KR950014987A - 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 형성방법 - Google Patents

레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 형성방법 Download PDF

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아끼라 오이까와
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세끼자와 다다시
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Abstract

(A) 활성광선의 조사에 의하여 산을 생성가능한 화합물, (B) 산에 대해서 불안정한 기를 갖는 구조단위를 가지며, 또한, 화합물(A)에서 유래하는 산의 존재하에 이 기가 분해되어 알칼리 가용성이 되는 중합체, 및 (C) 페놀 화합물을 함유하는 레지스트 조성물, 및 이 레지스트 조성물을 사용한 레지스트 패턴의 형성 방법이 제공된다.

Description

레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (18)

  1. (A) 활성 광선의 조사에 의하여 산을 생성가능한 화합물, (B) 산에 대해서 불안정한 기를 갖는 구조 단위를 가지며, 또한 화합물(A)에 유래하는 산의 존재하에 이 기가 분해되어 알칼리 가용성이 되는 중합체, 및 (C) 페놀 화합물을 함유하는 레지시트 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 중합체(B)가 산에 대해서 불안정한 기를 갖는 구조 단위로서, 하기 일반식( I ), (Ⅱ) 및 (Ⅲ)으로 표시되는 구조 단위에서 선택되는 적어도 1종의 구조 단위를 함유하는 것인 레지스트 조성물.
    [식중, Rl및 R2는 서로 동일 또는 상이하며, 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1∼5의 알킬기, 또는 탄소수 1∼5의 치환 알킬기이고, R3은 선상 아세탈기, 고리상 아세탈기, 카르보네이트기 또는 -OR9이다. 단, R9는
    또는
    이며, 단, 이들 식중 R1O, R11, Rl2, Rl3, Rl4및 Rl5는 각각 독립적으로, 직쇄 알킬기, 치환 직쇄 알킬기, 측쇄 알킬기, 치환 측쇄 알킬기, 시클로알킬기, 치환 시클로알킬기, 알케닐기, 치환 알켈닐기, 아릴기, 치환 아릴기, 아르알킬기, 또는 치환 아르알킬기를 나타내고, 이들 중, R13및 R14는 수소원자라도 좋다.]
    [식중, R4는 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1∼5의 알킬기, 또는 탄소수 1∼5의 치환알킬 기이고, R5는
    또는
    이며, 단, 이들 식중 R1O, R11, Rl2, Rl3, Rl4및 Rl5는 각각 독립적으로, 직쇄 알킬기, 치환 직쇄 알킬기, 측쇄 알킬기, 치환 측쇄 알킬기, 시클로알킬기, 치환 시클로알킬기, 알케닐기, 치환 알켈닐기, 아릴기, 치환 아릴기, 아르알킬기, 또는 치환 아르알킬기를 나타내고, 이들 중, R13및 R14는 수소원자라도 좋다.]
    [식중, R6및 R7은 수소원자, 할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1∼5의 알킬기, 또는 탄소수 1∼5의 치환 알킬기이고, R8은
    또는
    이며, 단, 이들 식중 R1O, R11, Rl2, Rl3, Rl4및 Rl5는 각각 독립적으로, 직쇄 알킬기, 치환 직쇄 알킬기, 측쇄 알킬기, 치환 측쇄 알킬기, 시클로알킬기, 치환 시클로알킬기, 알케닐기, 치환 알켈닐기, 아릴기, 치환 아릴기, 아르알킬기, 또는 치환 아르알킬기를 나타내고, 이들 중, R13및 R14는 수소원자라도 좋다.]
  3. 제1항에 있어서, (B) 성분이 하기 일반식(Ⅳ), (V) 및 (Ⅵ)으로 나타낸 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종의 단량체(a)와 스티렌계 화합물, 아크릴산계 화합물, 메타크릴산계 화합물, 아크릴산 아미드계 화합물, 메타크릴산 아미드계 화합물, 말레산계 화합물, 무수 말레산계 화합물, 비닐아세테이트 비닐피놀리딘, 아크릴로니트릴, 마로니트릴, 비닐피롤리돈, 비닐카르바졸로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종의 단량체 (b)와의 공중합체인 레지스트 조성물.
