KR960006062A - 액정표시장치 및 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
밝은 영상표시와 양호한 수율의 액정표시장치를 제공하기 위해서는, 투명기판상의 투명화소전극의 하부의 게이트절연막에 화소 전극의 평면면적보다도 작은 개구부를 설치하여 상기 개구부를 화소전극 하부의 소스전극 패턴이 횡단하도록 구성하고 ,전극단부가 반도체패턴부의 테이퍼각의 3배이하(단, 90° 미만)인 테이퍼각으로 테이퍼 가공된 게이트전극을 지닌 박막트랜지스터(TFT)를 설치한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예의 액정표시패널의 단면도(제2도의 1-1선에 의한 단면도), 제8도는 표시패널의 매트릭스주변부의 구성을 설명하는 평면도.
Claims (26)
- 기판 및 절연막이 형성된 기판중 어느 하나에 형성된 복수의 게이트라인과, 상기 복수의 게이트라인에 교차하도록 형성된 복수의 데이터라인과, 상기 복수의 게이트라인과 상기 복수의 데이터리인의 각 교차점부근에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터에 접속된 화소전극을 구비하고, 상기 화소전극에 의해 액정을 구동하는 기능을 지닌 액정표시장치에 있어서, 상기 화소전극의 중앙부분이 상기 기판 또는 상기 절연막형성기판에 접하고, 상기 화소전극의 주변부분이 상기 박막트랜지스터를 구성하는 게이트절연막과 동일층인 절연막과 접한 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제1항에 있어서, 상기 화소전극을 구성하는 도전막은 상기 박막트랜지스터의 소스전극까지 연장하고, 상기 소스전극을 구성하는 도전막의 평면패턴의 윤곽선은 상기 화소전극의 중앙부분의 기판에 접힌 영역의 평면패턴의 윤곽선과 교차하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제1항에 있어서, 상기 데이터라인과 상기 화소전극 중앙부분의 기판에 접한 영역과의 사이에는 상기 데이터라인과 평행하고 상기 박막트랜지스터를 구성하는 게이트절연막과 동일층인 절연막에 의해 상기 데이터라인으로부터 절연분리된 차광막을 설치한 것을 특징으로하는 액정표시장치.
- 제1항에 있어서, 상기 데이터라인의 하부를 차광하고, 상기 화소전극의 하부까지 연장하여, 상기 박막트랜지스터를 구성하는 게이트절연막과 동일층인 절연막에 의해 상기 데이터라인과 상기 화소전극으로부터 절연분리되고, 상기 게이트라인에 의해 전압제어되지 않는 차광막을 설치한 것을 특징으로하는 액정표시장치.
- 기판 및 절연막이 형성된 기판중 어느 하나에 형성된 복수의 게이트라인과, 상기 복수의 게이트라인에 교차하도록 형성된 복수의 데이터라인과, 상기 복수의 게이트라인과 상기 복수의 데이터라인의 각 교차점부근에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터에 접속된 화소전극을 구비하고, 상기 화소전극에 의해 액정을 구동하는 기능을 지닌 액정표시장치에 있어서, 상기 데이터라인의 하부를 차광하고, 상기 화소전극의 하부까지 연장하여, 상기 박막트랜지스터를 구성하는 게이트절연막과 동일층인 절연막 또는 막중 하나가 게이트절연막인 적층된 절연막에 의해 상기 데이터라인과 상기 화소전극으로부터 절연분리되고, 상기 게이트라인에 의해 전압제어되지 않는 차광막을 설치한 것을 특징으로하는 액정표시장치.
- 제1항에 있어서, 복수의 게이트라인의 각각에 대응하고 게이트라인과 평행한 복수의 도전라인을 설치하여 상기 도전라인과 상기 화소전극 사이에 절연막을 유지함으로써 용량소자를 형성한 것을 특징으로하는 액정표시장치.
