KR970022757A - 메모리 소자내의 메인앰프의 배치구조 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 메모리 소자내의 메인 앰프의 배치 구조에 관한 것으로, 메인 앰프들이 서로 다른 메모리셀 어레이의 사이에 배치됨으로써, 선택된 컬럼스위치로부터 메임앰프까지의 데이타라인이 짧아져서 상기 메임앰프들의 전력소모가 감소되도록 하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명이 적용된 메모리 소자의 블럭도.
Claims (2)
- 복수개의 센스앰프 및 컬럼스위치들을 각각 포함하는 제1 및 제2메모리셀어레이가 기준이 될 때, 상기 제1 및 제2메모리셀어레이와 연결된 컬럼디코더들은 상기 제1 및 제2메모리셀어레이의 외부에 배치되고, 상기 센스앰프 및 컬럼스위치들로부터 출력되는 데이타를 증폭하는 메인앰프들은 상기 제1메모리셀어레이와 상기 제2메모리셀어레이의 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 메모리소자내의 메인앰프의 배치구조.
- 제1항에 있어서, 상기 메인 앰프들은 상기 제1 및 제2메모리셀어레이의 외부에 배치된 로우디코더에 의해 각각 선택되고, 제어 및 어드레스버퍼부로부터 인가된 왼쪽 및 오른쪽 센스신호들과 단락신호에 따라, 상기 제1 및 제2메모리셀어레이로부터 출력된 데이타를 센싱함과 아울러 증폭하는 것을 특징으로 하는 메모리소자내의 메인앰프의 배치구조.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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