KR100308460B1 - 자기저항성 선형 변위센서, 각 변위센서및, 가변저항 - Google Patents

Abstract

적어도 하나의 층구조를 포함하는 거대 자기저항 변위센서이다. 이 층구조는 두층들 사이에 결합을 막도록 이들 두층(32, 34) 사이에 접촉토록 끼워진 금속층(33), 제 2 연질 자성층(32), 고정된 자성상태를 가지는 경질자성층(강자성 또는 반강자성 층(34)을 포함한다.

이센서는 또한 연질 자성층(32)내의 비정렬 자계 영역(35, 36)사이에서 측정위치에 영역벽(37)를 유도시키는 수단(56, 58)과, 구조의 반대측지점사이에 전기저항을 측정하는 수단(50)을 포함한다. 동작시 영역벽을 유도하는 수단(56, 58), 주로 적어도 하나의 인덱싱 마그네트(56, 58)는 거대자기 저항스트립에 대응토록 위치된다. 스트립을 가로지르는 저항은 측정되며, 이 저항 측정으로부터 영역벽의 위치가 결정된다. 본 발명은 또한 가변저항으로, 선택위치에서 영역벽을 유도시키기위한 수단(56, 58)을 위치시켜 소망하는 값으로 스트립을 가로지로는 저항을 세트시킨다.

Description

자기저항성 선형 변위센서, 각 변위센서 및, 가변저항

발명의 배경

발명의 분야

본 발명은 선형 및 각 변위센서들과 가변저항들에 관한 것으로, 특히 큰 거대저항을 사용하는 선형 및 각 변위센서들과 가변저항들에 관한 것이다.

관련 기술의 설명

선형 및 각 변위센서들은, 매우 엄격한 치수 오차 허용도를 가지는 제조 및 시험요소로써, 고정밀 기기 및 측정용으로 사용된다. 이러한 소자들은 선반, 프레스, 로봇팔등에 주로 결합된다. 일반적인 변위센서들은 솔레노이드 코일을 통하여 금속바의 인덕턴스를 측정함으로써 동작한다. 이들 센서는 여러 단점을 가진다. 즉 한정된 정밀도를 가지며, 부피가 크고, 쉽게 휴대할 수 없고, 편차에 민감하며 제조원가가 비싸고, 동작시 큰 전력을 사용한다.

발명의 요약

따라서 본 발명의 목적은 전자(electron) 작용에 의한 표식으로 쉽게 변환시킬수 있는 출력을 가지며, 불휘발성이고(즉, 턴오프되는 각 시간마다 측정값을 잃지 않는다), 작동시 작은 전력을 사용하고, 제조 원가가 비싸지 않으며, 본질적으로 선형, 고정밀, 컴팩트, 휴대가능 및 진동에 둔감한 변위센서를 만들고자 하는것이다.

본 발명의 다른 목적은 이러한 특성들을 공유하는 가변저항을 만들려는 것이다.

본 발명의 이외 다른 목적은 이하에 기술되는 공정 및 구조에 의해 완성된다.

본 발명은, 적어도 한층 구조를 포함하는, 거대 자기 저항성 스트립을 가지는, 변위센서이다. 이러한 층구조는 고정된 자성상태를 가지는 경질 자성층(경질 강자성 또는 반강자성-핀 결합층), 제 2연질 자성층및, 두층들 사이의 결합이 바뀌지 않도록 두층들 사이에 놓여 지고 두층들들 접촉케 하는 금속층을 포함한다. 본 발명은 또한 연질 자성층내의 비정렬(즉 대향하거나 정렬이 잘못된) 자계 영역들 사이의 측정위치에서 영역법(domain wall)을 유도하는 유도 수단및, 이 구조의 반대측 지점들 사이의 전기적 저항을 측정하는 측정 수단을 포함한다.

동작시, 영역벽을 유도하는 유도 수단은 거대 자기 저항성 스트립에 비례하도록 위치된다. 스트립을 가로지르는 저항이 측정되면, 이러한 저항 측정치로부터 영역벽의 위치가 결정된다. 거대 자기 저항성 스트립에는 하나의 제조 중간물을, 유도 수단에는 다른 제조 중간물을 고정시키고, 두개의 제조 중간물들 사이의 선형변위는 전기적 저항을 측정함으로써 측정된다.

본 발명은 또한 가변 저항으로, 선택된 위치에서 영역벽을 유도하는 유도 수단은 위치시킴으로써 동작되고, 소망하는 값으로 스트립을 가로지르는 저항을 세트시킨다.

도면의 간단한 설명

본 발명의 보다 완전한 이해는 상이한 도면에 있는 같은 부호는 같은 구조나 소자를 나타내도록 한 첨부 도면과 바람직한 구성의 다음 설명을 참조하면 쉽게 될 것이다.

제 1도는 정렬된 자계층들을 가지는 라미네이트 구조의 단면도이다.

제 2도는 반대의 자계층들을 가지는 라미네이트 구조의 단면도이다.

제 3도는 반대의 자계 영역들을 분리시키고, 자성층들 증의 하나에 영역법을 가지는 라미네이트 구조의 측면도로,

제 3A도는 반대의 자계 영역들을 분리시키고, 자성층들 중의 하나에 영역벽를 가지며, 고정된 자성상태를 가지는 반강자성-핀층을 가지는 라미네이트 구조의 측면도이다.

제 4도는 본 발명의 바람직한 구성의 단면도이다.

제 5도는 본 발명의 바람직한 구성의 평단면도이다.

제 6도는 본 발명에 따른 연질 자성층내에서 영역벽을 유도하도록 위치된 인덱싱 마그네트쌍의 상세도이다.

제 7도는 본 발명에 따른 멀티라미네이트 구조의 단면도이다.

제 8도는 연질 자성층 위에 경질 자성층이 있는 본 발명에 따른 다른 라미네이트 구조의 단면도이다.

제 9도 및 제 10도는 본 발명의 또다른 구조의 분해도 및 평면도이다.

제 11도는 라미나(laminar)구조에서 전류 흐름 방향과 나란한 영역벽을 가지는 본 발명의 또다른 구성의 사시도이다.

바람직한 구성의 상세한 설명

거대 자기 저항(Giant magnetoresistance), 또는 GMR은 상당히 새롭게 발견된 현상이다.

간략히 기술하면, 제 2도에 보인 구조와 제 1도에 보인 구조 사이의 전기적 저항에는 상당한 차이점(약 8%와 약 20%사이의 차수)이 있슴이 발견되었다.

제 1도는 정렬된 자계들이 있는 강자성층 12, 14를 가지는 라미네이트 구조 10을 보이며, 이들 층들은 비자성 전도층 13에 의해 분리되어 접촉된다. 캐리어(주로 전자)들이 접점 16에서 상부 강자성층 l2로 주입됨에 따라서, 캐리어들은 스핀극성을 갖게된다. 이들의 스핀극성 캐리어 들은 라미네이즈 구조 10내에서 강자성층과 다른 전도층 13, 14를 통하여 이동하는데 자유롭다. 결과적으로, 이들 캐리어들의 흐름에 따른 전류에 의해 이루어지는 전기적 저항은 라미네이트 구조의 두께와 연관이 있게 될 것이다.

반면에, 제 2도는 반대 방향의 자계를 가지는 강자성층 22, 24로 이루어지는 라미네이트 구조 20을 보이며, 강자성층 22, 24는 비자성 전도층 23에 의해 분리되도록 접촉한다. 캐리어들이 접점 16에서 상부 강자성층 12로 주입됨에 따라, 캐리어들은 스편 극성을 갖게 된다. 이들 스핀 극성 캐리어들은 강자성층 22와 인접 비자성층 23을 통하여 이동하는데 자유롭다. 그러나 이들 스핀극성 캐리어들이 비정렬 자계를 가지는 강자성층 24와의 계면(interface)을 칠때, 캐리어들은, 거대 자기저항(즉 스핀값)효과에 따라, 강자성층 24에서 멀어지게, 뒤고 산란된다. 거대자성저항은 두개의 층내의 자계들간의 각도 함수이다. 산란은 자계가 나란할 때 최소로 되고, 자계가 나란치 않을때(반대 방향일때)최대로 된다. 자계 방향이 반대일때, 이들 캐리어들의 흐름에 의한 전류는 이 구조 20의 전체 두께를 통과하는 이동으로부터 방해를 받게되며, 이 전류흐름에 의한 전기 저항은, 이 구조 20의 상부 2개층 22, 23만의 두께에 따라 높게 될 것이다.

