KR960038618A - 메모리디바이스회로 및 멀티뱅크메모리어레이의 멀티뱅크컬럼의 동시어드레스방법 - Google Patents

메모리디바이스회로 및 멀티뱅크메모리어레이의 멀티뱅크컬럼의 동시어드레스방법 Download PDF

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시. 파리스 미카엘
켄트 스탈네이커 에이치.
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로버트 엘. 고워
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이와자끼 에이히꼬
낫데쯔 세미콘닥타 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은, 데이타를 보다 간단하며서 신속하게 SDRAM, 그외의 메모리디바이스의 메모리셀에 기입할 수 있는 수단을 실현하기 위한 것으로서, 복수의 메모리뱅크(14, 16)를 갖는 메모리디바이스에 관한 회로(36, 52)및 방법에 관한 것이다. 메모리뱅크의 컬럼은 동시에 어드레스가능하도록 되어 있어, 데이타의 동시 판독이나 기입이 가능하다. 복수의 메모리뱅크에 동시에 데이타를 기입함으로써, 메모리디바이스(10)의 시험 시간이 대폭 단축된다. 또한, 판독/기입명령 사이에, 멀티뱅크RAM내의 뱅크중 하나만으로 부터 데이타의 판독기입을 수행하는 경우에도, 특정 뱅크를 지정할 필요가 없다.

Description

메모리디바이스회로 및 멀티뱅크메모리어레이의 멀티뱅크컬럼의 동시어드레스방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 메모리어레이의 적어도 두개의 메모리셀의 동시어드레스를 가능하게 하는 회로를 가지는 메모리디바이스의 기능블록도, 제2도는 제1도의 메모리디바이스의 일부를 형성하는 뱅크논리회로를 상세하게 도시한 기능블록도, 제3도는 본 발명의 일 실시형태에 따른 메모리디바이스의 일부를 구성하는 회로의 회로도.

Claims (5)

  1. 멀티뱅크 메모리어레이(12)와 상기 멀티뱅크 메모리어레이(12)의 메모리뱅크(14, 16)의 로우 및 컬럼을 어드레스하기 위한 어드레스회로와, 상기 어드레서 회로와 조합되어 복수의 메모리뱅크(14, 16)의 메모리셀의 동시어드레스를 가능하게 하는 뱅크논리회로(36)를 가지는 메모리디바이스회로(10)에 있어서, 멀티 뱅크 어드레스 모드기호(79)와 컬럼어드레스 이네이블신호(80)에 응답하여 멀티뱅크 어드레스 선택신호(72, 74)를 출력하는 뱅크컬럼이네이블회로(77)와, 상기 멀티뱅크 어드레스선택신호(72, 74)에 응답하여 상기 복수의 메모리뱅크(14, 16)의 메모리셀의 동시어드레스의 실행을 가능하게 하는 컬럼어드레스선택신호(54)를 생성하는 컬럼어드레스 선택신호생성회로(52)를 형성한 것을 특징으로 하는 메모리디바이스회로(10).
  2. 제1항에 있어서, 상기 뱅크논리회로가(36), 제1메모리뱅크(14)와 제2메모리뱅크(16)의 메모리셀의 컬럼의 동시어드레스요구명령을 수신하는 명령신호수신회로(75, 76)와, 상기 명령신호수신회로(75, 76)에 접속되고, 상기 명령신호수신회로(75, 76)가 상기 제1메모리뱅크(14) 및 상기 제2메모리뱅크(16)의 컬럼의 동시어드레스요구명령을 각각 수신한 때, 이것에 응답하여 상기 제1메모리 뱅크(14)와 상기 제2메모리뱅크(16)의 메모리셀의 컬럼의 동시어드레스의 실행을 가능하게 하는 상기 멀티뱅크 어드레스선택신호(72, 74)를 생성하는 상기 뱅크컬럼 이네이블회로(77)로 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리디바이스회로(10).
  3. 제2항에 있어서, 상기 뱅크컬럼이네이블회로(77)는 또한 상기 멀티뱅크어드레스모드신호(79)와 상기 컬럼어드레스이네이블신호(80)가 수신된 때, 상기 멀티뱅크어드레스선택신호(72, 74)를 생성하는 것을 특징으로 하는 메모리디바이스회로(10).
  4. 메모리디바이스회로(10)의 멀티뱅크 메모리어레이(12)의 메모리뱅크(14, 16)에 있어서 메모리셀의 컬럼어드레스를 선택적으로 또한 동시에 실행가능하게 하는 방법에 있어서, 멀티뱅크 어드레스모드신호(18, 58, 59, 60, 62, 64)를 상기 메모리디바이스회로(10)에 입력하는 제1단계와, 상기 제1단계의 사이의 멀티뱅크어드레스모드신호의 입력에 응답하고, 상기 멀티뱅크메모리어레이(12)중의 선택된 메모리뱅크(14, 16)의 컬럼어드레스의 실행을 가능하게하는 컬럼어드레스선택신호(54)를 생성하는 제2의 단계와, 상기 제2단계의 사이에 생성된 상기 컬럼어드레스선택신호(54)에 의해 선택된 메모리뱅크(14, 16)의 컬럼내의 메모리셀을 어드레스하는 제3단계를 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 멀티뱅크 메모리어레이(12)는, 제1메모리뱅크(14)와 제2메모리뱅크(16)를 가지고, 또한, 상기 어드레스선택신호(54)의 생성단계은, 상기 제1메모리뱅크(14)의 컬럼어드레스를 선택하기 위한 제1메모리어드레스선택신호를 생성하는 단계와, 상기 제2메모리뱅크(16)의 컬럼어드레스를 선택하기 위한 제2메모리컬럼어드레스선택신호를 생성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법.
KR1019960010668A 1995-04-11 1996-04-09 메모리디바이스회로 및 멀티뱅크메모리어레이의 멀티뱅크컬럼의동시어드레스방법 KR100386442B1 (ko)

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