KR950020420A - 다층 자기저항 센서 - Google Patents
다층 자기저항 센서 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950020420A KR950020420A KR1019940030840A KR19940030840A KR950020420A KR 950020420 A KR950020420 A KR 950020420A KR 1019940030840 A KR1019940030840 A KR 1019940030840A KR 19940030840 A KR19940030840 A KR 19940030840A KR 950020420 A KR950020420 A KR 950020420A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- multilayer
- ferromagnetic
- magnetoresistive sensor
- magnetic
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
- H10N50/85—Magnetic active materials
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
자기 저항 판독 센서는 평면상의 배열로 하나 이상의 저기 저항 요소들로 형성된 다층 감지 요소를 포함하고 있으며, 각각의 자기 저항 요소는 비자성 층에 의해 분리된 적어도 두 개의 강자성 층들로 된 다층 구조를 가진다. 강자성 층들은 강자성 층들의 맞은편 단부에서 정자기 결합함으로써 반강자성적으로 결합되어 있다. 분리층에 의하여 자기 저항 감지 요소로부터 분리된 바이어스 층은 선형 응답을 위하여 소망의 신호가 없는 시점에서 자기 저항 감지 요소를 바이어스시키는 자계를 제공한다. 자기 저항 감지 요소는 기판상에 강자성 물질로 된 층과 비자성 물질로 된 층들은 교대로 증착하고 그 다음에 평면상의 자기 저항 요소의 배열을 제공하기 위하여 포토리쏘그라피 기법을 사용하여 위 단계에서 생긴 구조를 패턴화하여 형성된다. 전도성 층은 배열위에 증착되어 구조의 평면에 있는 요소들 사이의 전기적 전도성을 제공하기 위하여 자기 저항 요소들을 분리시키는 공간을 채운다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명을 실시한 자기 저항 디스크 저장 시스템의 간략화된 블럭선도.
제2a도 및 2b도는 본 발명의 원리에 따른 다층 자기 저항 구조를 나타내는 개략도.
Claims (90)
- 다층 자기 저항 센서(multilayer magnetoresistive sensor)에 있어서, 다층의 자기 구조(multilayered magnetic structure)를 형성하는 비자성 물질(nonmagnetic material)로 된 층에 의해 분리되어 있는 강자성 물질(ferromagnetic material)로 된 제1 및 제2의 층을 구비하고 있으며, 상기 제1 및 제2의 강자성 층은 그의 맞은편 모서리에서 정자기 결합(magnetostatic coupling)에 의해 반강자성적으로(antiferromagnetically) 결합되어 있고, 상기 제1의 강자성 층에서의 자화(magnetization)는 상기 제2의 강자성 층에서의 자화에 대해서 실질적으로 역병렬 방향으로 향하고 있으며(oriented substatially antiparallel), 각 강자성 층에서의 자화의 방향은 인가된 자계(magnetic field)에 응답하여 회전을 하게 되며, 상기 자기 저항 센서의 저항(resistance)은 인접한 강자성 층들에서의 자화의 방향들 사이의 각의 변화(change)의 함수로서 변동하는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제1항에 있어서, 상기 다층의 자기 구조는 다수의 요소 배열(a multiple element array)을 형성하도록 패턴화되며(patterned), 상기 배열의 각 요소는 인접한 요소들로부터 떨어져 있고(spaced), 상기 배열의 각 요소는 상기 다층의 자기 구조와 동일한 적층 구조(layered structure)를 가지며, 전기적 전도성 물질로 된 전도성 층(conduction layer)은 상기 배열상에 형성되어 상기 다층의 자기 구조의 평면에 있는 상기 요소들 사이에 전기적 전도성을 제공하기 위하여 상기 요소들 사이의 공간을 채우는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제2항에 있어서, 상기 배열의 상기 각각의 요소는 상기 다층의 자기 구조의 평면에서 가장 큰 크기(largest dimensions)가 10.0마이크로미터 또는 그 이하인 소망의 형상(desired shape)을 갖는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제3항에 있어서, 상기 각각의 요소는 일반적으로 원형인 형상(generally circular shape)을 갖는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제3항에 있어서, 상기 각각의 요소는 일반적으로 직사각형인 형상(generally rectangular shape)을 갖는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제1항에 있어서, 상기 다층의 자기 구조는 상기 강자성 층들에 수직(perpendicular)이고 상기 각각의 강자성 층에서의 자기 비등방성 방향을 차단하는(intercepting the magnetic anisotropy direction) 불연속점의 배열(an array of discontinuities)을 형성하도록 패턴화되는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제6항에 있어서, 상기 다층의 자기 구조는 상기 다층의 자기 구조의 전체에 걸쳐 개구의 배열(an array of apertures)을 형성하도록 패턴화되는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제7항에 있어서, 상기 개구의 배열은 상기 다층의 자기 구조의 전체에 걸쳐 일반적으로 원형인 구멍(hole)의 배열을 형성하는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제6항에 있어서, 상기 다층의 자기 구조는 변조된 폭(modulated width)을 갖는 적어도 하나의 스트립(stirp)를 형성하도록 패턴화되는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제9항에 있어서, 변조된 폭을 갖는 상기 스트립은 연결된 일반적으로 원형인 요소들의 배열로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제1항에 있어서, 상기 각각의 다층의 자기 구조는 10.0마이크로미터의 최대 직영을 갖는 상기 일반적으로 원형인 요소로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제1항에 있어서, 상기 다층의 자기 구조는 최대 크기가 10마이크로미터 또는 그 이하인 일반적으로 직사각형인 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제1항에 있어서, 상기 강자성 물질은 철, 코발트, 니켈, 니켈-철과 철, 코발트, 니켈 또는 니켈-철에 근거한 강자성 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 물질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제13항에 있어서, 상기 강자성 물질은 니켈-철로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 저항 센서.
- 제1항에 있어서, 상기 비자성 분리층(nonmagnetic spacer layer)은 전기적 전도성 물질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제15항에 있어서, 상기 전기적 전도성 물질은 은, 금, 구리 및 루테늄(ruthenium)과, 은, 금, 구리 또는 루테늄의 전도성 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 물질인 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제16항에 있어서, 상기 전기적 전도성 물질이 은(silver)인 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제16항에 있어서, 상기 전기적 전도성 물질이 구리(copper)인 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제2항에 있어서, 상기 전도성 층은 크롬, 탄탈, 은, 금, 구리, 알루미늄 및 루테늄으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 비자성의 전기적 전도성 물질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제19항에 있어서, 상기 비자성의 전기적 전도성 물질이 크롬인 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 다층 자기 저항 센서에 있어서, N개의 이중층(bilayer)들로 구성되어 있으며, 각각의 이중층은 비자성 물질로 된 층위에 형성된 강자성 물질로 된 층으로 구성되어 있고, 상기 N개의 이중층은 상기 강자성 물질로 된 기저층(base layer) 위에 형성되어 있어서 강자성 물질과 비자성 물질로 된 층들이 교대로 있는 다층의 자기 구조를 형성하고 있으며, 상부층(top layer) 및 기저층은 강자성 물질로 되어 있고, 각각의 강자성 층은 그의 맞은편에서 정자가 결합(magnetostatic coupling)함으로써 인접한 강자성 층들에 반강자성적으로 결합되어 있으며, 강자성 층에서의 자화는 인접한 강자성 층들에서의 자화에 대해서 역병렬 방향으로 향하고 있고, 각 강자성 층에서의 자화의 방향은 인가된 자계에 응답하여 회전을 하게 되며, 상기 자기 저항 센서의 저항은 인접한 강자성 층들에서의 자화의 방향들 사이의 각의 변화의 함수로서 변동하는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제21항에 있어서, 상기 다층의 자기 구조의 상부층위에 형성된 피복층(capping layer)을 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제22항에 있어서, 상기 피복층은 탄탈, 실리콘 산화물 및 알루미늄 산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 고유저항이 높은 비자성 물질(nonmagnetic high resistivity material)로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제22항에 있어서, 상기 다층의 자기 구조는 다수의 요소 배열을 형성하도록 패턴화되며, 상기 배열의 각 요소는 인접한 요소들로부터 떨어져 있고(spaced), 상기 배열의 각 요소는 상기 다층의 자기 구조와 동일한 적층 구조(layered structure)를 가지며, 전기적 전도성 물질로 된 전도성 층은 상기 배열상에 형성되어 상기 다층의 자기 구조의 평면에 있는 상기 요소들 사이에 전기적 전도성을 제공하기 위하여 상기 요소들 사이의 공간을 채우는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제24항에 있어서, 상기 배열의 상기 요소들은 상기 다층의 자기 구조의 평면에서 가장 큰 크기(largest dimensions)가 10.0마이크로미터 또는 그 이하인 소망의 형상(desired shape)을 갖는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제25항에 있어서, 상기 각각의 요소는 10.0마이크로미터의 최대 직경을 갖는 일반적으로 원형인 요소를 갖는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제25항에 있어서, 상기 각각의 요소는 일반적으로 직사각형인 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제21항에 있어서, 상기 다층의 자기 구조는 상기 강자성 층들에 수직(perpendicular)이고 상기 각각의 강자성 층에서의 자기 비등방성 방향을 차단하는(intercepting the magnetic anisotropy direction) 불연속점의 배열(an array of discontinuities)을 형성하도록 패턴화되는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제28항에 있어서, 상기 다층의 자기 구조는 상기 다층의 자기 구조의 전체에 걸쳐 개구의 배열(an array of apertures)을 형성하도록 패턴화되는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제29항에 있어서, 상기 개구의 배열은 상기 다층의 자기 구조의 전체에 걸쳐 일반적으로 원형인 구멍(hole)의 배열을 형성하는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제28항에 있어서, 상기 다층의 자기 구조는 변조된 폭(modulated width)을 갖는 적어도 하나의 스트립(strip)를 형성하도록 패턴화되는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제31항에 있어서, 변조된 폭을 갖는 상기 스트립은 연결된 일반적으로 원형인 요소들의 배열로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제22항에 있어서, 상기 강자성 물질은 철, 코발트, 니켈, 니켈-철과 철, 코발트, 니켈 또는 니켈-철에 근거한 강자성 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 물질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제33항에 있어서, 상기 강자성 물질은 니켈-철로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제22항에 있어서, 상기 비자성 물질은 전기적 전도성 물질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제35항에 있어서, 상기 전기적 전도성 물질은 은, 금, 구리 및 루테늄(ruthenium)과, 은, 금, 구리 또는 루테늄의 전도성 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 물질인 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제36항에 있어서, 상기 전기적 전도성 물질이 은(silver)인 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제36항에 있어서, 상기 전기적 전도성 물질이 구리(copper)인 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제24항에 