KR960030372A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 구리박막을 금속배선으로 사용함에 있어, 구리원자의 확사으로 인하여 실리콘 기판의 접합부에서 발생되는 스파이킹형상을 방지하기 위하여 확산방지금속층으로 티타늄-알루미늄-나이트라이드(Ti-Al-N)박막을 형성한 후 열처리에 의해 결정계면 및 표면에 알루미늄산화막이 생성되도록 하므로써 구리박막 형성후의 후속 열처리시 구리원자의 확산이 방지되어 실리콘기판의 접합부에서 발생되는 스파이킹현상이 방지되고, 따라서 소자의 전기적특성이 향상될 수 있도록 한 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 제1C도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (5)
- 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, 접합부가 형성된 실리콘기판상에 절연층을 형성한 후 콘택홀마스크를 사용한 사진 및 식각공정을 통해 상기 접합부가 노출되도록 콘택홀을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 티타튬나이트라이드를 증착하고, 그 상부에 확산방지금속층을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 확산방지금속층의 결정계면 및 표면에 알루미늄산화막이 생성되도록 열처리공정을 실시한 다음 구리박막을 증착시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 티타늄나이트라이드는 250 내지 350Å 정도의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 확산방지금속층은 티타늄-알루미늄-나이트라이드가 100내지 400Å 정도의 두께로 증착된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제3항에 있어서, 상기 티타늄-알루미늄-나이트라이드는 티타늄(Ti)에 알루미늄원자가 소량으로 용해된 합급을 타겟으로 사용하여 아르곤(Ar)과 질소(N)가 함유된 가스분위기내에서 반응스퍼터링 방법으로 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 타겟으로 사용되는 합금은 알루미늄원자가 0.5내지 1.5%정도 용해된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950000079A KR960030372A (ko) | 1995-01-05 | 1995-01-05 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
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Publications (1)
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| KR960030372A true KR960030372A (ko) | 1996-08-17 |
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| KR1019950000079A KR960030372A (ko) | 1995-01-05 | 1995-01-05 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR960030372A (ko) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010064099A (ko) * | 1999-12-24 | 2001-07-09 | 박종섭 | 새로운 알루미나막 형성방법 및 그를 이용한 반도체 소자제조방법 |
| KR100390951B1 (ko) * | 1999-12-29 | 2003-07-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 구리 배선 형성 방법 |
| KR100398034B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2003-09-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 구리 배선 형성 방법 |
| KR100420598B1 (ko) * | 2001-11-28 | 2004-03-02 | 동부전자 주식회사 | 알루미늄을 이용한 구리 확산 방지 막 형성방법 |
| KR100685637B1 (ko) * | 2000-12-05 | 2007-02-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
| KR100685636B1 (ko) * | 2000-12-21 | 2007-02-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
-
1995
- 1995-01-05 KR KR1019950000079A patent/KR960030372A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010064099A (ko) * | 1999-12-24 | 2001-07-09 | 박종섭 | 새로운 알루미나막 형성방법 및 그를 이용한 반도체 소자제조방법 |
| KR100390951B1 (ko) * | 1999-12-29 | 2003-07-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 구리 배선 형성 방법 |
| KR100685637B1 (ko) * | 2000-12-05 | 2007-02-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
| KR100685636B1 (ko) * | 2000-12-21 | 2007-02-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
| KR100398034B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2003-09-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 구리 배선 형성 방법 |
| KR100420598B1 (ko) * | 2001-11-28 | 2004-03-02 | 동부전자 주식회사 | 알루미늄을 이용한 구리 확산 방지 막 형성방법 |
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