KR970024303A - 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액티브층의 소스/드레인 영역에 불순물 이온 주입시 주입시키는 불순물이 게이트 전극에 도달하는 것을 억제할 수 있으며. 소스/드레인 영역의 주입된 이온을 활성화할 때 레이저 빔을 투과시킬 수 있어 게이트 전극의 손상을 방지하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 그 구조는 기판 위에 형성되어 있는 다결정 실리콘막, 다결정 실리콘막 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 게이트 전극, 게이트 전극 위에 형성되어 있는 게이트 전극의 손상을 방지하는 절연막을 포함하고 있다. 이와 같이, 게이트 전극 위에 밴드 갭이 큰 절연 물질을 형성하므로써 액티브층에 주입된 이온을 어닐닝하기 위한 레이저 빔 조사시 게이트 전극이 손상되는 것을 방지한다.

Description

액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 단면도이고,
제2도의 (가)-(사)는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 공정 순서를 나타낸 단면도이다.

Claims (11)

  1. 기판 위에 형성되어 있는 다결정 실리콘막, 상기 다결정 실리콘막 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 위에 형성되어 있는 상기 게이트 전극의 손상을 방지하는 절연막을 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  2. 제1항에서, 상기 절연막은 레이저 빔을 투과할 수 있는 절연 물질로 형성되어 있는 액정표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  3. 제1항에서, 상기 절연막은 밴드 갭이 조사 레이져의 에너지 밴드갭 보다 큰 절연 물질로 형성되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  4. 제1항에서, 상기 절연막은 SiO2로 형성되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  5. 제1항에서, 상기 절연막은 SiNx로 형성되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  6. 기판 위에 다결정 실리콘막을 형성하는 단계, 상기 다결정 실리콘막 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막 위에 금속층을 적층하는 단계, 상기 금속층 위에 상기 레이저 빔을 투과시키고 게이트 전극의 손상을 방지하는 절연막을 적층하는 단계, 상기 금속층과 상기 절연막을 동시에 패터닝하는 단계, 상기 액티브층의 소스/드레인 영역에 불순물 이온 주입하는 단계, 상기 소스/드레인 영역에 이온 주입된 불순물을 레이저를 이용하여 어닐닝하는 단계, 를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  7. 제6항에서, 상기 절연막은 레이저 빔을 투과할 수 있는 절연 물질로 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  8. 제6항에서, 상기 절연막은 밴드 갭이 조사 레이저 에너지 밴드 갭 보다 큰 절연 물질로 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  9. 제6항에서, 상기 절연막은 SiO2로 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  10. 제6항에서, 상기 절연막은 SiNx로 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  11. 제6항에서, 상기 어닐닝하기 위해 조사하는 대표적인 레이저 빔으로 XeCl을 사용하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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