JP2008065862A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体記憶装置は、第1コア100Aに供給するクロックを発生するロウクロック発生器10A及びカラムクロック発生器・バーストカウンタ20Aと、第2コア100Bに供給するクロックを発生するロウクロック発生器10B及びカラムクロック発生器・バーストカウンタ20Bと、第1コア100A及び第2コア100Bに電源を供給する電源系回路201と、を備えている。
【選択図】 図3
Description
2 ASICチップ
3 メモリチップ
51 テストモード信号発生器
52 BISTシーケンサ
100A 第1コア
100B 第2コア
201 電源系回路
Claims (3)
- 行方向及び列方向に複数のメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイの行方向のメモリセルを選択する行デコーダと、前記メモリセルアレイの列方向のメモリセルを選択する列デコーダと、を有するm個(mは2以上の自然数。)のメモリバンクと、前記各メモリバンクに対してデータの書き込み又は読み出しを行うデータ制御手段と、を含む複数のメモリコアと、
各メモリコアにそれぞれ供給される独立したクロックを発生する複数のクロック発生手段と、
各メモリコアに供給するための電圧を発生する単一の電圧発生手段と、
を備えた半導体記憶装置。 - 自己診断用アドレス、自己診断用コマンド及び自己診断用データを発生する単一の自己診断制御手段を更に備え、
前記クロック発生回路は、前記自己診断制御手段により発生された自己診断用コマンドに基づいて自己診断用クロックを発生し、
前記各メモリコアは、前記自己診断制御手段により発生された自己診断用アドレス、自己診断用コマンド及び自己診断用データと、前記クロック発生手段により発生された自己診断用クロックと、に基づいて自己診断を行う
請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 各メモリコアに対して入力されるデータの圧縮を指示するデータ圧縮指示信号を発生する単一のデータ圧縮指示信号発生手段を更に備えた
請求項1または請求項2に記載の半導体記憶装置。
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- 2006-09-04 JP JP2006239302A patent/JP2008065862A/ja active Pending
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