- 기판상에 형성된 복수의 게이트라인과, 상기 복수의 게이트라인을 교차하도록 형성된 복수의 데이터라인과, 상기 복수의 게이트라인과 상기 복수의 데이터라인의 각 교차점부근에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터에 접속된 화소전극과, 상기 화소전극에 접속된 기억용량을 구비하고, 상기 화소전극에 의해 액정을 구동하는 기능을 지닌 액정표시장치에 있어서, 상기 박막트랜지스터는, 상기 게이트라인의 일부로 구성된 게이트전극상에 형성된 게이트절연막, 상기 게이트절연막상에 형성된 반도체층 및, 상기 반도체층상에 형성된 소스전극 및 드레인전극으로 구성된 구조를 지니고, 상기 화소전극을 구성하는 상기 도전막은 상기 소스전극 상에 연장되고, 상기 기억용량은 상기 박막트랜지스터가 형성된 게이트라인과 인접한 게이트라인상에 형성된 상기 게이트절연막과 동일층인 절연막, 및 상기 절연막상에 형성된 상기 화소전극으로부터 연장된 도전막을 구성하는 구조를 지닌 것을 특징으로하는 액정표시장치.
- 제7항에 있어서, 상기 게이트절연막과 상기 반도체층의 단부와 상기 기판과의 테이퍼각은 상기 기억용량을 구성하는 상기 절연막의 단부와 상기 기판과의 테이퍼각보다도 큰 것을 특징으로하는 액정표시장치.
- 제7항에 있어서, 상기 소스전극은 상기 반도체층, 상기 게이트절연막 및 상기 기판과 접촉한 것을 특징으로하는 액정표시장치.
- 제7항에 있어서, 상기 복수의 데이터라인은 상기 반도체층과, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극을 구성하는 도전막을 구비하고, 상기 반도체층과 상기 도전막은 동일평면패턴인 것을 특징으로하는 액정표시장치.
- 제7항에 있어서, 상기 게이트라인은 그것을 구성하는 도전막의 양극산화막으로 피복된 것을 특징으로하는 액정표시장치.
- 기판상에 형성된 복수의 게이트라인과, 상기 복수의 게이트라인을 교차하도록 형성된 복수의 데이터라인과, 상기 복수의 게이트라인과 상기 복수의 데이터라인의 각 교차점부근에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터에 접속된 화소전극을 구비하고, 상기 화소전극에 의해 액정을 구동하는 기능을 지닌 액정표시소자에 있어서, 게이트절연막 및 상기 게이트절연막상에 형성된 반도체층을 대략 동일 평면패턴에서 동일공정으로 에칭한 다음, 상기 반도체층를 선택적으로 에칭하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시 소자의 제조방법.
- 제12항에 있어서, 상기 게이트절연막 및 상기 반도체층을 동일 공정으로 에칭한 후, 상기 반도체층상에 소정패턴의 금속막을 형성한 다음, 상기 금속막을 마스크로서 사용하여 반도체층을 에칭한 것을 특징으로 하는 액정표시 소자의 제조방법.
- 제12항에 있어서, 상기 게이트라인의 표면을 양극화하는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제12항에 있어서, 상기 게이트절연막 및 상기 반도체층을 동일 공정으로 에칭하는 공정에서는, 에칭가스로서 황헥사플루오라이드를 사용한 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제12항에 있어서, 상기 금속막을 마스크로서 사용하여 상기 반도체층을 에칭하는 공정에서는 에칭가스로서 황헥사플루오라이드와 염소와의 혼합가스를 사용한 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
- 제12항에 있어서, 반도체층의 에칭 후 상기 화소전극을 형성한 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
- 절연기판상에 게이트전극, 절연층 및 반도체층으로 구성된 반도체팬턴과, 상기 반도체패턴영역에서 상기 게이트전극과 교차하도록 형성된 소스전극 및 드레인전극을 구비한 반도체장치에 있어서, 전극단부가 테이퍼가공된 상기 게이트전극상에 전극단부가 테이퍼가공된 상기 반도체패턴이 형성되고, 상기 게이트전극의 테이퍼각(eg)은 상기 반도체패턴의 단부의 테이퍼각 (es)의 3배이하(단, 90° 미만)가 되도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 절연기판상에 게이트전극, 절연층 및 반도체층으로 구성된 반도체팬턴과, 상기 반도체패턴영역에서 상기 게이트전극과 교차하도록 형성된 소스전극 및 드레인전극을 구비한 반도체장치에 있어서, 전극단부가 테이퍼 가공된 상기 게이트전극상에 단부가 테이퍼가공된 상기 반도체패턴이 형성되어 있고 상기 게이트전극은 Ta, ITO, MoSi2, TaSi2, CrSi2, WSi2, TiN 및 TaN의 군에서 선택한 재료로 이루어지고, 상기 게이트전극의 테이퍼각(eg)이 상기 반도체패턴단부의 테이퍼각(eg)의 3배 이하(단, 90° 미만)가 되도록 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 절연기판상에 게이트전극, 절연층 및 반도체층으로 구성된 반도체팬턴과, 상기 반도체패턴영역에서 상기 게이트전극과 교차하도록 형성된 소스전극 및 드레인전극을 구비한 반도체장치에 있어서, 전극단부가 테이퍼가공된 상기 게이트전극상에 단부가 테이퍼가공된 상기 반도체패턴이 형성되어 있고 상기 게이트전극은 C, Mo, W, Al, Cu, Au, Ni의 군에서 선택한 재료로 이루어지고, 상기 게이트전극의 테이퍼각(eg)이 상기 반도체패턴의 단부의 테이퍼각(eg)의 3배이하(단,90° 미만)가 되도록 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제18항, 19항, 및 20항중 어느 한 항에 있어서, 상기 게이트전극의 테이퍼각 (eg)은 상기 반도체패턴단부의 테이퍼각(eg) 0.5~ 3배(단,90° 미만)인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제18항, 19항, 및 20항중 어느 한 항에 있어서, 상기 게이트전극의 테이퍼각 (eg)은 10°~40°인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 절연기판상에 게이트전극, 절연층 및 반도체층으로 구성된 반도체팬턴과, 상기 반도체패턴영역에서 상기 게이트전극과 교차하도록 형성된 소스전극 및 드레인전극을 구비한 반도체장치에 있어서, 전극단부가 테이퍼가공된 상기 게이트전극상에 단부가 테이퍼가공된 상기 반도체패턴이 형성되어 있고, 상기 게이트전극과 상기 반도체패턴은 상기 게이트전극의 하단부로부터 상단부의 후퇴거리(A)에 대한 게이트전극 두께(B)의 비(테이퍼비:B/A)가 상기 반도체패턴 단부의 테이퍼비(B′/A′)의 3배이하가 되도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제23항에 있어서, 상기 게이트전극의 테이퍼비(B/A)는 0.2~0.8인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 1대의 기판의 한쪽의 기판상에 서로 교차하도록 복수의 주사신호선과 복수의 영상신호선과의 각 교차점부근에 배치되어, 게이트전극, 드레인전극 및 소스전극이 상기 주사신호선, 상기 영상신호선 및 화소전극과 각각 접속된 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치에 있어서, 전극단부가 테이퍼 가공된 상기 게이트전극상에 단부가 테이퍼가공된 반도체패턴이 형성되어 있고, 상기 게이트전극의 테이퍼각(eg)은 상기 반도체패턴 단부의 테이퍼각(es)의 3배이하(단,90°미만)가 되도록 형성하고, 상기 기판과 다른 한쪽의 투명기판과의 사이에 액정배향막에 의해 액정층을 유지한 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 1대의 기판의 한 쪽의 기판상에 서로 교차하도록 복수의 주사신호선과 복수의 영상신호선과의 각 교차점부근에 배치되어, 게이트전극, 드레인전극 및 소스전극이 상기 주사신호선, 상기 영상신호선 및 화소전극과 각각 접속된 박막트랜지스터를 구비한 액정표시장치에 있어서, 전극단부가 테이퍼 가공된 상기 게이트전극상에 단부가 반도체패턴이 형성되어 있고, 상기 게이트전극과 상기 반도체패턴은 상기 게이트전극의 하단부로부터 상단부의 후퇴거리(A)에 대한 게이트전극두께(B)의 비(테이퍼비:B/A)가 상기 반도체패턴단부의 테이퍼비(B′/A′)의 3배 이하가 되도록 구성하고, 상기 기판과 다른 한쪽의 투명기판과의 사이에 액정배향막에 의해 액정층을 유지한 것을 특징으로 하는 액정표시 장치.※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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