있어서, 상기 전도성 층은 크롬, 탄탈, 은, 금, 구리, 알루미늄 및 루테늄과 크롬, 탄탈, 은, 금, 구리, 알루미늄 또는 루테늄의 전도성 합금들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 비자성의 전기적 전도성 물질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제39항에 있어서, 상기 비자성의 전기적 전도성 물질이 크롬인 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제39항에 있어서, 상기 비자성의 전기적 전도성 물질이 탄탈인 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제22항에 있어서, N이 2 내지 10의 범위내에서 선택되는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제22항에 있어서, 홀수 번호의 강자성 층들의 두께의 합은 짝수 번호의 강자성 층들의 두께의 합과 실질적으로 같은 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제43항에 있어서, 강자성 물질로 된 상기 상부층 및 기저층의 두께는 실질적으로 상기 다층의 자기 구조내에 있는 강자성 층들의 두께의 절반인 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 다층 자기 저항 센서에 있어서, 기판(substrate)과, 상기 기판의 주 표면(Major surface)상에 증착된 절연층(isolation layer)과, 상기 절연층 상에 증착된 자성 물질로 된 바이어스 층(bias layer)과, 상기 바이어스 층위에 증착되어 있고 복수의 N개의 이중층으로 구성된 자기 저항 감지 요소와, 상기 다층의 자기 구조의 상부층위에 형성된 피복층 및, 상기 바이어스층상에 증착되어 있고 상기 바이어스층을 상기 자기 저항 감지 요소로부터 자기적으로 분리하기 위하여 상기 바이어스층과 상기 자기 저항 감지 요소사이에 배치된 분리층으로 구성되어 있으며, 상기 각각의 이중층은 비자성 물질로 된 층위에 형성된 강자성 물질로 된 층으로 구성되어 있고, 상기 N개의 이중층은 상기 강자성 물질로 된 기저층(base layer)위에 형성되어 있어서 강자성 물질과 비자성 물질로 된 층들이 교대로 있는 다층의 자기 구조를 형성하고 있으며, 상기 상부층 및 기저층은 강자성 물질로 되어 있고, 각각의 강자성 층은 그의 맞은편에서 정자기 결합(magnetostatic coupling)함으로써 인접한 강자성층들에 반강자성적으로 결합되어 있으며, 강자성 층에서의 자화는 인접한 강자성 층들에서의 자화에 대해서 실질적으로 역병렬 방향으로 향하고 있고, 각 강자성 층에서의 자화의 방향은 인가된 자계에 응답하여 회전을 하게 되며, 상기 자기 저항 센서의 저항은 인접한 강자성 충돌에서의 자화의 방향들 사이의 각의 변화의 함수로서 변동하게 되고, 상기 다층의 자기 구조는 다수의 요소 배열을 형성하도록 패턴화되며, 상기 배열의 각 요소는 인접한 요소들로부터 떨어져 있고(spaced), 상기 배열의 각 요소는 상기 다층의 자기 구조와 동일한 적층 구조(layered structure)를 가지며, 전기적 전도성 물질로 된 전도성 층은 상기 배열상에 형성되어 상기 다층의 자기 구조의 평면에 있는 상기 요소들 사이에 전기적 전도성을 제공하기 위하여 상기 요소들 사이의 공간을 채우는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제45항에 있어서, 이중층의 수 N은 1 내지 10의 범위내에서 선택되는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제45항에 있어서, 상기 각각의 요소는 10.0마이크로미터의 최대 직경을 갖는 일반적으로 원형인 요소를 갖는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제45항에 있어서, 상기 각각의 요소는 최대 크기가 10마이크로미터 또는 그 이하인 일반적으로 직사각형인 요소를 갖는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제45항에 있어서, 상기 강자성 물질은 철, 코발트, 니켈, 니켈-철과, 철, 코발트, 니켈 또는 니켈-철에 근거한 강자성 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 물질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제49항에 있어서, 상기 강자성 물질은 니켈-철로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제45항에 있어서, 상기 비자성 층들은 은, 금, 구리 및 루테늄(ruthenium)과, 은, 금, 구리 또는 루테늄의 전도성 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 전기적 전도성 물질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제51항에 있어서, 상기 전기적 전도성 물질이 은(silver)인 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제45항에 있어서, 상기 분리층은 탄탈(tantalum), 지르코늄(zirconium), 티타늄(titanium), 이트륨(yttrium) 및 하프늄(hafnium)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 물질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제53항에 있어서, 상기 분리층은 탄탈로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제45항에 있어서, 상기 바이어스층은 상기 자기 바이어스 자계(magnetic bias field)를 제공하기 위하여 자기적 연성(magnetically soft)물질로 된 층으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제55항에 있어서, 상기 자기적 연성 물질은 니켈-철 및 니켈-철-로듐(rhodium)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 물질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제45항에 있어서, 상기 바이어스층은 상기 자기 바이어스 자계를 제공하기 위하여 자기적 경화 물질(magnetically hard material)로 된 층으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제57항에 이어서, 상기 자기적 경화 물질은 코발트-백금 및 코발트-백금-크롬으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 물질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제45항에 있어서, 상기 강자성 층들은 약 10옹스트롬 내지 약 100옹스트롬의 범위내의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제45항에 있어서, 상기 비자성 층들은 약 10옹스트롬 내지 약 400옹스트롬의 범위내의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제45항에 