JP2593250B2

JP2593250B2 - 磁気抵抗素子

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Publication number: JP2593250B2
Application number: JP3058877A
Authority: JP
Inventors: 靖夫権藤; 慶孝末澤; 史明 ▲高▼橋
Original assignee: 靖夫権藤; 慶孝末澤; 史明 ▲高▼橋
Priority date: 1991-03-22
Filing date: 1991-03-22
Publication date: 1997-03-26
Anticipated expiration: 2012-03-26
Also published as: JPH0621529A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗素子に関するも
のであり、特に詳しくは薄膜状の金属体を利用して常温
に於いて磁界強度を変化させた場合に、確実で且つ安定
した電気抵抗の変化率を発生しうる磁気抵抗素子に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、特定の金属片或いは金属膜に
電圧を掛けた状態で、当該金属に磁界を掛け、その磁界
の強さ、或いは磁界の方向を変化させると、当該金属片
或いは薄膜状金属片に流れる電流が変化する事は知られ
ており、この電流の変化から、当該金属片或いは薄膜状
金属片における電気抵抗値が変化する事が理解され、従
って、この現象を利用する事により、磁界に依存したス
イッチング手段を構成しうるものであると言う期待があ
った。

【０００３】例えば、従来に於ける磁気抵抗素子は強磁
性金属膜に磁界をかけて、磁化を変化させる時、磁化と
電流とのなす角に依存する電気抵抗の変化を利用したも
のであるが、電気抵抗の変化率ΔＲ／Ｒが７％を越える
ものは知られていない。又、従来に於ける磁気抵抗素子
の他の一例を図６に示すと、従来の磁気抵抗素子とし
て、コバルトＣｏから構成された第１の薄膜状金属片１
０とニッケルＮｉから構成された第２の薄膜状金属片２
０とを絶縁膜として構成された酸化アルミニウムAl₂O₃
の膜３０を両者の間に介在させて接続固定したものであ
る。尚、このような従来に於ける磁気抵抗素子の構造に
おいては、電圧を検出し易くする為に各金属薄膜状金属
片をＬ字型に形成しておくものである。即ち、従来に於
ける磁気抵抗素子に於いては、酸化アルミニウムから成
る絶縁膜をコバルトＣｏとニッケルＮｉと言う強磁性金
属片から成る電極で挟んで構成したものであり、該両者
の薄膜状金属片同士の接続面は強磁性のトンネル接合を
形成しており、そのトンネルコンダクタンス、換言すれ
ば該接合部の電気抵抗は両電極の磁化の相対角度θに依
存して変化する。

【０００４】この構造を有する従来の磁気抵抗素子に於
ける磁界の変化と当該磁気抵抗素子の電気抵抗の変化に
ついて実験した結果を図７に示す。図７の実験結果は、
第１の薄膜状金属片１０として厚さ約１００ｎｍ〜２０
０ｎｍ（１０００〜２０００Å）で幅が１ｍｍのコバル
トＣｏと、第２の薄膜状金属片２０として厚さ約１００
ｎｍ〜２００ｎｍ（１０００〜２０００Å）で幅が１ｍ
ｍのニッケルＮｉとをそれぞれ図７に示す様にＬ字型に
形成し、互いに各薄膜状金属片の端部が直角となる様
に、その角部同志を絶縁酸化膜としての約１ｎｍ（１０
Å）の膜厚を有する酸化アルミニウムAl₂O₃の薄膜３０
を介在させて接続固定したものである。

【０００５】この磁気抵抗素子に於けるコバルトＣｏは
保磁力Ｈｃが１８Ｏｅのものを選択し、又ニッケルＮ
ｉは保磁力Ｈｃが５０Ｏｅのものを選択して使用し
た。更に、コバルト薄膜状金属片１０の一端部１０─１
とニッケル薄膜状金属片２０の一端部２０─１との間に
電流を流し、コバルト薄膜状金属片１０の一端部１０─
２とニッケル薄膜状金属片２０の一端部２０─２との間
の電圧を測定する様に配線した。

【０００６】更に、本実験例においては磁界矢印Ｈの方
向、つまり電流の方向Ｉに対して直角の方向に磁界を掛
け、その磁界の強度Ｈ（Ｏｅ）を２００Ｏｅから−２
００Ｏｅの間で往復状に変化させた場合に於ける当該磁
気抵抗素子の電気抵抗の変化率ΔＲ／Ｒを測定したもの
である。本実験例に於ける該電気抵抗の変化率ΔＲ／Ｒ
の磁界依存性を調べた測定結果を図７に示す。

