KR960024672A - 화학증폭 포지형 레지스트 조성물 - Google Patents

화학증폭 포지형 레지스트 조성물 Download PDF

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가츠유키 오이카와
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요시오 가와이
지로 나카무라
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고지마 마사시
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Abstract

화학증폭 포지형 레지스트 조성물은 산불안정기로서 적어도 하나의 tert-부톡시카르보닐 메톡시기를 갖는 신규한 트리플루오로메탄술폰산 또는 p-톨루엔술폰산 술포늄염을 함유한다.
이 조성물은 고 에너지선 특히 KrF 엑시머레이저에 크게 민감하며, 고감도, 고해상도 및 높은 폴리즈마 에칭내성을 갖는 한편 결과된 레지스트 패턴의 내열성이 우수하다.

Description

화학증폭 포지형 레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (7)

  1. 하기 일반식(1)의 신규 술포늄염을 함유하는 것을 특징으로 하는 화학증폭 포지형 레지스트 조성물.
    (상기식에서, R1은 수소원자, 알킬기 또는 알콕시기이며, Y는 트리플루오로메탄술포네이트 또는 p-톨루엔술포네이트이며, 문자 n은 0 내지 2의 정수이고, m은 1 내지 3의 정수이며, n과 m의 합은 3이다.)
  2. (A) 유기용매, (B) 알칼리 가용성수지, (C) 산불안정기를 갖는 용해저지제, (D) 제1항에 기재된 일반식(1)의 술포늄염, (E) 광 산발생제를 함유하는 것을 특징으로 하는 화학증폭 포지형 레지스트 조성물.
  3. (A) 유기용매, (B) 알칼리 가용성수지, (C) 산불안정기를 갖는 용해저지제, (D) 제1항에 기재된 일반식(1)의 술포늄염, (E) 다음 일반식(2)의 오늄염.
    (R2)nMY (2)
    (상기식에서 R2는 치환 또는 비치환 방향족기로부터 독립적으로 선택되며, M은 술포늄 또는 요오도늄이며, Y는 트리플루오로메탄술포네이트 또는 p-톨루엔술포네이트이며, 문자 n은 2 또는 3이다.)를 함유하는 것을 특징으로 하는 화학증폭 포지형 레지스트 조성물.
  4. (A) 유기용매, (B) 알칼리 가용성수지, (C) 산불안정기를 갖는 용해저지제, (D) 제1항에 기재된 일반식(1)의 술포늄염을 함유하는 것을 특징으로 하는 화학증폭 포지형 레지스트 조성물.
  5. (A) 유기용매, (B) 알칼리 가용성수지, (D) 제1항에 기재된 일반식(1)의 술포늄염을 함유하는 것을 특징으로 하는 화학증폭 포지형 레지스트 조성물.
  6. (A) 유기용매, (B) 알칼리 가용성수지, (D) 제1항에 기재된 일반식(1)의 술포늄염, (E) 광 산발생제를 함유하는 것을 특징으로 하는 화학증폭 포지형 레지스트 조성물.
  7. 제2항 내지 제6항 중 어느 한항에 있어서, 상기 알칼리 가용성수지(B)는 일부 히드록실기의 수소원자가 산불안정기로 치환되어 있으며 약 5,000 내지 약 100,000의 중량평균분자량을 갖는 폴리히드록시스티렌인 것을 특징으로 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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