KR970077202A - 반도체 소자의 콘택 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 콘택 형성 공정에 있어서, 콘택 건식식각공정시 발생하는 패턴 임계치수의 오차를 보정하기 위한 콘택 형성 방법에 관한 것이다.
본 발명은 콘택 건식식각공정 전에 PR 마스크를 필요한 양만큼 추가적으로 제거하는 공정을 진행함으로써 이루어진다.
따라서, 본 발명의 반도체소자의 콘택 형성 방법은 콘택 패턴의 정확도 및 정밀도를 향상시켜 반도체소자의 신뢰성을 확보할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따라 Pr 추가제거공정을 진행한 후의 콘택 영역을 나타내는 단면도이다.
Claims (3)
- PR 마스크를 형성하기 위한 콘택 포토공정 단계 및 중간절연막을 제거하기 위한 건식식각공정 단계를 포함하는 반도체소자의 콘택 형성 방법에 있어서, 상기 건식식각공정 전에 PR 마스크를 필요한 만큼 추가적으로 제거하는 PR 추가제거공정을 진행함을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Pr 추가제거공정이 상기 건식식각공정을 진행하는 건식식각장치에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택 형성 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 PR 추가제거공정이 O2플라즈마에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자의 콘택 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960016222A KR970077202A (ko) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 반도체 소자의 콘택 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960016222A KR970077202A (ko) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 반도체 소자의 콘택 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970077202A true KR970077202A (ko) | 1997-12-12 |
Family
ID=66219477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960016222A KR970077202A (ko) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 반도체 소자의 콘택 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970077202A (ko) |
-
1996
- 1996-05-15 KR KR1019960016222A patent/KR970077202A/ko not_active Application Discontinuation
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