KR970003208A - 고속동작을 위한 회로 배치 구조를 가지는 반도체 메모리 장치 - Google Patents
고속동작을 위한 회로 배치 구조를 가지는 반도체 메모리 장치 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
고속동작을 하는 반도체 메모리 장치
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
본 발명은 고속 메모리 장치의 동작에서 데이타 비트간의 스큐(Skew)로 인한 속도의 손실을 최소화하는 메모리회로 배치구조와 고대역폭(High bandwidth)을 구현하는 반도체 메모리 장치에서 종래보다 상대적으로 작은 회로 배치 면적 및 회로 동작시의 적은 전력소모를 가지게 하는 메모리 회로 배치 구조를 나타낸다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 메모리 쎌들이 나열되어 구성한 적어도 네개 이상의 메모리 쎌 어레이 블러과 상기 메모리 쎌 어레이 블럭 각각의 내부에 위치되어 워드라인 및 비트라인을 각각 제어하는 로우 디코더 및 컬럼 디코더를 구비하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 메모리 쎌 어레이 블럭의 데이타를 입출력하는 입출력 라인과, 상기 입출력 라인에 접속되어 상기 데이타의 입출력을 제어하고 구동하는 입출력 수단과, 하나의 메모리 쎌 어레이블럭의 상기 입출력 수단과 상기 메모리 쎌 어레이 블럭과 수직방향으로 위치한 또다른 메모리 쎌 어레이 블럭의 입출력 수단사이에 존재하여 데이타를 전송하는 제1데이타 라인과, 수평방향으로 위치한 두개 이상의 메모리 쎌 어레이 블럭의 제1데이타 라인들을 서로 연결하여 데이타를 전송하는 제2데이타라인과, 상기 제2데이타라인에 접속되어 상기 데이타를 센싱하여 증폭하는 센스 앰프와, 상기 센스 앰프와 접속되어 외부 리드 프레임으로 출력하는 데이타 출력수단을 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 메모리 장치에 적합하게 사용된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 데이타 경로 및 회로 배치를 나타낸 도면.
Claims (7)
- 메모리 쎌들이 나열되어 구성한 적어도 네개이상의 메모리 쎌 어레이 블럭과 상기 메모리 쎌 어레이 블럭 각각의 내부에 위치되어 워드라인 및 비트라인을 각각 제어하는 로우 디코더 및 컬럼 디코더를 구비하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 메모리 쎌 어레이 블럭의 데이타를 입출력하는 입출력 라인과, 상기 입출력라인에 접속되어 상기 데이타의 입출력을 제어하고 구동하는 입출력 수단과, 하나의 메모리 쎌 어레이 블럭의 상기 입출력 수단과 상기 메모리 쎌 어레이 블럭과 수직방향으로 위치한 또다른 메모리 쎌 어레이 블럭의 입출력 수단사이에 존재하여 데이타를 전송하는 제1데이타 라인과, 수평방향으로 위치한 두개이상의 메모리 쎌 어레이 블럭의 제1데이타 라인들을 서로 연결하여 데이타를 전송하는 제2데이타 라인과, 상기 제2데이타 라인에 접속되어 상기 데이타를 센싱하여 증폭하는 센스앰프와, 상기 센스앰프와 접속되어 외부 리드 프레임으로 출력하는 데이타 출력수단을 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 입출력 수단은 입출력 스위치와 입출력 구동기로 구성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 데이타 출력수단은 데이타 입출력 버퍼와 데이타 출력 패드로 구성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 메모리 쎌들이 나열되어 구성하고 패드층을 기준으로 상하로 수직배치된 적어도 두개 이상의 메모리 쎌어레이 블럭과 상기 메모리 쎌 어레이 블럭 각각의 내부에 위치되어 비트라인을 제어하는 컬럼 디코더를 구비하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 메모리 쎌 어레이 블럭의 데이타를 입출력하는 입출력 라인과, 상기입출력 라인에 접속되어 상기 데이타의 입출력을 제어하고 구동하는 입출력 수단과, 하나의 메모리 쎌 어레이 블럭의 상기 입출력 수단과 상기 메모리 쎌 어레이 블럭과 수직방향으로 위치한 또 다른 메모리 쎌 어레이블럭의 입출력 수단 사이에 존재하여 데이타를 전송하는 제1데이타 라인과, 수평방향으로 위치한 두개 이상의 메모리 쎌 어레이 블럭의 제1데이타 라인들을 서로 연결하여 데이타를 전송하는 제2데이타 라인을 구비하고 상기 제1데이타 라인이 패드층사이로 상기 메모리쎌 어레이 블럭의 입출력 수단을 연결하도록 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 입출력 수단은 센스 앰프와 라이트 드라이버로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 데이타 출력수단은 데이타 입출력 버퍼와 데이타 출력 패드로 구성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 메모리 쎌 어레이 블럭은 4개 또는 8개 이상으로 구성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950018291A KR0164391B1 (ko) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 고속동작을 위한 회로 배치 구조를 가지는 반도체 메모리 장치 |
TW085107383A TW358946B (en) | 1995-06-29 | 1996-06-18 | Semiconductor memory having a fast operation circuit array structure |
DE69614947T DE69614947T2 (de) | 1995-06-29 | 1996-06-27 | Halbleiterspeicheranordnung mit einer Schaltungsanordnungstruktur für hohe Geschwindigkeit |
EP96110335A EP0753856B1 (en) | 1995-06-29 | 1996-06-27 | Semiconductor memory device having circuit array structure for fast operation |
JP8169864A JP2828955B2 (ja) | 1995-06-29 | 1996-06-28 | 半導体メモリ装置 |
CN96108291A CN1099119C (zh) | 1995-06-29 | 1996-06-29 | 呈电路阵列结构供高速操作的半导体存储器 |
US08/673,001 US5657265A (en) | 1995-06-29 | 1996-07-01 | Semiconductor memory device having circuit array structure for fast operation |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950018291A KR0164391B1 (ko) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 고속동작을 위한 회로 배치 구조를 가지는 반도체 메모리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970003208A true KR970003208A (ko) | 1997-01-28 |
KR0164391B1 KR0164391B1 (ko) | 1999-02-18 |
Family
ID=19418858
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950018291A KR0164391B1 (ko) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 고속동작을 위한 회로 배치 구조를 가지는 반도체 메모리 장치 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5657265A (ko) |
EP (1) | EP0753856B1 (ko) |
JP (1) | JP2828955B2 (ko) |
KR (1) | KR0164391B1 (ko) |
CN (1) | CN1099119C (ko) |
DE (1) | DE69614947T2 (ko) |
TW (1) | TW358946B (ko) |
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EP0428785B1 (de) * | 1989-11-24 | 1994-02-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterspeicher |
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EP0544247A3 (en) * | 1991-11-27 | 1993-10-20 | Texas Instruments Inc | Memory architecture |
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-
1995
- 1995-06-29 KR KR1019950018291A patent/KR0164391B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-06-18 TW TW085107383A patent/TW358946B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-06-27 DE DE69614947T patent/DE69614947T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-27 EP EP96110335A patent/EP0753856B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-28 JP JP8169864A patent/JP2828955B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-29 CN CN96108291A patent/CN1099119C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-01 US US08/673,001 patent/US5657265A/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0753856A2 (en) | 1997-01-15 |
DE69614947D1 (de) | 2001-10-11 |
US5657265A (en) | 1997-08-12 |
DE69614947T2 (de) | 2002-04-11 |
EP0753856B1 (en) | 2001-09-05 |
TW358946B (en) | 1999-05-21 |
JP2828955B2 (ja) | 1998-11-25 |
CN1099119C (zh) | 2003-01-15 |
KR0164391B1 (ko) | 1999-02-18 |
EP0753856A3 (en) | 1998-11-04 |
CN1147675A (zh) | 1997-04-16 |
JPH0917979A (ja) | 1997-01-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120831 Year of fee payment: 15 |
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FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130902 Year of fee payment: 16 |
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LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |