KR950024383A - 메사 스트라이프 구조를 가진 반도체 레이저 및 그의 제조방법 - Google Patents

메사 스트라이프 구조를 가진 반도체 레이저 및 그의 제조방법 Download PDF

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Abstract

향상된 신뢰성을 가진 반도체 레이저, 반도체 레이저는 제1도전형의 제1의 AlGalnP 크래딩층, 메사 스트라이프를 형성하는 제2도전형의 제2의 AlGalnP 크래딩층, 도핑되지 않은 GalnP 층으로 만들어진 활성층, 도핑되지 않은 AlGalnP 층, 또는 도핑되지 않은 GalnP 서브층 및 도핑되지 않은 AlGalnP 서브층의 양자 우물층을 포함하고 있다. 반도체 레이저는 메사 스트라이프를 매립하도록 메사 스트라이프의 양측에 놓여지는 Alxln1-xP 또는 (AlyGa1-y)xln1-xP 층으로 만들어지는 매립층을 추가로 포함하고 있다. 매립층은 제2크래딩층 보다 큰 에너지 대역 갭과 작은 굴절율을 가진다. 매립층은 메사 스트라이프의 양측과 접촉하여 메사 스트라이프의 측면을 따라 연장하는 제1층을 가지며, 제1 영역의 A1 조성비 x 는 제1영역이 GaAS에 격자 정합되도록 설정된다. 매립층은 제1영역의 하부 단부와 접촉하여 활성층을 따라 연장하는 제2영역을 가진다. 제2영역의 A1 조성비는 제2영역이 GaAs격자 정합되거나 격자 정합되지 않게 설정된다.

Description

메사 스트라이프 구조를 가진 반도체 레이저 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 레이저의 단면도.
제4도는 Alxln1-xP 매립층의 A1 파단면 변동분 △x와 그의 성장 온도 사이의 관계를 도시하는 그래프.
제5도는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 레이저의 단면도.

Claims (12)