    [식중, R1, R2및 R3은 일반식 (I)에서의 정의와 동일하다.]
    [식중, R1, R2및 R3은 일반식 (Ⅱ)에서의 정의와 동일하다.]
    [식중, R1, R2및 R3은 일반식 (Ⅲ)에서의 정의와 동일하다.]
  4. 제3항에 있어서, (B) 성분이 단량체 (a) 30∼80몰%와 단량체 (b) 20∼70몰%와의 공중합체인 레지스트 조성물.
  5. 제3항에 있어서, 공중합체의 중량평균 분자량이 1,000∼1,000,000의 범위인 레지스트 조성물.
  6. 제3항에 있어서, (B) 성분이 상기 일반식 (Ⅳ), (Ⅴ) 및 (Ⅵ)으로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종의 단량체 (a)와 스티렌, 4-히드록시스티렌 및 메틸 메타크릴레이트로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종의 단량체와의 공중합체인 레지스트 조성물.
  7. 제6항에 있어서, (B) 성분기 하기 화학식
    의 화합물과 4-히드록시 스티렘과의 공중합체인 레지스트 조성물.
  8. 제6항에 있어서, (B) 성분이 하기 일반식
    의 화합물과 스티렌과의 공중합체인 레지스트 조성물.
  9. 제6항에 있어서, (B) 성분이 하기 일반식
    의 화합물과 메틸 메타크릴레이트와의 공중합체인 레지스트 조성물.
  10. 제6항에 있어서, (B) 성분이 하기 화학식
    의 화합물과 메틸 메닥크릴레이트와의 공중합체인 레지스트 조성물.
  11. 제6항에 있어서, (B) 성분이 하기 화학식
    의 화합물과 4-히드록시스티렌과 공중합체인 레지스트 조성물.
  12. 제6항에 있어서, (B) 성분이 하기 일반식
  13. 1항에 있어서, (A) 성분이 오늄염, 할로겐화 유기 화합물, 퀴논디아지드 화합물, α, α'-비스(술포닐) 디아조메탄계 화합물, α-카르보닐-7'-술포닐디아조메탄계 화합물, 술폰 화합물, 유기산 에스테르 화합물, 유기산 아미드 화합물, 및 유기산 아미드 화합물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종의 화합물인 레지스트 조성물.
  14. 제1항에 있어서, (C) 성분이 페놀류, 비스페놀류, 트리스페놀류, 테트라키스페놀류, 히드록시벤조페논류, 히드록시비페닐류, 히드록시벤조페논옥심, 히드록시벤조트리아졸류, 히드록시아세트페논류, 몰식자산, 히드록시스티렌, 히드록시스티렌계 올리고머, 히드록시-7-메틸스티렌, 히드록시-α-메틸스티렌계 올리고머, 노볼락 올리고머, 크로몬류, 플라본류, 플라보놀류, 플라바논류, 옥시플라바논류, 이소플라반류, 크로만류, 카텐킨류, 스피로비크로만류, 니트로페놀류, 시아노페놀류, 알콕시페놀류, 할로겐화 페놀류, 및 이들의 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종의 화합물인 조성물.
  15. 제1항에 있어서, (B) 성분 100중량부에 대해서 (A) 성분을 0.01∼50중량부와 (C) 성분을 0.01∼100중랑부의 비율로 함유하는 레지스트 조성물.
  16. 제1항에 있어서, (A) 성분, (B) 성분 및 (C) 성분을 균일하게 용해시키기에 충분한 양의 용매를 추가로 함유하는 레지스트 조성물.
  17. 기판상에 화학증폭형 레지스트를 도포하는 공정, 제1의 가열처리, 활성광선의조사, 제2의 가열처리, 및 현상의 각 공정을 순차적으로 포함하며 이루어지는 레지스트 패턴의 형성 방법에 있어서, 화학증폭형 레지스트로서 제1항의 레지스트 조성물을 사용하는 레지스트 패턴의 형성방법.
  18. 제17항에 있어서, 기판이 레지스트 도포면에 10nm 이상의 단차를 갖는 것인 레지스트 패턴의 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100540968B1 (ko) * 1999-03-26 2006-01-10 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR101012822B1 (ko) * 2010-03-09 2011-02-08 황치보 공작물 자동분할 커팅 장치

