KR960030403A - 반도체 장치, 이 장치를 갖는 반도체 회로, 상관 연산 장치, 신호 변환기, 및 신호 처리 시스템 - Google Patents

반도체 장치, 이 장치를 갖는 반도체 회로, 상관 연산 장치, 신호 변환기, 및 신호 처리 시스템 Download PDF

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Abstract

캐패시터 수단의 한 단자들은 입력 신호의 정 또는 부 논리를 선택할 수 있는 제1스위치 수단을 거쳐 다입력 단자들에 접속되며, 캐패시터의 다른 단자들은 제2스위치를 거쳐 차동 입력/출력형 센스 증폭기의 제1차동 입력에 공통으로 접속된다. 캐패시터들의 공통 접속부는 차동 입력/출력형 센스 증폭기의 제2차동 입력에 접속되며, 제2차동 입력은 제1차동 입력의 극성에 반대되는 극성을 가져, 비트 수 증가에 기인한 회로 규모 증가를 억제하고 고속 산술 동작을 가능하게 한다.

Description

반도체 장치, 이 장치를 갖는 반도체 회로, 상관 연산 장치, 신호 변환기, 및 신호 처리 시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 회로 구성의 예를 설명하는 개략적인 회로도.

Claims (22)

  1. 캐패시터 수단의 한 단자들은 입력 신호의 정 또는 부 논리를 선택할 수 있는 제1스위치 수단을 거쳐 다입력 단자들에 접속되며, 상기 캐패시터 수단의 다른 단자들은 제2스위치 수단을 거쳐 차동 입력/출력형 센스 증폭기의 제1차동 입력 수단에 공통으로 접속되며, 상기 캐패시터 수단의 상기 공통 접속부는 제3스위치 수단을 거쳐 상기 차동 입력/출력형 센스 증폭기의 제2차동 입력 수단에 접속되며, 상기 제2차동 입력 수단은 상기 제1차동 입력 수단의 극성에 반대되는 극성을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 제1리세트 스위치 수단은 상기 캐패시터 수단의 상기 공통 접속부에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 제2 및 제3리세트 수단은 상기 차동 입력/출력형 센스 증폭기의 상기 제1 및 제2차동 입력 수단에 각각 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3리세트 스위치 수단의 온(ON) 기간은 상기 입력 신호의 정 논리 및 부 논리 중 하나가 상기 제1스위치 수단을 거쳐 상기 각각의 캐패시터 수단의 한 단자에 인가되는 최소한 제1용량 입력단자 리세트 기간과 중첩하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 캐패시터 수단의 공통 접속된 단자와 상기 차동 입력/출력형 센스 증폭기의 상기 제1차동 입력 수단을 접속하는 상기 제2스위치 수단이 온 기간은 상기 제1용량 입력 단자 리세트 기간 동안 인가된 논리에반대되는 논리의 신호가 상기 제1스위치 수단을 거쳐 상기 각각의 캐패시터 수단의 한 단자에 기입되는 최소한 제1입력 신호 전송 기간 후에 개시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2스위치 수단의 상기 온 기간 후에, 상기 캐패시터 수단의 상기 공통 접속 단자는 상기 제1리세트 수단에 의해 다시 리세트되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 캐패시터 수단의 상기 공통 접속 단자와 상기 차동 입력/출력형 센스 증폭기의 상기 제2차동 입력 수단을 접속하는 상기 제3스위치 수단의 온 기간은 상기 제1용량 입력 단자 리세트 기간 동안 인기된 논리와 동일한 논리의 신호가 상기 제1스위치 수단을 거쳐 상기 각각의 캐패시터 수단의 한 단자에 기입되는 최소한 제2입력신호 전송 기간 후에 개시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 캐패시터 수단의 한 단자들에 신호들을 기입하는 상기 제1입력 신호 전송 기간 동안 상기 제1차동 입력 수단에 의해 유지된 증폭기 입력 전압 1과 상기 제2입력 신호 전송 기간 동안 상기 제2차동 입력 수단에 의해 유지된 증폭기 입력 전압 2간의 차는 상기 차동 입력/출력형 센스 증폭기를 턴 온 함으로써 논리 진폭 레벨까지 증폭되며, 차동 출력들은 다음 단(stage)으로 전송되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 차동 입력/출력형 센스 증폭기는 입력 단 내에 동일 극성을 갖는 트랜지스터들로 구성된 차동 쌍을 갖는 차동 출력형 증폭기이며, 상기 차동 쌍의 입력 전위차에 따른 극성을 갖는 논리 진폭 레벨까지 입력신호를 증폭시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 차동 출력형 증폭기는 외부 제어 신호에 의해서 턴 온/오프될 수 있으며, 상기 증폭기가 턴 오프되기 전에 이전 산술 동작 결과를 유지하는 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 차동 입력/출력형 센스 증폭기는 정귀환 효과를 이용하는 래치형 센스 증폭기인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 래치형 센스 증폭기는 외부 제어 신호에 의한 정귀환 효과에 기인하여 증폭 효과를 인에이블링/디스에이블링하는 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  13. 복수의 제1항의 반도체 장치들을 구비하고, 상기 복수의 반도체 장치 중 제1반도체 장치의 출력 및/또는 이의 반전된 출력이 제2반도체 장치에 입력되는 것을 특징으로 하는 반도체 회로.
  14. 제1항의 반도체 장치 내의 다입력 단자들에 대응하는 상기 캐패시터 수단의 최소 용량을 C로 표시할 때, 상기 공통 접속된 캐패시터 수단의 전체 용량은 실질적으로 상기 최소 용량 C의 기수배인 것을 특징으로 하는 반도체 회로.
  15. 제13항의 반도체 회로를 사용하여 상관 산술 동작을 수행하는 상관 연산 장치.
  16. 제1항의 반도체 장치를 포함하여, 상기 반도체 장치에 아날로그 신호를 입력하고, 상기 아날로그 신호에 대응하는 디지털 신호를 출력하는 신호 변환기.
  17. 제1항의 반도체 장치를 포함하며, 상기 반도체 장치에 디지털 신호를 입력하고, 상기 디지털 신호에 대응하는 아날로그 신호를 출력하는 신호 변환기.
  18. 제15항의 상관 연산 장치를 포함하는 신호 처리 시스템.
  19. 제18항에 있어서, 이미지 신호를 입력하기 위한 이미지 입력 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 처리 시스템.
  20. 제18항에 있어서, 정보를 기억시키기 위한 기억 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 처리 시스템.
  21. 제16항의 신호 변환기를 포함하는 신호 처리 시스템.
  22. 제17항의 신호 변환기를 포함하는 신호 처리 시스템.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960002038A 1995-01-31 1996-01-30 반도체 장치, 이 장치를 갖는 반도체 회로, 상관연산장치,신호변환기,및신호처리시스템 KR100191451B1 (ko)

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