 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계 이후 반도체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 정전 파괴 보호 장치용 소자의 제조 방법.
  10. 제8항에서, 상기 고농도 도전층은 고농도 불순물로 도핑되어 있는 실리콘층으로 형성하는 정전 파괴 보호 장치용 소자의 제조 방법.
  11. 제8항에서, 상기 고농도 도전층은 실리사이드로 형성하는 정전 파괴 보호 장치용 소자의 제조 방법.
  12. 기판 중앙에 속하는 활성영역에 제1방향으로 게이트선을 형성하고 동시에 패드 영역에 제1방향으로 링의 일부를 형성하는 단계, 상기 기판 위에 게이트 절연막, 반도체층 및 콘택층을 형성하고 상기 패드 영역에 고농도 도전층을 형성한 후 상기 게이트 절연막을 식각하여 제1, 제2콘택홀을 형성하는 단계, 상기 활성영역에 데이터선 및 소스/드레인 전극을 형성하고 상기 소스/드레인 전극을 마스크로 상기 콘택층을 식각하고 상기 패드 영역에는 상기 제1콘택홀을 통하여 상기 링의 나머지 일부를 형성하고 제2콘택홀을 통하여 전극을 형성하는 단계 상기 기판 위에 보호막을 형성하고 상기 보호막을 마스크로하여 상기 전극을 제1, 제2전극으로 분리하는 단계를 포함하는 표시패널용 정전 파괴 보호 장치의 제조 방법.
  13. 기판 중앙에 속하는 활성 영역에 제1방향을 게이트선을 형성하고 동시에 패드 영역에 제1방향으로 링의 일부를 형성하는 단계, 상기 기판 위에 게에트 절연막, 반도체층, 에치 스토퍼를 형성한 후, 상기 상기 활성 영역에 콘택층을 형성하고 상기 패드 영역에 고농도 도전층을 형성하고 상기 게이트 절연막을 식각하여 제1, 제2콘택홀을 형성하는 단계, 상기 활성 영역에 데이터선 및 소스/드레인 전극을 형성하고 상기 소스/드레인 전극을 마스크로 상기 콘택층을 식각하고 상기 패드 영역에는 상기 제1콘택홀을 통하여 상기 링의 나머지 일부를 형성하고 제2콘택홀을 통하여 전극을 형성하는 단계, 상기 기판 위에 보호막을 형성하고 상기 보호막을 마스크로 하여 상기 전극을 제1, 제2전극으로 분리하는 단계를 포함하는 표시 채널용 정전 파괴 보호 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에서, 상기 고농도 도전층은 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 실리콘층으로 형성하는 표시 채널용 정전 파괴 보호 장치의 제조 방법.
  15. 제13항에서, 상기 고농도 도전층은 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 실리사이들로 형성하는 표시 패널용 정전 파괴 보호 장치의 제조 방법.
  16. 기판 중앙에 속하는 성 영역에 제1방향으로 제이트선을 형성하고 동시에 패드 영역에 제1방향으로 링의 부를 형성하는 단계, 상기 기판 위에 게이트 절연막, 반도체층, 에치 스포터를 형성한 후, 상기 상기 활성 영역에 콘택층을 형성하고 상기 활성 영역에 고농도 도전층을 형성하고 상기 게이트 절연막을 식각하여제1, 제2콘택홀을 형성하는 단계, 상기 활성 영역에 데이터선 및 소스/드레인 전극을 형성하고 동시에 상기 패드 영역에서는 상기 제1콘택홀을 통하여 상기 링의 나머지 일부를 형성하고 제2콘택홀을 통하여 전극을 형성함과 상기 전극을 제1, 제2전극으로 분리하는 단계, 상기 기판 위에 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 표시 패널용 정전 파괴 보호 장치의 제조 방법.
  17. 기판 중앙에 속하는 성 영역에 제1방향으로 제이트선을 형성하고 동시에 패드 영역에 제1방향으로 링의 부를 형성하는 계, 상기 기판 위에 게이트 절연막, 반도체층, 에치 스포터를 형성한 후, 상기 상기 활성 영역에 상기 에치 스토퍼를 마스크로하여 상기 반도체층을 고농도로 도핑하여상기 반도체층의 두 부분에 소스/드레인 영역을 형성하고 상기 패드 영역에 고농도 도전층을 형성하고 상기 게이트 절연막을 식각하여 제1,제2콘택홀을 형성하는 단계, 상기 활성 영역에 데이터 선 및 소스/드레인 전극을 형성하고 동시에 상기 패드 영역에 제1콘택홀을 통하여 링이 나머지를 완성하고, 제1, 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 표시 패널용 정전 파괴 보호 장치의 제조 방법.
  18. 제17항에서, 상기 고농도 도전층은 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 실리콘층으로 형성하는 표시 패널용 정전 파괴 보호 장치의 제조 방법.
  19. 제17항에서, 상기 고농도 도전층은 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 실리사이드로 형성하는 표시 패널용 정전 파괴 보호 장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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