【０００７】尚、図７の測定条件は、室温下で、磁界強
度が０の場合に於ける該磁気抵抗素子の電気抵抗Ｒを
０．７８Ω、電流量Ｉを１００ｍＡに設定して測定した
ものである。図７は上記実験に於ける磁界強度Ｈ（Ｏ
ｅ）と電気抵抗の変化率ΔＲ／Ｒとの関係を表した図で
あり、図８は上記実験に於ける磁界強度Ｈと磁化Ｍとの
関係を示す図である。

【０００８】即ち、磁界強度Ｈ（Ｏｅ）を−２００Ｏ
ｅから２００Ｏｅ迄振る場合には、磁界強度Ｈ（Ｏ
ｅ）が−５０Ｏｅまでは、コバルトＣｏとニッケルＮ
ｉの磁化Ｍ即ち磁気モーメントが、第１の方向（下向
き）に揃っており、更に該磁界強度Ｈ（Ｏｅ）が─５０
Ｏｅから１８Ｏｅの間も、コバルトＣｏとニッケル
Ｎｉの磁化Ｍ即ち磁気モーメントが、第１の方向に揃っ
ているが、磁界強度Ｈ（Ｏｅ）が１８Ｏｅを越え５０
Ｏｅとなる間の領域Ｂに於いては、コバルトＣｏの磁
気モーメントが第２の方向（上向き）を向くが、ニッケ
ルＮｉの磁気モーメントは依然としてもとの第１の方向
を向いたままとなるので、当該領域Ｂに於いて両薄膜状
金属片間に磁気モーメントの反転現象が発生する。

【０００９】更に、磁界強度Ｈ（Ｏｅ）が変化して５０
Ｏｅを越える値となると、ニッケルＮｉの磁気モーメ
ントも第２の方向を向くことになるので、この領域Ａに
於いては両薄膜状金属片間の磁気モーメントは第２の方
向（上向き）に揃った状態となる。次に、磁界強度Ｈ
（Ｏｅ）を逆に２００Ｏｅから−２００Ｏｅ迄振る
場合には、磁界強度Ｈ（Ｏｅ）が５０Ｏｅまでは、コ
バルトＣｏとニッケルＮｉの磁化Ｍ即ち磁気モーメント
が、第２の方向（上向き）に揃っており、更に該磁界強
度Ｈ（Ｏｅ）が５０Ｏｅから−１８Ｏｅの間も、コ
バルトＣｏとニッケルＮｉの磁化Ｍ即ち磁気モーメント
が、第２の方向に揃っているが、磁界強度Ｈ（Ｏｅ）が
−１８Ｏｅから下がって−５０Ｏｅになる間の領域
Ｄに於いては、コバルトＣｏの磁気モーメントが第１の
方向を向くが、ニッケルＮｉの磁気モーメントは依然と
してもとの第２の方向を向いたままとなるので、当該領
域Ｄに於いて両薄膜状金属片間に磁気モーメントの反転
現象が発生する。

【００１０】更に、磁界強度Ｈ（Ｏｅ）が変化して−５
０Ｏｅを越えて下がった値となると、ニッケルＮｉの
磁気モーメントも第１の方向を向くことになるので、こ
の領域Ｅに於いては両薄膜状金属片間の磁気モーメント
は第１の方向（下向き）に揃った状態となる。そして、
図７から明らかな様に、上記領域Ｂと領域Ｄ即ち両薄膜
状金属片の磁気モーメントＭが互いに反対の方向を向い
ている所謂磁化反転状態にある場合に電気抵抗の変化率
ΔＲ／Ｒが増加している事が判る。本実験に於ける電気
抵抗の変化率ΔＲ／Ｒの最大値は、０．１％であった。

【００１１】つまり、本実験から薄膜状金属片の磁気モ
ーメントＭの反転状態にある場合には、該絶縁膜である
酸化アルミニウムの薄膜のトンネルコンダクタンスを最
小とするスピン依存トンネル効果が表れ、それが故に、
該磁気抵抗素子の抵抗が高くなると考えられている。所
で、この実験に於ける該電気抵抗の変化率ΔＲ／Ｒはた
かだか０．１乃至０．２％のオーダーに過ぎず、この変
化率では、電気回路に於けるスイッチング手段としては
実用には不向きであり、その改善が望まれていた。

