KR970024302A - 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 - Google Patents
액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970024302A KR970024302A KR1019950035198A KR19950035198A KR970024302A KR 970024302 A KR970024302 A KR 970024302A KR 1019950035198 A KR1019950035198 A KR 1019950035198A KR 19950035198 A KR19950035198 A KR 19950035198A KR 970024302 A KR970024302 A KR 970024302A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ion implantation
- thin film
- film transistor
- type
- transistor substrate
- Prior art date
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
이 발명은 활성층 내부에 형성되어 있는 n+ 이온 주입 영역 안쪽에 p- 이온주입 영역을 형성함으로써, 누설 전류를 억제할 수 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 박막 트랜지스터의 다결정 실리콘막의 내부에 게이트 전극에 대응하는 위치의 좌우에 제1 불순물 이온 주입 영역이 형성되어 있고, 제1 불순물 이온 주입 영역의 안쪽으로 제2 불순물 이온 주입 영역이 형성되어 있어, 제1 불순물 이온 주입 영역과 제2 불순물 이온 주입 영역의 접합면에 공핍층이 형성되어 누설 전류를 억제하는 특징을 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 단면도이고,
제2도의 (가)-(마)는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 공정 순서를 나타낸 도면이다.
Claims (13)
- 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 다결정 실리콘막, 상기 다결정 실리콘막 위에 형성되어 있는 산화막, 상기 산화막 위에 패터닝되어 있는 게이트 전극을 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에 있어서, 상기 다결정 실리콘막의 내부에 상기 게이트 전극에 대응하는 위치의 좌우에 제1 불순물 이온 주입 영역이 형성되어 있고, 상기 제1 불순물 이온 주입 영역의 안쪽으로 제2 불순물 이온 주입 영역이 형성되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제1항에서, 상기 제1 불순물이 저농도 p형으로 형성되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제2항에서, 상기 P형 제1 불순물이 붕소로 형성되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제1항에서, 상기 제2 불순물이 고농도 n형으로 형성되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제2항에서, 상기 n형 제2 불순물이 인으로 형성되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 기판 위에 활성층인 다결정 실리콘막을 증착하는 단계, 게이트 절연층인 산화막을 증착하는 단계, 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 다결정 실리콘막에 p형 물질을 이온 주입 하는 단계, 이온 주입된 상기 p형 물질을 확산하는 단계, 상기 다결정 실리콘막에 n형 이온 물질을 이온 주입하는 단계, 이온 주입된 상기 p형 및 n형 이온 물질을 활성화하는 단계를 포함하는 액정표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제6항에서, 상기 p형 물질을 이온 주입시 상기 게이트 전극을 마스크로 사용하는 액정표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제6항에서, 상기 p형 물질을 이온 주입시 저농도로 주입하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제6항에서, 상기 p형 물질로 붕소를 사용하여 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제6항에서, 상기 n형 물질을 이온 주입시 상기 게이트 전극을 마스크로 사용하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제6항에서, 상기 p형 물질을 이온 주입시 별도의 마스크를 사용하여 이온 주입하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제6항에서, 상기 n형 물질을 이온 주입시 고농도로 주입하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제6항에서, 상기 n형 물질로 인을 사용하여 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950035198A KR970024302A (ko) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950035198A KR970024302A (ko) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970024302A true KR970024302A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66583706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950035198A KR970024302A (ko) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970024302A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100828219B1 (ko) * | 2006-05-26 | 2008-05-07 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 공핍형 박막 트랜지스터를 이용한 액정 표시 장치의 액정셀 테스트 방법 |
-
1995
- 1995-10-12 KR KR1019950035198A patent/KR970024302A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100828219B1 (ko) * | 2006-05-26 | 2008-05-07 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 공핍형 박막 트랜지스터를 이용한 액정 표시 장치의 액정셀 테스트 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5137837A (en) | Radiation-hard, high-voltage semiconductive device structure fabricated on SOI substrate | |
| JP2525630B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| KR970024305A (ko) | 액정표시장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 | |
| KR970022464A (ko) | Cmos박막반도체장치 및 그 제조방법 | |
| KR970024302A (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 | |
| KR970024303A (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
| JPS57194583A (en) | Mos semiconductor device and manufacture thereof | |
| KR0175385B1 (ko) | 다결정 규소 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR970003916B1 (ko) | 소오스 및 드레인 깊이 확장부를 가진 반도체장치 및 그 제조 방법 | |
| KR920007215A (ko) | 다층구조의 시모스 트랜지스터의 제조방법 | |
| JPH04154130A (ja) | 半導体装置 | |
| KR920015632A (ko) | 소이모스소자 제조방법 | |
| KR950026031A (ko) | 전력용 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR940016928A (ko) | 모스-공핍형 컽-오프 트랜지스터 및 그 트랜지스터를 이용한 마스크롬 셀 제조 방법 | |
| KR960043290A (ko) | 이중 게이트 전극 구조의 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| TW276359B (en) | MOS transistor structure and fabricating method therefor | |
| KR950021762A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR970054496A (ko) | 반도체 소자의 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR970008586A (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 | |
| KR920015597A (ko) | 고전압 cmos 트랜지스터 공정방법 | |
| KR960002795A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR970030896A (ko) | 엘디디(ldd) 구조를 갖는 모스 트랜지스터 및 그의 제조방법 | |
| JPS6418263A (en) | Manufacture of depletion mode metal-oxide semiconductor device | |
| KR960019611A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR920007201A (ko) | 고압 반도체 소자 및 그의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |