KR970011624B1 - Manufacture of mold transform and mold transform structure - Google Patents

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KR970011624B1 KR1019940001158A KR19940001158A KR970011624B1 KR 970011624 B1 KR970011624 B1 KR 970011624B1 KR 1019940001158 A KR1019940001158 A KR 1019940001158A KR 19940001158 A KR19940001158 A KR 19940001158A KR 970011624 B1 KR970011624 B1 KR 970011624B1
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Abstract

In the method for manufacturing a semiconductor mold, the method is characterized by the construction that an upper and lower mold(100) is divided into a mold main body(30), that a punch(40) and a shape mold(50) in its manufacture, one side mold is formed by an assembly of the mold main body(30), that the punch(40) and the shape mold(50), and another mold is formed by an assembly of only the mold main body(30) and the shape mold(50), whereby perfectly preventing a leakage of resin by shielding by the punch, a gap between reeds.

Description

반도체 몰드(MOLD)금형의 제조방법 및 몰드금형구조Manufacturing method and mold mold structure of semiconductor mold

제1도는 기존 몰드(MOLD)의 상부금형 구성도.1 is a top mold configuration of an existing mold (MOLD).

제2도는 기존 몰드(MOLD)의 하부금형 구성도.Figure 2 is a lower mold configuration of the existing mold (MOLD).

제3도는 기존 몰드금형을 이용하여 반도체를 봉함하는 상태를 보인 단면 구성도.3 is a cross-sectional view showing a state of sealing a semiconductor using a conventional mold mold.

제4도는 리드프레임의 눌름부분으로써 몰드금형상에 형성되는 돌출부의 부분 확대도.4 is an enlarged view of a part of a protrusion formed on a mold mold by pressing the lead frame.

제5도는 본 발명의 상부 또는 하부 몰드금형 구성도.5 is a top or bottom mold mold configuration of the present invention.

제6도는 제5도의 단면도.6 is a cross-sectional view of FIG.

제7도는 제5도의 "A" 부분 확대도.FIG. 7 is an enlarged view of portion “A” of FIG. 5.

제8도는 제7도의 A-A선 단면도.8 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.

제9도는 제7도의 "B"부분 단면도.9 is a partial cross-sectional view taken along line "B" in FIG.

제10도는 제9도의 B-B선 단면도.10 is a sectional view taken along the line B-B in FIG.

제11도는 제7도의 "C"부분 형상도.FIG. 11 is a view of the portion “C” of FIG. 7. FIG.

제12도는 제11도의 측면도.12 is a side view of FIG.

제13도는 제11도의 정면도.13 is a front view of FIG.

제14도는 제7도의 "D" 부분 형성도.FIG. 14 is a "D" partial view of FIG.

제15도는 제14도의 정면도.FIG. 15 is a front view of FIG. 14. FIG.

제16도는 제15도의 측면도.FIG. 16 is a side view of FIG. 15. FIG.

제17도는 제7도의 "E"부분에서의 상부(하부)금형 단면도.FIG. 17 is a cross-sectional view of the upper (lower) mold in section "E" of FIG.

제18도는 제7도의 "E"부분에서의 하부(상부)금형 단면도.FIG. 18 is a cross-sectional view of the lower (upper) mold in part "E" of FIG.

제19도는 제17,18도의 상하부 금형이 몰드될때의 상태도.19 is a state diagram when the upper and lower molds of FIGS. 17 and 18 are molded.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

100 : 반도체 패키지를 성형하는 상부 또는 몰드금형100: upper or mold mold for molding semiconductor package

30 : 금형본체31 : 펀치홀30: mold body 31: punch hole

32 : 사각공간부40 : 펀치32: square space portion 40: punch

41 : 고정부50 : 형상금형41: fixed part 50: shape mold

51 : 형상홈52 : 펀치고정홈부51: shape groove 52: punch fixing groove

본 발명은 반도체 패키지 조립과정중 열경화성수지를 사용하여 반도체를 봉함하는 몰드(MOLD)금형의 제조방법 및 몰드금형구조에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a mold (MOLD) mold and a mold mold structure for sealing a semiconductor using a thermosetting resin during the semiconductor package assembly process.

현재까지의 몰드(MOLD)금형 제조방법은 반도체 조립에 사용되는 리드프레임(1)의 규격에 맞춰서 제1도 내지 제3도와 같이 금형을 제조하여 어떤 조립이 아닌 한 개의 금형으로 만들어져 왔다. 즉, 통상으로 도면 제1,2도와 같은 구성의 몰드금형(10)(20)을 가지고 선(3)이 연결된 반도체 다이(2)를 봉함할 경우, 제3도에서 보는 바와 같이 몰드금형(10)9(0)상에 형성된 리드프레임 눌름부분(4)이 상하부금형(10)(20)사이에 세팅된 리드프레임(1)을 눌러서 수지가 금형 바깥으로 새어나오지 못하게 하는 방법 및 구조이다. 또한, 반도체의 어떤 특별한 설계, 특히 리드프레임에서 열경화성수지의 누출을 막아주는 댐바(DAMBAR)가 없는 경우에는 제4도의 예시와 같이 몰드금형에 형성되는 리드프레임 눌름부분(4)에 돌출부(4a) 또는 홈부(4b)을 가공해야 하는 바, 그 크기가 매우 조밀하여 홈부(4b)의 모서리부분(4c)을 정확한 형상으로 가공해내기가 극히 어려움은 물론, 특히 반도체의 고집적화로 인해 리드프레임의 리드와 리드 사이의 간격이 점점 좁아지고 있으므로(과거에는 2.5mm에서 현재에는 0.30mm정도이고, 향후 몇 년내에 0.10mm까지 좁아질 예정임)몰드형상에서 제4도와 같은 정확한 형상을 가공하기에는 대단히 어려운 상태로 되어 있었다. 그러므로 향후 반도체 조립에 있어서 조립공정의 단순화 및 새로운 형태의 패키지(PACKAGE)를 만들기 위해서는 몰드금형을 분할형태로 조립하는 것이 바람직하다.The mold (MOLD) mold manufacturing method up to now has been made in one mold instead of any assembly by manufacturing a mold as shown in FIGS. 1 to 3 in accordance with the specifications of the lead frame 1 used for semiconductor assembly. That is, in the case of sealing the semiconductor die 2 to which the line 3 is connected with the mold molds 10 and 20 having the configuration as shown in FIGS. 1 and 2, the mold mold 10 is shown in FIG. The lead frame pressing portion 4 formed on the 9 (0) presses the lead frame 1 set between the upper and lower molds 10 and 20 to prevent the resin from leaking out of the mold. Also, if there is no special design of the semiconductor, especially the DAMBAR, which prevents the leakage of the thermosetting resin in the leadframe, the projection 4a in the leadframe pressing portion 4 formed in the mold mold as shown in FIG. Alternatively, the groove 4b must be processed, and the size of the groove 4b is very dense, so that it is extremely difficult to process the corner portion 4c of the groove 4b into an accurate shape, and in particular, the lead of the lead frame due to the high integration of the semiconductor. As the gap between the lead and the lead is getting smaller (in the past 2.5mm to 0.30mm now, it is going to be narrowed down to 0.10mm in the next few years), it is very difficult to process the exact shape like the fourth degree in the mold shape. It was. Therefore, in the future, in order to simplify the assembly process and to create a new type of package in the semiconductor assembly, it is desirable to assemble the mold mold in divided form.

따라서 본 발명의 목적은 반도체 조립에 사용되는 몰드금형을 설계 제조함에 있어서 열경화성수지가 몰드공정(선연결이 완료된 자재를 열경화성수지를 이용하여 자재를 외부의 충격 및 접촉으로부터 보호하고 외관상 제품의 형태를 만들기 위해 일정한 모양을 지닌 금형에다 넣어 봉함하는 공정)중 금형밖으로 새어나오지 않게 하기 위해 금형에 어떤 돌출부나 구멍(또는 홈)을 만들기 위해 사용되는 몰드금형을 수개의 유니트로 분할하여 조립 구성함으로써 반도체 조립공정의 단순화를 이룩하고 향후 댐바없는 리드프레임을 사용하여 몰드를 실행하더라도 열경화성수지가 금형밖으로 누출되는 것을 완벽히 방지할 수 있는 반도체 몰드금형의 제조방법 및 몰드금형 구조를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to design and manufacture a mold mold used for semiconductor assembly, and the thermosetting resin protects the material from external impact and contact by using the thermosetting resin for the mold process Semiconductor assembly by dividing the mold mold used to make some protrusions or holes (or grooves) into the mold in order to prevent it from leaking out of the mold during the sealing process. The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor mold mold and a mold mold structure that can completely prevent the thermosetting resin from leaking out of the mold even if the mold is executed using a lead frame without dambar in the future.

상기한 목적을 달성하기 위한 수단으로서 본 발명에 의한 반도체 몰드금형의 제조방법은 상하부몰드금형으로 이루어진 반도체 몰드(MOLD)금형을 제작함에 있어서, 사각공간부를 가지며 네면으로 다수개의 펀치홀을 일정간격 형성한 금형본체를 제공하는 단계와, 상기 금형본체의 펀치홀에 삽입 설치되는 봉상의 펀치를 제공하는 단계와, 상기 금형본체에 형성된 사각공간부안에 설치되어 반도체를 봉함하는 부분인 형상금형을 제공하는 단계를 포함하며, 상기한 금형본체와 펀치와 형상금형의 세부분을 조립 구성하여 일측 몰드금형을 형성하는 단계와, 상기한 금형본체와 형상 금형만으로 조립 구성하여 타측 몰드금형을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.Method for manufacturing a semiconductor mold mold according to the present invention as a means for achieving the above object in forming a semiconductor mold (MOLD) mold consisting of upper and lower mold molds, having a rectangular space portion and forming a plurality of punch holes in four sides at regular intervals. Providing a mold body, providing a rod-shaped punch inserted into the punch hole of the mold body, and providing a shape mold which is installed in a rectangular space portion formed in the mold body to seal the semiconductor. And forming one mold mold by assembling the mold body, the punch and the shape mold, and forming the other mold mold by assembling only the mold body and the mold. It is characterized by.

또한 상기한 목적을 달성하기 위한 수단으로서 본 발명에 의한 반도체 몰드 금형의 구조는, 사각공간부를 가지며 네면으로 다수개의 펀치홀을 일정간격 형성된 금형본체와, 상기 금형본체의 펀치홀에 삽입 설치된 봉상의 펀치와, 상기 금형본체에 형성된 사각공간부안에 반도체를 봉함하는 부분으로서 설치된 형상금형으로 조립 구성된 일측의 몰드금형과, 중앙부에 사각공간부가 형성되어 네면에 다수개의 펀치홀이 일정간격으로 구비되어 있는 금형본체와 상기 사각공간부에 직접 결합된 형상 금형안으로 조립 구성된 타측의 몰드금형을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.In addition, the structure of the semiconductor mold mold according to the present invention as a means for achieving the above object is, a rectangular body having a rectangular space portion formed in a plurality of punch holes at regular intervals and a rod-shaped rod inserted into the punch hole of the mold body; One side mold mold composed of a punch and a shape mold provided as a part for sealing a semiconductor in a rectangular space portion formed in the mold body, and a rectangular space portion is formed in the center, and a plurality of punch holes are provided at regular intervals on four sides. And a mold mold of the other side, which is assembled into the mold body directly bonded to the mold body and the rectangular space portion.