【００１２】この問題を解決する為に、これまで種々の
改良が考えられて来ている。例えば、図６に示す磁気抵
抗素子の構成の内、コバルトＣｏの保磁力を１６Ｏｅ、
又ニッケルＮｉの保磁力を１１０Ｏｅとし、磁界の方
向を各薄膜状金属片間を流れる電流の方向に対して４５
度の角度となる様な方向Ｈ’に設定を変更して、又電流
を１００ｍＡとして実験した結果、図９に示す様なグラ
フが得られるが、電気抵抗の変化率ΔＲ／Ｒは０．４％
に過ぎず、又コバルトＣｏの保磁力を７５Ｏｅ、又ニ
ッケルＮｉの保磁力を１２５Ｏｅとしてみた場合でも
図１０に示す様に電気抵抗の変化率ΔＲ／Ｒは０．５％
でしかなかった。つまり、従来における方法では、実用
的な磁気抵抗素子を得ることは不可能であった。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
される従来の問題点を解決し、簡易な構成で、しかも製
造が容易である電気抵抗の変化率ΔＲ／Ｒが実用上十分
高い磁気抵抗素子を得ようとすることにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明においては上記し
た目的を達成するため、以下に記載されたような技術構
成が提供されるものである。即ち、保磁力を異にする少
なくとも２種の薄膜状の金属片をオーミックコンタクト
を介して互いに積層して薄膜状の金属片の単位体が形成
され、該単位体に該単位体の積層面と交差する方向に電
流が流れる様に電極が形成されていることを特徴とする
磁気抵抗素子が提供される。

【００１５】

【作用】本発明に於いては、上記した様な構成を採用す
る事によって、保磁力を異にする少なくとも２種の薄膜
状の金属片がオーミックコンタクトで接合されており、
且つ電流を該オーミックコンタクト面に対して略直角の
方向に流す事により、磁界強度の変化に伴い電気抵抗を
大きく上昇させる事が可能となる。処で、２つの強磁性
薄膜金属がトンネル接合又はオーミック接合を形成する
時、薄膜間に電圧をかけると接合面を通して電流が流れ
る。

【００１６】強磁性金属中の電流を担う電子は３ｄ電子
であるが、その電子の性質はスピン即ち磁気モーメント
の向きに依存している。その為、接合面を流れる電流
は、２つの強磁性薄膜金属の磁化が同一の向き（平行）
の時は、（即ち、印加磁界が大きく、両薄膜金属が同方
向に飽和まで磁化している時）電流を担う電子のスピン
（磁気モーメント）が変化しないので、電子の受ける散
乱効果は小さく、従って電気抵抗は小さい。

【００１７】次に、磁界を減らし、磁界ゼロから逆向き
の磁界を加えると保磁力Ｈｃの小さな金属の磁化が逆転
し、接合面を挟んで両薄膜金属の磁化が互いに反対方向
を向く（反平行）ことになる。この時は、電流を担う電
子のスピン（磁気モーメント）は逆向きの磁化の影響を
受ける為に、電子の受ける散乱効果は大きくなり、従っ
て電気抵抗はこの状態で大きくなる。

【００１８】更に、逆向きの磁界を大きくすると、保磁
力Ｈｃの大きな薄膜金属の磁化も反転し、再び両薄膜金
属の磁化は両者とも反対方向を向く（平行）ことにな
る。従って、電子のスピンの向きから決まる散乱効果は
小さくなり、電気抵抗は小さくなり、最初の状態に戻
る。このような、磁化の向きが平行か、反平行かに依存
する電気抵抗の変化がΔＲであり、当該素子を構成する
２つの金属の組合せによって決まる。一方、電気抵抗Ｒ
は素子を構成する２つの金属の抵抗率、厚さ、断面積、
接合面の状態によって決まるので、Ｒをある程度小さく
し、適当な大きさにすることによりΔＲ／Ｒを大きくす
ることができるのである。

【００１９】

【実施例】以下に、本発明による磁気抵抗素子の具体例
を図面を参照しながら詳細に説明する。即ち、図１は、
本発明による磁気抵抗素子１の構成の一例を示す断面図
であり、その構成は、保磁力を異にする少なくとも２種
の薄膜状の金属片２、３をオーミックコンタクト４を介
して互いに積層して単位体５が形成され、該単位体５に
該単位体５の積層面４と交差する方向に電流Ｉが流れる
様に電極６、７が形成されているものである。