  1. 메사 스트라이프 구조를 가진 반도체 레이저에 있어서, 제1도전형의 제1의 AlGaInP 크래딩층과, 상기 메사 스트라이프를 형성하는 제2도전형의 제2의 AlGalnP 크래딩층과, 도핑되지 않은 GalnP 층, 도핑되지 않은 AlGalnP 층, 및 도핑되지 않은 GalnP 서브층과 도핑되지 않은 AlGalnP 서브층의 양자 우물층중 하나의 층으로 만들어지며, 상기 제1크래딩층과 상기 제2크래딩층 사이에 샌드위치된 활성층과, Alx1n1-xP 또는 (AlyGa1-y)x11-xP 층중 하나로 만들어지며, 상기 메사 스트라이프를 매립하도록 상기 메사 스트라이프의 양측에 위치하는 매립층을 포함하며, 상기 매립층은 상기 활성층의 에너지 대역갭 보다는 큰 에너지 대역갭을 가지며 상기 제2크래딩층의 굴절율 보다는 작은 굴절율을 가지며, 상기 매립층은 상기 메사 스트라이프와 접촉하여 상기 메사 스트라이프의 측면을 따라 연장하는 제1영역을 가지며, 상기 제1영역의 A1 조성비 x는 상기 제1영역이 GaAs 에 격자 정합되도록 설정되는 것을 특징으로 하는 메사 스트라이프 구조를 가진 반도체 레이저.
  2. 제1항에 있어서, 상기 매립층은 상기 제1영역의 하부 단부와 결합되어 상기 활성층을 따라 연장하는 제2영역을 가지며, 상기 제2영역의 A1 조성비 x 는 상기 제2영역이 GaAs 에 격자 정합되지 않도록 설정되는 것을 특징으로 하는 메사 스트라이프 구조를 가진 반도체 레이저.
  3. 제1항에 있어서, 상기 매립층은 상기 제1영역의 하부 단부와 결합되어 상기 활성층을 따라 연장하는 제2영역을 가지며, 상기 제2영역의 A1 조성비 x 는 상기 제2영역이 GaAa 에 격자 정합되도록 설정되는 것을 특징으로 하는 메사 스트라이프 구조를 가진 반도체 레이저.
  4. 메사 스트라이프 구조를 가진 반도체 레이저에 있어서, GaAs 기판과, 상기 기판에 형성되는 제1도전형의 제1의 AlGalnP 크래딩층과, 도핑되지 않은 GalnP 층, 도핑되지 않은 AlGalnP 층, 및 도굉되지 않은 GalnP 서브층과 도핑되지 않은 AlGalnP 서브층의 양자 우물층중 하나의 층으로 만들어지며, 상기 제1크래딩층 위에 형성되는 활성층과, 상기 활성층 위에 형성되는 제2도전형의 제2의 AlGalnP 크래딩층과, 상기 제2크래딩층 위에 형성된 GalnP 에칭 저지층과, 상기 에칭 저지층 위에 형성되며, 상기 메사 스트라이프를 형성하는 상기 제2도전형의 제3의 AlGalnP크래딩층과, 상기 메사 스트라이프를 매립하도록 상기 메사 스트라이프의 양측에 놓여지는 Alxln1-xP 또는 (AlyGa1-y)xln1-xP 층중 하나로 만들어지는 매립층을 포함하며, 상기 매립층은 상기 제2크래딩층의 에너지 대역갭 보다 큰 에너지 대역갭을 가지고, 상기 제2크래딩층의 굴절율 보다 작은 굴절율을 가지며, 상기 매립층은 상기 메사 스트라이프와 접촉하여 상기 메사 스트라이프의 측면을 따라 연장하는 제1영역을 가지며, 상기 제1영역의 A1 조성비 x 는 상기 제1영역이 GaAs에 격자 정합되도록 설정되는 것을 특징으로 하는 메사 스트라이프 구조를 가진 반도체 레이저.
  5. 제4항에 있어서, 상기 매립층은 상기 제1영역의 하부 단부와 결합되어 상기 활성층을 따라 연장하는 제2영역을 가지며, 상기 제2영역의 A1 조성비 x 는 상기 제2영역이 GaAs에 격자 정합되지 않도록 설정되는 것을 특징으로 하는 메사 스트라이프 구조를 가진 반도체 레이저.
  6. 제4항에 있어서, 상기 매립층은 상기 제1영역의 하부 단부와 결합되어 상기 활성층을 따라 연장하는 제2영역을 가지며, 상기 제2영역의 A1 조성비 x 는 상기 제2영역이 GaAs 에 격자 정합되도록 설정되는 것을 특징으로 하는 메사 스트라이프 구조를 가진 반도체 레이저.
  7. MOVPE 시스템을 이용하여 행해지는 메사 스트라이프구조를 가진 반도체 레이저의 제조방법에 있어서, 제l도전형의 제1의 AlGalnP 크래딩층, 활성층 및 제2도전형의 제1의 AlGalnP 크래딩층으로 만들어지는 계총구조를 형성하는 스텝과, 620℃ 또는 그 이하의 성장 온도에서 상기 메사 스트라이프를 매립하도록 상기 메사 스트라이프의 양측 Alx1n1-xP 또는 (AlyGa1-y)x11-xP 층중 하나로 만들어지는 매립층을 선택적으로 성장하는 스텝을 포함하며, 상기 활성층은 도핑되지 않은 GalnP층, 도핑되지 않은 AlGalnP층, 및 상기 도펑되지 않은 GalnP 서브층과 상기 도핑되지 않은 AlGalnP 서브층의 양자 우물층중 하나의 층으로 만들어지며, 상기 활성층은 상기 제1크래딩층과 상기 제2크래딩층 사이에 샌드위치되며, 상기 제2크래딩층은 상기 메사 스트라이프를 형성하며, 상기 매립층은 상기 제2크래딩층의 에너지 대역갭 보다는 큰 에너지 대역갭을 가지며 상기 제2크래딩층의 굴절율보다는 작은 굴절율을 가지며, 상기 매립층은 상기 메사 스트라이프와 접촉하여 상기 메사 스트라이프의 측면을 따라 연장하는 제1영역을 가지며, 상기 제1영역의 A1 조성비 x 는 상기 제1영역이 GaAs 에 격자 정합되도록 설정되는 것을 특징으로 하는 메사 스트라이프 구조를 가진 반도체 레이저의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 매립층은 상기 제1영역의 하부 단부와 결합되어 상기 활성층을 따라 연장하는 제2영역을 가지며, 상기 제2영역의 A1 조성비 x 는 상기 제2영역이 GaAs에 격자 정합되지 않도록 설정되는 것을 특징으로 하는 메사 스트라이프 구조를 가진 반도체 레이저의 제조방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 매립층은 상기 제1영역의 하부 단부와 결합되어 상기 활성층을 따라 연장하는 제2영역을 가지며, 상기 제2영역의 A1 조성비 x 는 상기 제2영역이 GaAs 에 격자 정합되도록 설정되는 것을 특징으로 하는 메사 스트라이트 구조를 가진 반도체 레이저의 제조방법.