있어서, 상기 전도성 층은 크롬, 탄탈, 은, 금, 구리, 알루미늄 및 루테늄과 크롬, 탄탈, 은, 금, 구리, 알루미늄 또는 루테늄의 전도성 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 비자성의 전기적 전도성 물질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제61항에 있어서, 상기 전기적 전도성의 비자성 물질이 탄탈로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제45항에 있어서, 홀수 번호의 강자성 층들의 두께의 합은 상기 다층의 자기 구조내에 있는 짝수 번호의 강자성 층들의 두께의 합과 실질적으로 같은 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 자기 저장 시스템에 있어서, 데이타를 기록하기 위하여 그 표면상에 정의된 복수의 트랙을 갖는 자기 저장 매체와, 상기 자기 저장 매체(magnetic storage media)와 자기 변환기(magnetic transducer) 사이의 상대 운동 동안에 상기 자기 저장 매체에 대하여 근접한 거리의 위치에 유지되는 상기 자기 변환기와, 상기 자기 변환기에 결합되어 있으며 상기 자기 변환기를 상기 자기 저장 매체상의 선택된 데이타 트랙들로 이동시키기 위한 엑츄에이터 수단 및, 상기 다층 자기 저항 센서에 결합되어 있으며 상기 다층 자기 저항 센서에 의해 차단된 상기 자기 저장 매체에 기록된 데이타 비트를 나타내는 인가된 자계에 응답하여 상기 자기 저항 감지 요소에서의 저항 변화를 검출하기 위한 검출 수단을 구비하고 있으며, 상기 자기 변환기는 복수의 N개의 이중층들을 포함하는 자기 저항 감지 요소를 구비한 다층 자기 저항 센서를 포함하고 있으며, 상기 각각의 이중층은 비자성 물질로 된 층위에 형성된 강자성 물질로 된 층으로 구성되어 있고, 상기 N개의 이중층은 상기 강자성 물질로 된 기저층(base layer) 위에 형성되어 있어서 강자성 물질과 비자성 물질로 된 층들이 교대로 있는 다층의 자기 구조를 형성하고 있으며, 상기 상부층 및 기저층은 강자성 물질로 되어 있고, 각각의 강자성 층은 그의 맞은편에서 정자기 결합(magnetostatic coupling)함으로써 인접한 강자성층들에 반강자성적으로 결합되어 있으며, 강자성 층에서의 자화는 인접한 강자성 층들에서의 자화에 대해서 실질적으로 역병렬 방향으로 향하고 있고, 각 강자성 층에서의 자화의 방향은 인가된 자계에 응답하여 회전을 하게 되며, 상기 자기 저항 센서의 저항은 인접한 강자성 층들에서의 자화 방향들 사이의 각의 변화 함수로서 변동하게 되고, 상기 다층의 자기 구조는 다수의 요소 배열을 형성하도록 패턴화되며, 상기 배열의 각 요소는 인접한 요소들로부터 떨어져 있고(spaced), 상기 배열의 각 요소는 상기 다층의 자기 구조와 동일한 적층 구조(layered structure)를 가지며, 전기적 전도성 물질로 된 전도성 층은 상기 배열상에 형성되어 상기 다층의 자기 구조의 평면에 있는 상기 요소들 사이에 전기적 전도성을 제공하기 위하여 상기 요소들 사이의 공간을 채우고 있고, 자성 물질로 된 바이어스층은 상기 자기 저항 감지 요소에 자기 바이어스 자계를 제공하며, 비자성 물질로 된 분리층은 상기 자기 저항 감지 요소로부터 상기 바이어스층을 자기적으로 분리시키기 위하여 상기 바이어스층과 상기 자기 저항 감지 요소의 상기 기저층 사이에 배치되어 있으며, 전도성 리드(conductive lead)는 상기 자기 저항 감지 요소의 맞은편 단부에 연결되어 있으며 상기 다층 자기 저항 센서를 외부의 회로에 연결시키고 감지 전류를 상기 자기 저항 감지 요소에 결합시키는 것을 특징으로 하는 자기 저장 시스템.
- 제64항에 있어서, 이중층의 수 N은 1 내지 10의 범위로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 자기 저장 시스템.
- 제64항에 있어서, 상기 각각의 요소는 10.0마이크로미터의 최대 직경을 갖는 일반적으로 원형인 요소로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 저장 시스템.
- 제64항에 있어서, 상기 각각의 요소는 최대 크기가 10마이크로미터 또는 그 이하인 일반적으로 직사각형인 요소로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 저장 시스템.
- 제64항에 있어서, 상기 다층 자기 저항 센서는 단일 요소로 구성되어 있으며 상기 단일 요소의 최대 크기는 데이타 트랙 폭과 실질적으로 같은 것을 특징으로 하는 자기 저장 시스템.
- 제64항에 있어서, 상기 강자성 물질은 철, 코발트, 니켈, 니켈-철과, 철, 코발트, 니켈 또는 니켈-철에 근거한 강자성 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 물질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 저장 시스템.
- 제69항에 있어서, 상기 강자성 물질은 니켈-철로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 저장 시스템.
- 제64항에 있어서, 상기 비자성 층들은 은, 금, 구리 및 루테늄(ruthenium)과 은, 금, 구리 또는 루테늄의 전도성 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 전기적 전도성 물질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제71항에 있어서, 상기 전기적 전도성 물질이 은(silver)인 것을 특징으로 하는 자기 저장 시스템.
- 제64항에 있어서, 상기 분리층은 탄탈(tantalum), 지르코늄(zirconum), 티타늄(titanium), 이트륨(yttrium) 및 하프늄(hafnium)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 물질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 저장 시스템.
- 제64항에 있어서, 상기 바이어스층은 상기 자기 바이어스 자계를 제공하기 위하여 자기적 연성 물질로 된 층으로 구성되어 있으며, 상기 자기적 연성 물질은 니켈-철-크롬, 니켈-철-니오브(niobium), 니켈-철 및 니켈-철-로듐(rhodium)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 자기 저장 시스템.
- 제64항에 있어서, 상기 바이어스층은 자기 자기 바이어스 자계를 제공하기 위하여 자기적 경화 물질로 된 층으로 구성되어 있으며, 상기 자기적 경화 물질은 코발트-백금 및 코발트-백금-크롬으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 자기 저장 시스템.
- 제64항에 있어서, 상기 강자성 층들은 약 10옹스트롬 내지 약 100옹스트롬의 범위내의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 자기 저장 시스템.
- 제64항에 있어서, 상기 비자성 층들은 약 10옹스트롬 내지 약 400옹스트롬의 범위내의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 자기 저장 시스템.