【００２０】本発明に於いて使用される保磁力を異にす
る少なくとも２種の薄膜状の金属片２、３としては、例
えば比較的強磁性を有する銅、金、鉄、ニッケル、コバ
ルト、アルミニウム、クロム、マンガン、マグネシウ
ム、亜鉛、錫、鉛、ニオブ、テルル、ガドリニウムから
成る金属或いは、前記の金属から選ばれた少なくとも２
種からなる合金若しくはフェライトの中から選択される
ものである。

【００２１】選択の組合せは特に限定されるものではな
いが、従来からの知見から、金とコバルト、鉄とコバル
ト、鉄とクロム、ニッケルとコバルト及びそれ等の合金
の組合せから選択された一つで構成されたものである事
が好ましい。又、上記に従って選択された保磁力Ｈｃを
異にする少なくとも２種の薄膜状の金属片の保磁力Ｈｃ
は適当な差、例えば互いに少なくとも１０Ｏｅの差を
有している事が好ましく、両薄膜状金属片の磁化の反転
状態が確実に実現される事が好ましい。

【００２２】又、本発明に於いては、該薄膜状金属片は
少なくとも２種類の保磁力を異にする、異なった金属材
料で構成された素材を使用するものであるが、３種また
はそれ以上の互いに異なる薄膜状金属片を組み合わせて
使用する事も可能である。本発明に於ける各薄膜状金属
片２、３、の膜厚は特に限定されるものでは無いが、好
ましくは厚さ約１００ｎｍ〜２００ｎｍ（１０００〜２
０００Å）を有しているものが使用される。

【００２３】又、本発明に於ける係る選択された、複数
個の薄膜状金属片２、３の形状は特に限定されるもので
はないが、従来の磁気抵抗素子の様に、Ｌ字型に構成し
たものであっても良く、図２に示す様に、四角形、丸
形、楕円形、多角形、菱形、短冊形の様に一方向が長尺
状に形成された矩形等のものが使用でき、又これ等は使
用形態、使用場所、使用目的等に応じて適宜の形状を採
用する事が可能である。又、各薄膜状金属片の断面積も
特に限定されるものではないが、例えば、数ｍｍ²以下
であれば十分である。

【００２４】本発明に於ける特徴の一つは、上記選択さ
れた複数の保磁力の異なる薄膜状金属片２、３を互いに
その対向する表面を接合するものであるが、従来は、絶
縁膜として、所定の厚さを有する酸化膜（例えば酸化ア
ルミニウム、酸化ニッケル）を介在させていたが、本発
明に於いては係る絶縁膜を用いずに直接両者の薄膜状金
属片をオーミックコンタクトを形成するように接合する
ものである。

【００２５】本発明における該オーミックコンタクトと
は、該両薄膜状金属片同士が直接に且つ完全に接合し合
い適当な電気抵抗を有するものであるが、例えば、極く
薄い不完全な酸化膜で、その膜に多数の孔が形成されて
いて、その孔部を介して当該薄膜状金属片同士がオーミ
ックコンタクトしうるものであれば、本発明に使用しう
る事は言うまでもない。従来に於ける磁気抵抗素子に於
いては、上記した絶縁膜は、トンネル効果を発揮する為
に、極めて均一の１ｎｍ程度の薄膜を形成させる必要が
あり、その製造は難しく、従って工業的な生産性をもっ
て大量生産することができなかった。

【００２６】又、本発明に於いては保磁力を異にする少
なくとも２種の薄膜状の金属片をオーミックコンタクト
を介して互いに積層して形成された単位体５に、該単位
体５の積層面４と交差する方向、好ましくは直角な方向
に電流が流れる様に電極６、７が形成されているもので
ある。該電極には、適宜の電流源８、好ましくは定電流
源が接続され、当該単位体５に所定の電流を流す様に構
成されている。

【００２７】又、本発明に於いては、上記した単位体５
を単独で使用して、磁気抵抗素子を構成するものであっ
ても良く、又該単位体５を図３に示す様にその表面同士
を互いに接合させる様にして複数個積層して棒状体の磁
気抵抗素子を構成したものであっても良い。係る棒状体
磁気抵抗素子の断面形状は、例えば図２に示される様な
平面形状の何れかであっても良い。この構成を有する磁
気抵抗素子を製造するには、保磁力を異にする少なくと
も２種の金属薄膜を接合した単位薄膜を複数枚積層した
後、所定の部分を所定の断面となる様にエッチング等の
処理技術を用いて分離残留させる事により製造する事が
できる。

