KR970030798A - 반도체 기억장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
신규한 다층구조의 금속질화물로 형성된 확산방지막을 갖는 커패시터가 포함된 반도체 기억장치 및 그 제조방법이 개시되어 있다. 반도체기판 상에 형성된 도전층 상에, 텅스텐 나이트라이드/티타늄 나이트라이드를 포함하는 다층구조의 금속 질화물로 이루어진 확산방지막이 형성된다. 상기 확산방지막 상에 차례로 커패시터의 하부전극, 유전막 및 상부전극이 형성된다. 따라서, 리프팅 현상을 제거할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 다층구조의 금속질화물로 형성된 커패시터가 포함된 반도체 기억장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.
Claims (9)
- 반도체기판 상에 형성된 도전층; 상기 도전층 상에 형성되고, 소정의 금속질화물들의 적층된 다층구조를 갖는 확산방지막; 및 상기 확산방지막 상에 차례로 형성된 하부전극, 유전막 및 상부전극을 구비하는 커패시터가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 확산방지막은 텅스텐 나이트라이드/티타늄 나이트라이드의 적층구조인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 유전막은 PbxZr1-xTiO3, BaxSr1-xTiO3, Bi4Ti3O12, 및 SrBi2Ta2O9의 군에서 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 상부전극 상에 형성된, 텅스텐 나이트라이드/티타늄 나이트라이드를 포함하는 다중 금속 질화물로 이루어진 확산방지막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 하부전극은 반도체기판 상에 형성된 콘택 플러그 상에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 반도체기판 상에 도전층을 형성하는 단계; 상기 도전층 상에, 금속질화물의 적층된 다층구조의 확산방지막을 형성하는 단계; 및 상기 확산방지막 상에 커패시터의 하부전극, 유전막 및 상부전극을 차례로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 유전막은 PbxZr1-xTiO3, BaxSr1-xTiO3, Bi4Ti3O12, 및 SrBi2Ta2O9의 군에서 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제6항에 있어서, 상기 텅스텐 나이트라이드는 열 화학기상증착방법으로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 상부전극 상에, 텅스텐 나이트라이드/티타늄 나이트라이드를 포함하는 다중 금속 질화물로 이루어진 확산방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950040852A KR0161451B1 (ko) | 1995-11-11 | 1995-11-11 | 반도체 기억장치 및 그 제조방법 |
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KR1019950040852A KR0161451B1 (ko) | 1995-11-11 | 1995-11-11 | 반도체 기억장치 및 그 제조방법 |
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KR970030798A true KR970030798A (ko) | 1997-06-26 |
KR0161451B1 KR0161451B1 (ko) | 1998-12-01 |
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ID=19433774
Family Applications (1)
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KR1019950040852A KR0161451B1 (ko) | 1995-11-11 | 1995-11-11 | 반도체 기억장치 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR0161451B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100505455B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-10-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 형성 방법 |
-
1995
- 1995-11-11 KR KR1019950040852A patent/KR0161451B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100505455B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-10-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 형성 방법 |
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Publication number | Publication date |
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KR0161451B1 (ko) | 1998-12-01 |
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