즉, 본 발명에서는 제5,6,7도에서 보는 바와같이 기존에 한 개로 되어 있는 금형을 여러부분으로 분할하여 가공하고 이를 다시 조립해서 하나의 완성형 금형을 만들면 보다 정확한 형상의 리드눌름부분(4)을 갖는 몰드금형을 만들 수 있게 되는 것이다.That is, in the present invention, as shown in FIG. 5, 6, and 7 degrees, the existing mold is divided into several parts, processed, and reassembled to form a completed mold. It is possible to make a mold mold with).

이하, 본 발명에 의한 반도체 몰드금형의 제조방법 및 몰드금형 구조를 첨부예시도면에 의거 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of manufacturing a semiconductor mold mold and a mold mold structure according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저 본 발명에 의한 반도체 몰드금형의 제조방법을 첨부된 도면 제7도 내지 제9도를 참조하여 설명하면 상하부몰드금형(100)으로 이루어진 반도체 몰드(MOLD)금형을 제작하는 방법에 있어서, 일측의 몰드금형은 중앙부에 사각공간부(32)를 형성하고 상기 사각공간부(32)의 네면에 다수개의 펀치홀(31)을 일정간격으로 구비하여 금형본체(30)를 형성하고, 또한 상기 펀치홀(31)에 봉상의 펀치(40) 더욱 자세하게는 제14도 내지 제16도에 도시된 바와 같이 일측이 절곡된 봉상의 펀치(40)를 구비하여 서로 결합시킨 후에 상기 펀치(40)내측의 사각공간부(32)에 형상금형(50)을 결합하여 조립 구성한다. 여기서 상기 형상금형(50)의 일측에는 형상홈(51)이 형성되어 차후에 반도체 자재가 위치되고 열경화성수지가 주입되어 몰딩 될 수 있도록 되어 있다.First, a method of manufacturing a semiconductor mold mold according to the present invention will be described with reference to FIGS. 7 to 9. In the method of manufacturing a semiconductor mold (MOLD) mold including the upper and lower mold molds 100, one side The mold mold has a rectangular space portion 32 formed at the center thereof, and a plurality of punch holes 31 are formed on four sides of the rectangular space portion 32 at regular intervals to form a mold body 30. The rod-shaped punch 40 on the 31 has a rod-shaped punch 40 with one side bent as shown in FIGS. The shape mold 50 is coupled to the space 32 to assemble. In this case, a shape groove 51 is formed at one side of the shape mold 50 so that a semiconductor material may be located later and a thermosetting resin may be injected and molded.

한편, 타측의 몰드금형은 중앙부에 사각공간부(32)를 형성한 후 네면에 다수개의 펀치홀(31)을 일정간격으로 구비하여 금형본체(30)를 형성하고 상기 사각공간부(32)에 형상금형(50)만을 직접 결합함으로서 조립 구성된다. 여기서 상기 형상금형(50)의 일측에도 열경화성수지가 주입되어 몰딩 될 수 있도록 형상홈(51)이 형성되어 있다.On the other hand, the mold mold on the other side is formed with a plurality of punch holes 31 on the four sides at regular intervals after forming the rectangular space portion 32 in the center to form a mold body 30 and the square space portion 32 It is assembled by directly coupling only the shape mold 50. Here, a shape groove 51 is formed on one side of the shape mold 50 so that the thermosetting resin is injected and molded.

이와같이 일측의 몰드금형은 금형본체(30), 펀치(40), 형상금형(50)으로 제조하고 나머지 타측금형은 금형본체(30)와 형상금형(50)만으로 제조함으로서 하나의 반도체 몰드금형을 제조하는 것이며, 상기 일측의 몰드금형을 상부몰드금형으로 사용하였을 때 나머지 타측의 몰드금형은 하부몰드금형으로 사용하는 것이며 또한 이것의 역도 가능한 것이다.Thus, one mold mold is manufactured by the mold body 30, the punch 40, and the shape mold 50, and the other mold is manufactured by using only the mold body 30 and the shape mold 50 to manufacture one semiconductor mold mold. When the mold mold of one side is used as the upper mold mold, the other mold mold is used as the lower mold mold, and vice versa.

한편 본 발명에 의한 반도체 몰드금형(100)의 구조는 제7도의 조립된 상태에서 보듯이 사각공간부(32)를 가지며 네면으로 다수개의 펀치홀(31)을 일정간격 형성한 금형본체(30)와, 상기 금형본체(30)의 펀치홀(31)에 삽입 설치되는 봉상의 펀치(40)와, 상기 금형본체(30)에 형성된 사각공간부(32)안에 설치되어 반도체를 봉함하는 부분인 형상금형(50)으로 조립 구성된다.On the other hand, the structure of the semiconductor mold mold 100 according to the present invention has a rectangular space portion 32, as shown in the assembled state of Figure 7 and the mold body 30 formed a plurality of punch holes 31 at regular intervals on four sides And a rod-shaped punch 40 inserted into the punch hole 31 of the mold body 30 and a portion provided in the rectangular space portion 32 formed in the mold body 30 to seal the semiconductor. The die 50 is assembled.

상기 금형본체(30)는 제9,10도의 도시와 같이 형상금형(50)이 조립되는 수개의 사각공간부(32)가 형성되는데 각 사각공간부(32)의 네면에는 상하면을 관통하는 사각형상의 펀치홀(31)이 2.5mm-0.10mm의 일정한 간격, 바람직하기로는 0.20mm-0.10mm의 일정한 간격을 두고 정교하게 형성되어 있으며, 이 각각의 펀치홀(31)에는 제14도 내지 제14도에 도시된 바와 같은 사각형상의 펀치(40)가 끼워져 있다.As shown in FIGS. 9 and 10, the mold body 30 is formed with several rectangular space portions 32 into which the shape mold 50 is assembled. The four sides of each rectangular space portion 32 have a rectangular shape penetrating the upper and lower surfaces thereof. The punch holes 31 are precisely formed at regular intervals of 2.5 mm-0.10 mm, preferably 0.20 mm-0.10 mm, and each of the punch holes 31 is shown in FIGS. A rectangular punch 40 as shown in the figure is fitted.

상기 펀치(40)에는 저면 일측으로 고정부(41)가 돌출 형성된 구조를 하고 있으며 상부는 출입이 용이하도록 쐐기형으로 형성되어 있다. 상기 펀치(40)의 형상을 낱개로 구성될 수도 있고 또는 하나의 부재에 펀치(40)를 형성하여 금형본체(30)에 형성된 다수개의 펀치홀(31)에 끼워 맞춰지도록 구성할 수도 있다.The punch 40 has a structure in which the fixing portion 41 protrudes toward one side of the bottom, and the upper portion is formed in a wedge shape to facilitate entry and exit. The punch 40 may be formed in a single shape or may be formed to fit in a plurality of punch holes 31 formed in the mold body 30 by forming the punch 40 in one member.

이렇게 펀치(40)가 끼워진 금형본체(30)의 사각공간부(32)에는 제11도 내지 제13도에 도시된 구조의 형상금형(50)이 삽착 안치되어 있음으로써 본 발명이 몰드금형(100)이 조립 완성된다.The mold 40 of the structure shown in FIGS. 11 to 13 is inserted into and placed in the rectangular space portion 32 of the mold body 30 in which the punch 40 is inserted. ) Is assembled.

상기 형상금형(50)의 상부측에는 반도체 패키지를 성형하기 위한 형상홈(51)이 마련되며 저면부에는 상기 펀치(40)의 고정부(41)가 삽착되는 펀치고정홈부(52)가 형성되어 있다.The upper side of the shape mold 50 is provided with a shape groove 51 for molding a semiconductor package, and the bottom surface portion is formed with a punch fixing groove portion 52 into which the fixing portion 41 of the punch 40 is inserted. .