【００２８】かくして形成された、図３に示す様な棒状
の磁気抵抗素子５５は、その周囲を適宜の絶縁体で包囲
形成させる事により単一の磁気抵抗素子として使用しう
る。本発明に於ける該棒状の磁気抵抗素子５５は例えば
１０個以上の単位体５を積層したものであっても良く、
好ましくは、１００個以上の単位体５を積層したもので
あっても良い。

【００２９】この構成から成る本発明の磁気抵抗素子
は、該単位体の積層方向と直角、つまり接合面と平行に
磁界を掛けて使用するものであるが、その場合、磁界強
度の変化に伴う室温での電気抵抗の変化率ΔＲ／Ｒが１
０％以上となるものである。更に好ましくは、当該電気
抵抗の変化率ΔＲ／Ｒが２０％以上のものも得られるの
である。

【００３０】又、本発明による磁気抵抗素子１は、それ
単独で使用する事もできるが、好ましくは図３に示す様
に棒状体５５に形成されたものを使用することができ
る。特に断面形状が短冊形である長尺状矩形を有する金
属薄膜から構成される磁気抵抗素子を多数重ねて形成し
た扁平状の棒状体は、それ単独で使用すると、その断面
形状の長尺方向の軸線に対して交差する磁界の方向によ
り電気抵抗の変化率ΔＲ／Ｒの大きさが変化し、特にそ
の角度が０度または４５度の時にその変化が最大とな
る。

【００３１】又、本発明に於いては、棒状体の磁気抵抗
素子５５を少なくとも２個互いに直列に接続して使用す
る事が好ましく、更には、該短冊状の平面形状を有する
棒状体の磁気抵抗素子５５を使用する場合には、該棒状
体の磁気抵抗素子５５を少なくとも２個を直列に接続
し、且つ各棒状体の磁気抵抗素子５５の断面に於ける長
尺状軸方向が互いに直角となる様に配列して使用する事
が好ましい。この構成を採用する事により、該磁気抵抗
素子５５は磁界の方向依存性がなくなり、どの方向に磁
界を印加しても、磁界の大きさのみによって電気抵抗の
変化率ΔＲ／Ｒが決定される事になる。

【００３２】次に、本発明による磁気抵抗素子１の最適
な具体例を説明する。保磁力１３ＯｅのコバルトＣｏ
薄膜状金属片２と保磁力５５ＯｅのニッケルＮｉ薄膜
状金属片３とを、断面積が１ｍｍ²となる様に長尺軸を
有する短冊状に打ち抜いたものを直接接合してオーミッ
クコンタクト４を形成させ、該コバルトＣｏの薄膜状金
属片２と該ニッケルＮｉ薄膜状金属片３の外表面に電極
６、７をそれぞれ取り付けて単位体５を構成し、適宜の
定電流源８から該単位体５に電流を流し、該単位体５の
接合面４に対して直角方向に流れる電流Ｉが一定電流１
００ｍＡとなる様に設定した。

【００３３】そして、磁界を該単位体の電流の流れる方
向と直角方向（Ｈ方向）に掛け、その磁界強度Ｈ（Ｏ
ｅ）を２００Ｏｅから−２００Ｏｅ迄振り、その時
の電気抵抗の変化率ΔＲ／Ｒを測定した。測定の結果、
本具体例の磁界０に於ける該磁気抵抗素子の電気抵抗Ｒ
は２１ｍΩであり、又磁界を変化させた場合の最大の抵
抗の変化ΔＲは４．６ｍΩであった。従って、本具体例
に於ける電気抵抗の変化率ΔＲ／Ｒは２２％となり、従
来の方法にくらべて大幅に電気抵抗の変化率ΔＲ／Ｒの
改善が見られ、又この電気抵抗の変化率ΔＲ／Ｒのレベ
ルは、実用上十分なものである。

【００３４】

【発明の効果】本発明によれば、電気抵抗の変化率ΔＲ
／Ｒが実用上十分高い磁気抵抗素子を簡易な構成で容易
に得る事ができ、更には、製造方法も容易で大量生産に
適する方法で製造することができるので高性能の磁気抵
抗素子を安価に生産する事が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明による磁気抵抗素子に使用され
る単位体の構造の一例を示す断面図である。