본 발명에 따른 중간 경우는 제 3도에 도시한다. 이 경우, 라미네이트 구조 30은 고정된 자기 상태로 된 바닥층 34및, 반대 방향의 영역들 35, 36으로 된 (상대적) 연질 상부자성층 32를 가진다. 이들 영역 35,36은 영역벽 37에 의해 분리된다. 이를 두 층 32, 34사이에는 두개의 자성층 32, 34간의 결합을 바꾸지 못하게 하는 비자성 전도 금속층 33이 있다. 캐리어들이 접점 16에서 상부 강자성층 32로 주입됨에 따라, 캐리어들은 스핀 극성을 갖게 된다. 이들 스핀 극성 캐리어들은 강자성층 32, 비자성층 33및, 바닥 강자성층 34를 통하여 이동하는데 자유롭다. 전도체의 유효 두께는 상당히 크기에, 전기적 저항은 영역벽 37측에서는 상당히 낮게 될 것이다.

스핀극성 캐리어들이 영역벽 37 먼곳으로, 또한 구조 30의 아래쪽으로 이동하면, 스핀극성 캐리어들은 거대 자기 저항 효과에 따라 라미네이트 구조 30의 바닥 2개층 33,34내로 제한 될 것이다. 전기 저항은 영역벽측에서는 상당히 높을 것이다. 결과적으로, 라미네이트 구조 30의 모든 전기적 저항은 영역벽 37위치의 선형함수로 될 것이다.

캐리어들을 주입시키는 접점 l6에서 멀어지게 라미네이트 구조의 좌측에 영역벽 37을 위치시킴은, 라미네이트 구조 30으로 하여금 상당히 낮은 전기적 저항을 갖게 할 것이다. 캐리어들를 주입시키는 접점 l6근처에서, 라미네이트 구조 30의 우측으로 영역벽 37을 위치시킴은, 라미네이트 구조 30으로 하여금 상당히 높은 전기적 저항을 갖게 한다.

본 발명에 따른 라미네이트 구조의 다른 구성은 제 3A도에서 볼 수 있으며, 바닥자성층은 반강자성핀층(antiferromagnetic pinning layer 81)을 사용하여 그 자성 상태로 고정된다.

스핀 극성 캐리어들은 상반되지 않은 통로로 이동함을 알아야 한다. 만일 캐리어들이 영역벽 37의 좌측에서 주입된다면, 스핀 극성의 캐리어들은 영역벽 37의 근처에서는 라미네이트 구조 30의 상부 두개층 32, 33에 한정될 것이나, 영역벽 37에서 멀리 떨어진 곳에서는 라미네이트 구조 30의 전체 두께를 통하여 자유롭게 이동할 것이다. 이경우, 영역벽 37을 좌측으로 이동시킴은 전기적 저항을 감소시킬 것이며, 반면에 우측으로 이동시킴은 전기적 저항을 증가시킬 것이다.

따라서, 자기 저항성 변위센서는 하나의 자기 저항성 라미네이트 구조에 제 1제조 중간물을 고정시키고 이러한 라미네이트 구조에 있는 상당한 연질의 강자성층내에서 영역벽을 유도하는 수단에 제 2제조 중간물을 고정시키며, 두개의 제조중간물의 상대적 위치 함수로써 라미네이트 구조의 전기적 저항을 측정함으로써 두개의 제조 중간물들의 상대적 위치를 측정할 것이다. 여기에 사용된바와 같이, 제조 중간물들은 본 발명의 센서에 의해 측정되는 상대 변위를 가지는 소자들이다. 제조 중간물들의 예로는, 여기에 언급되는 바와 같이, 대단한 정확성과 정밀성을 갖도록소망하는 위치들을 가지는 기계 부품들이다.

제 4도 및 제 5도는 본 발명의 바람직한 구성 40의 단면도 및 평면도이다.

본 발명의 구성에서, 라미네이트 구조 30은 제 4도에서 보인바와 같이 기판인 제 1제조 중간물 38과 결합된다. 고정된 자성 상태(fixed magnetic state)(즉 자기적 경질층)로 된 층 34는 기판 위에 있으며, 그 층 34의 자계선은 도면시트 안쪽으로 향한다. 이 층 34 위에는 비자성 금속 버퍼층 33이 있다. 이 버퍼층 33위에는 자기적 연질층 32가 있으며, 바람직하기는 영역벽 37 일측 35의 자계선은 도면 시트 안쪽을 향하며, 영역벽 37 다른측 36의 자계선은 도면시트 밖으로 향한다. 표준 4-프로브 구성은 옴메타 50(정전류원 52와 볼트메타 54가 나란히 연결된 것을 포함하여 이루어짐)에 라미네이트 구조 30을 연결시키며, 동작 전류를 제공하여 구조 30의 전기적 저항을 측정한다.