- 제64항에 있어서, 상기 전도성 층은 크롬, 탄탈, 은, 금, 구리, 알루미늄 및 루테늄과 크롬, 탄탈, 은, 금, 구리, 알루미늄 또는 루테늄의 전도성 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 비자성의 전기적 전도성 물질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 저장 시스템.
- 다층 자기 저항 장치를 제조하는 방법에 있어서, 적당한 기판상에 강자성 물질로 된 기저층을 형성시키는 단계와, 각각 비자성 물질로 된 제1의 층과 상기 제1의 층 위에 형성된 상기 강자성 물질로 된 제2의 층으로 구성되어 있으며 상기 강자성 물질로 된 상기 기저층위에 형성되어 있는 복수의 이중층을 형성시키는 단계와, 상기 단계로 생긴 다층의 자기 구조를 패턴화하여 인접한 요소들로부터 떨어져 있으며 상기 다층의 자기 구조와 동일한 적층 구조를 갖는 다수의 요소 배열을 형성하는 단계, 및 상기 배열위에 전기적 전도성 물질로 된 전도성 층을 형성시켜 다층의 자기 구조의 평면에 있는 상기 요소들사이에 전기적 전도성을 제공하기 위하여 상기 요소들사이의 공간을 채우는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 장치의 제조 방법.
- 제79항에 있어서, 상기 강자성 층들은 약 10옹스트롬 내지 약 100옹스트롬의 범위내의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 장치의 제조 방법.
- 제79항에 있어서, 상기 비자성 층들은 약 10옹스트롬 내지 약 400옹스트롬의 범위내의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 장치의 제조 방법.
- 다층 자기 저항 센서에 있어서, 기판(substrate)과, 상기 기판의 주 표면(major surface)상에 증착된 절연층(isolation layer)과, 상기 절연층 상에 증착된 자성 물질로 된 바이어스층(bias layer)과, 상기 바이어스 층위에 증착되어 있고 복수의 N개의 이중층으로 구성된 자기 저항 감지요소와, 상기 다층의 자기 구조의 상부층위에 형성된 피복층, 및 상기 바이어스층상에 증착되어 있고 상기 바이어스층을 상기 자기 저항 감지 요소로부터 자기적으로 분리하기 위하여 상기 바이어스층과 상기 자기 저항 감지 요소사이에 배치된 분리층으로 구성되어 있으며, 상기 각각의 이중층은 비자성 물질로 된 층위에 형성된 강자성 물질로 된 층으로 구성되어 있고, 상기 N개의 이중층은 상기 강자성 물질로 된 기저층(base layer) 위에 형성되어 있어서 강자성 물질과 비자성 물질로 된 층들이 교대로 있는 다층의 자기 구조를 형성하고 있으며, 상기 상부층 및 기저층은 강자성 물질로 되어 있고, 각각의 강자성 층은 그의 맞은편에서 정자기결합(magnetostatic coupling)함으로써 인접한 강자성층들에 반강자성적으로 결합되어 있으며, 강자성 층에서의 자화는 인접한 강자성 층들에서의 자화에 대해서 실질적으로 역병렬 방향으로 향하고 있고, 각 강자성 층에서의 자화의 방향은 인가된 자계에 응답하여 회전을 하게 되며, 상기 자기 저항 센서의 저항은 인접한 강자성 층들에서의 자화의 방향들 사이의 각의 변화 함수로서 변동하게 되고, 상기 다층의 자기 구조는 단일 자기 저항 요소를 형성하기 위하여 패턴화되며, 상기 자기 저항 요소는 소망의 데이타 트랙 폭과 실질적으로 같은 최대 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제82항에 있어서, 이중층의 수 N은 1 내지 10의 범위로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제82항에 있어서, 상기 강자성 물질은 철, 코발트, 니켈, 니켈-철과, 철, 코발트, 니켈 또는 니켈-철에 근거한 강자성 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 물질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제82항에 있어서, 상기 비자성 층들은 은, 금, 구리 및 루테늄(ruthenium)과, 은, 금, 구리 또는 루테늄의 전도성 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 전기적 전도성 물질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제82항에 있어서, 상기 분리층은 탄탈(tantalum), 지르코늄,(zirconum), 티타늄(titanium), 이트륨(yttrium) 및 하프늄(hafnium)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 물질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제82항에 있어서, 상기 바이어스층은 상기 자기 바어이스 자계를 제공하기 위하여 자기적 연성 물질로 된 층으로 구성되어 있으며, 상기 자기적 연성 물질은 니켈-철-크롬, 니켈-철-니오브(niobium), 니켈-철 및 니켈-철-로듐(rhodium)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제82항에 있어서, 상기 바이어스층은 상기 자기 바이어스 자계를 제공하기 위하여 자기적 경화 물질로 된 층으로 구성되어 있으며, 상기 자기적 경화 물질은 코발트-백금 및 코발트-백금-크롬으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제82항에 있어서, 상기 강자성 층들은 약 10옹스트롬 내지 약 100옹스트롬의 범위내의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.