【図２】図２は、本発明による磁気抵抗素子に使用され
る単位体の平面形状の例を示す図である。

【図３】図３は、本発明による磁気抵抗素子の他の構成
例を示す断面図である。

【図４】図４は、本発明による磁気抵抗素子により得ら
れる磁界強度と磁気モーメントとの関係を示す図であ
る。

【図５】図５は、本発明による磁気抵抗素子により得ら
れる磁界強度と電気抵抗の変化率ΔＲ／Ｒとの関係を示
す図である。

【図６】図６は、従来形の一例における磁気抵抗素子の
構成を示す平面図である。

【図７】図７は、従来形の一例における磁気抵抗素子に
より得られる磁界強度と電気抵抗の変化率ΔＲ／Ｒとの
関係を示す図である。

【図８】図８は、従来形の一例における磁気抵抗素子に
より得られる磁界強度と磁気モーメントとの関係を示す
図である。

【図９】図９は、従来形の他の一例における磁気抵抗素
子により得られる磁界強度と磁気モーメントとの関係を
示す図である。

【図１０】図１０は従来形の他の一例における磁気抵抗
素子により得られる磁界強度と電気抵抗の変化率ΔＲ／
Ｒとの関係を示す図である。

【符号の説明】

１…磁気抵抗素子２、３…薄膜状金属片４…オーミックコンタクト部５…単位体６、７…電極８…定電流源１０…第１の薄膜状金属片２０…第２の薄膜状金属片３０…絶縁膜５５…磁気抵抗素子

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】保磁力を異にする少なくとも２種の薄膜
状の金属片をオーミックコンタクトを介して互いに積層
して薄膜状の金属片の単位体が形成され、該単位体に該
単位体の積層面と交差する方向に電流が流れるように電
極が形成されていることを特徴とする磁気抵抗素子。
【請求項２】該単位体が複数個積層されて構成されて
いる、請求項１記載の磁気抵抗素子。
【請求項３】磁界強度の変化に伴う室温での電気抵抗
の変化率ΔＲ／Ｒが１０％以上である、請求項１記載の
磁気抵抗素子。
【請求項４】該電気抵抗の変化率ΔＲ／Ｒが２０％以
上である、請求項３記載の磁気抵抗素子。
【請求項５】該単位体を構成する保磁力を異にする少
なくとも２種の薄膜状の金属片は、比較的強磁性を有す
る銅、金、鉄、ニッケル、コバルト、アルミニウム、ク
ロム、マンガン、マグネシウム、亜鉛、錫、鉛、ニオ
ブ、テルル、ガドリニウムから成る金属或いは、前記の
金属から選ばれた少なくとも２種からなる合金若しくは
フェライトの中から選択されるものである、請求項１記
載の磁気抵抗素子。
【請求項６】該単位体を構成する保磁力を異にする少
なくとも２種の薄膜状の金属片は、金とコバルト、鉄と
コバルト、鉄とクロム、ニッケルとコバルト及びそれ等
の合金の組合せから選択された一つで構成されたもので
ある、請求項５記載の磁気抵抗素子。
【請求項７】上記により選択された保磁力を異にする
少なくとも２種の薄膜状の金属片は、当該各薄膜状の金
属片の保磁力間に差が存在しているものである、請求項
１記載の磁気抵抗素子。
【請求項８】該磁気抵抗素子は複数個の単位体が、各
薄膜状の金属片の単位体の表面が互いに接触するように
接合されて形成された棒状体である、請求項２記載の磁
気抵抗素子。
【請求項９】該各薄膜状金属片単位体が長尺状の短冊
形の平面形状を有する、請求項７乃至８記載の磁気抵抗
素子。
【請求項１０】該棒状体から構成された少なくとも２
個の磁気抵抗素子を直列に接続した、請求項７乃至９記
載の磁気抵抗素子。
【請求項１１】長尺状短冊形平面を有する該薄膜状金
属片単位体を複数個積層して形成した扁平状棒状体で構
成された少なくとも２個の磁気抵抗素子を直列に接続
し、且つ各磁気抵抗素子が互いにその長尺状軸方向が直
角となる様に配列され固定されている、請求項１０記載
の磁気抵抗素子。