KR970054129A - 커패시터 및 그 제조 방법 - Google Patents

커패시터 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR970054129A
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KR
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metal
capacitor
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KR1019950066953A
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Inventor
이현덕
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

높은 유전율을 가지는 유전체막으로 삼산화 티타스트론튬(SrTiO3) 또는 삼산화 티타스트론튬 바륨((BaSr)TiO3)을 이용하는 커패시터 및 그 제조 방법을 관하여 개시한다. 본 발명은 하부 전극·유전체막 및 플레이트 전극을 구비하는 커패시터에 있어서, 상기 하부 전극은 층간 절연층에 형성된 접촉창을 통하여 반도체 기판의 표면에 전기적으로 연결된다결정 실리콘막 플러그와, 상기 다결정 실리콘막 플러그에 접촉하는 제1금속막과, 상기 제1금속막 위에 형성된 금속 산화막과, 상기 금속 산화막 위에 형성된 제2금속막을 포함한다. 본 발명에 따른 커패시터는 상기 제1금속막을 산화시켜 형성된 상기 하부 전극 위에 스피터링 방법으로 BST 또는 STO를 증착하는 경우 활성화된 산소에 의한 버블링 현상 및 들뜸 현상을 방지한다.

Description

커패시터 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명에 따라 BST 또는 STO를 유전체막으로 사용하는 커패시터 제조 방법을 보여주는 단면도들이다.

Claims (4)

  1. 하부 전극·유전체막 및 플레이트 전극을 구비하는 커패시터에 있어서, 상기 하부 전극은, 층간 절연층에 형성된 접촉창을 통하여 반도체 기판의 표면에 전기적으로 연결된 다결정 실리콘막 플러그, 상기 다결정 실리콘막 플러그에 접촉하는 제1금속막; 상기 제1금속막 위에 형성된 금속 산화막; 상기 금속 산화막 위에 형성된 제2금속막을 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터.
  2. 하부 전극·유전체막 및 플레이트 전극을 구비하는 커패시터 제조 방법에 있어서, 상기 하부 전극을 형성 하는 방법은, 반도체 기판에 층간 절연층을 증착하는 단계, 사진 식각 공정을 이용하여 상기 층간 절연층에상기 반도체 기판의 표면을 대기중에 노출하는 접촉창을 형성하는 단계; 상기 접촉창의 내부에 다결정 실리콘막 플러그를 형성하는 단계; 상기 다결정 실리콘막 플러그에 접촉하는 제1금속막을 상기 층간 절연층 위에 증착하는 단계; 상기 제1금속막의 표면을 산화시키는 단계; 상기 제1금속막의 산화된 표면 위에 제2금속막을 증착하는 단계; 및 상기 제1금속막 및 상기 제2금속막을 사진 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1금속막 및 제2금속막은 각각 TiN 및 백금으로 형성하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제1금속막의 표면을 산소 플라즈마를 이용하여 산화시키는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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