- 제82항에 있어서, 상기 비자성 층들은 약 10옹스트롬 내지 약 400옹스트롬의 범위내의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 다층 자기 저항 센서.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/173,590 US5452163A (en) | 1993-12-23 | 1993-12-23 | Multilayer magnetoresistive sensor |
US173,590 | 1993-12-23 | ||
US173.590 | 1993-12-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950020420A true KR950020420A (ko) | 1995-07-24 |
KR0146012B1 KR0146012B1 (ko) | 1998-10-15 |
Family
ID=22632713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940030840A KR0146012B1 (ko) | 1993-12-23 | 1994-11-23 | 다층 자기 저항 센서 |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5452163A (ko) |
EP (1) | EP0660127B1 (ko) |
JP (1) | JP2784461B2 (ko) |
KR (1) | KR0146012B1 (ko) |
CN (1) | CN1068689C (ko) |
AT (1) | ATE221999T1 (ko) |
BR (1) | BR9405159A (ko) |
CA (1) | CA2134711A1 (ko) |
DE (1) | DE69431149T2 (ko) |
MY (1) | MY116219A (ko) |
PH (1) | PH30835A (ko) |
SG (1) | SG42849A1 (ko) |
TW (1) | TW277132B (ko) |
Families Citing this family (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5657190A (en) * | 1993-03-02 | 1997-08-12 | Tdk Corporation | Apparatus for detecting a magnetic field using a giant magnetoresistance effect multilayer |
US6021065A (en) * | 1996-09-06 | 2000-02-01 | Nonvolatile Electronics Incorporated | Spin dependent tunneling memory |
US6275411B1 (en) | 1993-07-23 | 2001-08-14 | Nonvolatile Electronics, Incorporated | Spin dependent tunneling memory |
DE4425356C2 (de) * | 1993-09-29 | 1998-07-02 | Siemens Ag | Magnetoresistiver Sensor unter Verwendung eines Sensormaterials mit perowskitähnlicher Kristallstruktur |
US6002553A (en) * | 1994-02-28 | 1999-12-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Giant magnetoresistive sensor |
DE69511145T2 (de) * | 1994-03-09 | 2000-02-03 | Eastman Kodak Co., Rochester | Magnetoresistiver Wiedergabekopf mit doppeltem Spin-Ventilelement |
US5874886A (en) * | 1994-07-06 | 1999-02-23 | Tdk Corporation | Magnetoresistance effect element and magnetoresistance device |
FR2722918B1 (fr) * | 1994-07-21 | 1996-08-30 | Commissariat Energie Atomique | Capteur a magnetoresistance multicouche autopolarisee |
US5648031A (en) * | 1994-07-28 | 1997-07-15 | Custom Plastics Molding, Inc. | Method of forming antislip surfaces on thermoformed products |
JP2694806B2 (ja) * | 1994-08-29 | 1997-12-24 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法 |
JPH0877519A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-03-22 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型トランスジューサ |
WO1996011469A1 (en) * | 1994-10-05 | 1996-04-18 | Philips Electronics N.V. | Magnetic multilayer device including a resonant-tunneling double-barrier structure |
JPH08180328A (ja) * | 1994-12-21 | 1996-07-12 | Fujitsu Ltd | スピンバルブ磁気抵抗効果素子及びその製造方法 |
US5773156A (en) * | 1995-01-26 | 1998-06-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element |
US6510031B1 (en) * | 1995-03-31 | 2003-01-21 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor with magnetostatic coupling to obtain opposite alignment of magnetic regions |
US6741494B2 (en) | 1995-04-21 | 2004-05-25 | Mark B. Johnson | Magnetoelectronic memory element with inductively coupled write wires |
US5652445A (en) * | 1995-04-21 | 1997-07-29 | Johnson; Mark B. | Hybrid hall effect device and method of operation |
US6064083A (en) * | 1995-04-21 | 2000-05-16 | Johnson; Mark B. | Hybrid hall effect memory device and method of operation |
US6140838A (en) | 1995-04-21 | 2000-10-31 | Johnson; Mark B. | High density and high speed magneto-electronic logic family |
US7050329B2 (en) * | 1995-04-21 | 2006-05-23 | Johnson Mark B | Magnetic spin based memory with inductive write lines |
US6169687B1 (en) | 1995-04-21 | 2001-01-02 | Mark B. Johnson | High density and speed magneto-electronic memory for use in computing system |
US5585986A (en) * | 1995-05-15 | 1996-12-17 | International Business Machines Corporation | Digital magnetoresistive sensor based on the giant magnetoresistance effect |
US5701222A (en) * | 1995-09-11 | 1997-12-23 | International Business Machines Corporation | Spin valve sensor with antiparallel magnetization of pinned layers |
JPH09205234A (ja) * | 1996-01-26 | 1997-08-05 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果センサ |
JP3669457B2 (ja) | 1996-03-19 | 2005-07-06 | 富士通株式会社 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
US5739987A (en) * | 1996-06-04 | 1998-04-14 | Read-Rite Corporation | Magnetoresistive read transducers with multiple longitudinal stabilization layers |
US6166539A (en) * | 1996-10-30 | 2000-12-26 | Regents Of The University Of Minnesota | Magnetoresistance sensor having minimal hysteresis problems |
US5747997A (en) * | 1996-06-05 | 1998-05-05 | Regents Of The University Of Minnesota | Spin-valve magnetoresistance sensor having minimal hysteresis problems |
US5793279A (en) * | 1996-08-26 | 1998-08-11 | Read-Rite Corporation | Methods and compositions for optimizing interfacial properties of magnetoresistive sensors |
US5666248A (en) * | 1996-09-13 | 1997-09-09 | International Business Machines Corporation | Magnetizations of pinned and free layers of a spin valve sensor set by sense current fields |
