KR960705187A - 자기저항성 선형 변위센서, 각 변위센서 및, 가변저항 - Google Patents

자기저항성 선형 변위센서, 각 변위센서 및, 가변저항

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Abstract

적어도 하나의 층구조를 포함하는 거대 자기저항 변위센서이다. 이 층구조는 두층들 사이에 결합을 막도록 이들 두층(32,34) 사이에 접촉토록 끼워진 금속층(33), 제2연질 자성층(32), 고정된 자성상태를 가지는 경질자성층(강자성 또는 반강자성 층(34)을 포함한다. 이센서는 또한 연질 자성층(32)내의 비정렬 자계 영역(35,36) 사이에서 측정위치에 영역벽(37)을 유도시키는 수단(56,58)과, 구조의 반대측지점사이에 전기저항을 측정하는 수단(50)을 포함한다. 동작시 영역벽을 유도하는 수단(56,58), 주로 적어도 하나의 인덱싱 마그네트(56,58)는 거대자기 저항스트립에 대응토록 위치된다. 스트립을 가로지르는 저항은 측정되며, 이 저항 측정으로부터 영역벽의 위치가 결정된다. 본 발명은 또한 가변저항으로, 선택위치에서 영역벽을 유도시키기 위한 수단(56,58)을 위치시켜 소망하는 값으로 스트립을 가로지르는 저항을 세트시킨다.

Description

자기저향성 선형 변위센서, 각 변위센서 및 가변저항
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 정렬된 자계층들을 가지는 라미네이트 구조의 단면도이다.
제2도는 반대의 자계층들을 가지는 라미네이트 구조의 단면도이다.
제3도는 반대의 자계 영역들을 분리시키고, 자성층들 중의 하나에 영역별을 가지는 라미네이트 구조의 측면도로, 제3A도는 반대의 자계 영역들을 분리시키고, 자성층들 중의 하나에 영역벽을 가지며, 고정된 자성상태를 가지는 반강자성-핀층을 가지는 라미네이트 구조의 측면도이다.
제4도는 본 발명의 바람직한 구성의 단면도이다.
제5도는 본 발명의 바람직한 구성의 평단면도이다.

Claims (12)

  1. 제1제조 중간물과 제2제조 중간물 사이의 변위를 측정하는 센서로, 제1제조 중간물에 고정되고 적어도 하나의 라미네이트 구조를 또한 포함하며, 상기 라미네이트 구조는 제1경질 강자성 또는 반강자성-핀층, 상기 제1경질 강자성 또는 반강자성층 위에 있으며 상기 제1층보다 연질의 자성재질을 포함하는 제2자성층, 및 상기 제1 및 제2층 사이의 결합을 모두 본질적으로 바꾸지 못하도록 상기 제1 및 제2층 사이에 배열 접촉되는 전도층을 포함하는 거대 자기저항성 스트립; 상기 제2자성층내의 자계 영역들 사이의 측정 위치에서 영역벽을 유도하며, 상기 제2제조 중간물에 고정되고, 상기 자계는 상호 정열되지 않도록 된 유도수단; 및 상기 자기 저항성 스트립 위의 지점들 사이에 전기적 저항을 측정하고 상기 영역벽의 상기 위치를 측정하며,상기 제1제조 중간물에 대한 제2제조 중간물의 위치를 측정하는 측정 수단을 포함하는 센서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유도 수단은 적어도 하나의 인덱싱 마그네트를 포함하는 센서.
  3. 제2항에 있어서, 상기 적어도 하나의 인덱싱 마그네트는 상기 자기 저항성 스트립의 반대편에 배열되고 본질적으로 반대 방향인 자기 모멘트를 가지는 적어도 두 개의 인덱싱 마그네트를 포함하며, 상기 반대편의 인덱싱 마그네트내에서 본질적으로 반대 방향인 자기 모멘트는 상기 영역벽에 본질적으로 수직을 이루는 센서.
  4. 제1항에 있어서, 상기 측정 수단은 상기 자기 저항성 스트립을 통과하는 직류전류수단과 상기 자기 저항성 스트립을 가로지르는 전압 측정 수단을 포함하는 센서.
  5. 제1항에 있어서, 고정된 자성 상태를 가지는 상기 강자성 또는 반강자성층은 Cr, Co, Fe, Ni, Mn 및 그 합금으로 이루어지는 군에서 선택된 금속을 포함하는 센서.
  6. 제1항에 있어서, 고정된 자성 상태를 가지는 상기 강자성 또는 반강자성층은 강자성 금속으로 된 씬필름으로 코팅된 반강자성 금속(antiferromagnetic metal)을 포함하는 센서.
  7. 제1항에 있어서, 연질 자성 재질을 포함하는 상기층은 Fe, Co, Mn, Ni 및 그 합금으로 이루어지는 군에서 선택된 하나의 금속을 포함하는 센서.
  8. 제1항에 있어서, 상기 센서는 선형 변위 센서이며, 상기 자기저항 스트립은 상기 영역벽에 수직인 본질적으로 직선상인 부재를 형성시킨 센서.
  9. 제1항에 있어서, 상기 센서는 선형 변위 센서이며, 상기 자기저항 스트립은 상기 영역벽에 나란한 본질적으로 직선상인 부재를 형성시킨 센서.
  10. 제1항에 있어서, 상기 센서는 상기 제1제조 중간물에 비례하여 상기 제2제조 중간물의 회전을 측정하는 각 변위 센서이며, 상기 제2제조 중간물은 상기 제1제조 중간물에 비례하는 회전축 둘레로 회전토록 창착되며, 상기 자기저항 스트립은 상기 회전축 위에 본질적으로 중심을 가지는 호형부재를 이루며, 상기 영역벽을 유도시키는 수단을 포함하는 센서.
  11. 제11제조 중간물과 제2제조 중간물 사이의 변위를 측정하는 센서로, 연질 자성 재질을 포함하는 복수의 자성층들과 복수의 경질 강자성 또는 반강자성층들이 교대로 되고 상기 제1제조 중간물에 고정되며, 상기 강자성 또는 반강자성층들과 상기 연자성 재질을 포함하는 상기층들은 상기 자성층들 간의 결합을 본질적으로 바꾸지 못하도록 상기 자성층들 사이에 위치된 비자성 전도층들에 의해 분리 접촉되도록 된 자기 저항성 스트립; 상기 연질 자기층내의 자계 영역 사이에 있는 측정 위치에서 영역벽을 유도시키며, 상기 자계는 상호 정렬되지않고, 상기 유도 수단은 상기 제2제조 중간물에 고정되는 유도수단; 및 상기 자기 저항성 스트립 위의 지점들간의 전기적 저항을 측정하며, 상기 영역벽 위치들을 측정하고, 상기 제1제조 중간물에 대한 상기 제2제조 중간물의 위치를 측정하는 측정 수단을 포함하는 센서.
  12. 적어도 하나의 라미네이트 구조를 또한 포함하며, 상기 라마네이트 구조는 고정 자기 상태를 가지는 제1경질 강자성 또는 반자성-핀층, 상기 제1자성층 위에 있는 제2자성층; 및 상기 자성층들 사이에 위치되어 접촉하는 비자성 도전층을 포함하고, 상기 제2자성층은 상기 제1자성층보다 연질의 자성 재질을 포함하는 자기저항 스트립; 및 상기 제2자성층내의 비정렬 자계 영역간의 선택지점에서 영역벽을 유도시키고 선택값에 상기 자기저항성 스트립을 가로지르는 저항을 세팅시키는 수단을 포함하는 가변 저항.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960701697A 1993-10-01 1994-09-30 자기저항성 선형 변위센서, 각 변위센서및, 가변저항 KR100308460B1 (ko)

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