이와 같이 금형본체(30)에 펀치(40)와 형상금형(50)을 조립하여서 이루어지는 상부 또는 하부몰드금형(상부몰드금형에 펀치가 설치될 경우에는 하부몰드금형은 금형본체(30)에 형상금형(50)만을 조립하여 사용하게 됨)에 제19도와 같이 하부 또는 상부몰드금형을 세팅하여 수지를 몰드시키게 되면 리드프레임(1)에 연결되어 있는 각 리드(1a)의 사이로 몰드금형에 돌출 설치되어 있는 펀치(40)가 삽입 통과하여 각 리드(1a)사이의 공간을 차단시켜 주므로 몰드시 수지가 금형밖으로 새어나오는 것을 막을 수 있는 것이다.Thus, the upper or lower mold mold formed by assembling the punch 40 and the shape mold 50 to the mold body 30 (when the punch is installed in the upper mold mold, the lower mold mold is formed in the mold body 30). When the resin is molded by setting the lower or upper mold mold as shown in FIG. 19, only 50 is installed to protrude to the mold mold between the leads 1a connected to the lead frame 1. Since the punch 40 passes through and blocks the space between the leads 1a, the resin can be prevented from leaking out of the mold during molding.

즉, 하부몰드금형(100)에는 금형본체(30)에 형상금형(50)만을 조립하여 금형본체(30)에 천설된 사각형상이 펀치홀(31)에 그대로 형성되도록 하고, 상기 하부몰드금형(100)위에 반도체칩(다이)이 실장된 리드프레임(1)을 올려 놓은 후 그위에 펀치(40)가 조립된 상부몰드금형(100)을 세팅시키게 되면 상부몰드금형에 돌출 설치된 펀치(40)가 각 리드(1a)사이를 통과해서 하부몰드금형(100)에 형성되어 있는 펀치홀(31)가 안으로 삽입되게 되므로 결국 펀치(40)에 의해 리드(1A)사이가 차폐되어 몰드시 수지누출을 완벽하게 차단할 수 있게 되는 것이다.That is, in the lower mold mold 100, only the shape mold 50 is assembled to the mold body 30 so that the rectangular shape installed in the mold body 30 is formed in the punch hole 31 as it is, and the lower mold mold 100 After placing the lead frame (1) on which the semiconductor chip (die) is mounted, and then setting the upper mold mold 100 having the punch 40 assembled thereon, the punches 40 protruding from the upper mold mold are formed. Since the punch holes 31 formed in the lower mold mold 100 are inserted into the molds 1a through the leads 1a, the punches 40 are shielded between the leads 1A by the punch 40, thereby completely preventing resin leakage during molding. You will be able to block.

Claims (8)

상하부몰드금형(100)으로 이루어진 반도체 몰드(MOLD)금형을 제작함에 있어서, 사각공간부(32)를 가지며 네면으로 다수개의 펀치홀(32)을 일정간격 형성한 금형본체(30)를 제공하는 단계와; 상기 금형본체(30)의 펀치홀(31)에 삽입 설치되는 봉상의 펀치(40)를 제공하는 단계와; 상기 금형본체(30)에 형성된 사각공간부(32)안에 설치되어 반도체를 봉함하는 부분인 형상금형(50)을 제공하는 단계를 포함하며, 상기한 금형본체(30)와 펀치(40)와 형상금형(50)의 세부분을 조립 구성하여 일측 몰드금형을 형성하는 단계와; 상기한 금형본체(30)와 형상금형(50)만으로 조립 구성하여 타측 몰드금형을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 몰드(MOLD)금형의 제조방법.In manufacturing a semiconductor mold (MOLD) mold consisting of the upper and lower mold mold 100, providing a mold body 30 having a rectangular space portion 32 and a plurality of punch holes 32 formed at four intervals at regular intervals. Wow; Providing a rod-shaped punch (40) inserted into the punch hole (31) of the mold body (30); And providing a shape mold 50 installed in the rectangular space portion 32 formed in the mold body 30 to seal the semiconductor, wherein the mold body 30 and the punch 40 and the shape are provided. Assembling the details of the mold 50 to form one mold mold; Method of manufacturing a semiconductor mold (MOLD) mold, characterized in that the assembly consisting of only the mold body 30 and the shape mold (50) to form the other mold mold. 제1항에 있어서, 상기한 일측 몰드금형은 상부금형으로 형성하고, 상기한 타측 몰드금형은 하부금형으로 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 몰드(MOLD)금형의 제조방법.The method of claim 1, wherein the one mold mold is formed as an upper mold, and the other mold mold is formed as a lower mold. 제1항에 있어서, 상기한 일측 몰드금형은 하부금형으로 형성하고, 상기한 타측 몰드금형은 상부금형으로 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 몰드(MOLD)금형의 제조방법.The method of claim 1, wherein the one mold mold is formed as a lower mold, and the other mold mold is formed as an upper mold. 사각공간부(32)를 가지며 네면으로 다수개의 펀치홀(31)을 일정간격 형성한 금형본체(30)와, 상기 금형본체(30)의 펀치홀(31)에 삽입 설치되는 봉상의 펀치(40)와, 상기 금형본체(30)에 형성된 사각공간부(32)안에 설치되어 반도체를 봉함하는 부분인 형상금형(50)으로 조립 구성됨을 특징으로 하는 반도체 몰드금형 구조.A mold main body 30 having a rectangular space portion 32 and formed with a plurality of punch holes 31 at regular intervals, and a rod-shaped punch 40 inserted into the punch hole 31 of the mold main body 30. And a shape mold (50) which is installed in a rectangular space portion (32) formed in the mold body (30) to seal a semiconductor. 제4항에 있어서, 금형본체(30)에 형성된 사각공간부(32)의 네면에 2.5mm-0.10mm의 일정한 간격을 두고 상하가 관통되는 사각형상의 펀치홀(31)을 형성함을 특징으로 한 반도체 몰드금형 구조.The method according to claim 4, wherein the four sides of the rectangular space portion 32 formed in the mold body 30 is formed with a rectangular punch hole 31 through which the upper and lower sides are penetrated at regular intervals of 2.5 mm-0.10 mm. Semiconductor mold mold structure. 제4항에 있어서, 금형본체(30)의 펀치홀(31)에 각각 삽입되는 펀치(40)를 구성하되 그 저면일측에 고정부(41)를 돌출 형성하고 펀치(40)의 상부금형을 쐐기형으로 형성함을 특징으로 하는 반도체 몰드금형구조.The method of claim 4, wherein the punch 40 is configured to be inserted into each of the punch holes 31 of the mold body 30, but the fixing portion 41 is protruded to one side of the bottom surface and the upper mold of the punch 40 is wedge A semiconductor mold mold structure, characterized in that formed in the mold. 제4항 및 제6항중 어느 한 항에 있어서, 하나의 부재에 여러개의 펀치(40)를 형성하여 상기 금형본체(30)에 형성된 다수개의 펀치홀(31)에 끼워맞춰지도록 함을 특징으로 하는 반도체 몰드금형 구조.The method of claim 4, wherein a plurality of punches 40 are formed in one member so as to fit in the plurality of punch holes 31 formed in the mold body 30. Semiconductor mold mold structure. 제4항에 있어서, 상기 금형본체(30)의 사각공간부(32)에 삽입 설치되는 형상금형(50)을 구성하되, 형상금형(50)의 저면부에 상기 펀치(40)의 고정부(41)가 삽착되는 펀치고정홈부(52)를 형성함을 특징으로 하는 반도체 몰드금형구조.According to claim 4, Forming the mold 50 is inserted into the rectangular space portion 32 of the mold body 30, the fixing portion of the punch 40 in the bottom surface of the mold 50 And a punch fixing groove portion 52 into which the 41 is inserted.
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