US5737157A (en) * | 1996-10-09 | 1998-04-07 | International Business Machines Corporation | Disk drive with a thermal asperity reduction circuitry using a magnetoresistive sensor |
US5880915A (en) | 1996-10-21 | 1999-03-09 | International Business Machines Corporation | Crack resistant magnetic write head |
WO1998038792A1 (en) * | 1997-02-28 | 1998-09-03 | University And Community College System Of Nevada | Magnetoresistive scanning system |
US5923505A (en) * | 1997-03-17 | 1999-07-13 | Read-Rite Corporation | Magnetoresistive sensor having a pinned soft magnetic layer |
US6440750B1 (en) | 1997-06-10 | 2002-08-27 | Agere Systems Guardian Corporation | Method of making integrated circuit having a micromagnetic device |
US6191495B1 (en) * | 1997-06-10 | 2001-02-20 | Lucent Technologies Inc. | Micromagnetic device having an anisotropic ferromagnetic core and method of manufacture therefor |
US5867351A (en) * | 1997-07-25 | 1999-02-02 | International Business Machines Corporation | Spin valve read head with low moment, high coercivity pinning layer |
JPH1196515A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-09 | Fujitsu Ltd | Gmr磁気センサ、その製造方法、および磁気ヘッド |
JP2001507806A (ja) * | 1997-10-29 | 2001-06-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | スピン−トンネル接合から成る磁界センサー |
US6147900A (en) * | 1997-11-06 | 2000-11-14 | Nonvolatile Electronics, Incorporated | Spin dependent tunneling memory |
US6337215B1 (en) * | 1997-12-01 | 2002-01-08 | International Business Machines Corporation | Magnetic particles having two antiparallel ferromagnetic layers and attached affinity recognition molecules |
US6239595B1 (en) | 1998-05-13 | 2001-05-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic field sensing element |
DE19854713B4 (de) * | 1998-05-13 | 2005-03-10 | Mitsubishi Electric Corp | Magnetfeld-Erfassungselement |
JP3544141B2 (ja) | 1998-05-13 | 2004-07-21 | 三菱電機株式会社 | 磁気検出素子および磁気検出装置 |
US6529114B1 (en) * | 1998-05-27 | 2003-03-04 | Honeywell International Inc. | Magnetic field sensing device |
DE19843349A1 (de) * | 1998-09-22 | 2000-03-23 | Bosch Gmbh Robert | Magnetoresistives Sensorelement, insbesondere Winkelsensorelement |
US6178074B1 (en) * | 1998-11-19 | 2001-01-23 | International Business Machines Corporation | Double tunnel junction with magnetoresistance enhancement layer |
US6255714B1 (en) | 1999-06-22 | 2001-07-03 | Agere Systems Guardian Corporation | Integrated circuit having a micromagnetic device including a ferromagnetic core and method of manufacture therefor |
US6421212B1 (en) | 1999-09-21 | 2002-07-16 | Read-Rite Corporation | Thin film read head structure with improved bias magnet-to-magnetoresistive element interface and method of fabrication |
US6600637B1 (en) * | 1999-10-28 | 2003-07-29 | Seagate Technology, L.L.C. | Edge barrier to prevent spin valve sensor corrosion and improve long term reliability |
US6404601B1 (en) | 2000-01-25 | 2002-06-11 | Read-Rite Corporation | Merged write head with magnetically isolated poletip |
US6307774B1 (en) | 2000-03-22 | 2001-10-23 | Mark B. Johnson | Magnetoelectronic memory array |
DE10196646T1 (de) * | 2000-09-19 | 2003-08-21 | Seagate Technology Llc | Riesenmagnetowiderstand- bzw. GMR-Sensor mit selbstkonsistenten Entmagnetisierungsfeldern |
US6885527B1 (en) * | 2000-10-26 | 2005-04-26 | Headway Technologies, Inc. | Process to manufacture a top spin valve |
US6724586B2 (en) * | 2001-03-27 | 2004-04-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Bias structure for magnetic tunnel junction magnetoresistive sensor |
US20020145832A1 (en) * | 2001-04-04 | 2002-10-10 | Seagate Technology Llc | Perpendicular magnetic recording head with soft underlayer biasing |
US6794862B2 (en) * | 2001-05-08 | 2004-09-21 | Ramot At Tel-Aviv University Ltd. | Magnetic thin film sensor based on the extraordinary hall effect |
US6709767B2 (en) | 2001-07-31 | 2004-03-23 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | In-situ oxidized films for use as cap and gap layers in a spin-valve sensor and methods of manufacture |
DE10258860A1 (de) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Robert Bosch Gmbh | Magnetoresistives Schichtsystem und Sensorelement mit diesem Schichtsystem |
US20050013060A1 (en) * | 2003-07-14 | 2005-01-20 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor |
US7158353B2 (en) * | 2003-11-06 | 2007-01-02 | Seagate Technology Llc | Magnetoresistive sensor having specular sidewall layers |
JP2007514256A (ja) * | 2003-11-24 | 2007-05-31 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 磁気メモリ用のデータ保持インジケータ |
JP4538614B2 (ja) * | 2007-10-12 | 2010-09-08 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子の設計方法及び磁気ランダムアクセスメモリの設計方法 |
US8093892B2 (en) * | 2008-07-24 | 2012-01-10 | Infineon Technologies Ag | System with 90 degree sense layer magnetic orientation |
US8907666B2 (en) * | 2011-09-30 | 2014-12-09 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic bias structure for magnetoresistive sensor having a scissor structure |
US8995073B1 (en) * | 2013-03-14 | 2015-03-31 | Seagate Technology Llc | Data storage mediums and devices having bit patterned media |