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2845225B2 (ja) * 1995-12-11 1999-01-13 日本電気株式会社 高分子化合物、それを用いた感光性樹脂組成物およびパターン形成方法
WO1997027515A1 (fr) * 1996-01-26 1997-07-31 Nippon Zeon Co., Ltd. Composition de resist
JP3591672B2 (ja) * 1996-02-05 2004-11-24 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
US6214517B1 (en) * 1997-02-17 2001-04-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photoresist composition
US6077643A (en) * 1997-08-28 2000-06-20 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions
JP3052917B2 (ja) * 1997-10-24 2000-06-19 日本電気株式会社 化学増幅系レジスト
JP2000056474A (ja) * 1998-08-05 2000-02-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法
US6270949B1 (en) 1998-08-11 2001-08-07 International Business Machines Corporation Single component developer for copolymer resists
US6426177B2 (en) 1998-08-11 2002-07-30 International Business Machines Corporation Single component developer for use with ghost exposure
TWI277830B (en) * 1999-01-28 2007-04-01 Sumitomo Chemical Co Resist composition
JP3437138B2 (ja) 2000-03-14 2003-08-18 松下電器産業株式会社 パターン形成材料及びパターン形成方法
EP1229390A4 (en) * 2000-06-22 2004-06-02 Toray Industries POSITIVE RADIOSENSITIVE COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING STRUCTURES USING THE SAME
US7022455B2 (en) * 2001-12-28 2006-04-04 Shipley Company, L.L.C. Photoacid-labile polymers and photoresists comprising same
JP4308051B2 (ja) 2004-03-22 2009-08-05 富士フイルム株式会社 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
WO2006054750A1 (ja) * 2004-11-22 2006-05-26 Mitsubishi Chemical Corporation 静電荷像現像用トナーの製造方法および静電荷像現像用トナー
JP4387957B2 (ja) * 2005-02-02 2009-12-24 東京応化工業株式会社 薄膜インプランテーションプロセス用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2006225476A (ja) * 2005-02-16 2006-08-31 Shin Etsu Chem Co Ltd ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
US8404427B2 (en) * 2005-12-28 2013-03-26 Fujifilm Corporation Photosensitive composition, and pattern-forming method and resist film using the photosensitive composition
JP4866605B2 (ja) * 2005-12-28 2012-02-01 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に用いられる化合物
US20070269749A1 (en) * 2006-05-18 2007-11-22 Richard Elliot Schenker Methods to reduce the minimum pitch in a pattern
JP4777174B2 (ja) * 2006-07-26 2011-09-21 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4777175B2 (ja) * 2006-07-26 2011-09-21 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
US7914968B2 (en) * 2006-07-24 2011-03-29 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and method of forming resist pattern
JP4890166B2 (ja) * 2006-09-11 2012-03-07 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
KR100944227B1 (ko) * 2007-12-17 2010-02-24 제일모직주식회사 방향족 산 분해성 기를 갖는 (메타)아크릴레이트 화합물 및감광성 고분자 및 레지스트 조성물
JP5655754B2 (ja) * 2011-10-03 2015-01-21 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP6238635B2 (ja) * 2013-08-09 2017-11-29 東京応化工業株式会社 化学増幅型感光性樹脂組成物及びそれを用いたレジストパターンの製造方法
WO2021215163A1 (ja) * 2020-04-23 2021-10-28 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法
JP2022051106A (ja) * 2020-09-18 2022-03-31 キオクシア株式会社 化合物、ポリマー、パターン形成材料、パターン形成方法および半導体装置の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
US4626492A (en) * 1985-06-04 1986-12-02 Olin Hunt Specialty Products, Inc. Positive-working o-quinone diazide photoresist composition containing a dye and a trihydroxybenzophenone compound
JP2578646B2 (ja) * 1988-07-18 1997-02-05 三洋電機株式会社 非水系二次電池
JP2571130B2 (ja) * 1989-09-20 1997-01-16 日本ゼオン株式会社 レジスト組成物
DE69125634T2 (de) * 1990-01-30 1998-01-02 Wako Pure Chem Ind Ltd Chemisch verstärktes Photolack-Material
DE4007924A1 (de) * 1990-03-13 1991-09-19 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100540968B1 (ko) * 1999-03-26 2006-01-10 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR101012822B1 (ko) * 2010-03-09 2011-02-08 황치보 공작물 자동분할 커팅 장치

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Publication number Publication date
US5688628A (en) 1997-11-18
JPH07181680A (ja) 1995-07-21
KR100333565B1 (ko) 2002-11-13

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