제 6도에 보인바와 같이, 바람직하게는 반대의 자계를 갖는 한쌍의 인덱싱 마그네틱 56, 58이 연질자성층 32내의 영역벽 37을 유도하도록 위치된다. 이들 마그네트 56, 58은 제 2제조 중간물(도시하지 않음)과 결합된다. 이러한 구성의 마그네트는 특히 바람직한 바, 이는 연질 자성층 32내에 매우 잘 한정된 영역벽를 제공하기 때문이다. 숙달된자들은 영역벽를 유도하는 많은 구조가 알려진 것을 인식할 것이다.

영역벽을 유도하기 위한 특정 수단을 선택함에 있어서, 숙달된 기술자는 다음의 알려진 강자성 원리에 따라 히스테리시스를 최소화시키고 영역벽 한정을 최대화시킴을 고려할 것이다. 센서에서 두 길(two-way)의 정밀성을 증진시키기 위하여는 영역벽의 히스테리시스를 최소화시키는 것이 바람직하다.

경질 자성층34의 바람지간 재질은 경질 강자성 재질(예를들어 Co, Fe, 및 그 합금)과 반강가성-핀 재질(antiferromagnetically-pinned materials)을 포함한다. 센서에서, 반강자성 재질은 가장 경질의 자성 재질인바, 이는 그들의 순수자계가 외부자계와는 완전히 둔감하기 때문이다. 결과적으로, 경질 자성층 34을 결합시키는 반강자성층 81의 사용은 연질 자성층을 위한 상대적인 경질 자성 재질(예를들어 Fe)의 사용을 가능케한다. 결합(pinning)을 위한 바람직한 반강자성 재질은 FeMn과 간혹 토류합금(예를들어 TbFe)을 포함한다.

많은 강자성 재질은 약한 산란 효율을 가지며, 약한 자성극성을 가진다. 바람직하기는, 제 7 도에 보인바와 같이, 이 층34의 계면지역은 자성극성을 증가시키도록, Fe과 같은, 강한 산란 재질로된 얇은 코팅 61 (1내지 5atoms 두께이면 충분하다)을 포함할 것이다. 바람직하기는 경질 자성층34은 약 50Å과 약 1000Å두께 사이가 될 것이다. 다른 전형적인 경질 자성 재질은 쿤(Koon)이 발명한 미국 특허 제 4402770호에 기술되어 있다.

연질 자성층 32의 바람직한 재질은 Ni, Fe, 퍼멀로이, Co 및 그 결합(합금과 다층 샌드위치 같은)을 포함한다.일반적으로 말하면, 자성적으로 상반된 환경에서는 간섭 문제를 피하기 위하여 이 층 32은 상대적으로 경질의 자성 재질을 사용하는 것이 바람직하다. 자기적으로 상반되지 않은 환경에서는, 잘-한정된 영역벽을 구현시키기가 쉬운 자성 재질을 사용하는 것이 바람직하다. 바람직하기는 연질 자성층32은 약 50Å과 약 100Å 두께 사이가 될 것이다. 다른 전형적인 연질 자성 재질은 쿤(Koon)이 발명한 미국 특허 제 4409043호에 기술되어 있다.

제 7 도는 또한 본 발명에 의한 다른 라미네이트 구조 60을 보여 준다. 이러한 다층구조에서, 복수의 연질 자성층32과 복수의 경질 자성층 34이 교대로 배열되고, 자성층 32, 34은 비자성 버퍼층33에 의해 분리 상태로 접촉된다. 이러한 다층 구조는 스핀 이완 거리와 같거나 작은 두께 T까지 센서의 증가된 다이나믹 영역을 제공한다.

비자성 버퍼층 33의 바람직한 재질은 CU, Pt, Ag, Au 및 그 결합을 포함한다. 바람직하기는 비자성 버피층 33은 약 50Å과 약 1000Å 두께 사이가 될 것이다. 숙달된 기술자는 이러한 센서 40을 구성하는 것이 바람직하고, 라미네이트 구조30의 전기적 저항은 볼트 메타54를 토한 저항보다 여러 차수 낮은 크기(주로 약 9차수가 낮은 크기)이며, 정전류원52에서의 모든 전류는 본질적으로 라미네이트 구조 30을 통하여 흐르는 것임을 이해할 것이다. 숙달된 기술자는 또한 센서의 이득(△R/R)을 최소화 시킴이 바람직함을 인식할 것이다.

제 8 도는 본 발명에 따른 다른 라미네이트 구조 70을 보여준다. 본 발명의 이러한 구성에서는, 자성 경질층 34이 상부층이다. 이 층 34은 주입된 캐리어들을 스핀 극성을 갖게 한다. 자성 연질층 32은 바닥층이다. 비자성 버퍼층 32은 두개의 자성층 3, 34을 분리시키도록 접촉시킨다. 자성 연질층 2과의 계면은 이러한 구성에서는 산란면이 될 것이므로, 고 효율 산란 소자로 된 씬필름 61이 산란 효율을 증가시키는데 제공될 수 있다.

제 9도 및 제 10 도는 각 변위 센서 80로 동작하는 본 발명의 일구성을 보여준다. 본 발명의 이러한 구성에서는, 제조 중간물 38중의 하나가 제 2 제조 중간물 39에 비례하는 회전축을 갖는다. 제 19도에 보인바와 같이, 본 발명의 구성에서, 자기 저항 스트립 90은 회전축에 원칙적으로 중심을 가지는 호형부재로 형성한다. 경질 자성층은 고정된 자성 상태를 가지는 개방링 34이다. 연질 자성층은 비정렬된 바람직하기는 반대 방향의 자계로된 하나 이상의 인덱싱 마그네트(도시하지 않음) 분리 영역 35, 36에 의해 유도되는 영역벽 37을 가지는 개방링 32이다. 두개의 자성층은 또한 비자성 금속 버퍼층 33에 의해 분리되어 접촉된다.

제 l0 도에 보인바와 같이 한쌍의 인덱싱 마그네트 56, 58는 반대방향의 자성극성을 가지는 분리영역 35, 36에 의한 영역벽 37의 각 변위는 제 2 제조 중간물 39의 각 변위(angular displacement)에 따르게 한다. 연질 자성링 33의 말단은 4개의 표준 프로브 배열을 통하여 병렬 접속된 볼트 메타 54와 정전류원 52과 결합된다.

제 11도에 보인바와 같이 본 발명의 바람직한 다른 구성은 전류흐름 방향과 나란하게 유도된 영역벽 37을 갖는다. 본 발명의 이러한 구성에서, 인덱싱 마그네트(도시하지 않음)는 라미네이트 구조내의 전류 흐름 방향과 나란하게 영역벽을 유도하도록 이동 가능하게 위치된다. 본 발명의 이러한 구성에서, 영역벽의 위치는 전도체의 유효단면 지역을 결정할 것이며. 라미네이트 구조를 가로지르는 저항을 결정케 할 것이다.

본 발명의 어떤 구성도 또한 가변 저항으로 동작 될 수 있다. 본 발명을 가변 저항으로 동작케함은 인덱싱 마그네트를 필연적으로 위치케하며, 연질 자성층내에 영역벽을 위치시키고, 라미네이트 구조를 가로지르는 소망하는 저항을 생성시킨다.

명백히, 본 발명의 다양한 모방과 변형은 상기 기술의 관점에서 가능하다. 그러므로 첨부된 청구범위의 범위내에서 본 발명은 특별히 설명된 것과 달리 수행될 수 있을 것이다.

Claims (12)

1. 제 1 제조 중간물과 제 2 제조중간물 사이의 변위를 측정하는 센서로, 제 1 제조 중간물에 고정되고 적어도 하나의 라미네이트 구조를 또한 포함하며, 상기 라미네이트 구조는 제 1 경질 강자성 또는 반강자성-핀층, 상기 제 1 경질 강자성 또는 반강자성층 위에 있으며 상기 제 1 층보다 연질의 자성재질을 포함하는 제 2 자성층, 및 상기 제 1 및 제 2 층 사이의 결합을 모두 본질적으로 바꾸지 못하도록 상기 제 1 및 제 2 층 사이에 배열 접촉되는 전도층를 포함하는 거대 자기저항성 스트립;

   상기 제 2 자성층내의 자계 영역들 사이의 측정 위치에서 영역벽을 유도하며, 상기 제 2 제조 중간물에 고정되고, 상기 자계는 상호 정열되지 않도록 된 유도수단; 및

   상기 자기 저항성 스트립 위의 지점들 사이에 전기적 저항을 측정하고 상기 영역벽의 상기 위치를 측정하며, 상기 제 1 제조 중간물에 대한 제 2 제조 중간물의 위치를 측정하는 측정 수단을 포함하는 센서.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 유도 수단은 적어도 하나의 인덱싱 마그네트를 포함하는 센서.
3. 제 2 항에 있어서,

