KR970062083A - 단결정인상장치 - Google Patents

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KR970062083A
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다까시 아따미
히사시 후루야
마사노리 후꾸이
미찌오 기다
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나가사와 마사유끼
미쯔비시 마테리알 실리콘 가부시끼가이샤
이께다 히로시
미쯔비시 마테리알 쿼츠 가부시끼가이샤
아끼모또 유미
미쯔비시 마테리알 가부시끼가이샤
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    • C30—CRYSTAL GROWTH
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    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
    • C30B15/12—Double crucible methods
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Abstract

본 발명은 반도체 융액(21)을 저장하기 위한 챔버(기밀용기) (2)내부에 설치된 외부도가니(11)와, 이중 도가니를 형성하기 위해 외부도가니(11) 내에 얹혀진 원통형 구획체로 된 내부도가니(30)로 구성되고, 내부도가니(30) 내에 저장된 반도체 융액(21)으로부터 반도체 단결정(26)이 인상(pulling)되는 단결정인상장치(single crystal pulling apparatus)에 관한 것이다. 이러한 구성에서, 내부도가니(30)는 석영으로 제조되고, 내층 A, 외층 C, 및 내층 A와 외층 C 사이에 있는 중간층 B로 이루어지며, 이 중간층 B는 내부도가니(30)의 내층 A와 외층 B를 형성하는 석영보다 기포 함량이 높은 석영으로 형성된다.

Description

단결정인상장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 단결정인상장치의 일례를 나타내는 단면도이다.

Claims (20)

  1. 반도체 융액을 저장하기 위한 기밀용기 내부에 설치된 외부도가니와, 이중 도가니를 형성하기 위하여 외부도가니 내에 얹혀진 원통형 구획체인 내부도가니를 포함하고, 내부도가니 내에 저장된 반도체 융액으로부터 반도체 단결정이 인상되며, 상기 내부도가니는 석영으로 제조되고 내층, 외층 및 내층과 외층 사이에 놓인 중간층으로 이루어지며, 상기 중간층은 상기 내부도가니의 내층과 외층을 형성하는 석영보다 기포 함유량이 큰 석영으로 형성되는 단결정인상장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 내부도가니의 중간층의 단면 표면적이 상기 내부도가니의 총 단면적의 40% 이상, 80% 이하이고, 상기 내층의 두께가 0.5㎜ 이상인 단결정인상장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 내부도가니의 내층과 외층을 형성하는 석영의 기포 함량이 0.2% 이하인 단결정인상장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 내부도가니의 내층과 외층을 형성하는 석영의 기포 함량이 0.2% 이하인 단결정인상장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 내부도가니의 내층과 외층을 형성하는 석영의 기포 함량이 0.06% 이하인 단결정인상장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 내부도가니의 내층과 외층을 형성하는 석영의 기포 함량이 0.06% 이하인 단결정인상장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 내부도가니의 내층과 외층을 형성하는 석영 내에 함유된 기포의 평균직경이 40 ㎛이하인 단결정인상장치.
  8. 제2항에 있어서, 상기 내부도가니의 내층과 외층을 형성하는 석영 내에 함유된 기포의 평균직경이 40 ㎛이하인 단결정인상장치.
  9. 제3항에 있어서, 상기 내부도가니의 내층과 외층을 형성하는 석영 내에 함유된 기포의 평균직경이 40 ㎛이하인 단결정인상장치.
  10. 제4항에 있어서, 상기 내부도가니의 내층과 외층을 형성하는 석영 내에 함유된 기포의 평균직경이 40 ㎛이하인 단결정인상장치.
  11. 제5항에 있어서, 상기 내부도가니의 내층과 외층을 형성하는 석영 내에 함유된 기포의 평균직경이 40 ㎛이하인 단결정인상장치.
  12. 제6항에 있어서, 상기 내부도가니의 내층과 외층을 형성하는 석영 내에 함유된 기포의 평균직경이 40 ㎛이하인 단결정인상장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 내부도가니의 중간층을 형성하는 석영의 기포 함량이 0.4%이상, 2.0% 이하인 단결정인상장치.
  14. 제2항에 있어서, 상기 내부도가니의 중간층을 형성하는 석영의 기포 함량이 0.4%이상, 2.0% 이하인 단결정인상장치.
  15. 제3항에 있어서, 상기 내부도가니의 중간층을 형성하는 석영의 기포 함량이 0.4%이상, 2.0% 이하인 단결정인상장치.
  16. 제4항에 있어서, 상기 내부도가니의 중간층을 형성하는 석영의 기포 함량이 0.4%이상, 2.0% 이하인 단결정인상장치.
  17. 제1항에 있어서, 상기 내부도가니의 중간층의 하단부가 상기 내부도가니의 내층과 외층을 형성하는데 사용된 것과 같은 유형의 석영으로 형성된 단결정인상장치.
  18. 제2항에 있어서, 상기 내부도가니의 중간층의 하단부가 상기 내부도가니의 내층과 외층을 형성하는데 사용된 것과 같은 유형의 석영으로 형성된 단결정인상장치.
  19. 제3항에 있어서, 상기 내부도가니의 중간층의 하단부가 상기 내부도가니의 내층과 외층을 형성하는데 사용된 것과 같은 유형의 석영으로 형성된 단결정인상장치.
  20. 제4항에 있어서, 상기 내부도가니의 중간층의 하단부가 상기 내부도가니의 내층과 외층을 형성하는데 사용된 것과 같은 유형의 석영으로 형성된 단결정인상장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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