KR960019696A - 커패시터 구조 및 그 제조방법 - Google Patents
커패시터 구조 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960019696A KR960019696A KR1019940030936A KR19940030936A KR960019696A KR 960019696 A KR960019696 A KR 960019696A KR 1019940030936 A KR1019940030936 A KR 1019940030936A KR 19940030936 A KR19940030936 A KR 19940030936A KR 960019696 A KR960019696 A KR 960019696A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- dielectric film
- lower electrode
- capacitor
- upper electrode
- capacitor structure
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
하부전극을 구성하는 물질을 달리한 커패시터 및 그 제조방법에 관하여 기재되어 있다. 이는 유전막과 접하게 되는 표면이 WNx로 형성된 하부전극, 상기 하부전극의 일표면 상에 형성된 유전막 및 상기 유전막상에 형성된 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 고신뢰도와 우수한 전기적 특성을 갖는 커패시터를 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 내지 제3D도는 하부전극을 구성하는 물질로 텅스텐 나이트라이드(WNx)를 사용한, 본 발명에 의한 커패시터 제조방법을 설명하기 위해 도시된 단면도들이다.
Claims (10)
- 유전막과 접하게 되는 표면이 WNx로 형성된 하부전극, 상기 하부전극의 일표면 상에 형성된 유전막 및 상기 유전막상에 형성된 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터 구조.
- 제1항에 있어서, 상기 유전막은 BST(BaxSr1-xTiO3)로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 커패시터 구조.
- 제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부전극은 WNx및 Pt/WNx중 어느 하나로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 커패시터 구조.
- 하부전극, 유전막 및 상부전극으로 구성되는 커패시터에 있어서, 유전막과 접하게 되는 상기 하부전극의 표면을 WNx로 형성하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 유전막은 BST(BaxSr1-xTi03)로 형성되는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
- 제4항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 WNx는 플라즈마 증강 화학 기상 증착(PECVD) 방식으로, 약 350℃, 약 100mTorr에서 증착된 후, 약 850℃에서 후속 열처리되는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 하부전극 하부에 장벽층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 장벽층은 TiN/Ti, TiN/Ta 및 TiN 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 Ti은 약 80-200Å 정도의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 상부전극 WNx및 Pt/WNx중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940030936A KR960019696A (ko) | 1994-11-23 | 1994-11-23 | 커패시터 구조 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940030936A KR960019696A (ko) | 1994-11-23 | 1994-11-23 | 커패시터 구조 및 그 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960019696A true KR960019696A (ko) | 1996-06-17 |
Family
ID=66648257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940030936A KR960019696A (ko) | 1994-11-23 | 1994-11-23 | 커패시터 구조 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR960019696A (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100419027B1 (ko) * | 1996-12-31 | 2004-05-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의캐패시터제조방법 |
KR100746192B1 (ko) * | 2000-06-08 | 2007-08-03 | 마이크론 테크놀로지 인코포레이티드 | 루테늄 및 텅스텐 함유 층을 포함하는 집적 회로 구조 및그의 형성 방법 |
KR100797212B1 (ko) * | 2002-04-23 | 2008-01-23 | 에스. 오. 이. 떼끄 씰리꽁 오 냉쉴라또흐 떼끄놀로지 | 고 저항성 지지체 상에 유용층을 구비한 기판의 제조 방법 |
-
1994
- 1994-11-23 KR KR1019940030936A patent/KR960019696A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100419027B1 (ko) * | 1996-12-31 | 2004-05-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의캐패시터제조방법 |
KR100746192B1 (ko) * | 2000-06-08 | 2007-08-03 | 마이크론 테크놀로지 인코포레이티드 | 루테늄 및 텅스텐 함유 층을 포함하는 집적 회로 구조 및그의 형성 방법 |
KR100797212B1 (ko) * | 2002-04-23 | 2008-01-23 | 에스. 오. 이. 떼끄 씰리꽁 오 냉쉴라또흐 떼끄놀로지 | 고 저항성 지지체 상에 유용층을 구비한 기판의 제조 방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR960043218A (ko) | 반도체 장치의 커패시터 및 그 제조방법 | |
KR950021658A (ko) | 캐패시턴스를 증가시킨 캐패시터 구조를 갖고 있는 반도체 집적 회로 디바이스 및 그 제조 방법 | |
KR950001909A (ko) | 산화환원식 도전성 물질을 갖는 반도체장치와 그 제조방법 | |
CN102473681A (zh) | 形成电容器的方法 | |
KR960036154A (ko) | 강유전성 캐패시터 | |
KR970008552A (ko) | 반도체 장치의 캐패시터 제조방법 | |
KR960043216A (ko) | 고유전율 캐패시터의 하부전극 형성방법 | |
KR960019696A (ko) | 커패시터 구조 및 그 제조방법 | |
KR20030025671A (ko) | 커패시터의 제조방법 | |
KR100376268B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR100318453B1 (ko) | 이리듐막및백금막의이중막구조의하부전극을갖는캐패시터형성방법 | |
KR100277939B1 (ko) | 강유전체를갖는커패시터의하부전극 | |
KR970030798A (ko) | 반도체 기억장치 및 그 제조방법 | |
KR19980065732A (ko) | 커패시터의 제조 방법 | |
KR970003679A (ko) | 강유전체 커패시터 및 그 제조방법 | |
KR100533991B1 (ko) | 반도체 장치의 고유전체 캐패시터 제조방법 | |
KR19990081298A (ko) | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 | |
KR0150985B1 (ko) | 산화물 전극을 이용한 커패시터 제조방법 | |
KR100321691B1 (ko) | 백금전극을가진반도체소자의캐패시터형성방법 | |
KR100597598B1 (ko) | 반도체 소자의 고유전체 캐패시터 형성방법 | |
KR100326241B1 (ko) | 반도체소자의캐패시터형성방법 | |
US20050285270A1 (en) | Capacitors in semiconductor devices and methods of fabricating the same | |
KR100532851B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 | |
JPH03108752A (ja) | 半導体装置 | |
KR960043215A (ko) | 고유전체막 커패시터의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |