KR970077715A - 메탈 배선 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 메탈 배선 형성방법에 관한 것으로, 메탈층을 패턴닝할때 중첩도를 향상시킬 수 있도록 하기 위하여 상기 얼라인 키 또는 중첩도 마크가 있는 영역에는 메탈층이 제거되도록 한 상태에서 셀지역에 증착된 메탈층을 패턴닝하는 반도체소자의 메탈 배선 형성방법이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도의 (a)-(e)는 본 발명의 실시예에 의해 메탈배선을 형성하는 단계를 제1도의 I-I를 따라 도시한 단면도.
Claims (2)
- 반도체소자의 메탈 배선 형성방법에 있어서, 메탈층을 증착하기전에 얼라인 키 또는 중첩도 마크가 형성되는 영역 상부에만 감광막패턴을 형성하는 단계와, 웨이퍼의 전체 구조 상부에 메탈층을 증착하는 단계와, 상기 메탈층이 적층된 감광막패턴을 리프트 오프 시키는 단계와, 상기 메탈층 상부에 감광막을 도포하고, 마스크를 이용한 노광 및 현상 공정으로 감광막패턴을 형성하는 단계와, 노출된 메탈층을 식각하여 메탈 배선을 형성하는 단계를 포함하는 메탈 배선 형성방법.
- 반도체소자의 메탈 배선 형성방법에 있어서, 웨이퍼 상부에 메탈층을 증착하는 단계와, 셀 지역에 감광막패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막패턴을 마스크로 이용하여 얼라인 키 또는 중첩도 마크가 형성되는 영역의 메탈층은 식각하고 상기 감광막패턴을 제거하는 단계와, 전체구조 상부에 감광막을 도포하고, 마스크를 이용한 노강 및 현상 공정으로 감광막패턴을 형성하는 단계와, 노출된 메탈층을 식각하여 메탈 배선을 형성하는 단계를 포함하는 메탈 배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960014947A KR970077715A (ko) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | 메탈 배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019960014947A KR970077715A (ko) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | 메탈 배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970077715A true KR970077715A (ko) | 1997-12-12 |
Family
ID=66217585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960014947A KR970077715A (ko) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | 메탈 배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970077715A (ko) |
-
1996
- 1996-05-08 KR KR1019960014947A patent/KR970077715A/ko not_active Application Discontinuation
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