  10. MOVPE 시스템을 이용하여 행해지는 메사 스트라이프구조를 가진 반도체 레이저에 있어서, GaAs 기판위에 제1도전형의 제1의 AlGalnP 크래딩층을 형성하는 스텝과, 도핑되지 않은 GalnP층, 도핑되지 않은 AlGalnP 층, 및 도핑되지 않은 GalnP 서브층과 도핑되지 않은 AlGalnP 서브층의 양자 우물층중 하나의 층으로 만들어지며, 상기 제1크래딩층 위에 활성층을 형성하는 스텝과, 상기 활성층 위에 제2도전형의 제2의 AlGalnP 크래딩층을 형성하는 스텝과, 상기 제2크래딩층 위에 GalnP 에칭 저지층을 형성하는 상기 에칭 저지층위에 상기 제2도전형의 제3의 AlGalnP 크래딩층을 형성하는 스텝과, 상기 메사 스트라이프를 형성하도록 상기 제3크래딩층을 선택적으로 에칭하는 스텝과, 620℃ 또는 그 이하의 성장 온도에서 HC1을 첨가하면서 상기 메사 스트라이프를 매립하도록 상기 메사 스트라이프의 양측 상기 에칭 저지층 위에 매립층을 선택적으로 선당하는 스텝을 포함하며, 상기 매립층은 Alx1n1-xP 또는 (AlyGa1-y)x11-xP 층중 하나로 만들어지며, 상기 매립층은 상기 활성층의 에너지 대역갭 보다는 큰 에너지 대역갭을 가지며 상기 제2크래딩층의 굴절율 보다는 작은 굴절율을 가지며, 상기 매립층은 상기 메사 스트라이프와 접촉하여 상기 메사 스트라이프의 측면을 따라 연장하는 제1영역을 가지며, 상기 제1영역의 A1 조성비 x 는 상기 제1영역이 GaAs에 격자 정합되도록 설정되는 것을 특징으로 하는 메사 스트라이프 구조를 가진 반도체 레이저의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 매립층은 상기 제1영역의 하부 단부와 결합되어 상기 활성층을 따라 연장하며, 상기 제2영역의 A1 조성비 x 는 상기 제2영역이 GaAs에 격자 정합되지 않도록 설정되는 것을 특징으로 하는 메사 스트라이프 구조를 가진 반도체 레이저의 제조방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 매립층은 상기 제1영역의 하부 단부와 결합되어 상기 활성층을 따라 연장하는 제2영역을 가지며, 상기 제2영역의 A1 조성비 x 는 상기 제2영역이 GaAs에 격자 정합되도록 설정되는 것을 특징으로 하는 메사 스트라이프 구조를 가진 반도체 레이저의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5963572A (en) * 1995-12-28 1999-10-05 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
JPH1098234A (ja) * 1996-09-25 1998-04-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ，及びその製造方法
JP3780650B2 (ja) * 1997-08-05 2006-05-31 ソニー株式会社 半導体レーザの平均光出力の設定方法および半導体レーザの高周波電流の重畳条件の設定方法
US6664605B1 (en) * 2000-03-31 2003-12-16 Triquint Technology Holding Co. Dopant diffusion blocking for optoelectronic devices using InAlAs and/or InGaAlAs
JP2003037331A (ja) * 2001-07-26 2003-02-07 Sharp Corp 半導体レーザ装置
JP4027126B2 (ja) 2002-03-08 2007-12-26 シャープ株式会社 半導体レーザ素子およびその製造方法
JP2004158615A (ja) * 2002-11-06 2004-06-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置
JP4262549B2 (ja) * 2003-07-22 2009-05-13 シャープ株式会社 半導体レーザ素子およびその製造方法
JP4551121B2 (ja) * 2004-05-24 2010-09-22 シャープ株式会社 半導体レーザ装置
JP6897928B2 (ja) * 2016-01-14 2021-07-07 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 光半導体素子の製造方法および光半導体素子

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2723523B2 (ja) * 1987-10-01 1998-03-09 日本電気株式会社 ＡｌＧａＩｎＰ可視光半導体発光素子
JPH03161987A (ja) * 1989-11-20 1991-07-11 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
JPH04154183A (ja) * 1990-10-18 1992-05-27 Nec Corp 半導体レーザ及びその製造方法
JPH05121828A (ja) * 1991-10-18 1993-05-18 Nec Corp 半導体レーザ
JPH05291683A (ja) * 1992-04-10 1993-11-05 Fujitsu Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
US5383214A (en) * 1992-07-16 1995-01-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser and a method for producing the same
US5379312A (en) * 1993-10-25 1995-01-03 Xerox Corporation Semiconductor laser with tensile-strained etch-stop layer

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07249838A (ja) 1995-09-26
KR0153585B1 (ko) 1998-12-01
JP2814931B2 (ja) 1998-10-27
EP0664592A1 (en) 1995-07-26
US5528617A (en) 1996-06-18

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