CN104900800A (zh) * | 2014-03-03 | 2015-09-09 | 北京嘉岳同乐极电子有限公司 | 用于磁敏传感器的gmr磁性纳米多层膜 |
FR3068476B1 (fr) * | 2017-06-28 | 2019-08-02 | Centre National De La Recherche Scientifique | Dispositif de mesure de champs magnetiques faibles |
CN113039658A (zh) * | 2018-11-19 | 2021-06-25 | 艾沃思宾技术公司 | 具有晶种区域的磁阻堆叠及其制造方法 |
US11719772B2 (en) | 2020-04-01 | 2023-08-08 | Analog Devices International Unlimited Company | AMR (XMR) sensor with increased linear range |
CN115265605B (zh) * | 2021-12-01 | 2024-03-12 | 苏州纳芯微电子股份有限公司 | 传感器电路及运动数据检测装置 |
CN115077571A (zh) * | 2021-12-09 | 2022-09-20 | 苏州纳芯微电子股份有限公司 | 运动数据检测装置及其传感器电路 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US134533A (en) * | 1873-01-07 | Improvement in spring motive powers | ||
JPH07105006B2 (ja) * | 1985-11-05 | 1995-11-13 | ソニー株式会社 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
JP2613239B2 (ja) * | 1988-02-26 | 1997-05-21 | 株式会社日立製作所 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
DE3820475C1 (ko) * | 1988-06-16 | 1989-12-21 | Kernforschungsanlage Juelich Gmbh, 5170 Juelich, De | |
US4914538A (en) * | 1988-08-18 | 1990-04-03 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive read transducer |
FR2648942B1 (fr) * | 1989-06-27 | 1995-08-11 | Thomson Csf | Capteur a effet magnetoresistif |
US5032945A (en) * | 1989-11-07 | 1991-07-16 | International Business Machines Corp. | Magnetic thin film structures fabricated with edge closure layers |
US5206590A (en) * | 1990-12-11 | 1993-04-27 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect |
JPH0536032A (ja) * | 1991-08-01 | 1993-02-12 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型ヘツド及びその製造方法 |
FR2693021B1 (fr) * | 1992-06-26 | 1994-08-26 | Thomson Csf | Détecteur de champ magnétique. |
US5343422A (en) * | 1993-02-23 | 1994-08-30 | International Business Machines Corporation | Nonvolatile magnetoresistive storage device using spin valve effect |
-
1993
- 1993-12-23 US US08/173,590 patent/US5452163A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-09-23 TW TW083108817A patent/TW277132B/zh active
- 1994-10-31 CA CA002134711A patent/CA2134711A1/en not_active Abandoned
- 1994-11-02 JP JP6269414A patent/JP2784461B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-11-19 CN CN94118724A patent/CN1068689C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1994-11-21 MY MYPI94003100A patent/MY116219A/en unknown
- 1994-11-23 KR KR1019940030840A patent/KR0146012B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-12-14 PH PH49556A patent/PH30835A/en unknown
- 1994-12-16 SG SG1996000132A patent/SG42849A1/en unknown
- 1994-12-16 EP EP94119895A patent/EP0660127B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-12-16 AT AT94119895T patent/ATE221999T1/de not_active IP Right Cessation
- 1994-12-16 DE DE69431149T patent/DE69431149T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-20 BR BR9405159A patent/BR9405159A/pt not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69431149T2 (de) | 2003-05-28 |
EP0660127B1 (en) | 2002-08-07 |
SG42849A1 (en) | 1997-10-17 |
BR9405159A (pt) | 1995-08-01 |
CN1122498A (zh) | 1996-05-15 |
EP0660127A2 (en) | 1995-06-28 |
CA2134711A1 (en) | 1995-06-24 |
MY116219A (en) | 2003-12-31 |
ATE221999T1 (de) | 2002-08-15 |
JPH07210832A (ja) | 1995-08-11 |
TW277132B (ko) | 1996-06-01 |
KR0146012B1 (ko) | 1998-10-15 |
EP0660127A3 (en) | 1996-01-17 |
DE69431149D1 (de) | 2002-09-12 |
US5452163A (en) | 1995-09-19 |
PH30835A (en) | 1997-11-03 |
JP2784461B2 (ja) | 1998-08-06 |
CN1068689C (zh) | 2001-07-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR950020420A (ko) | 다층 자기저항 센서 | |
JP3033934B2 (ja) | スピン・バルブ磁気抵抗素子及び関連する装置 | |
CN1058801C (zh) | 电流偏置磁性自旋阀式传感元件 | |
CN1180400C (zh) | 磁盘记录***和双磁电阻读传感器 | |
KR0139307B1 (ko) | 고정 강자성체층을 갖는 스핀밸브 자기전기저항성 센서와 이 센서를 사용하는 자기기록시스템 | |
KR100344030B1 (ko) | 자기 소자, 자기 메모리 디바이스, 자기저항 효과 헤드 및 자기 저장 시스템. | |
US6560077B2 (en) | CPP spin-valve device | |
US6510031B1 (en) | Magnetoresistive sensor with magnetostatic coupling to obtain opposite alignment of magnetic regions | |
JP3849460B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、および磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
KR940020312A (ko) | 비자성 배면층을 갖는 자기 저항 스핀 밸브 센서 | |
JP2002150512A (ja) | 磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
JPH0766033A (ja) | 磁気抵抗素子ならびにその磁気抵抗素子を用いた磁性薄膜メモリおよび磁気抵抗センサ | |
GB2387711A (en) | Magnetic sensing element with multi-layer free layer | |
KR940024665A (ko) | 입자 다층 자기 저항 센서 | |
JPH09259410A (ja) | 磁気抵抗型センサ | |
KR20010085831A (ko) | 쿼드-층 gmr 샌드위치 | |
EP0565102A2 (en) | Magnetic laminations and magnetic heads and magnetic recording/reproducing devices using a magnetic lamination | |
KR100795492B1 (ko) | 자기 센서 및 자기 헤드 | |
JPH07297465A (ja) | 絶縁ピン留め層を備えた巨大磁気抵抗センサ | |
JPH08279116A (ja) | 巨大磁気抵抗材料膜および磁気抵抗材料膜の磁化の調整方法 | |
JP3624355B2 (ja) | 磁気抵抗センサ | |
JPH05175572A (ja) | 磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび記録再生装置 | |
JPH09212829A (ja) | 磁気抵抗効果素子と、それを用いた磁気記録再生装置 | |
TH18554A (th) | ตัวตรวจวัดต้านทานแม่เหล็กหลายชั้น | |
JPH10294504A (ja) | 磁気抵抗センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090504 Year of fee payment: 12 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |