KR920018756A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR920018756A
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사토루 호시
마사미 마스라
가즈히코 다케하시
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아오이 죠이치
가부시기가이샤 도시바
다카다이 마사다카
도시바 마이크로 일렉트로닉스 가부시기가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예의 회로구성도,
제2도는 본 발명의 다른 실시예의 회로구성도.

Claims (4)

  1. 메모리셀 어레이 중에서 선택회로(2,3)에서 선택한 메모리셀(1)중의 격납 데이타를 데이타선에 독출하고, 독출한 데이타를 상기 데이타선의 도중에 삽입 접속한 복수의 증폭시(7,8;71,72,13,14)를 통하여 입출력단자로 도출하는 반도체 기억장치에 있어서, 상기 증폭기의 입력단 및 출력단 사이에 접속된 바이패스용 스위칭소자 (Tr3, Tr4; Tr31~Tr33, Tr41~Tr43)와;기록시에 상기 스위칭 소자의 제어단에 도통 신호를 인가하여 상기 스위칭 소자를 도통시키고, 상기 스위칭 소자를 바이패스하여 상기 입출력단자를 상기 메모리셀에 직접적으로 접속하는 도통콘트롤신호 출력회로(12;121~123)를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 메모리셀 어레이는 각각 복수의 메모리셀을 갖는 복수의 메모리셀 유닛을 구비하고 상기 각 유닛마다 상기 증폭기의 제1단의 제1센스증폭기 (71,72)가 각각 접속되어 있으며 상기 제1단의 증폭기의 복수의 것이 상기 증폭기의 제2단이하의 제2 및 제3센스증폭기(13,14)에 공통적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 데이타선은 상기 메모리셀에 대하여 상보데이타가 입출력하는 상보데이타 선으로서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  4. 제1항에 있어서. 상기 스위칭소자는 독출에 앞서 각 증폭기의 입출력단을 균일하게 하는 등화용 소자와 공용되고, 상기 도통 곤트롤신호 출력회로는 돌출에 앞서 상기 등화용 소자와 도통신호를 인가하는 등화펄스 발생회로와 공용되는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR92003402A 1991-03-04 1992-03-02 Semiconductor memory device KR960001785B1 (en)

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US5311469A (en) 1994-05-10
JPH0676579A (ja) 1994-03-18
KR960001785B1 (en) 1996-02-05

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