KR960032585A - 반도체장치 및 그의 제조방법 - Google Patents

반도체장치 및 그의 제조방법 Download PDF

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고또 토시히사
타니모또 쥬니찌
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샤프 가부시끼가이샤
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Abstract

반도체기판상에 형성되는 반도장치가 제공되며, 그 소자는 ,반도체기판의 표면에 형성된 소스영역 및 드레인 영역용의 확산층; 반도체기판상에 게이트절연막을 통해 형성된 게이트 전극: 상기 게이트전극상에 형성된 층간 절연막; 및 상기 층간절연막상에 형성된 배선층을 포함하고, 상기 게이트전극이 소스영역 및 드레인 영역의 적어도 일부 및 그사이에 위치하는 채널영역상에 형성되며 또한 상기 게이트전극상의 층간절연막에 형성된 콘택트홀을 통해 상기 배선층에 전기적으로 접속된다.

Description

반도체장치 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5(a)~(g)도는 Y-Y선에 따른 제3(a)도의 반도체장치의 제조공정을 설명하기 위한 단면도들이다.
제6(a) 및 6(b)도는 각각 종래와 본 발명의 반도체장치의 평면도이다. 제6(c)도는 제6(a) 및 6(b)도에 보인 반도체장치에 대한 게이트전극의 폭(W)과 게이트용량간의 관계를 보인 도면이다. 제6(d)도는 제6(a) 및 6(b)도에 보인 반도체장치에 대한 게이트전극의 길이(L)와 게이트용량간의 관계를 보인 그래프이다.

Claims (5)

  1. 반도체기판상에 형성되는 반도체장치로서, 그 소자는, 반도체기판의 표면에 형성된 소스영역 및 드레인영역용의 확산층; 반도체기판상에 게이트절연막을 통해 형성된 게이트전극; 상기 게이트전극상에 형성된 층간절연막; 및 상기 층간절연막상에 형성된 배선층을 포함하고, 상기 게이트전극이 소스영역 및 드레인영역의 적어도 일부 및 소스영역과 드레인영역 사이에 위치하는 채널영역상에 형성되며 또한 상기 게이트전극상의 층간절연막에 형성된 콘택트홀을 통해 상기 배선층에 전기적으로 접속되는 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 한소자와 다른 인접한 소자간의 반도체기판의 표면부에 불순물영역이 형성되어 이들 소자들을 전기적으로 분리시키고; 소자와 그의 인접소자간의 접속을 위해 상기 배선층이 층간절연막을 통해 불순물영역상에 위치되어 있는 반도체장치.
  3. 제2항에 있어서, 반도체기판의 표면부에 형성되고 제1도전형을 갖는 제1웰 영역; 및 반도체기판의 표면부에 형성되고 제2도전형을 갖는 제2웰을 더 구비하며, 상기 제1웰 영역과 제2웰 영역은 각각 게이트전극상의 층간절연막을 형성된 콘택트홀을 통해 배선층과 전기적으로 접속되어 있는 게이트전극을 갖는 반도체장치.
  4. (a) 반도체기판내 불순물을 주입하여 반도체기판의 표면부에 소스영역 및 드레인영역용의 확산층을 형성하는 공정; (b) 상기와 같이 형성되는 반도체기판의 전면(全面)에 게이트절연막을 형성하고, 게이트절연막상에 게이트전극재료를 퇴적시키고 이 게이트전극재료를 패터닝하여 소스영역과 드레인영역의 적어도 일부 및 소스영역과 드레인영역 사이에 위치하는 채널영역상에 게이트전극을 형성하는 공정; (c) 상기와 같이 형성되는 반도체기판의 전면(全面)에 층간절연막을 형성하고, 게이트전극상의 층간절연막에 콘택트홀을 형성하는 공정; 및 (d) 상기 층간절연막상에 배선층을 형성하여 상기 콘택트홀을 통해 게이트전극을 상기 배선층에 전기적으로 접속시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 공정(b) 및 (c) 사이에, 반도체기판내로 이온주입을 행하여 소자분리영역을 형성하는 공정을 더 포함하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10144928A (ja) * 1996-11-08 1998-05-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
US20050045961A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-03 Barnak John P. Enhanced gate structure
US7282772B2 (en) * 2006-01-11 2007-10-16 International Business Machines Corporation Low-capacitance contact for long gate-length devices with small contacted pitch
US9524902B2 (en) * 2013-12-12 2016-12-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming integrated circuit with conductive line having line-ends

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61226942A (ja) * 1985-04-01 1986-10-08 Matsushita Electronics Corp 半導体集積回路の素子間分離方法
JP2605860B2 (ja) * 1989-03-22 1997-04-30 富士電機株式会社 高耐圧素子を含む半導体装置
IT1235843B (it) * 1989-06-14 1992-11-03 Sgs Thomson Microelectronics Dispositivo integrato contenente strutture di potenza formate con transistori ldmos complementari, strutture cmos e pnp verticali con aumentata capacita' di supportare un'alta tensione di alimentazione.
US5014098A (en) * 1990-02-26 1991-05-07 Delco Electronic Corporation CMOS integrated circuit with EEPROM and method of manufacture
JPH04273164A (ja) * 1991-02-27 1992-09-29 Nec Corp 半導体装置
US5245206A (en) * 1992-05-12 1993-09-14 International Business Machines Corporation Capacitors with roughened single crystal plates

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