KR960036009A - 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 간단한 구성으로 제조가 용이하고, 저가로 제조할 수 있는 반도체장치에 관한 것이다.
본 발명은 반도체칩(23)의 비활성막(34)상에 형성된 제1절연피막(38)의 표면에 상기 반도체칩(32)의 전극(36)에 접속하여 배선패턴(40)이 형성되고, 상기 배선패턴(40)상에 배선패터너(40)의 외부접속단자접합부를 노출하여 제2 절연피막(42)이 형성되고, 상기 노출된 외부접속단자접합부에 외부접속단자(46)가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 반도체장치의 제1 실시형태를 나타낸 단면도.
Claims (9)
- 비활성화막이 형성된 반도체칩면상에 상기 반도체칩의 전극을 노출하여 제1절연피막이 형성되고, 상기 제1절연피막의 표면에 상기 반도체칩의 전극에 접속하여 배선패턴이 형성되고, 상기 배선패턴상에 배선패턴의 외부접속단자접합부를 노출하여 제2 절연피막이 형성되고, 상기 노출한 외부접속단자접합부에 외부접속단자가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연피막이 감광성폴리이미드막으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 절연피막이 감광성솔더레지스트막으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한항에 있어서, 상기 외부접속단자 범프인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한항에 있어서, 상기 반도체칩을 복수개 구비하고, 상기 복수의 반도체칩상에 공통의 상기 제1 절연피막이 형성되고, 상기 복수의 반도체칩의 소요의 전극끼리 상기 배선패턴에 의해 접속되고, 상기 배선패턴상에 공통의 상기 제2 절연피막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한항에 있어서, 상기 제2 절연피막에 형성된 투공의 저면에 노출된 외부 접속단자접합부에 상기 투공의 저면, 내벽면 및 주연부를 피복하는 랜드가 형성되고, 상기 랜드에 상기 외부접속단자가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 전극을 노출하여 비활성화막이 형성된 반도체칩면상에 감광성레지스트를 도포하고, 상기 감광성레지스트에 노광, 현상을 행하고, 상기 전극을 노출하는 투공을 형성하여 제1 절연피막으로 한후, 상기 투공을 포함하는 상기 제1 절연피막의 표면에 스퍼터링 등에 의해 도체층을 피착형성하고, 상기 도체층에 에칭을 행하여 상기 투공부분에서 상기 전극과 전기적으로 도통하는 배선패턴을 형성하고, 이어서, 상기 배선패턴을 포함하는 상기 제1 절연피막의 표면에 감광성레지스트를 도포하고, 상기 감광성레지스트에 노광, 현상을 행하여 상기 배선패턴상에서 노출하는 투공을 형성하여 제2 절연피막으로 하고, 상기 제2절연피막의 투공위치에 땜납 볼 등의 외부접속단자를 접속하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 제2 절연피막의 표면에 도체층을 형성하고, 상기 도체층에 에칭을 행하고 상기 제2 절연피막에 형성된 투공부분에 있어서, 상기 제1 절연피막의 표면에 형성한 배선패턴과 전기적으로 도통하는 배선패턴을 형성한 후, 제2 절연피막의 표면에 감광성레지스트를 도포하고 그 위에 상층의 절연피막을 형성함으로서, 배선패턴을 다층형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 비활성화막상에 반도체칩의 전극부분을 제외하고, 상기 절연피막을 형성할때의 포토리소그래피공정에서 사용하는 자외선으로부터 반도체칩의 회로를 보호하는 자외선차폐층을 설비한 후, 소요의 절연피막의 형성가공을 행하는 것을 특지으로 하는 반도체장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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