   상기 적어도 하나의 인덱싱 마그네트는 상기 자기 저항성 스트립의 반대편에 배열되고 본질적으로 반대 방향인 자기 모멘트를 가지는 적어도 두개의 인덱싱 마그네트를 포함하며, 상기 반대편의 인덱싱 마그네트내에서 본질적으로 반대 방향인 자기 모멘트는 상기 영역벽에 본질적으로 수직을 이루는 센서.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 측정 수단은 상기 자기 저항성 스트립을 통과하는 직류전류 수단과 상기 자기 저항성 스트립을 가로지르는 전압 측정 수단을 포함하는 센서.
5. 제 1 항에 있어서,

   고정된 자성 상태를 가지는 상기 강자성 또는 반강자성층 Cr, Co, Fe, Ni, Mn 및 그 합금으로 이루어지는 군에서 선택된 금속을 포함하는 센서.
6. 제 1 항에 있어서,

   고정된 자성 상태를 가지는 상기 강자성 또는 반강가성층를 강자성 금속으로 된 씬필름으로 코팅된 반강자성 금속(antiferromagnetic metal)을 포함하는 센서.
7. 제 1 항에 있어서,

   연질 자성 재질을 포함하는 상기층은 Fe, Co, Mn, Ni 및 그 합금으로 이루어지는 군에서 선택된 하나의 금속을 포함하는 센서.
8. 제 1 항에 있어서,

   상기 센서는 선형 변위 센서이며, 상기 자기저항 스트립은 상기 영역벽에 수직인 본질적으로 직선상인 부재를 형성시킨 센서.
9. 제 1 항에 있어서,

   상기 센서는 선형 변위 센서이며, 상기 자기저항 스트립은 상기 영역벽에 나란한 본질적으로 직선상인 부재를 형성시킨 센서.
10. 제 1 항에 있어서,

    상기 센서는 상기 제 1 제조 중간물에 비례하여 상기 제 2 제조 중간물의 회전을 측정하는 각 변위 센서이며, 상기 제 2 제조 중간물은 상기 제 1 제조 중간물에 비례하는 회전측 둘레로 회전토록 창작되며, 상기 자기 저항 스트립은 상기 회전축 위에 본질적으로 중심을 가지는 호형부재를 이루며, 상기 영역벽을 유도시키는 수단을 포함하는 센서.
11. 제 1 제조 중간물과 제 2 제조 중간물 사이의 변위를 측정하는 센서로, 연질 자성 재질을 포함하는 복수의 자성층들과 복수의 경질 강자성 또는 반강자성층들이 교대로 되고 상기 제 1 제조 중간물에 고정되며, 상기 강자성 또는 반강자성층들과 상기 연자성 재질을 포함하는 상기층들은 상기 자성층들 간의 결합을 본질적으로바꾸지 못하도록 상기 자성층들 사이에 위치된 비자성 전도층들에 의해 분리 접촉되도록 된 자기 저항성 스트립;

    상기 연질 자기층내의 자계 영역 사이에 있는 측정 위치에서 영역벽을 유도시키며, 상기 자계는 상호 정렬되지 않고, 상기 유도 수단은 상기 제 2 제조 중간물에 고정되는 유도수단; 및

    상기 자기 저항성 스트립 위의 지점들간의 전기적 저항을 측정하며, 상기 영역벽 위치들을 측정하고, 상기 제 1 제조 중간물에 대한 상기 제 2 제조 중간물의 위치를 측정하는 측정 수단을 포함하는 센서.
12. 적어도 하나의 라미네이트 구조를 또한 포함하며, 상기 라미네이트 구조는 고정 자기 상태를 가지는 제 1 경질 강자성 또는 반강자성-핀층, 상기 제 1 자성층 위에 있는 제 2 자성층; 및

    상기 자성층들 사이에 위치되어 접촉하는 비자성 전도층를 포함하고, 상기 제 2 자성층은 상기 제 1 자성층보다 연질의 자성 재질을 포함하는 자기 저항 스트립; 및

    상기 제 2 자성층내의 비정렬 자계 영역간의 선택지점에서 영역벽을 유도시키고 선택값에 상기 자기저항성 스트립을 가로지르는 저항을 세팅시키는 수단을 포함하는 가변 저항.