KR970052510A - 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본원에서는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법을 개시한다. 개시된 방법은 하부 전극이 형성된 반도체 기판상에 절연막을 형성하는 단계; 상기의 절연막상에 소정의 감광막 패턴을 형성한후 이의 형태로 식각을 실시하여 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 제거한 후 상기 콘택홀의 내부 및 주변부에 Ta막을 형성하는 단계; 및 상기 Ta막을 급속 열처리하여 Ta2O5막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 (가) 내지 (라)는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법을 공정순서적으로 설명하기 위한 반도체 소자의 요부 단면도이다.
Claims (3)
- 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법에 있어서, 하부 전극이 형성된 반도체 기판상에 절연막을 형성하는 단계; 상기의 절연막상에 소정의 감광막 패턴을 형성한후 이의 형태로 식각을 실시하여 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 제거한 후 상기 콘택홀의 내부 및 주변부에 Ta막을 스퍼터링 방식으로 형성하는 단계; 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ta막의 두께가 500~1000Å인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ta2O5형성하는 단계는 N2O가스 분위기 및 600~800℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950069576A KR100220242B1 (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
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KR1019950069576A KR100220242B1 (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Publications (2)
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KR970052510A true KR970052510A (ko) | 1997-07-29 |
KR100220242B1 KR100220242B1 (ko) | 1999-09-15 |
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KR1019950069576A KR100220242B1 (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR100220242B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230084703A (ko) | 2021-12-06 | 2023-06-13 | 현대자동차주식회사 | 고온 제진성이 향상된 저비중 제진재 조성물 |
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1995
- 1995-12-30 KR KR1019950069576A patent/KR100220242B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20230084703A (ko) | 2021-12-06 | 2023-06-13 | 현대자동차주식회사 | 고온 제진성이 향상된 저비중 제진재 조성물 |
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Publication number | Publication date |
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KR100220242B1 (ko) | 1999-09-15 |
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